涂敷、显影装置和涂敷、显影装置的控制方法及存储介质.pdf

本发明提供一种技术，该技术能够减少基板在检查模块上滞留的时间，从而能够提高涂敷、显影装置的生产能力。在将在处理站接受过处理的基板交接给载体站的检查站中，设置有检查所需的时间彼此不同的多个检查模块；暂时滞留基板的缓冲单元；和其动作通过控制部被控制的基板搬送机构，在检查模块进行基板的处理的期间，后续的成为该检查模块的检查对象的基板通过上述基板搬送机构被搬送至缓冲单元，并使其滞留于该缓冲单元，由此能够抑制检查模块中的基板的滞留，实现生产能力的提高。

1、  一种涂敷、显影装置，其特征在于，包括：
载体站，其用于载置收纳有多个基板的载体，并设置有与载体之间进行基板的交接的第一基板搬送机构；
处理站，其包括对从所述第一基板搬送机构交接到的基板进行抗蚀剂的涂敷、对被涂敷抗蚀剂且被曝光后的基板进行显影、或进行其前后的处理的多个处理模块，和相对于这些处理模块依次搬送基板的第二基板搬送机构；
用于放置在该处理站中已完成显影的基板的第一交接部；
基板通过所述载体站的第一基板搬送机构被取走的第二交接部；
检查站，其包括：对已完成显影的基板进行检查，且检查所需的时间相互不同的多个检查模块；暂时滞留基板的缓冲单元；和与缓冲单元、所述第一交接部、第二交接部、检查模块之间进行基板的交接的第三基板搬送机构，该检查站将在处理站中被处理后的基板交接给载体站；和
控制所述第三基板搬送机构的控制部，其中，
所述控制部具备以下功能，
在搬送所述第一交接部的基板时，执行以下步骤：
(a1)判断该基板是否为检查对象的基板；
(a2)如果不是检查对象的基板，则将该基板搬送至第二交接部；
(a3)如果是检查对象的基板，则判断进行检查的检查模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则搬送至缓冲单元，
在搬送检查站内的模块的基板时，执行下述步骤：
(b1)判断分配给该基板的检查是否已全部结束；
(b2)如果检查已结束，则将该基板搬送至所述第二交接部；
(b3)如果检查未结束，则判断未结束的检测模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则使其位于缓冲单元内。

2、  如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
所述控制部执行下述步骤：
当在所述(a3)中判断检查模块不空闲时，代替搬送至缓冲单元的步骤，
判断缓冲单元是否空闲，如果空闲，则将所述基板搬送至缓冲单元，如果不空闲，则作为未检查基板搬送至第二交接部。

3、  如权利要求2所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
设置有如果在所述(a3)中缓冲单元不空闲则发出警报的警报产生机构。

4、  如权利要求2所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
已被搬送至所述第二交接部的作为未检查基板被处理的检查对象基板被搬送至载体站。

5、  如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
已被搬送至载体站的检查对象基板被搬送至载体。

6、  如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
所述控制部执行将已被搬送至载体站的作为未检查基板被处理的检查对象基板搬送至检查站的步骤。

7、  如权利要求6所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
设置有选择机构，该选择机构用于选择是否执行将作为未检查基板被处理的检查对象基板搬送至检查站的所述步骤。

8、  如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，包括：
从载体取出的基板通过第一基板搬送机构被交接到的第三交接部；和用于将基板从该交接部以横穿所述检查站的方式搬送至处理站的梭式搬送机构。

9、  如权利要求8所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
缓冲单元、第二交接部和第三交接部相互上下地层叠。

10、  如权利要求8所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
缓冲单元、第二交接部、第三交接部、和至少一个检查模块相互上下地层叠。

11、  一种涂敷、显影装置的控制方法，其控制涂敷、显影装置，该涂敷、显影装置包括：
载体站，其用于载置收纳有多个基板的载体，并设置有与载体之间进行基板的交接的第一基板搬送机构；
处理站，其包括对从所述第一基板搬送机构交接到的基板进行抗蚀剂的涂敷、对被涂敷抗蚀剂且被曝光后的基板进行显影、或进行其前后的处理的多个处理模块，和相对于这些处理模块依次搬送基板的第二基板搬送机构；
用于放置在该处理站中已完成显影的基板的第一交接部；
基板通过所述载体站的第一基板搬送机构被取走的第二交接部；和
检查站，其包括：对已完成显影的基板进行检查，且检查所需的时间相互不同的多个检查模块；暂时滞留基板的缓冲单元；和与缓冲单元、所述第一交接部、第二交接部、检查模块之间进行基板的交接的第三基板搬送机构，该检查站将在处理站中被处理后的基板交接给载体站，
该涂敷、显影装置的控制方法的特征在于：
在搬送所述第一交接部的基板时，包括以下工序：
(a1)判断该基板是否为检查对象的基板的工序；
(a2)如果不是检查对象的基板，则将该基板搬送至第二交接部的工序；和
(a3)如果是检查对象的基板，则判断进行检查的检查模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则搬送至缓冲单元的工序，
在搬送检查站内的模块的基板时，包括以下工序：
(b1)判断分配给该基板的检查是否已全部结束的工序；
(b2)如果检查已结束，则将该基板搬送至所述第二交接部的工序；和
(b3)如果检查未结束，则判断未结束的检测模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则使其位于缓冲单元内的工序。

12、  如权利要求11所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于：
执行以下工序：
当在所述(a3)中判断检查模块不空闲时，代替搬送至缓冲单元的工序，判断缓冲单元是否空闲，如果空闲，则将所述基板搬送至缓冲单元，如果不空闲，则作为未检查基板搬送至第二交接部。

13、  如权利要求12所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于：
包括如果在所述(a3)中缓冲单元不空闲则发出警报的工序。

14、  如权利要求12所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于：
已被搬送至所述第二交接部的作为未检查基板被处理的检查对象基板被搬送至载体站。

15、  如权利要求14所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于，
已被搬送至载体站的检查对象基板被搬送至载体。

16、  如权利要求14所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于，包括：
将已被搬送至载体站的作为未检查基板被处理的检查对象基板搬送至检查站的工序。

17、  如权利要求16所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于，包括：
选择是否执行将检查对象基板搬送至检查站的所述工序的工序。

18、  如权利要求11所述的涂敷、显影装置的控制方法，其特征在于，还包括：
通过第一基板搬送机构将从载体取出的基板交接给第三交接部的工序；和
将基板从该交接部以横穿所述检查站的方式搬送至处理站的工序。

19、  一种存储介质，其存储有计算机程序，该计算机程序用于对基板进行抗蚀剂的涂敷、对被涂敷抗蚀剂且被曝光后的基板进行显影的涂敷、显影装置，该存储介质的特征在于：
所述计算机程序用于执行权利要求11所述的涂敷、显影装置的控制方法。

涂敷、显影装置和涂敷、显影装置的控制方法及存储介质
技术领域
本发明涉及涂敷、显影装置，涂敷、显影装置的控制方法和存储介质，该涂敷、显影装置对例如半导体晶片、LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行抗蚀液的涂敷处理和曝光后的显影处理。
背景技术
在半导体器件、LCD基板等基板上涂敷抗蚀液，使用光掩模对其抗蚀膜进行曝光，并对其进行显影，由此在基板上制作所希望的抗蚀图，这一连串的处理使用在进行抗蚀液的涂敷和显影的涂敷、显影装置上连接有曝光装置的系统而被进行。
涂敷、显影装置成一列地排列有载体站、对晶片进行抗蚀剂的涂敷及显影处理的处理站、和与曝光装置连接的接口站，该载体站载置晶片载体，并设置有与该晶片载体之间进行半导体晶片(以下，称作晶片)的交接的交接臂。
而且，对形成有抗蚀图的基板进行规定的检查，例如进行抗蚀图的线宽、抗蚀图和基底图案的重合情况、以及显影缺陷等的检查，仅将判定为合格的基板搬送至下一工序。这样的检查大多通过与涂敷、显影装置另外地设置的独立的检查装置进行，但是采用在涂敷、显影装置内设置检查装置的在线系统更方便。
于是，在专利文献1中记载了在载体站和处理站之间，设置有具备多个检查装置和搬送臂的检查站的结构。此处记载的系统从载体站经由检查站将基板搬送给处理站，将已完成处理的基板暂且送回载体站的载体内之后，从这里开始将基板搬送给检查站进行检查。
图19表示实际构筑这样的系统的情况下的构成例。图19是平面地看到的涂敷、显影装置的概略图，11是载体站，12是检查站，13是处理站，14是与曝光装置连接的接口站。另外，20是载体，15是载体站11内的交接臂，16是检查站内的搬送臂。TRSa、TRSb、TRSc和TRSd为交接模块，E1、E2和E3为检查模块，为了方便，这些模块在平面上被展开，例如交接模块由4段构成，检查模块由3段构成。
在图中的涂敷、显影装置中，载体20内的晶片沿交接臂15→TRSa→搬送臂16→处理站13的路径被搬送。而且，晶片在处理站13内通过各模块进行抗蚀剂涂覆所需要的各种处理，然后从接口站14被搬送至曝光装置，再次返回到处理站13，通过模块进行显影处理所需要的各种处理。其后，晶片沿搬送臂16→TRSb→交接臂15→载体20返回。
在此情况下，针对载体20内的晶片确定有被处理的顺序，例如，如果为25个收容用的晶片，则从1号分配至25号。而且，从1号起依次被搬送至处理站13，并依次移动预先确定的模块。处理站13内的搬送臂(主臂)在预先设定的一系列的模块之间依次进行循环移动，进行循环搬送，由此，晶片依次移动。而且，主臂通过两个臂进行交换模块内的晶片的动作。如果将主臂的搬送路径称作循环路径，则预先确定搬送臂绕循环路经一周的循环时间，并且，不进行后退的动作，和令序号大的晶片(后从载体20取出的晶片)越过序号小的晶片(先从载体20取出的晶片)加以搬送的动作。之所以禁止这样的动作，是因为搬送程序极其复杂，无法实现。而且，现在要求涂敷、显影装置每一小时处理150个，因此，上述的循环搬送的循环时间例如设定为3600秒/150个＝24秒。
另一方面，返回到载体20的晶片的全部或被选择的晶片通过交接臂15被搬送至交接模块TRSc，然后通过搬送臂16被搬送至检查模块。而且，在晶片中，例如有仅进行检查模块E1的检查的晶片、仅进行检查模块E2的检查的晶片、仅进行检查模块E3的检查的晶片、接着检查模块E2进行检查模块E3的检查的晶片等。检查站12内的晶片搬送也采用与处理站13内的循环搬送相同的方式，与上述循环搬送同步进行。
但是，当进行上述的搬送时，交接臂15的搬送工序数增多。即，在交接臂15将晶片搬送给检查站12的期间，不能进行向载体20的搬送，此外，在向载体20进行搬送的情况下，不能够进行向检查站12的搬送，因此，发生晶片不得不在各站中的模块上待机一个循环以上的状态，因此，成为妨碍生产能力提高的主要原因。
另外，如上所述，检查模块E1～E3为用于进行各自不同的检查的模块，检查所需要的时间通常各自不同。因此，例如针对规定的晶片，如果设定为在检查模块E1中进行检查后接着在检查模块E2中进行检查，则当该晶片在检查模块E1中完成检查时，由于检查模块E2正对其他晶片进行检查，所以不能够向该检查模块E2搬送，不得不在检查模块E1上待机，直到检查模块E2的检查结束，因此，在该晶片在检查模块E1上待机的循环中，不能够将后续的晶片搬入该检查模块E1，结果是，存在导致生产能力下降的问题。
另外，专利文献2记载了涂敷、显影装置，该涂敷、显影装置在载体站和处理站之间设置有检查站，按照处理站→检查站→载体站的顺序搬送基板，但该涂敷、显影装置不能解决上述的问题，存在由于检查模块间的检查时间的不同导致在检查模块内待机的问题。
专利文献1：日本特开2005-175052(段落0042、图4)
专利文献2：日本特开2002-26107(段落0045)
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种技术，该技术能够缩短基板在检查模块上无用滞留的时间，从而提高涂敷、显影装置的生产能力。
本发明的涂敷、显影装置的特征在于，包括：
载体站，其用于载置收纳有多个基板的载体，并设置有与载体之间进行基板的交接的第一基板搬送机构；
处理站，其包括对从上述第一基板搬送机构交接到的基板进行抗蚀剂的涂敷、对被涂敷抗蚀剂且被曝光后的基板进行显影、或进行其前后的处理的多个处理模块，和相对于这些处理模块依次搬送基板的第二基板搬送机构；
放置在该处理站中已完成显影的基板的第一交接部；
基板通过上述载体站的第一基板搬送机构被接收的第二交接部；
检查站，其包括：对已完成显影的基板进行检查，且检查所需要的时间彼此不同的多个检查模块；暂时滞留基板的缓冲单元；和在缓冲单元、上述第一交接部、第二交接部、检查模块之间进行基板的交接的第三基板搬送机构，该检查站将在处理站中被处理后的基板交接给载体站；和
控制上述第三基板搬送机构的控制部，其中，
上述控制部具备以下功能，
在搬送上述第一交接部的基板时，执行下述步骤：
(a1)判断该基板是否为检查对象的基板；
(a2)如果不是检查对象的基板，则将该基板搬送至第二交接部；
(a3)如果是检查对象的基板，则判断进行检查的检查模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则搬送至缓冲单元，
在搬送检查站内的模块的基板时，执行下述步骤：
(b1)判断分配于该基板的检查是否已全部结束；
(b2)如果检查已结束，则将该基板搬送至上述第二交接部；
(b3)如果检查未结束，则判断未结束的检测模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则使其位于缓冲单元内。
在该涂敷、显影装置中，上述控制部也可以执行下述步骤：
当在上述(a3)中判断检查模块不空闲时，代替搬送至缓冲单元的步骤，
判断缓冲单元是否空闲，如果空闲，则将上述基板搬送至缓冲单元，如果不空闲，则作为未检查基板搬送至第二交接部，在此情况下，例如设置有如果在上述(a3)中缓冲单元不空闲则发出警报的警报产生机构，另外，搬送至上述第二交接部的作为未检查基板被处理的检查对象基板也可以被搬送至载体站，在此情况下，例如检查对象基板被搬送至载体。
例如，上述控制部执行将已被搬送至载体站的作为未检查基板被处理的检查对象基板搬送至检查站的步骤，在此情况下，例如设置有选择机构，该选择机构用于选择是否执行将作为未检查基板被处理的检查对象基板搬送至检查站的上述步骤。进一步，也可以构成为包括：从载体取出的基板通过第一基板搬送机构被交接到的第三交接部，和用于将基板从该交接部横穿上述检查站而搬送至处理站的梭式搬送机构，在此情况下，缓冲单元、第二交接部和第三交接部也可以相互上下地层叠。另外，例如缓冲单元、第二交接部、第三交接部、和至少一个检查模块相互上下地层叠。
本发明的涂敷、显影装置的控制方法为控制涂敷、显影装置的方法，该涂敷、显影装置包括：
载体站，其用于载置收纳有多个基板的载体，并设置有与载体之间进行基板的交接的第一基板搬送机构；
处理站，其包括对从上述第一基板搬送机构交接到的基板进行抗蚀剂的涂敷、对被涂敷抗蚀剂且被曝光后的基板进行显影、或进行其前后的处理的多个处理模块，和相对于这些处理模块依次搬送基板的第二基板搬送机构；
用于放置在该处理站中已完成显影的基板的第一交接部；
基板通过上述载体站的第一基板搬送机构被取走的第二交接部；和
检查站，其包括：对已完成显影的基板进行检查，且检查所需要的时间彼此不同的多个检查模块；暂时滞留基板的缓冲单元；和与缓冲单元、上述第一交接部、第二交接部、检查模块之间进行基板的交接的第三基板搬送机构，该检查站将在处理站中被处理后的基板交接给载体站，
该涂敷、显影装置的控制方法的特征在于：
在搬送上述第一交接部的基板时，包括以下工序：
(a1)判断该基板是否为检查对象的基板的工序；
(a2)如果不是检查对象的基板，则将该基板搬送至第二交接部的工序；和
(a3)如果是检查对象的基板，则判断进行检查的检查模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则搬送至缓冲单元的工序，
在搬送检查站内的模块的基板时，包括以下工序：
(b1)判断分配于该基板的检查是否已全部结束的工序；
(b2)如果检查已结束，则将该基板搬送至上述第二交接部的工序；和
(b3)如果检查未结束，则判断未结束的检测模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，另一方面，如果不空闲，则使其位于缓冲单元内的工序。
在该涂敷、显影装置的控制方法中，也可以进行下述工序：例如当在上述(a3)中判断检查模块不空闲时，代替搬送至缓冲单元的工序，进行判断缓冲单元是否空闲，如果空闲，则将上述基板搬送至缓冲单元，如果不空闲，则作为未检查基板搬送至第二交接部的工序，在此情况下，例如包括如果在上述(a3)中缓冲单元不空闲，则发出警报的工序。
另外，已搬送至上述第二交接部的作为未检查基板被处理的检查对象基板被搬送至载体站，该基板、例如被搬送至载体站的检查对象基板被搬送至载体。
另外，例如也可以包括将已搬送至载体站的作为未检查基板被处理的检查对象基板搬送至检查站的工序，在此情况下，例如包括选择是否执行将检查对象基板搬送至检查站的上述工序的工序。另外，该控制方法还可以包括：将通过第一基板搬送机构从载体取出的基板交接给第三交接部的工序；和
将基板从该交接部横穿上述检查站而搬送至处理站的工序。
本发明的存储介质为存储有计算机程序的存储介质，该计算机程序用于对基板进行抗蚀剂的涂敷、对被涂敷抗蚀剂且被曝光后的基板进行显影的涂敷、显影装置，该存储介质的特征在于：
上述计算机程序用于实施以上叙述的涂敷、显影装置的控制方法。
本发明在将在处理站受到处理后的基板交接给载体站的检查站中，设置有检查所需的时间相互不同的多个检查模块；暂时滞留基板的缓冲单元；和其动作通过控制部被控制的基板搬送机构，在检查模块进行基板的处理的期间，后续的成为该检查模块的检查对象的基板通过上述基板搬送机构被搬送至缓冲单元，并被滞留在该缓冲单元中，由此，能够抑制检查模块中的基板的滞留，因此能够高效地在检查模块中对晶片W进行检查。另外，关于本发明，完成显影后的基板被从处理站搬入检查站接受检查后，被搬入载体站，因此与载体站的搬送机构将完成显影后的基板再次搬入检查站的结构相比，能够抑制该搬送机构的负荷。因此，能够抑制生产能力的下降。
附图说明
图1是表示本发明的涂敷、显影装置的一个实施方式的平面图。
图2是表示上述涂敷、显影装置的外观立体图。
图3是上述涂敷、显影装置的纵截侧面图。
图4是表示上述涂敷、显影装置的处理站中的处理块和搬送块的结构的立体图。
图5是上述涂敷、显影装置的检查站的立体图。
图6是通过上述涂敷、显影装置的控制部被分配的搬入检查模块的搬入表。
图7是上述涂敷、显影装置的概略搬送路径图。
图8是上述控制部控制检查站的搬送机构的流程图。
图9是上述涂敷、显影装置的搬送预定表。
图10是比较例的涂敷、显影装置的搬送路径的概略图。
图11是比较例的涂敷、显影装置的搬送预定表。
图12是其它实施方式的涂敷、显影装置的纵截侧面图。
图13是设置在上述涂敷、显影装置中的检查站的横截平面图。
图14是上述检查站的纵截背面图。
图15是又一其它实施方式的涂敷、显影装置的纵截侧面图。
图16是设置在上述涂敷、显影装置上的检查层的横截平面图。
图17是表示检查站中的基板的其它搬送路径的流程图。
图18是表示基板从涂敷、显影装置的载体站搬向检查站的搬送路径的流程图。
图19是现有的涂敷、显影装置的搬送路径的概略图。
具体实施方式
下面，对在本发明的涂敷、显影装置上连接有曝光装置的系统的实施方式进行说明。图1表示该系统的一个实施方式的平面图，图2是该系统的一个实施方式的概略立体图，图3是该系统的一个实施方式的概略侧面图。该涂敷、显影装置包括：载体站S1，其用于搬入搬出密闭收纳有25个基板例如晶片W的载体20；处理站S2，其纵向排列多个例如5个块B1～B5和搬送块M1而构成；接口站S3；曝光装置S4；和对形成有抗蚀图的基板进行检查的检查站S5。
在上述载体站S1上，设置有：能够载置多个上述载体20的载置台21；从该载置台21看时设置于前方的壁面上的开闭部22；和用于经开闭部22从载体20取出晶片W的作为第一基板搬送机构的传送臂C。该传送臂C构成为能够自由地进退、自由地升降、绕铅直轴能够自由地旋转、且在载体20的排列方向上能够自由地移动，使得在与后述的检查站的交接载物台TRS1A、TRS8、TRS9之间能够进行晶片W的交接。
在载体站S1的里侧，经由检查站S5连接有由框体24包围周围的处理站S2。处理站S2在此例中从下方侧起被分配为用于进行显影处理的第一块(DEV层)B1；第二块(DEV层)B2；用于进行形成于搬送块M1、抗蚀膜的上层侧的反射防止膜(以下，称作“下部反射防止膜”)的形成处理的第三块(BCT层)B3；用于进行抗蚀液的涂敷处理的第四块(COT层)B4；和用于进行形成于抗蚀膜的上层侧的反射防止膜(以下，称作“上部反射防止膜”)的形成处理的第五块(TCT层)B5。
这些块B1～B5和搬送块M1从载体站S1向接口站S3延伸。在此，上述DEV层B1、B2相当于显影用的块，BCT层B3、COT层B4、TCT层B5相当于用于形成由感光材料例如抗蚀剂构成的涂敷膜的涂敷膜形成用的块。而且，各块之间通过隔板(基础体)25被分割。
接着，对第一～第五块B(B1～B5)的结构进行说明，在本实施方式中，这些块B1～B5包括大量的共同部分，各块B由大致相同的布局构成。因此，以DEV层B2为例，参照图4进行说明。在该DEV层B2的中央部，沿横方向、更详细而言沿DEV层B2的长度方向(图中Y方向)，形成有用于连接载体站S1和接口站S3的晶片W的搬送用通路R1。
从该搬送用通路R1的载体站S1侧看，在从跟前侧(载体站S1侧)朝向里侧的右侧，沿搬送用通路R1设置有作为液处理单元的显影单元DEV3，该显影单元DEV3具备用于进行显影液的涂敷处理的多个涂敷部31。另外，在从DEV层B2的跟前侧朝向里侧的左侧，沿搬送用通路R1依次设置有使加热、冷却系统的热处理单元多段化的四个棚架单元U1、U2、U3、U4。即，显影单元DEV3和棚架单元U1～U4隔着搬送用通路R1对置排列。棚架单元U1～U4层叠有两段用于进行在显影单元DEV3中进行的处理的前处理和后处理的热处理单元，另外，在该棚架单元U1～U4的下部层叠有进行DEV层B2内的排气的排气单元32。
在上述的热处理单元中，例如包括：对曝光后的晶片W进行加热处理的被称作PEB的加热单元、为了使显影处理后的晶片W干燥而进行加热处理的加热单元、用于在这些加热单元的处理前后将晶片W调节到规定温度的冷却单元(CPL)等。而且，在本实施方式中，例如在DEV层B2中的棚架单元U1中叠层设置有两段PEB，在U2、U3中叠层设置有两段除此之外的加热单元33，在棚架单元U4上叠层有两段冷却单元(CPL)。
在上述搬送用通路R1上设置有作为各块用的搬送机构的主臂A2，该主臂A2构成为与棚架单元U1～U4的各处理单元、显影单元DEV3、后述的棚架单元U5的交接载物台TRS2、棚架单元U6的交接载物台TRS7之间进行晶片W的交接。交接载物台TRS2和后述的TRS1构成权利要求的范围中所述的第一交接部。
与搬送用通路R1的检查站S5相邻的区域为第一晶片交接区域R2，如图1和图3所示，在该区域R2中，在主臂A2和搬送机构51能够访问的位置设置有棚架单元U5，并且设置有用于对该棚架单元U5进行晶片W的交接的作为升降搬送机构的交接臂D1。
在该棚架单元U5的DEV层B2上设置有交接载物台TRS2。交接载物台TRS2具备载物台，该载物台具备将晶片W的温度调节到预定的温度的机构，而且，为了进行各臂和晶片W的交接，还设置有能够在上述载物台上自由地出没的销。
而且，如图3所示，在此例中，在DEV层B1上设置有交接载物台TRS1，在各层B3～B5上设置有交接载物台TRS3～TRS5，交接载物台TRS3～TRS5构成为能够与设置在各层上的主臂A3～A5以及交接臂D1之间进行晶片W的交接。而且，在图3中，TRS1～5只显示一个，但实际上设置有多段。此外，详细而言，如后所述，在搬送块M1上设置有交接载物台TRS1B。各层的主臂A相当于权利要求范围中所述的第二基板搬送机构。
上述交接臂D1构成为能够自由地进退并自由地升降，使得能够在DEV层B1至TCT层B5的各层之间移动，并能够与设置在各层上的交接载物台TRS1～TRS5以及交接载物台TRS1B进行晶片W的交接。
另外，与DEV层B2的搬送用通路R1的接口站S3相邻的区域为第二晶片交接区域R3，在该区域R3中设置有棚架单元U6。如图3所示，在棚架单元U6上设置有分别与DEV层B1、DEV层B2相对应的交接载物台TRS6、TRS7，这些TRS6、TRS7构成为能够访问各层的主臂A1～A2和接口臂G。另外，在与搬送块M1对应的位置上设置有交接载物台TRS1C。而且，TRS2～TRS7、TRS1B、TRS1C以及后述的TRS1A例如与已经叙述的TRS1的构成相同。
接着，对搬送块M1进行说明。在DEV层B2和BCT层B3之间设置有用于将晶片W从载体站S1向接口站S3直达搬送的搬送块M1。该搬送块M1具备搬送区域M2和作为直达搬送机构的梭式臂41，其中，该搬送区域M2是与DEV层B2和BCT层B3的搬送用通路R1通过隔板被隔开的区域。梭式臂41将晶片W从设置在棚架单元U5上的交接载物台TRS1B向设置在棚架单元U6上的交接载物台TRS1C直达搬送。其中，上述隔板在图4中被省略。
另外，在处理站S2中的棚架单元U6的里侧，通过接口站S3连接有曝光装置S4。在接口站S3上设置有接口臂G，该接口臂G用于与处理站S2的棚架单元U6和曝光装置S4进行晶片W的交接，以能够自由进退、自由升降、绕铅直轴自由旋转的方式构成。其中，已经叙述的交接臂D1除不绕铅直轴旋转外，具有与接口臂G相同的结构。
该接口臂G成为介于处理站S2和曝光装置S4之间的晶片W的搬送机构，在此实施方式中构成为，从棚架单元U6的交接载物台TRS1C接收晶片W并将其送向曝光装置S4，另一方面，从曝光装置S4接收晶片W，交接给DEV层B1、B2的交接载物台TRS6、TRS7。
接着，对其它块进行简单的说明。DEV层B1与DEV层B2的构成相同。另外，BCT层B3、COT层B4、TCT层B5与DEV层B1大致相同地构成，作为差异，能够列举的不同之处是：作为液处理单元，代替显影单元DEV3，设置涂敷反射防止膜用的试剂而形成反射防止膜的发射防止膜形成单元和涂敷抗蚀剂而形成抗蚀膜的抗蚀剂涂敷单元(COT)，以及试剂的涂敷方法不同，另外，还能够列举构成棚架单元U1～U4的加热系统、冷却系统的单元中的处理条件不同等。在COT层B4中，代替PEB，设置有进行抗蚀剂涂敷后的加热处理的被称作PAB的加热单元。
接着，参照图5说明检查站S5。例如当令处理块S2侧为里侧时，该检查块S5在跟前侧中央部设置有检查模块E1和棚架单元U7，棚架单元U7例如从上开始依次设置有能够收纳规定个数的晶片W的例如多段的缓冲单元BU和叠层成两段的交接载物台TRS8、TRS9。交接载物台TRS8、TRS9相当于权利要求范围中所述的第二交接部。
在该检查站S5中，从跟前侧看里侧，在左右分别设置有检查模块E3、E2。另外，在检查站S5的中央部例如设置有搬送机构51，该搬送机构51具有用于保持晶片W的一个臂，该搬送机构51构成为能够在DEV层B1的交接载物台TRS1、DEV层B2的交接载物台TRS2；棚架单元U7的交接载物台TRS8、TRS9、检查模块E1～E3之间进行晶片W的交接。
在此例中，检查模块E1为用于检测晶片W上的大缺陷的宏观检查模块，检查模块E2为用于测定形成在晶片W上的膜的厚度、图案的线宽度的膜厚、线宽检测模块，检查模块E3为用于对曝光的重合偏离即本次形成的图案与基底的图案的位置偏离进行检测的重合检查模块。在此情况下，检查模块E1、E2、E3的检查所需时间，例如分别为36秒、90秒和118秒。这样，由于检查模块E1、E2、E3的检查时间不同，所以存在之后搬入的序号大的(迟的)晶片W的检查比在先搬入的序号小的(早的)晶片W早结束的情况。
另外，载体站S1的传送臂C能够访问交接载物台TRS8、TRS9，通过搬送机构51从处理站S2的交接载物台TRS1或TRS2被直接搬送的晶片W、或通过检查模块E1～E3接受检查后的晶片W，在被交接给这些交接载物台TRS8、TRS9之后，通过传送臂C被送回载体20。有关该检查块E1～E3交接晶片W时的规则在后面叙述。
例如，在检查模块E1～E3的上方形成有通过例如隔板等分割出的搬送区域M3，在该搬送区域M3中，在传送臂C能够访问的位置处设置有作为第三交接部即交接载物台TRS1A。而且，上述隔板的图示在图5中为了方便而被省略。另外，在搬送区域M3中设置有作为梭式搬送机构的搬送机构52，搬送机构52从交接载物台TRS1A接收晶片W，直达处理站S2的棚架单元U5的交接载物台TRS1B，交接晶片W。
本装置设置有包括计算机的控制部100，包括各块B1～B5的主臂A、检查站的搬送机构51、52的搬送动作的一系列的工序通过储存在该控制部100的存储部中的计算机程序被控制。而且，如果将各交接载物台TRS、加热单元等处理单元、和检查模块E1～E3等被交接晶片的模块称作交接模块，则在该交接模块接收晶片W时或送出晶片W时，分别输出与该模块有关的外部就绪(out ready)信号、内部就绪(inready)信号。即，当针对一个模块输出内部就绪信号时，表示能够从前段的模块接受晶片W，当输出外部就绪信号时，表示在该模块中的处理结束，能够送出晶片W。根据这些就绪信号，能够判断本次可以从哪个模块向哪一个模块搬送，根据该判断和后述的规则确定搬送动作。
在将晶片W从载体20搬入涂敷、显影装置之前，如果收纳在载体20中的晶片W为25个，则该控制部100对该25个按照搬入载体站S1的顺序分配基板序号，并如图6所示，针对前面的晶片“1”～最后的晶片“25”进行设定，即，它们各自由哪个检查模块E进行检查，或完全不进行检查模块的检查。
在此，参照图7，对载体站S1和处理站S2中的晶片W的搬送路径进行说明。从载体20由载体站S1的传送臂C搬送到TRS1A的晶片W被依次交接给搬送机构52→处理站S2的交接载物台TRS1B→交接臂D1→BCT层B3的交接载物台TRS3→BCT层B3的主臂A3。而且，在BCT层B3中按照主臂A3→冷却单元→作为液处理单元的发射防止膜形成单元→加热单元→棚架单元U5的交接载物台TRS3的顺序被搬送，形成下部反射防止膜。
接着，交接载物台TRS3的晶片W通过交接臂D1被搬送给COT层B4的交接载物台TRS4，接着被交接给该COT层B4的主臂A4。然后，在COT层B4中，通过主臂A4，晶片W按照冷却单元→抗蚀剂涂敷单元(COT)→加热单元(PAB)的顺序被搬送，在下部反射防止膜的上层形成抗蚀膜后，被搬送至冷却单元、周边曝光单元，周边部被曝光，进一步被搬送给棚架单元U5的交接载物台TRS4。
接着，交接载物台TRS4的晶片W通过交接臂D1被搬送给TCT层B5的交接载物台TRS5，然后被交接给该TCT层B5的主臂A5。然后，在TCT层B5中，通过主臂A5，按照冷却单元→作为液处理单元的第二反射防止膜形成单元→加热单元的顺序被搬送，在抗蚀膜的上层形成上部反射防止膜后，按照主臂A5→交接载物台TRS5→交接臂D1→交接载物台TRS1B→梭式臂41→交接载物台TRS1C的顺序被搬送，之后，通过接口臂G被搬送至曝光装置S4，在这里进行规定的曝光处理。
而且，上述搬送为一个示例，例如也可以在块B3～块B5的任一个上设置对晶片W进行疏水化处理的疏水化处理单元(ADH)，代替在抗蚀剂涂敷前形成反射防止膜，而按照TRS1B→ADH→CPL→抗蚀剂涂敷单元(COT)的顺序进行搬送。
曝光处理后的晶片W通过接口臂G被搬送给棚架单元U6的交接载物台TRS6或TRS7，该载物台TRS6(TRS7)的晶片W被DEV层B1(B2)的主臂A1(A2)接收，在该DEV层B1(B2)中，按照棚架单元U1～U4所包括的加热单元PEB→冷却单元CPL→显影单元DEV3→加热单元33→冷却单元CPL的顺序被搬送，并被进行规定的显影处理，形成抗蚀图。这样进行显影处理后的晶片W被搬送给棚架单元U5的交接载物台TRS1(TRS2)。在背景技术的项目中也进行了叙述，当令通过载体20将晶片W搬入载体站S1之后到搬入该交接载物台TRS1(TRS2)的工序为一个循环时，在背景技术的项目中也进行了叙述，当准备利用本装置每小时处理150个晶片W时，该一个循环的时间被设定为24秒。
接着，参照图8，说明检查站S5中的晶片W的搬送。图8(a)是表示控制部100针对搬送至交接载物台TRS1(TRS2)的各晶片W，按照每个循环判定其搬送目标地的模式的流程图，如该流程图所示，控制部100根据预先设定的图6的表，判定搬送至交接载物台TRS1(TRS2)的晶片W是进行检查的晶片还是不进行检查的晶片，在判定为不进行检查的晶片的情况下，控制部100通过搬送机构51将该晶片W搬送给交接载物台TRS8或TRS9。
控制部100如果判定为进行检查的晶片则判定检查对象的模块是否空闲。在设定为在多个检查模块中进行检查的情况下，针对小序号的检查模块进行判定。判定的结果是，如果检查模块空闲，则晶片W通过搬送机构51被搬送给该检查模块，如果检查模块不空闲，则被搬送至缓冲单元BU。
图8(b)是表示控制部100针对搬入交接模块E1～E3和缓冲单元BU的晶片W，按照每个循环判定其搬送目标地的模式的流程图。控制部100在判定针对上述晶片设定的全部的检查已结束的情况下，通过搬送机构51将该晶片W搬送给交接载物台TRS8或TRS9。在判定检查还没有结束的情况下，判定进行该检查的检查模块是否空闲，如果空闲，则搬送至该检查模块，如果不空闲，则搬送至缓冲单元BU。另外，控制部100针对搬入缓冲单元BU的晶片也判定接着进行检查的检查模块是否空闲，如果空闲，则将该晶片搬送给检查模块，如果不空闲，则使其残留在缓冲单元BU中。
接着，如图6所示，对在控制部100针对晶片“1”～“25”已设定朝向各检查模块E的搬送的情况下，在每个循环中、具体而言晶片W被交接给检查站S5中的各交接模块的状态进行具体的说明。
在循环1中，通过已经叙述的路径形成有抗蚀图的前头的晶片W即晶片“1”被搬入交接载物台TRS1或TRS2。以后，为了便于说明，假定晶片W被交替地搬入交接载物台TRS1、TRS2。在此时刻，在检查模块E1～E3、交接载物台TRS8、TRS9的任一个中均无晶片W。
在后续的循环2中，晶片“1”被从处理站S2的交接载物台TRS2交接给搬送机构51。如图6所示，晶片“1”被确定由检查模块E1进行处理，在此时刻，检查模块E1空闲，从检查模块E1输出内部就绪信号，因此，通过控制部100，搬送机构51按照图8的流程图将晶片“1”搬送至检查模块E1。
在循环3中，晶片“2”被从交接载物台TRS1交接给搬送机构51。如图6所示，晶片“2”被确定由检查模块E2进行处理，在此时刻，检查模块E2空闲，且从检查模块E2输出内部就绪信号，因此，通过控制部100，搬送机构51按照图8的流程图将晶片“2”搬送至检查模块E2。检查模块E1由于晶片“1”的检查没有结束，所以仍保持现在的状态不变。
在循环4中，晶片“3”从交接载物台TRS2被交接给搬送机构51。如图6所示，晶片“3”被确定为由检查模块E3进行处理，在此时刻，检查模块E3空闲，从检查模块E3输出有内部就绪信号，因此，搬送机构51按照图8的流程图将晶片“3”搬送至检查模块E3。另外，在此循环4中，在检查模块E1中结束晶片“1”的检查，输出外部就绪信号。由图6可知，晶片“1”被确定为只由检查模块E1进行检查，在此时刻，交接载物台TRS8空闲，即正在输出内部就绪信号，因此，搬送机构51按照图8的流程图，将完成检查后的晶片“1”搬送给交接载物台TRS8。在检查模块E2、E3中，由于晶片“2”、“3”的检查没有结束，所以保持现在的状态不变。
在循环5中，晶片“4”被从交接载物台TRS 1交接给搬送机构51。如图6所示，晶片“4”被确定为由检查模块E1进行处理，在此时刻，检查模块E1空闲，从检查模块E1输出内部就绪信号，因此，通过控制部100，搬送机构51按照图8的流程图将晶片“4”搬送给检查模块E1。另外，交接载物台TRS8的晶片通过传送臂C被送回载体20。
在循环6中，晶片“5”被从交接载物台TRS2交接给搬送机构51。如图6所示，晶片“5”被确定由检查模块E1进行处理，但检查模块E1继续对晶片“4”进行处理。在此情况下，搬送机构51通过控制部100按照图8的流程图将晶片“5”搬送至缓冲单元BU。
在循环7中，由检查模块E1对晶片“4”进行的检查以及检查模块E2对晶片“2”进行的检查分别结束，这些模块输出外部就绪信号。如图6所示，晶片“2”由于不进行其他检查，所以通过控制部100，按照图8的流程图，搬送机构51将该晶片“2”搬送给交接载物台TRS8，检查模块E1、E2输出内部就绪信号。另外，晶片“4”被设定成由检查模块E3进行检查，但因为在循环7中，检查模块E3继续在对晶片“3”进行检查，所以通过控制部100，搬送机构51将晶片“4”搬入缓冲单元BU。接着，搬送机构51按照图8的流程图将在先前的循环6中已搬入缓冲单元BU的晶片“5”搬入已空闲的检查模块E1。
另外，在循环7中，晶片“6”被从交接载物台TRS 1交接给搬送机构51。如图6所示，晶片“6”被确定为由检查模块E2进行处理，在此时刻，检查模块E2空闲，从检查模块E2输出有内部就绪信号，因此，通过控制部100，搬送机构51按照图8的流程图将晶片“6”搬送给检查模块E2。
在循环8中，因为检查模块E3继续对晶片“3”进行检查，所以在之前的循环中收纳在缓冲单元BU中的晶片“4”继续滞留于缓冲单元BU中。另外，将晶片“7”从交接载物台TRS2交接给搬送机构51。如图6所示，晶片“7”被确定为由检查模块E1进行检查，但是因为检查模块E1正在对晶片“5”进行检查，所以，按照图8的流程图，搬送机构51通过控制部100将该晶片“7”搬送至缓冲单元BU。
在循环9中，在检查模块E1、E3中晶片“5”、晶片“3”的处理分别结束，从这些检查模块输出外部就绪信号。例如，搬送机构51将序号小的晶片“3”搬入交接载物台TRS8，另外，将晶片“5”搬送至交接载物台TRS9。另外，将晶片“8”从交接载物台TRS1交接到搬送机构51。如图6所示，晶片“8”被确定为由检查模块E1进行处理，但在此时刻，因为检查模块E1正在对晶片“7”进行检查，所以，通过控制部100，搬送机构51按照图8的流程图将该晶片“8”搬送至缓冲模块BU。
虽然省略此后的循环的说明，但控制部100继续按照图8的流程图控制搬送机构51的搬送。图9是表示如上所述搬送来的晶片“1”～晶片“25”的搬送结果的图，表示在每个循环中分别放置在交接载物台TRS8、TRS9和检查模块E1、E2、E3的各自上的晶片W，如该表所示，花费30循环完成25个晶片W的处理，并将其收纳于载体20内。
上述的涂敷、显影装置设置有多个检查模块E1～E3和使晶片W暂时滞留的缓冲单元BU，其中，检查站S5将在处理站S2中受到处理后的晶片W交接给载体站，在检查站S5中该多个检查模块E1～E3的检查所需的时间彼此不同，在检查模块处理基板的期间，已被确定为由该检查模块进行检查的后续的晶片W即使被搬入检查站S5，也将该后续的晶片W暂时搬送至缓冲单元BU使其滞留，由此，能够抑制检查模块E1～E3中的晶片W的滞留。另外，在该搬送方式中，在晶片W被送回载体20后，因为对该晶片W再次进行检查，所以传送臂C不将其送向检查站S5，因此能够抑制载体站S1的传送臂C的负荷。因此，能够抑制生产能力的下降。
另外，在检查站S5中设置有用于将晶片W从检查站S5向载体站S1交接的多个交接载物台TRS8、TRS9，在一个循环中，在晶片W已被搬送至交接载物台TRS8的情况下，将晶片W搬送给交接载物台TRS9，因为能够抑制晶片W滞留在该载物台TRS8、TRS9的上游侧的各检查模块E1～E3中，所以能够进一步抑制生产能力的下降。
还设置有搬送机构51，通过该搬送机构51从载体站S1向处理站S2搬送晶片W，利用搬送机构52，与在这样的站S1、S2间进行搬送的情况相比，能够抑制搬送机构52的负荷，因此能够实现生产能力(throughput)的提高。
接着，为了说明本发明的效果，参照图10，对作为比较例的另外的涂敷、显影装置进行说明。图10是该涂敷、显影装置的纵截平面概略图，载体站S1、处理站S2、接口站S3的构成大致与已经叙述的涂敷、显影装置相同，在同样的路径上搬送晶片W。
该涂敷、显影装置的检查站S7具备：四个交接模块TRSa～TRSd；检查模块E1～E3；以及在这些模块TRSa～TRSd、E1～E3和后述的棚架模块的交接载物台TRS之间进行晶片的交接的搬送机构61。
如图10所示，在该比较例的涂敷、显影装置中，与本发明的实施方式的涂敷、显影装置相同，按照反射防止膜形成单元→COT→PAB→CPL→接口站S3→曝光装置S4→接口站S3→PEB→CPL→DEV3的顺序被搬送并形成抗蚀图，之后，被搬送至处理站S2的交接载物台TRS。
搬送机构61按照下面的规则对载置在上述交接载物台TRS上的晶片W进行晶片W的搬送。
上述搬送机构61
a)以优先进行上述载体站S1和处理站S2之间的晶片W的交接的方式被控制；
b)从分配给晶片W的处理序号小的晶片W起对检查模块E1(E2、E3)进行搬入；
c)以不依赖于分配给晶片W的处理的顺序，从检查模块E1(E2、E3)搬出检查已结束的晶片W的方式被控制。
另外，载体站S1的传送臂C进行下述搬送：
a)从载体20接收处理前的晶片W，然后交接给交接模块TRSa；
b)从交接模块TRSb接收完成处理后的晶片W，将其送回载体20；
c)将完成处理后的晶片W从载体20交接到交接模块TRSc；
d)将被检查后的晶片W从交接模块TRSd送回载体20。
图11是在上述比较例的涂敷、显影装置中，如图6所述那样确定进行检查的晶片W，进行晶片W的搬送而得到的搬送结果。看TRSc的栏可确认到在循环6、11、13等处晶片W未被搬入的循环。这是由于传送臂C进行另外的搬送动作，使得在该循环中未能够进行将晶片W搬入TRSc的作业。另外，在表中，以三角围成的部位表示，由于在接着将要搬送的搬送模块中存在晶片W，所以必须将晶片W留在其模块内。根据这样的状况，存在不将晶片W搬入检查模块E1～E3的循环，因此，为了完成所有25个晶片W的处理，需要花费比上述实施方式的涂敷、显影装置的循环多的46个循环。从而显示了本发明的效果。
图12表示涂敷、显影装置的其它结构的一个示例，对于具有与已经叙述的实施方式相同的结构的各部分标注相同的符号。在该涂敷、显影装置中设置有与检查站S5的构成大致相同的检查站S6，以下，以与检查站S5的不同点为中心，对检查站S6的结构进行如下说明。令搬送机构51进行搬送的区域为搬送区域M4，在该涂敷、显影装置的检查站S6中未设置检查模块E1，在交接载物台TRS8、TRS9上叠层设置有多个缓冲单元BU。
该搬送机构52通过搬送区域M3将晶片W交接给BCT层B3的交接载物台TRS3，交接给交接载物台TRS3的晶片W在与后述的实施方式同样的路径中被搬送，在各层接受处理，并被交接给交接载物台TRS1(TRS2)。在上述搬送区域M3的上方形成有搬送区域M5，该搬送区域M5为后述的搬送机构53进行晶片W的搬送的被划分的区域。
下面，参照图13和图14，对各搬送区域M4、M5进行说明。图13(a)、图13(b)分别表示搬送区域M4、搬送区域M5的结构，图14是从处理站S2侧向载体站S1侧看检查站S6时的图。在搬送区域M5的中央设置有搬送机构53，在搬送机构53的跟前侧(载体站S1侧)叠层设置有交接载物台TRS10、TRS11。另外，在朝向处理站S2的右侧设置有检查站E1。搬送机构53以能够在这些交接载物台TRS10、TRS11、检查模块E1之间交接晶片W的方式，绕铅直轴自由旋转、自由升降、自由进退地构成。
另外，如图14所示，在该检查站S6内设置有在搬送区域M1、M2之间能够自由升降的交接臂D2，该交接臂D2在交接载物台TRS8～TRS11以及缓冲单元BU之间进行晶片W的交接。检查站S6上的晶片W的交接与已经叙述的实施方式中的晶片W的交接按照相同的规则进行，但搬送路径有若干不同，在将晶片W从交接载物台TRS1(TRS2)搬送给检查模块E1的情况下，按照搬送机构51→缓冲单元BU→交接臂D2→交接载物台TRS10或TRS11→搬送机构53→检查模块E1的顺序进行搬送。
另外，在将晶片W从检查模块E1搬送给缓冲单元BU的情况下，沿着与上述的路径相反的走向将晶片W交接给缓冲单元BU。在从检查模块E1搬送到检查模块E2(E3)的情况下，沿着与搬送至缓冲单元BU时相同的路径将晶片W搬送至缓冲单元BU，之后，按照缓冲单元BU→搬送机构51→检查模块E2(E3)的顺序进行搬送。即使这样构成检查站，也能够得到与已经叙述的实施方式相同的效果。
图15表示又一其它涂敷、显影装置的结构的一个示例。在该涂敷、显影装置中未设置检查站，传送臂C将载体20的晶片W交接给BCT层B3的交接载物台TRS3。另外，未设置TCT层B5，交接给站TRS3的晶片W沿已经叙述的实施方式的路径形成抗蚀膜，在被搬入交接载物台TRS4后被搬送至交接载物台TRS1B，之后，沿已经叙述的路径被搬送至DEV层B1(B2)的交接载物台TRS1(TRS2)。
在该涂敷、显像装置中代替TCT层B5设置有检查层F。图16为检查层F的结构的一例，对与其它层的不同点进行说明，代替棚架单元U1～U4设置有检查模块E2、E3，另外，未设置液处理单元，代之沿搬送通路R1设置有检查模块E1和叠层成多段的缓冲单元BU。主臂A5与缓冲单元BU、检查模块E1～E3之间进行晶片W的交接。
在该涂敷、显影装置中，被搬送至交接载物台TRS1(TRS2)且预定进行检查的晶片W按照交接臂D1→交接载物台TRS5→主臂A5的顺序被搬送，通过主臂A5，按照已经叙述的规则被搬送至检查模块E1～E3中的任一个或缓冲单元BU中。被搬送至交接载物台TRS1(TRS2)且没有进行检查的预定的晶片W通过传送臂C被送回载体20。
接着，对又一其它实施方式的涂敷、显影装置进行说明。在该实施方式中，除以下所述的不同点外，例如与最初说明过的涂敷、显影装置具有相同的结构。最初的实施方式的缓冲单元BU构成为能够收纳所有的晶片W，该所有的晶片W为被决定进行检查，且在被搬入检查站S5时不能进入检查模块E的所有的晶片W，但此实施方式的缓冲单元BU只能够收纳不能够进入检查模块E的一部分的晶片W。
图17是表示控制部100针对搬送至该实施方式中的交接载物台TRS1(TRS2)的各晶片W判定在每个循环中其搬送目标地的模式(pattern)的流程图。控制部100针对搬送至交接载物台TRS1(TRS2)的晶片W，判定其是设定为进行检查的晶片还是设定为不进行检查的晶片，如果判定为进行检查的晶片，则判定检查对象的检查模块是否空闲，如果判定为检查模块不空闲，则接着判定缓冲单元BU是否空闲。
在判定缓冲单元BU空闲的情况下，根据控制部100，搬送机构51将该晶片W搬送至缓冲单元BU，在判定缓冲单元BU不空闲时，根据控制部100，搬送机构51将该晶片W搬送至交接载物台TRS8(TRS9)。搬送至交接载物台TRS8(TRS9)的晶片W通过传送臂C被送回载体20。即，针对成为检查对象的晶片W，在检查模块E不空闲且缓冲单元BU不空闲的情况下，不进行检查就将其送回载体20。而且，与最初的实施方式相同地未成为检查对象的晶片W被交接给交接载物台TRS1(TRS2)→交接载物台TRS8(TRS9)，另外，在为检查对象的晶片W且检查模块E空闲的情况下，被交接给该检查模块E。
在该实施方式中，例如设置有警报产生装置和显示涂敷、显影装置的状态等的监视器，如上所述，当由于检查模块和缓冲单元BU不空闲，应该进行检查的晶片W没有接受检查而被送回载体20时，控制部100存储分配给该晶片W的基板序号，并向警报产生装置发送控制信号，接收到控制信号的警报产生装置发出警报。另外，控制部100使上述监视器显示所存储的基板序号。
该实施方式的涂敷、显影装置的构成为，能够针对如上所述存储在控制部100中的晶片W再次搬送至检查站S5进行检查。图18是表示进行这样的搬送和检查的工序的流程图，令图中以点画线包围的部分为步骤T1，该步骤T1例如在上述警报发出后，通过涂敷、显影装置的操作者进行手工操作而被执行。自步骤T1以后的后段的步骤通过设置在控制部100中的搬送程序被自动地实施。
例如，在该涂敷、显影装置上设置有作为选择机构的开关，该开关针对如上所述在监视器上显示有基板序号的未接受检查的晶片(以后，称作未检查晶片)，能够选择是否再次进行检查，在操作者不打开开关的情况下，收纳在载体20中的晶片W保持现在的状态不变。在操作者将开关扳到ON(打开)时，上述程序被执行，控制部100在每个循环中对图18的步骤T1以后的后段的各步骤T进行判定。首先，控制部100判定在收纳在一个载体20内的晶片的批次中所分配的基板序号在最后的晶片“25”是否存在于载体20、缓冲单元BU、检查模块E的任一个中(步骤T2)，在判定不存在于任一个中时，未检查晶片保持收纳在载体20中的现有的状态地被放置。
在判定晶片“25”存在于载体20、缓冲单元BU、检查模块E的任一个中的情况下，接着，控制部100判定交接载物台TRS8或TRS9是否空闲(步骤T3)，在判定交接载物台TRS8和TRS9不空闲的情况下，未检查晶片保持收纳在载体20中的现有的状态地被放置。
在判定载物台TRS8或TRS9空闲的情况下，控制部100进一步接着针对未检查晶片判定设定为检查对象的检查模块E是否空闲(步骤T4)。而且，在载体20中存在多个未检查晶片的情况下，对小序号的未检查晶片进行判定。在判定为空的情况下，在进行该判定的循环中的检查站S5内的晶片的搬送结束后，该未检查晶片首先按照传送臂C→交接载物台TRS8(TRS9)→搬送机构51的被交接，该未检查晶片通过搬送机构51被搬送至检查模块E。
在判定成为未检查晶片的检查对象的检查模块E不空闲的情况下，控制部100继续对缓冲单元BU是否空闲进行判定(步骤T5)，在判定不空闲的情况下，未检查晶片仍保持现状地残留在载体20中，在判定空闲的情况下，关于未检查晶片，在进行该判定的循环中的检查站S5内的晶片的搬送结束后，通过控制部100，将该未检查晶片最先按照传送臂C→交接载物台TRS8(TRS9)→搬送机构51的顺序进行交接，未检查晶片通过搬送机构51被搬送至缓冲单元BU。
搬送至缓冲单元BU和检查模块E的未检查晶片按照在已经叙述的实施方式中说明过的图8(b)的流程图被搬送。如上所述，在检查站S5中优先搬送小序号的晶片，例如与未检查晶片相比，优先搬送未检查晶片以外的晶片。另外，在存在多个未检查晶片的情况下，优先搬送该未检查晶片中序号小的晶片。即，当假设未检查晶片为晶片“13”、晶片“14”，而晶片“25”不是未检查晶片时，从优先度高的一方开始，按晶片“25”、晶片“13”、晶片“14”的顺序，按照图8(b)的流程图，向检查站S5的各模块进行搬送。
即使这样构成涂敷、显影装置，也由于只有被设定为进行检查的晶片W的一部分从载体站S1返回检查站S5，所以能够抑制生产能力的降低。而且，在存在多个未检查晶片的情况下，例如操作者也可以针对每个未检查晶片设定进行或不进行检查。
另外，也可以以下述方式构成：例如在载体20被搬入涂敷、显影装置之前预先设定是否对未检查晶片进行检查，以此代替在发出警报后，操作者通过手工操作选择是否对未检查晶片进行检查。而且，在上述实施方式中，因为上述批次内的最后的晶片W可能成为未检查晶片而在未接受检查的状态下收纳在载体20中，所以确认晶片W是否存在于载体20、缓冲单元BU、检查模块E中，然后确定载体20内的所有晶片是否为未检查晶片、或不是未检查晶片而进行检查，之后，将未检查晶片向检查站S5搬送。即，在大致确定检查站S5的状态后，将未检查晶片搬送至检查站S5，作为搬送未检查晶片的时机(timing)，不限于这样的时机，也可以在此之前，例如也可以在收纳在载体20中的批次的中间的晶片W被搬入检查站内的任一个模块的时刻执行步骤T3～T5，将未检查晶片向检查站S5搬送。