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1、10申请公布号CN102339161A43申请公布日20120201CN102339161ACN102339161A21申请号201110172180822申请日20110624G06F3/04120060171申请人苏州瀚瑞微电子有限公司地址215163江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1栋3楼72发明人金莉蔡立达陈奇李海54发明名称一种单层ITO的布线结构57摘要本发明涉及一种单层ITO的布线结构，由多个正、负触控电极组成，所述正、负触控电极相互交错排列，且所述触控电极由曲线形状构成的规则图形构成。本发明所述的单层ITO的布线结构，相对双层ITO的布线而言，制造工艺更加简单，所以。
2、成本低廉，再者，由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄，功能上匹配性能高。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图2页CN102339174A1/1页21一种单层ITO的布线结构，由多个正、负触控电极组成，所述正、负触控电极相互交错排列，其特征在于所述触控电极由曲线形状构成的规则图形组成。2如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正、负触控电极相向排列，且两电极的相向处是曲线。3如权利要求1或2所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极的面积均呈递变趋势。4如权利要求1或2所述的布线结构，其特征在于所述正负电极的面积一个呈递增趋势，另一个则呈递减趋。
3、势。5如权利要求1或2所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极之间呈叶子状。6如权利要求5所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极面积相等。7如如权利要求1或2所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极之间呈双轨道状。8如权利要求6所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极面积不相等。9如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正触控电极与负触控电极均通过导线连接到触控芯片的相应引脚上。10如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述触控电极呈刀形。权利要求书CN102339161ACN102339174A1/2页3一种单层ITO的布线结构技术领域0001本发明涉及一种ITO的布线结构，尤其。
4、是指一种单层ITO的布线结构。背景技术0002所谓ITO（铟锡氧化物）是一种用于生产液晶显示器的关键材料，目前，其在仪器仪表、计算机、电子表、游戏机和家用电器等领域都有了极为广泛的应用。近年来市场上大热的电容式触摸屏也是利用ITO来完成侦测触摸的动作，而电容触摸屏上ITO的布线一般是双层，其主要原理是利用人体电场，当使用者触摸时，表面行或列的交叉处感应单元的互电容（也称耦合电容）会有变化，根据上述变化最终可检测出触摸点的具体位置。0003常见的双层ITO的结构是菱形结构，其双层ITO分别布设在玻璃基板的同侧面上，为了避免电极之间的相互导通，所以需要在玻璃基板上设置桥接点，这样就可将双层ITO布。
5、设在玻璃基板的同一侧面上。虽然上述方法实现了侦测触摸的动作，但是这种采用双层ITO的触摸屏结构，不但工艺复杂，而且桥接处容易损坏，产品良率低，导致成本升高。为了克服上述缺点，部分厂商将ITO的结构设置成矩形，然后双面设置在玻璃基板的两层，如此以来，工艺的确的简单了很多，而且提高了产品良率，但是仍旧采用的是双层ITO的布线结构，ITO本身成本就较高，再加上双层的结构，使由此形成触摸屏的厚度也就增加了。如果能够克服双层ITO布图结构带来的局限性，所以无论是从成本上还是触摸屏的结构上考虑，单层ITO均具有更多优势。0004因此需要为广大用户提供一种更加简便的ITO的布线结构来解决以上问题。发明内容0。
6、005本发明实际所要解决的技术问题是如何提供一种工艺简单，成本低廉的单层ITO的布线结构。0006为了实现本发明的上述目的，本发明提供了一种单层ITO的布线结构，由多个正、负触控电极组成，所述正、负触控电极相互交错排列，且所述触控电极由曲线形状构成的规则图形构成。0007本发明所述的单层ITO的布线结构，相对双层ITO的布线而言，制造工艺更加简单，所以成本低廉，再者，由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄，功能上匹配性能高。附图说明0008图1是根据本发明所述单层ITO布线的第一种实施例。0009图2是根据本发明所述单层ITO布线的第二种实施例。具体实施方式0010下面结合附图和实施例对本发明作进一。
7、步的说明。0011请参考图1所示，本发明涉及单层ITO的布线结构，所述ITO层1由多个触控电极说明书CN102339161ACN102339174A2/2页410组成，所述触控电极10具有两个触控电极11和12，其中，所述两个触控电极11和12一个是正极，一个是负极。所述触控电极11与所述触控电极12相向排列，且一个方向上的电极分别布设于另一个方向电极之间的空隙区域。所述正、负触控电极11和12的面积呈递变趋势，若一个触控电极呈递增趋势，那么另一个触控电极则呈递减趋势。所述多个触控电极11和12被分为两组，第一组包括多个正触控电极11，第二组包括多个负触控电极12，上述两组电极经导线分别连接到。
8、触控芯片2的相应引脚上。0012所述图1中单层ITO1中触控电极10由曲线形状构成的规则图形组成，但正负触控电极面积相等，所述正触控电极与负触控电极相向排列，且两电极的相向处是曲线，所述正负触控电极之间呈叶子状，整体大致呈刀形。所述正触控电极11和负触控电极12交错排列，且各个触控电极最终通过导线连接到触控芯片2的相应引脚上。0013所述图2中单层ITO1中触控电极10由曲线形状构成的规则图形组成，且正负触控电极面积不等，其中，正触控电极11的面积较负触控电极12的面积小。所述正触控电极与负触控电极相向排列，且两电极的相向处是曲线，所述正负触控电极之间呈双轨道状，整体大致呈刀形。0014上述详细论述了由曲线形状构成的触控电极组成的单层ITO的布图结构，其功能上匹配性能高，易于处理侦测的数据，所以利于侦测出触控对象的具体位置，因此不限于上述两种形式，只要电极相互交错排列，即使其它形状一样可以设计成上述布局结构，由于原理相同，不一一论述，但均应列入本发明的保护范围之中。说明书CN102339161ACN102339174A1/2页5图1说明书附图CN102339161ACN102339174A2/2页6图2说明书附图CN102339161A。