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1、10申请公布号CN102324897A43申请公布日20120118CN102324897ACN102324897A21申请号201110199054122申请日20110718H03F1/42200601H03F3/34320060171申请人南京国博电子有限公司地址210016江苏省南京市中山东路524号72发明人郑远吴健钱峰陈新宇应海涛艾萱74专利代理机构南京君陶专利商标代理有限公司32215代理人沈根水54发明名称一种改进型宽带自偏置达林顿线性放大器电路57摘要本发明是一种改进型宽带自偏置达林顿线性放大器电路，其特征是第一晶体三极管、第二晶体三极管、第三晶体三极管组成达林顿结构，即第一。
2、晶体三极管的发射极与第二晶体三极管的基极相接，第二晶体三极管的集电极与第三晶体三极管的发射极相接，第三晶体三极管的集电极与第一晶体三极管的集电极相接，由第二晶体三极管、第三晶体三极管组成共射共基的达林顿后级扩展高频的带宽。优点本发明第二晶体三极管Q2，第三晶体三极管Q3采用CASCODE结构作为达林顿放大器的后级，扩展了带宽，同时提高三阶交调IP3。一直到45GHZ增益都比较平坦，保持1DB的变化量。可以满足不同频点的增益要求。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图4页CN102324910A1/1页21一种改进型宽带自偏置达林顿线性放大器电。
3、路，其特征是第一晶体三极管（Q1）、第二晶体三极管（Q2）、第三晶体三极管（Q3）组成达林顿结构，即第一晶体三极管（Q1）的发射极与第二晶体三极管（Q2）的基极相接，第二晶体三极管（Q2）的集电极与第三晶体三极管（Q3）的发射极相接，第三晶体三极管（Q3）的集电极与第一晶体三极管（Q1）的集电极相接，由第二晶体三极管（Q2）、第三晶体三极管（Q3）组成共射共基的达林顿后级扩展高频的带宽。权利要求书CN102324897ACN102324910A1/2页3一种改进型宽带自偏置达林顿线性放大器电路技术领域0001本发明是一种高性能INGAP异质结双极性晶体管微波单片放大器。特别是一种改进型宽带自偏。
4、置达林顿线性放大器电路。属于微波单片集成电路领域。背景技术0002达林顿放大器带宽，增益稳定，尺寸小，封装简便，易于级联等特点。达林顿增益放大器技术已广泛用于RF无线有线应用。综合小功率放大器的带宽及功率指标，将采用INGAP/GAASHBT工艺技术，电路采用达林顿结构，放大器设计尽可能兼顾目前移动通信的各个频段，采用单电源供电，具有好的输入、输出驻波特性和增益平坦特性，使放大器除了用在TDSCDMA外，可以适用于其他通信频段。在保证产品性能和可靠性的前提下，优化芯片设计，降低芯片面积，使产品具备尽可能高的性价比。无论是目前使用的二代移动通信系统GSM体制、窄带CDMA体制还是TDSCDMA体。
5、制对基站功率放大器的一个共同要求都是高线性。并要求在满足线性要求的前提下实现尽可能高的功率附加效率。因而在电路设计过程中，要充分考虑如何满足功放的高线性要求和实现高效率。发明内容0003本发明提出的是一种改进型宽带自偏置达林顿线性放大器电路，基于传统达林顿结构改进的自偏置达林顿放大器，其目的旨在提高增益平坦度，提高电路的线性IP3三阶交调。由二只晶体三极秋管组成共射共基的达林顿后级扩展高频的带宽，通过线性补偿电路结构的设计，提高了线性特性。本发明的技术解决方案其特征是第一晶体三极管Q1、第二晶体三极管Q2、第三晶体三极管Q3组成达林顿结构，即第一晶体三极管Q1的发射极与第二晶体三极管Q2的基极。
6、相接，第二晶体三极管Q2的集电极与第三晶体三极管Q3的发射极相接，第三晶体三极管Q3的集电极与第一晶体三极管Q1的集电极相接，由第二晶体三极管Q2、第三晶体三极管Q3组成共射共基的达林顿后级扩展高频的带宽。0004本发明的优点本发明第二晶体三极管Q2,第三晶体三极管Q3采用CASCODE结构作为达林顿放大器的后级，扩展了带宽，同时提高三阶交调IP3。一直到45GHZ增益都比较平坦，保持1DB的变化量。可以满足不同频点的增益要求。0005附图说明附图1是传统自偏置达林顿放大器电路图。0006附图2是本发明的自偏置达林顿电路结构示意图。0007附图3是本发明线性补偿自偏置达林顿结构示意图。0008。
7、附图4A是本发明与传统达林顿放大器小信号增益对比示意图。0009附图4B是本发明小信号增益、输入输出反射损耗示意图。0010附图5是本发明输出功率1DB压缩点与频率的关系示意图。0011附图6A是本发明与传统达林顿放大器输出IP3与频率关系对比示意。0012附图6B是本发明与传统达林顿放大器输入IP3与频率关系对比示意图。说明书CN102324897ACN102324910A2/2页4具体实施方式0013对照附图2，其结构是采用改进的自偏置达林顿结构。由晶体三极管Q1、晶体三极管Q2、晶体三极管Q3组成达林顿结构，与传统达林顿结构不同，如图2所示虚线框图中晶体三极管Q2、晶体三极管Q3组成共射。
8、共基的达林顿后级扩展高频的带宽。晶体三极管Q2可以增加击穿电压和拓展达林顿放大器的带宽。如图4所示，传统结构增益随着频率增加增益逐渐减小，本发明晶体三极管Q2、晶体三极管Q3采用CASCODE结构作为达林顿放大器的后级，扩展了带宽，同时提高线性度（三阶交调点IP3）。一直到45GHZ增益都比较平坦，保持1DB的平坦度。可以满足不同频点的增益要求。如图4A,本发明与传统达林顿放大器小信号增益对比,为传统达林顿放大器的小信号增益与频率的关系曲线为本发明改进型自偏置达林顿放大器的小信号增益与频率的关系曲线。0014对照附图3，其结构是在改进的DARLINGTON结构（图2）上采用线性补偿电路电路（虚。
9、线框内），来提高2GHZ以后的线性度。补偿电路选用晶体三极管Q5,晶体三极管Q5的基极和集电极相连接并通过电阻R8接到达林顿的输出端；晶体三极管Q5发射极接到达林顿的共射共基点。补偿电路对电路的增益、驻波等小信号参数几乎没有影响，如图4B本发明小信号增益、输入输出反射损耗示意图,为小信号增益为输入反射损耗为输出反射损耗，对P1DB的影响也很小（如附图5输出功率1DB压缩点与频率的关系示意图）。对线性特性影响比较明显，如图6所示分别为本发明的输入输出三阶交调与传统结构的输入输出三阶交调对比（为传统结构的三阶交调为本发明的三阶交调）。同一点的OIP3提高4到5DB。线性带宽拓展2GHZ到3GHZ。。
10、0015本文所描述的晶体管BJTSBIPOLARJUNCTIONTRANSISTORS,HBTSHETEROJUNCTIONBIPOLARTRANSISTORS,DHBTDOUBLEHETEROJUNCTIONBIPOLARTRANSISTOR，或者PHEMTPSEUDOMORPHICHIGHELECTRONMOBILITYTRANSISTOR。所有的半导体包括化合物半导体半导体，SIGE,INGAP,INP,GAAS。0016器件是FOUNDRY的标准HBT工艺。说明书CN102324897ACN102324910A1/4页5图1图2说明书附图CN102324897ACN102324910A2/4页6图3图4A说明书附图CN102324897ACN102324910A3/4页7图4B图5说明书附图CN102324897ACN102324910A4/4页8图6A图6B说明书附图CN102324897A。