配线基板、 电子部件封装体及它们的制造方法 技术领域 本发明涉及具有反射功能的配线基板、 使用该配线基板的电子部件封装体及它们 的制造方法。
背景技术 关于搭载电子部件的配线基板， 提出有具备反射功能的配线基板、 或具备该配线 基板的模块、 平面显示器等。
作为此种技术， 已知有例如通过在配线基板上设置镀敷作为银白色系的金属的镍 的部分而使该配线基板具有反射功能， 并且通过设置镀金部分来形成引线接合连接用焊盘 而使该配线基板具有接合功能的技术 ( 专利文献 1)。
另外， 还有通过在配线基板的一方的表面上形成反射层， 且在另一方的表面上搭 载电子部件， 而具有反射功能和配线基板功能， 实现发光模块或平面显示器的薄型化的技 术 ( 专利文献 2)， 以及在金属板上隔着绝缘层设置电路， 在绝缘层上设置白色阻焊剂而具 有反射功能的技术 ( 专利文献 3) 等。
【专利文献 1】 日本特开 2003-031914 号公报
【专利文献 2】 日本特开 2005-062579 号公报
【专利文献 3】 日本特开 2009-004718 号公报
然而， 引用文献 1 中， 虽然镀敷部分具有反射功能， 但没有镀敷的导体图案的间隙 的部分不具有反射功能， 因此反射率产生不均， 从而难以提高配线基板整体的反射率。 引用 文献 2 中， 配线基板的搭载电子部件一侧的面不具有反射功能， 因此无法应对要求搭载电 子部件一侧的面具有反射功能的情况。引用文献 3 中， 由于在除电子部件安装部分之外的 铜电路上形成有白色阻焊剂， 因此需要在铜电路上设置微小的开口， 但在印刷中难以形成 微小图案， 即使使用光刻法， 由于白色阻焊剂使曝光图案时的光难以透过， 因此仍然存在难 以形成微小的开口图案的问题。 另外， 白色阻焊剂以墨液的状态被涂敷， 但由于粘度或涂敷 条件等的不同而涂敷厚度或表面形状会发生变动， 因此存在难以实现反射率的稳定化的问 题。而且， 由于白色阻焊剂的表面平滑， 因此在利用密封材料对其表面进行模制时， 存在难 以确保白色阻焊剂与密封材料的密接的问题。
发明内容
本发明鉴于上述问题点而作出， 其目的在于提供如下述的配线基板、 电子部件封 装体及它们的制造方法， 即， 通过导体图案和设置在其间隙中的反射材料这两者来抑制反 射率的不均而提高整体的反射率， 能够使配线基板的电子部件搭载侧的面具备反射功能， 容易进行反射材料的形成、 反射材料的厚度的控制及反射材料的表面形状的控制， 实现反 射率的稳定化， 而且， 确保反射材料与密封材料的密接而提高可靠性。
本发明涉及如下内容。
(1) 一种配线基板， 具有 ： 具备设置在基材上的导体图案的多个配线层 ； 使所述多个配线层电绝缘的基材， 其中， 在所述多个配线层中的最外侧的配线层中， 在未设置导体图 案的部分的基材上形成有反射材料， 该反射材料的表面和所述导体图案的表面形成为同一 面且所述导体图案的表面从所述反射材料露出。
(2) 在上述 (1) 中， 导体图案具有搭载电子部件的电极和包围所述电极的框状导 体， 在所述框状导体的内侧， 在未设置导体图案的部分的基材上以填充所述导体图案的间 隙的方式形成有反射材料， 所述反射材料的表面和所述导体图案的表面形成为同一面且所 述导体图案的表面从所述反射材料露出。
(3) 在上述 (1) 或 (2) 中， 在未设置导体图案的部分的基材上形成反射材料后， 通 过一起研磨所述导体图案和反射材料， 而使所述反射材料的表面和所述导体图案的表面形 成为同一面且所述导体图案的表面从所述反射材料露出。
(4) 在上述 (1) 或 (2) 中， 反射材料是含有热固化性树脂和白色颜料的树脂组成 物。
(5) 在上述 (1) 或 (2) 中， 反射材料的厚度为 10μm ～ 50μm。
(6) 在上述 (1) 或 (2) 中， 在导体图案上通过镀金或镀银形成反射层。
(7) 在上述 (1) 或 (2) 中， 导体图案和反射材料对 420±10nm ～ 800±10nm 中任一 波长的光均具有 70％以上的反射率。
(8) 在上述 (1) 或 (2) 中， 反射材料的表面具有以平均粗糙度 Ra 计为 0.3μm ～ 7μm 的凹凸。
(9) 在上述 (1) 或 (2) 中， 在最外侧的配线层的反射材料上设置向上方开口的凹 部。
(10) 一种电子部件封装体， 其通过使用上述 (1) 或 (2) 的配线基板， 在形成于导体 图案的电极上搭载电子部件， 使用密封材料对所述电极及电子部件进行密封而形成。
(11) 一种配线基板的制造方法， 其包括 ： 在多个配线层中的最外侧的配线层形成 导体图案的工序， 该导体图案具有搭载电子部件的电极和包围所述电极的框状导体 ； 在未 设置所述导体图案的部分的基材上以填充所述导体图案的间隙的方式形成反射材料的工 序； 通过一起研磨所述导体图案和反射材料， 而使所述反射材料的表面和所述导体图案的 表面形成为同一面且所述导体图案的表面从所述反射材料露出的工序。
(12) 在上述 (11) 中， 还包括在反射材料上形成向上方开口的凹部的工序。
(13) 一种电子部件封装体的制造方法， 其包括 ： 在多个配线层中的最外侧的配线 层形成导体图案的工序， 该导体图案具有搭载电子部件的电极和包围所述电极的框状导 体； 在未设置所述导体图案的部分的基材上以填充所述导体图案的间隙的方式形成反射材 料的工序 ； 通过一起研磨所述导体图案和反射材料， 而使所述反射材料的表面和所述导体 图案的表面形成为同一面且所述导体图案的表面从所述反射材料露出的工序 ； 在所述导 体图案的电极上搭载电子部件， 并使用密封材料对所述导体图案及电子部件进行密封的工 序。
(14) 在上述 (13) 中， 在通过一起研磨导体图案和反射材料、 而使所述反射材料的 表面和所述导体图案的表面形成为同一面且所述导体图案的表面从所述反射材料露出的 工序后， 包括 ： 在所述反射材料上形成向上方开口的凹部的工序 ； 在所述导体图案的电极 上搭载电子部件， 并使用密封材料对所述导体图案及电子部件进行密封的工序。发明效果
根据本发明， 能够提供如下述的配线基板、 电子部件封装体及它们的制造方法， 即， 通过导体图案和设置在其间隙中的反射材料这两者来抑制反射率的不均而提高整体的 反射率， 能够使配线基板的电子部件搭载侧的面具备反射功能， 容易进行反射材料的形成、 反射材料的厚度的控制及反射材料的表面形状的控制， 实现反射率的稳定化， 而且， 确保反 射材料与密封材料的密接而提高可靠性。 附图说明
图 1 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板的俯视图。
图 2 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板的 A-A’ 剖视图。
图 3 是本发明的实施例 1 ～ 10 的电子部件封装体的剖视图。
图 4A 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板的 A-A’ 截面的放大图。
图 4B 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板的 A-A’ 截面的放大图。
图 5A 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 分。
图 5B 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 5C 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 5D 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 5E 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 6F 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 6G 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 6H 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 6I 是本发明的实施例 1 ～ 10 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部 图 7 是本发明的实施例 11 的电子部件封装体的剖视图。 图 8F 是本发明的实施例 11 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部分。 图 8G 是本发明的实施例 11 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部分。 图 8H 是本发明的实施例 11 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部分。 图 8I 是本发明的实施例 11 的配线基板及电子部件封装体的制造工序的一部分。分。
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具体实施方式
图 1 是本发明的配线基板的一例的俯视图， 图 2 是 A-A’ 剖视图。如这些图所示，作为本发明的配线基板 1， 列举有如下的结构 ： 具有具备局部地设置在基材 8、 16 上的导体 图案 2、 26 的多个配线层 14、 22、 和使所述多个配线层 14、 22 电绝缘的基材 8、 16， 在所述多 个配线层 14、 22 中的最外侧的配线层 14 中， 在未设置导体图案 2 的部分的基材 8 上形成反 射材料 4， 该反射材料 4 的表面与所述导体图案 2 的表面形成为同一面且所述导体图案 2 的 表面从反射材料 4 露出。
本发明中使用的基材是绝缘材料， 成为设置具备导体图案的配线层和反射材料的 基体。作为构成基材的材料， 只要是配线基板中使用的材料即可， 并未特别限定， 可以使用 白色基材 ( 例如， 将含有氧化钛的热固化性树脂浸渍到玻璃纤维等加强材料中并层叠而成 的基材 )、 一般基材 ( 例如， 将环氧树脂、 双马来酰亚胺 - 三嗪树脂、 酚醛树脂等浸渍到玻璃 纤维或纸等加强材料中并层叠而成的基材 )。 由于基材自身无需具备反射功能， 因此在一般 基材中， 只要使用通用的环氧玻璃基板、 酚醛纸基板等即可， 能够降低基材成本。
在本发明中， 如图 2 所示那样从截面观察时， 配线层 14 是指与设置在基材 8、 16 上 的导体图案 2、 26 的厚度相当的层状的部分。在导体图案 2 的间隙中形成有反射材料 4 时， 是指也包含该反射材料 4 在内的层状的部分。多个配线层是指在多层结构的配线基板 1 中 设置于多个层的配线层 14、 22， 也包括例如形成在具有层间连接的两面板上的配线层。 最外 侧的配线层 14 是指所谓的最外层， 在配线基板 1 中， 是指位于最外侧， 且包括用于电子部件 9 的搭载或与电子部件 9 电连接的中继中的导体图案的层。 如图 1、 图 2 所示， 在基材 8 上设置的导体图案 2 上形成搭载电子部件 9 的搭载用 电极 5 和包围该搭载用电极 5 的框状导体 13 等。该搭载用电极 5 用于搭载电子部件 9， 相 当于所谓的裸片焊盘 (die pad)。而且， 根据搭载的电子部件 9 的不同， 形成有利用引线接 合等对电子部件 9 进行电连接的作为中继的中继用电极 6。该中继用电极 6 相当于所谓的 接合焊盘 (bonding pad)。搭载用电极 5 也可以单独或与中继用电极 6 成对地作为排列有 多个电极的电极组形成在基材 8 上。框状导体 13 以包围搭载用电极 5 的方式形成， 在具有 中继用电极 6 时， 以包围搭载用电极 5 和中继用电极 6 的方式形成也可。当搭载用电极 5 或中继用电极 6 作为排列有多个电极的电极组而形成时， 框状导体 13 以包围该电极组整体 的方式形成也可。而且， 框状导体 13 即可以是与搭载用电极 5 或中继用电极 6 未电连接的 独立的导体图案 2， 也可以兼作为从搭载用电极 5 或中继用电极 6 引出的引出线、 或电镀用 的供电线等。如此， 框状导体 13 通过将搭载用电极 5 和中继用电极 6 包围， 即使在反射材 料 4 为液状的情况下， 在涂敷反射材料 4 时， 也具有对涂敷到导体图案间隙 3 的反射材料 4 进行阻挡的屏障的作用， 从而能够抑制反射材料 4 流出而其厚度发生变动的情况。因此， 在 框状导体 13 的内部区域内， 即使反射材料 4 为液状， 也不会发生反射材料 4 流出而涂敷厚 度变薄的情况， 因此通过以包围设置反射材料 4 的区域的方式设置框状导体 13， 而能够确 保反射材料 4 的涂敷厚度。需要说明的是， 在液状的反射材料 4 的粘度高而难以流出时， 无 需将搭载用电极 5 和中继用电极 6 完全包围， 而可以局部地敞开， 还可以为虚线状。
未设置导体图案的部分是导体图案间隙等的基材所露出的部分， 导体图案间隙是 形成在导体图案与导体图案之间的间隙， 是指用于使相邻的导体图案彼此绝缘的间隙。因 此， 在框状导体的内侧设置的基材所露出的部分必然形成在导体图案之间并使导体图案间 绝缘， 因此相当于导体图案的间隙。导体图案及导体图案的间隙例如通过一般的配线基板 的制造方法中进行的那样， 通过利用蚀刻等将预先设置在基材上的铜箔或铝箔等金属层中
的成为导体图案的部分保留而除去其他部分的方法等来形成。
本发明中使用的反射材料具有保持导体图案间隙的绝缘并反射光的功能。 作为这 样的反射材料， 列举有例如含有光固化性树脂或热固化性树脂和白色颜料的树脂组成物。 作为光固化性树脂列举有丙烯酸树脂， 作为热固化性树脂列举有环氧树脂， 但从耐热性等 方面出发， 优选环氧树脂。 需要说明的是， 作为热固化性树脂， 还列举有硅酮树脂， 但通常硅 酮树脂与其他材料的密接力差， 从与密封材料和导体图案等的密接方面考虑， 优选环氧树 脂。 当反射材料为环氧树脂时， 模制所使用的密封材料无论是环氧系还是硅酮系， 密接都优 良， 因此选择的自由度大。
作为反射材料所使用的环氧树脂， 可以使用包含脂环式环氧树脂 (A)、 白色颜料 (B)、 固化剂 (C)、 固化催化剂 (D) 的材料。(B) 白色颜料可以使用从由氧化钛、 二氧化硅、 氧 化铝、 氧化镁、 氧化锑、 氢氧化铝、 硫酸钡、 碳酸镁、 碳酸钡构成的组中选择的至少一种以上。 而且， 从提高反射率的观点出发， 优选 (B) 白色颜料的平均粒径为 0.1μm ～ 50μm 的范围， 相对于树脂组成物整体为 10 体积％～ 85 体积％的范围。固化剂 (C)、 固化催化剂 (D) 作为 环氧树脂用， 使用一般所用的材料。
如图 2、 图 3 所示， 反射材料 4 设置在最外侧的配线层 14。通过设置在最外侧的配 线层 14， 而在将电子部件 9 搭载于最外层的配线层 14 时， 反射材料 4 能够高效率地反射来 自在照明或液晶背光等用途中使用的发光元件的光。而且， 反射材料 4 由于设置在搭载电 子部件 9 的最外侧的配线层 14， 因此反射材料 4 的下侧的基材 8 自身有没有反射功能均可。 因此， 可以使用一般的配线基板中使用的通用的基材。 另外， 如图 1、 图 2 所示， 反射材料 4 设置在未设有导体图案 2 的部分的基材 8 上， 即设置在基材 8 上的导体图案间隙 3 中。由此， 配线基板 1 的导体图案 2 通过反射层 7 能 得到高反射率， 而且导体图案间隙 3 通过反射材料 4 能得到高反射率， 因此能够提高配线基 板 1 的包含导体图案 2 和反射材料 4 这两者的表面的反射率。
在能够高效率地反射从照明或液晶背光等用途中使用的发光元件所放射的光的 观点上， 反射材料的反射率优选对 420±10nm ～ 800±10nm 中任一波长的光具有 70 ％以 上的反射率。尤其是对 460±10nm 的波长的光具有 70 ％以上的反射率时， 由于一般照明 用途中使用的高亮度的发光元件的发光波长为 460nm 附近， 因此在使用这样的高亮度的发 光元件的用途中能得到高的转换效率， 从而优选。而且， 当对 550±10nm 的波长的光具有 70％以上的反射率时， 对于来自发光元件的绿色的发光能得到高转换效率， 从而优选， 当对 550±10nm 的波长的光具有 70％以上的反射率时， 对于来自发光元件的红色的发光能得到 高转换效率， 从而优选。而且， 当对 420±10nm ～ 800±10nm 的波长域整体的光具有 70％ 以上的反射率时， 在可见光区域的整体能得到高转换效率， 从而优选。在此， 为了对导体图 案的表面赋予引线接合性而设置镀金或镀银时， 这些镀敷表面的反射率对 420±10nm ～ 800±10nm 的波长域整体的光为 70％以上。因此， 通过使形成在导体图案的间隙中的反射 材料的反射率对 420±10nm ～ 800±10nm 中任一波长的光为 70％以上， 由此即使在导体图 案的间隙中也能够得到与设有镀金或镀银的导体图案上的反射率同等以上的反射率， 因此 在导体图案上能够同时实现反射率和引线接合性， 并且能得到配线基板的表面整体的高反 射率。 而且， 导体图案和形成有反射材料的导体图案的间隙的各区域的反射率的不均减少， 在用作照明或液晶背光用的基板时， 能够减少明亮度的不均。
如图 2、 图 3 所示， 反射材料 4 的表面与导体图案 2 的表面形成为同一面， 且导体 图案 2 的表面从反射材料 4 露出。需要说明的是， 反射材料 4 的表面与导体图案 2 的表面 形成为同一面是指至少在反射材料 4 的表面与导体图案 2 的表面的边界附近没有高低差， 也包括随着朝向离开该边界的区域而成为反射材料 4 表面比导体图案 2 表面平缓地凹陷的 状态的情况。例如， 在使用通过一起研磨反射材料 4 和导体图案 2 而形成同一面的方法时， 由于反射材料 4 比导体图案 2 容易研磨， 因此虽然在反射材料 4 的表面与导体图案 2 的表 面的边界附近形成几乎没有高低差的同一面， 但在从该边界离开的区域中， 成为反射材料 4 表面比导体图案 2 表面更加凹陷的状态的情况。如此， 反射材料 4 的表面与导体图案 2 的 表面形成为同一面， 反射材料 4 和导体图案 2 形成平坦的同一面， 因此在反射材料 4 与导体 图案 2 的边界没有高低差引起的反射的损失或不均， 从而提高配线基板 1 表面的整体的反 射率。而且， 由于在反射材料 4 与导体图案 2 的边界没有高低差， 因此即使在将制作电子部 件封装体 11 时使用的密封材料 10 形成在配线基板 1 上的情况下， 也不用担心气泡会残留 在反射材料 4 与导体图案 2 的边界。这种情况在导体图案 2 上设置后述的反射层 7 时也同 样。因此， 能够提高电子部件封装体 11 的可靠性。而且， 由于导体图案 2 的表面从反射材 料 4 露出， 因此能够利用导体图案 2 的表面的反射。因此， 若在导体图案 2 上设置具有反射 功能的反射层 7， 则能够提高配线基板 1 整体的反射率。而且， 由于反射材料 4 的高度与导 体图案 2 相等， 因此能够以导体图案 2 的厚度为基准来控制反射材料 4 的厚度， 从而能够在 配线基板 1 的整体上形成均匀厚度的反射材料 4。因此， 能够抑制反射材料 4 的厚度的变 动所引起的反射率的变动， 从而能够在配线基板 1 的整体上实现反射率的变动小的反射功 能。此外， 通过根据需要来变更导体图案 2 的厚度， 而能够任意设定反射材料 4 的厚度。因 此， 通过使用的反射材料 4 的材料的不同， 而能够应对为了得到反射率所需的厚度不同的 情况， 从而能够可靠地形成用于得到必要的反射率的反射材料 4 的厚度。如此， 通过将导体 图案 2 的表面和反射材料 4 的表面形成为同一面且使导体图案 2 的表面从反射材料 4 露出， 而能够提高包含导体图案 2 和反射材料 4 的配线基板 1 表面的反射率， 并能够改善反射率 的变动， 而且， 能够提高使用该配线基板 1 的电子部件封装体 11 的可靠性。
在框状导体的内侧， 优选在未设置导体图案的部分的基材上以填充导体图案的间 隙的方式形成反射材料。 即， 导体图案间隙被反射材料无间隙地覆盖到与导体图案的边界， 反射材料成为与导体图案的端部密接的状态。由此， 导体图案间隙的下方的基材表面未露 出， 因此能够进一步提高配线基板的反射率。而且， 在形成了反射材料后， 即使在利用镀敷 等在导体图案上形成反射层的情况下， 也能够抑制镀敷液向反射材料与导体图案的边界的 浸入或残留， 从而提高可靠性。
为了将导体图案的表面和反射材料的表面形成为同一面且使导体图案的表面从 反射材料露出， 优选在未设置导体图案的部分的基材上形成反射材料后， 一起研磨导体图 案和反射材料。 在此， 一起研磨导体图案和反射材料是指， 同时研磨导体图案的表面和反射 材料的表面， 而形成同一高度的研磨面。 由此， 导体图案的表面和反射材料的表面成为同等 的高度， 因此导体图案的表面和反射材料的表面形成为同一面。 而且， 由于导体图案的表面 和反射材料的表面这两者被研磨， 因此导体图案的表面从反射材料露出。
作为通过一起研磨导体图案和反射材料而将反射材料的表面和导体图案的表面 形成为同一面且使导体图案的表面从反射材料露出的具体方法的一例， 可以使用如下的方法： 如图 6F ～图 6I 所示， 使用液状的热固化树脂作为反射材料 4 的材料， 在配线基板 1 的 表面进行涂敷、 固化， 至少在包括导体图案间隙 3 的配线基板 1 上形成比导体图案 2 厚的反 射材料 4( 图 6F 工序 )， 之后从反射材料 4 的表面侧对反射材料 4 和导体图案 2 进行研磨， 直至反射材料 4 的厚度与导体图案 2 的厚度相等且导体图案 2 的表面露出 ( 图 6G 工序 )。 根据该方法， 只要在导体图案 2 从反射材料 4 露出的时刻结束研磨即可， 容易判定研磨的终 点， 作业性优良。而且， 通常导体图案 2 通过蚀刻铜箔或铝箔而形成， 因此为了满足导体图 案 2 的宽度的精度， 而在配线基板 1 整体上厚度均匀地形成。因此， 通过使反射材料 4 的厚 度与导体图案 2 的厚度相等， 由此反射材料 4 自身也在配线基板 1 的整体上以均匀的厚度 形成。需要说明的是， 即使在导体图案 2 从反射材料 4 露出后再继续研磨的情况下， 导体图 案 2 的表面和反射材料 4 的表面也同时被研磨而形成同一研磨面， 因此能维持反射材料 4 的表面和导体图案 2 的表面形成为同一面且导体图案 2 的表面从反射材料 4 露出的状态。 因此， 研磨的终点的管理只要以确保反射材料 4 为规定的厚度以上的方式进行即可， 因此 无需严格地进行， 研磨条件的管理变得容易。
虽然未图示， 但作为通过一起研磨导体图案和反射材料而将反射材料的表面和导 体图案的表面形成为同一面且使导体图案的表面从反射材料露出的具体方法的另一例， 可 以使用如下的方法 ： 使用液状的热固化树脂作为反射材料， 在配线基板的表面上进行涂敷、 固化， 至少在包括导体图案的间隙的配线基板上形成比导体图案薄的反射材料， 之后从导 体图案的表面侧对导体图案进行研磨， 直至导体图案的厚度与反射材料的厚度相等且导体 图案的表面和反射材料的表面形成为同一面。这种情况下， 也能够将反射材料的表面和导 体图案的表面形成为同一面， 且使导体图案的表面从反射材料露出。 涂敷反射材料的方法可以使用为了将液状的材料涂敷在配线基板上而使用的一 般的方法， 例如可以使用印刷、 喷涂、 辊涂、 幕涂等， 但在能够对必要的部位进行选择性的涂 敷这一点上， 优选印刷。 使用印刷时， 可以使用具有能够以导体图案的表面完全露出的方式 印刷反射材料这样图案的版来进行， 也可以使用能够以反射材料覆盖导体图案的表面的一 部分的方式印刷的版， 还可以使用能够以反射材料完全覆盖导体图案的表面的方式印刷的 版。在上述任一种情况下， 均优选涂敷· 固化后的反射材料的厚度为导体图案的同等以上。 由此， 从反射材料的表面进行研磨， 并且在导体图案从反射材料露出的时刻或导体图案表 面开始被研磨的时刻结束研磨即可， 从而容易管理研磨的终点， 并能够确保反射材料的厚 度。
使用液状的热固化树脂作为反射材料而涂敷在配线基板上之后的固化只要得到 能够进行之后的研磨这种程度的固化状态即可， 例如， 使用环氧树脂时， 通过在 130 ℃～ 180℃下加热 30 分～ 600 分左右， 就能够得到充分的固化状态。
在涂敷反射材料并使其固化后的研磨中， 例如可以使用利用抛光或带式砂光等的 机械研磨。其中， 在能够高精度地研磨配线基板的整体这一点上， 优选利用抛光辊的机械 研磨， 抛光辊的号数为 #600、 #800、 #1000 等或将这些号数组合使用时， 研磨速度适当， 终点 的判定容易而且研磨时间短， 因此从研磨作业的作业性和效率的观点出发优选。作为抛光 辊， 可以使用市售的无纺布抛光辊、 陶瓷抛光辊、 金刚石抛光辊等。需要说明的是， 一起对 反射材料和导体图案进行抛光时， 反射材料比导体图案更易研磨， 因此虽然在反射材料的 表面与导体图案的表面的边界附近大致没有高低差地成为同一面， 但在从该边界离开的区
域中， 存在成为反射材料表面比导体图案表面凹陷的状态的趋势。若使用陶瓷抛光辊， 则 不仅在反射材料的表面与导体图案的表面的边界附近， 而且在从边界离开的区域中， 也能 够大致没有凹陷地形成同一面， 能够使配线基板的整体平坦， 从而优选。而且， 研磨电流在 0.1A ～ 2.0A 左右进行研磨， 但根据磨削反射材料或导体图案的厚度的不同而调整电流值。 优选为 1.0A ～ 1.4A 左右。
反射材料的表面粗糙度并未特别限定， 但优选 Ra 为 0.3μm ～ 7μm。在此， Ra 是 JIS B 0601(2001) 所规定的算术平均粗糙度， 可以使用触针式表面粗糙度计等进行测定。 由此， 能得到制作电子部件封装体时使用的密封材料与反射材料的牢固的密接， 因此提高 可靠性。而且， 可以直接利用使用抛光辊等进行了用于将反射材料的表面和导体图案的表 面形成为同一面的研磨后的状态下的研磨表面， 因此能够维持研磨作业的作业性和效率。 而且， 无需使反射材料的表面粗糙度像镜面 ( 在此是指 Ra 为 0.1μm 以下 ) 那样平滑， 因此 能够省去反射材料的表面形状的调整的麻烦。而且， 作为反射材料使用含有热固化性树脂 和白色颜料的树脂组成物的情况下的例子， 与进行研磨前的反射率相比， 利用抛光辊进行 机械研磨后的反射率的实验结果如表 1 所示， 几乎未下降 ( 有抛光的实施例 1 在 460nm 为 89％， 与没有抛光的比较例 2 的 92％相比， 下降 3％ )， 从而能够确保与涂敷液状的反射材料 并使其固化后的平滑的状态同等的反射率。此外， 从具有 Ra 为 1.6μm 以上的表面粗糙度 的反射材料的表面反射的反射光的方向性低， 朝向配线基板的表面侧的全部方向照射， 因 此在用于液晶用背光或照明时， 具有不易产生明亮度的不均的优点。 需要说明的是， 这种情 况下的研磨中使用的抛光辊可以将 #600、 #800、 #1000 等按照这样的顺序组合而进行研磨。 当研磨到反射材料的表面粗糙度以 Ra 计为 0.3μm ～ 1.5μm 时， 来自反射材料的 反射光具有方向性， 因此在要求特定部位的明亮度的用途的照明等中使用时具有优点。这 种情况的研磨中使用的抛光辊可以通过将 #600、 #800、 #1000、 #2000 等按照这样的顺序组 合而进行研磨。若 Ra 小于 0.3μm， 则需要使用更小的号数的抛光辊， 表面粗糙度的调整需 要花费工时， 而反射率几乎未提高， 因此从性价比出发不优选。而且， 若 Ra 超过 7μm， 则导 体图案的表面粗糙度也同时变粗， 因此在导体图案上形成的反射层的表面粗糙度也变大， 反射层的反射率有可能会下降， 或者由于与搭载的电子部件的接触面积减少， 因此从电子 部件的散热性有可能会下降。
优选基材上的反射材料的厚度为 10μm 至 50μm。由此， 如图 4A 所示， 从搭载在 配线基板的表面上的电子部件 9 向反射材料 4 的表面入射的光的大部分 ( 对 420±10nm ～ 800±10nm 为 70％以上 ) 未到达反射率比反射材料 4 的反射率低的基材 8 的表面， 而被反 射， 因此能够提高反射率。在反射材料 4 的厚度小于 10μm 的情况下， 如图 4B 所示， 从电子 部件向反射材料 4 的表面入射的光到达反射率比反射材料 4 的反射率低的基材 8 的表面， 被吸收的比例增多， 因此存在反射率下降的趋势。若反射材料 4 的厚度超过 50μm， 则为了 以该厚度形成反射材料而导致导体图案 2 的厚度也同时变厚， 因此存在难以应对微细图案 的趋势。而且， 即使将反射材料 4 形成为 50μm 以上的厚度， 反射率也不会提高， 因此在反 射材料 4 的材料成本增加这一点上不优选。需要说明的是， 基材 8 上的反射材料 4 的厚度 为 15μm 至 50μm 时， 在提高反射率 ( 对 420±10nm ～ 800±10nm 为 80％以上 ) 这一点上 更优选， 为 18μm 至 50μm 时在反射率进一步提高 ( 对 420±10nm ～ 800±10nm 为 90％以 上 ) 这一点上进一步优选。
如图 2、 图 3 所示， 优选在导体图案 2 上形成用于高效率地反射光的反射层 7。 就该 反射层 7 而言， 当搭载的电子部件 9 为在照明或液晶背光等用途中使用的发光元件时， 在能 够高效率地反射从电子部件 9 放射出的光这一点上， 优选对 420±10nm ～ 800±10nm 中任 一波长的光的反射率均为 70％以上。 尤其是对 460±10nm 的波长的光具有 70％以上的反射 率时， 由于一般照明用途中使用的高亮度的发光元件的发光波长在 460nm 附近， 因此在使 用此种高亮度的发光元件的用途中能得到高转换效率， 从而优选。而且， 当对 550±10nm 的 波长的光具有 70％以上的反射率时， 对于来自发光元件的绿色的发光能得到高转换效率， 从而优选， 当对 550±10nm 的波长的光具有 70％以上的反射率时， 对于来自发光元件的红 色的发光能得到高转换效率， 从而优选。而且， 当对 420±10nm ～ 800±10nm 的波长域整体 的光具有 70％以上的反射率时， 在可见光区域的整体上能得到高转换效率， 从而优选。 作为 反射层 7， 可以使用通过镀敷或蒸镀等形成的金色系或银白色系的金属层。作为金色系列 举有金， 作为银白色系的金属层列举有银、 铝、 锌、 镍等。需要说明的是， 该反射层 7 即使厚 度为 1μm 以上且 5μm 以下 ( 包括具有镀底层的情况 )， 也足以在导体图案 2 上赋予反射 功能。为了对研磨后的导体图案表面进行调平而减小表面粗糙度， 优选形成为 3μm 以上的 厚度。因此， 在导体图案 2 上形成反射层 7 时， 有时反射层 7( 包括镀底层 ) 会比反射材料 4 高至 5μm 这种程度， 但这种程度的高低差通常不会影响反射率， 而且形成密封材料 10 时 也不会担心卷入气泡。 需要说明的是， 在即使反射层与反射材料的高低差为 5μm 以下也产生气泡向密 封材料的卷入等问题时， 可以通过如下方法来解决该问题， 即， 一起研磨导体图案和反射材 料， 将反射材料的表面和导体图案的表面形成为同一面且使导体图案的表面从反射材料露 出后， 在导体图案上形成反射层之前， 预先通过蚀刻等将导体图案去除反射层的厚度的量， 而使导体图案的表面比反射材料的表面凹陷。 由此， 能够消除反射层与反射材料的高低差， 并且还具有使因研磨而成为粗糙面的导体图案的表面通过蚀刻等变得平滑的作用。因此， 由于导体图案的表面变得平滑， 形成在该表面上的反射层的表面变得更加平滑， 从而能够 提高反射层表面的反射率， 而且， 在该导体图案为电子部件的搭载用电极时， 与电子部件的 接触面积增大， 从而能够提高从电子部件的散热性。
关于导体图案， 在需要对 420±10nm ～ 800±10nm 中任一波长的光的反射率为 90％以上的高反射率的情况下， 作为反射层， 由镀银所形成的银白色系的金属层能够更高 效率地反射照明或液晶背光中使用的短波长的光， 从而优选。由此， 能够高效率地反射向 导体图案放射的光， 因此在搭载发光元件作为电子部件时能够确保高亮度。银由于长期的 使用而表面发生氧化从而存在反射率下降的趋势， 因此不适合要求长期稳定的反射率的用 途， 但具有适合于与寿命相比更要求高亮度的用途的优点。
在与高亮度相比更要求长期的反射率的稳定性的情况下， 反射层优选通过镀金形 成。金即使长期使用， 其表面也不会发生氧化， 因此能抑制反射率的下降。而且， 在通过使 用金线作为接合引线的引线接合来将中继用电极和电子部件电连接时， 能够确保引线接合 性。
关于导体图案， 在要求对 420±10nm ～ 800±10nm 中任一波长的光的高反射率且 要求对中继用电极的金线的引线接合性时， 优选在搭载用电极上通过镀银来设置反射层， 并在中继用电极上通过镀金来设置反射层。中继用电极是与金线的接合性优良的镀金， 因
此能够确保引线接合性， 并且搭载用电极是对于来自电子部件的发光波长为 420±10nm ～ 800±10nm 的波长域的光的反射率均高至 90％以上的镀银， 因此能够确保高反射率。而且， 如图 4A、 图 4B 所示， 搭载用电极 5 也反射从电子部件 9 的底部 ( 即， 与搭载用电极 5 的接合 侧的面 ) 照射的光， 该反射光透过电子部件 9 自身， 而向配线基板 1 的表面侧的方向照射。 因此， 也能够利用从电子部件 9 的底部 ( 即， 与搭载用电极 5 的接合侧的面 ) 照射的光， 从 而能够提高光转换效率。
优选导体图案和反射材料对 420±10nm ～ 800±10nm 中任一波长的光均具有 70％ 以上的反射率。由此， 配线基板整体对 420±10nm ～ 800±10nm 中任一波长的光具有 70％ 以上的反射率， 因此能够高效率地利用来自发光元件的光。尤其是导体图案和反射材料对 460±10nm 的波长的光均具有 70％以上的反射率时， 能够提供一种尤其是适合于一般照明 或液晶背光用途的配线基板。 而且， 不仅导体图案上， 而且形成有反射材料的导体图案的间 隙也具有反射功能， 因此在配线基板的整体上， 反射率不易发生不均， 能抑制亮度的变动。
电子部件向搭载用电极的搭载中的 LSI 芯片 1 的搭载方法可以是引线接合安装或 倒装安装中的任一种。在需要搭载用电极与电子部件的导通时， 可以利用银糊剂或导电性 粘接剂、 焊料等将电子部件搭载于搭载用电极。 在不需要搭载用电极与电子部件的导通时， 可以利用绝缘性的粘接剂等粘接电子部件来进行搭载。在引线接合安装的情况下， 利用引 线接合将电子部件和中继电极接合。
使用一般的电子部件封装体中使用的密封材料， 通过利用灌注或传递成形进行模 制而形成电子部件和搭载用电极的密封。作为密封材料， 可以使用环氧树脂、 聚酰亚胺树 脂、 硅酮系树脂、 聚氨酯酚醛系树脂、 聚酯系树脂、 丙烯酸系树脂、 其他的热固化性树脂、 热 塑性树脂等。
在将形成有密封材料后的配线基板切断作为单片的电子部件封装体时， 可以使用 通过被称作除根或切割的切削加工来切断成单片的方法。
如图 7 所示， 优选在最外侧的配线层 14 的反射材料 4 上设置向上方开口的凹部 24。该凹部 24 为了使配线层 14 上形成的密封材料 10 容易流入凹部 24 内而向上方开口， 而且为了不使密封材料 10 向配线基板 1 的下方流出而形成为非贯通孔。由此， 在导体图案 2 的搭载用电极 5 上搭载电子部件 9， 使用密封材料 10 对导体图案 2 及电子部件 9 进行密 封而模制时， 密封材料 10 流入到设置在反射材料 4 上的凹部 24 内， 在填充到凹部 24 内的 状态下直接固化， 因此能得到固定效果， 反射材料 4 与密封材料 10 的密接变得牢固， 其结果 是可靠性提高。
作为在最外侧的配线层的反射材料上设置向上方开口的凹部的方法， 列举有使用 激光加工机或钻削机等， 通过控制距反射材料的表面的加工深度， 而形成凹部的方法。 尤其 是使用激光加工机时， 如图 8F ～图 8I 所示， 在向上方开口的凹部 24 所设置的位置的基材 8 上的配线层 14 处形成窗孔 25， 且在内层用的基材 16 上的内层的配线层 22 处设置接受激 光的导体图案 26 时， 通过所谓的保形方法， 将反射材料 4 和基材 8 贯通， 从而容易形成到达 导体图案 26 的凹部 24。 需要说明的是， 使用激光加工机时， 也可以不设置作为窗孔 25 的导 体图案 2， 而形成从反射材料 4 的表面到达导体图案 26 的凹部 24， 而且， 还可以不设置作为 窗孔 25 的导体图案 2 及接受激光的导体图案 26， 通过控制距反射材料 4 的表面的加工深度 来形成凹部 24。实施例
以下， 对本发明的实施例进行说明， 但本发明并未限定于此。
( 实施例 1)
如图 5A 的工序所示， 准备在内层用的基材 16 的两面上贴合有厚度 12μm 的铜箔 19 的、 厚度 0.06mm 的环氧树脂玻璃布贴铜层叠板即 MCL-E679F( 日立化成工业株式会社制， 商品名 )， 通过 NC 钻削机即 MARK-100( 日立精工株式会社制， 商品名 )， 形成层间连接用的 贯通孔 18。
接下来， 在过锰酸钠水溶液中以温度 85 ℃、 6 分钟的条件进行该贯通孔 18 的洗 涤处理， 在非电解镀铜即 CUST201( 日立化成工业株式会社制， 商品名 )、 硫酸铜 10g/l、 EDTA( 乙二胺四乙酸 )40g/l、 福尔马林 10ml/l， pH12.2) 中以温度 24℃、 时间 30 分钟的条 件， 对包括贯通孔内的内层用的基材 16 的整面进行了 0.5μm 的底层镀铜。然后， 利用硫酸 2 铜镀敷， 以温度 30℃、 电流密度 1.5A/dm 、 时间 60 分钟的条件， 在包括贯通孔内的内层用的 基材 16 的整面形成了镀敷厚度 20μm 的电镀铜。
接下来， 如图 5B 的工序所示， 在内层用的基材 16 的配线层 22 形成用的铜箔 19 表 面上， 利用层压装置， 以压力 0.2MPa、 温度 110℃、 速度 1.5m/min 的条件， 临时压接紫外线 固化型防蚀涂层用干膜 H-W425( 日立化成工业株式会社制， 商品名 )， 接着在其上表面贴合 负像型掩膜 (negative mask)， 利用紫外线进行曝光， 烧结导体图案， 在 1 质量％的碳酸钠 水溶液中进行显影， 形成防蚀涂层， 对于没有该防蚀涂层的铜箔部分， 在压力 0.2MPa、 速度 3.5m/min 的条件下喷射由氯化铜、 盐酸、 硫酸双氧水的组成所形成的氯化铜蚀刻液， 然后喷 射 3 质量％氢氧化钠水溶液而剥离除去防蚀涂层， 从而在内层用的基材 16 的表背上形成内 层的配线层 22。
接下来， 如图 5C 的工序所示， 准备了厚度 0.06mm 的环氧树脂玻璃纤维布预浸料坯 即 GEA-679NUJY( 日立化成工业株式会社制， 商品名 ) 作为基材 8。而且， 准备厚度 5μm 的 铜箔即 3EC-VLP-5( 三井金属矿业株式会社制， 商品名 ) 作为用于形成配线层 14 的铜箔 23。 将上述的环氧树脂玻璃纤维布预浸料坯重合在事先准备好的内层用的基材 16 的两面的内 层的配线层 22 上， 然后， 在其上重合厚度 5μm 的配线层 14 形成用的铜箔 23， 使用真空挤 压， 以压力 3MPa、 温度 175℃、 保持时间 1.5 小时的条件进行加压加热而实现层叠一体化。 如 此， 在内层用的基材 16 的两方的面上层叠一体化有基材 8 和配线层 14 形成用的铜箔 23。
接下来， 如图 5D 的工序所示， 在该配线层 14 形成用的铜箔 23 表面上， 利用层压装 置， 以压力 0.2MPa、 温度 110℃、 速度 1.5m/min 的条件， 临时压接紫外线固化型防蚀涂层用 干膜 H-W425( 日立化成工业株式会社制， 商品名 )， 然后在其上表面上贴合负像型掩膜， 利 用紫外线进行曝光， 烧结窗孔的图案， 在 1 质量％的碳酸钠水溶液中进行显影， 形成防蚀涂 层， 对于没有该防蚀涂层的铜部分， 在压力 0.2MPa、 速度 3.5m/min 的条件下喷射由氯化铜、 盐酸、 硫酸双氧水的组成所形成的氯化铜蚀刻液， 然后喷射 3 质量％氢氧化钠水溶液而剥 离除去防蚀涂层， 从而形成了保形方法用的窗孔 20。
接下来， 使用 NC 激光加工机 MARK-20( 日立精工株式会社制， 商品名 )， 以孔径 0.26、 输出 500W、 脉冲幅度 15、 发射数 15 的条件， 对基材 8 进行加工而形成激光孔 21， 接下 来， 在过锰酸钠水溶液中， 以温度 85℃、 6 分钟的条件进行该激光孔 21 的洗涤处理， 在非电 解镀铜即 CUST201( 日立化成工业株式会社制， 商品名 )、 硫酸铜 10g/l、 EDTA( 乙二胺四乙酸 )40g/l、 福尔马林 10ml/l， pH12.2) 中， 以温度 24℃、 时间 30 分钟的条件， 对包括激光孔 21 内的基材 8 的整面进行了厚度 0.5μm 的底层镀铜。
接下来， 利用硫酸铜镀敷， 以温度 30℃、 电流密度 1.5A/dm2 的条件， 进行规定时间 镀敷， 而在包括激光孔 21 内的基材 8 的整面上形成了厚度 20μm 的电镀铜。
接下来， 如图 5E 的工序所示， 在基材 8 的电镀铜表面上， 利用层压装置， 以压 力 0.2MPa、 温度 110 ℃、 速度 1.5m/min 的条件， 临时压接紫外线固化型防蚀涂层用干膜 H-W475( 日立化成工业株式会社制， 商品名 )， 然后在其上表面贴合负像型掩膜， 利用紫外 线进行曝光， 烧结导体图案， 在 1 质量％的碳酸钠水溶液中进行显影， 形成防蚀涂层， 对于 没有该防蚀涂层的铜部分， 在压力 0.2MPa、 速度 3.5m/min 的条件下喷射由氯化铜、 盐酸、 硫 酸双氧水的组成所形成的氯化铜蚀刻液， 形成最外侧的配线层 14， 然后喷射 3 质量％氢氧 化钠水溶液而进行防蚀涂层剥离除去。由此， 在基材 8 的表面上形成了包括搭载用电极 5、 中继用电极 ( 未图示 ) 及框状导体 13 在内的导体图案 2 作为最外侧的配线层 14。形成的 导体图案 2 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值约为 23μm。
接下来， 如图 6F 的工序所示， 通过印刷在包括导体图案 2 的基材 8 的表面整体上 涂敷液状的反射材料 4。液状的反射材料 4 使用反射材料 A。该反射材料 A 是将作为热固 化性树脂 ( 环氧树脂 ) 的三缩水甘油基三聚异氰脲酸酯 ( 商品名 ： TEPIC-S， 日产化学工业 株式会社制 )100 质量部、 作为固化剂 ( 酸酐系固化剂 ) 的甲基六氢邻苯二甲酸酐 ( 商品 名： HN-5500F， 日立化成工业株式会社制 )150 质量部、 作为白色颜料的氧化钛 ( 商品名 ： FTR-700， 堺化学工业株式会社制， 平均粒径 ： 0.2μm)470 质量部、 作为固化催化剂 ( 固化促 进剂 ) 的四丁基鏻 -o， o- 二乙基二硫代磷酸酯 ( 商品名 ： PX-4ET， 日本化学工业株式会社 制 )1.5 质量部混合， 以混炼温度 20 ～ 30℃、 混炼时间 10 分钟的条件进行辊混炼而制作。 得到的白色的液状反射材料 4 的粘度在 25℃下为 10Pa·s。
接下来， 在热风循环炉内， 以 150℃、 2 小时加热固化而在包含导体图案 2 的基材 8 的表面整体上形成了反射材料 4， 之后如图 6G 的工序所示， 对反射材料 4 的表面进行研磨， 直至反射材料 4 的表面和导体图案 2 的表面形成为大致同一面且导体图案 2 表面的整体从 反射材料 4 完全露出。研磨是使用了抛光辊的机械研磨 ( 株式会社石井表记制 )。使用的 抛光辊的号数将 #600、 #800、 #1000 按照这样的顺序组合使用。作为抛光辊， 使用填补树脂 研磨用的 JP BuffMONSTER V3/V3-D2(Jaburo 工业制， 商品名 )。 而且， 研磨电流为 1.2A。 研 磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约 为 18μm。
接下来， 如图 6H 的工序所示， 对导体图案 2 整体进行非电解镍 - 金镀敷和电解镀 银， 形成了厚度为 3μm 的反射层 7。由此， 制作出配线基板 1。
接下来， 如图 6I 的工序所示， 通过裸片接合 (die bond) 将作为电子部件 9 的发光 元件搭载在搭载用电极 5 上， 通过引线接合 ( 未图示 ) 将电子部件 9 和中继用电极 ( 未图 示 ) 电连接。 接下来， 使用环氧树脂作为密封材料 10 进行密封， 切断除去框状导体 13 部分， 制作出电子部件封装体 11。
( 实施例 2)
在图 5D 的工序、 图 5E 的工序中， 在包括激光孔内的基材 8 的整面上形成厚度 15μm 的电镀铜， 形成在基材 8 的表面上的导体图案 2 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值约为 19μm。而且， 在图 6G 的工序中， 研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 14μm。 除此以外， 与实施例 1 同样地制 作出配线基板 1。
( 实施例 3)
在图 5D 的工序、 图 5E 的工序中， 在包括激光孔内的基材 8 的整面上形成厚度 30μm 的电镀铜， 形成在基材 8 的表面上的导体图案 2 的厚度在配线基板 1 的四角和中央 的平均值约为 33μm。而且， 在图 6G 的工序中， 研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 28μm。 除此以外， 与实施例 1 同样地制 作出配线基板 1。
( 实施例 4)
在图 5D 的工序、 图 5E 的工序中， 在包括激光孔内的基材 8 的整面上形成厚度 50μm 的电镀铜， 形成在基材 8 的表面上的导体图案 2 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的 平均约为 53μm。而且， 在图 6G 的工序中， 研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚 度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 47μm。 除此以外， 与实施例 1 同样地制作出 配线基板 1。 ( 实施例 5)
在图 6G 的工序中， 在反射材料 4 表面的使用了抛光辊的机械研磨时， 作为抛光辊， 将 #600、 #800、 #1000、 #2000 按照该顺序使用。研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 18μm。除此以外， 与实施例 1 同样地 制作出配线基板 1。
( 实施例 6)
在图 6G 的工序中， 在反射材料 4 表面的使用了抛光辊的机械研磨时， 作为抛光辊， 将 #600、 #800 按照该顺序使用。研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线 基板 1 的四角和中央的平均值均约为 20μm。 除此以外， 与实施例 1 同样地制作出配线基板 1。
( 实施例 7)
如图 6H 的工序所示， 对导体图案整体进行非电解镍 - 金镀敷和电解镀金， 形成了 反射层 7。研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央 的平均值均约为 20μm。除此以外， 与实施例 1 同样地制作出配线基板。
( 实施例 8)
在图 6F 的工序中， 作为通过印刷而涂敷在包括导体图案 2 的基材 8 的表面整体上 的液状的反射材料 4， 使用了反射材料 B。 该反射材料 B 是将作为热固化性树脂 ( 环氧树脂 ) 的脂环式环氧树脂即 CEL2021P(Daicel 化学工业株式会社制， 商品名 )100 质量部、 甲基六 氢邻苯二甲酸酐 ( 商品名 ： HN-5500F， 日立化成工业株式会社制 )120 质量部、 氧化钛 ( 商 品名 ： FTR-700， 堺化学工业株式会社制 )410 质量部、 四丁基鏻 -o， o- 二乙基二硫代磷酸酯 ( 商品名 ： PX-4ET， 日本化学工业株式会社制 )1.5 质量部混合， 以混炼温度 20 ～ 30℃、 混炼 时间 10 分钟的条件进行辊混炼而制作。得到的白色的液状反射材料 4 的粘度在 25℃下为 8Pa·s。而且， 在图 6G 的工序中， 研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配 线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 18μm。 除此以外， 与实施例 1 同样地制作出配线基
板 1。 ( 实施例 9)
在图 6F 的工序中， 作为通过印刷而涂敷在包括导体图案 2 的基材 8 的表面整体上 的液状的反射材料 4， 使用了反射材料 C。该反射材料 C 是将三缩水甘油基三聚异氰脲酸酯 ( 商品名 ： TEPIC-S， 日产化学工业株式会社制 )50 质量部、 CEL2021P(Daicel 化学工业株式 会社制， 商品名 )50 质量部、 甲基六氢邻苯二甲酸酐 ( 商品名 ： HN-5500F， 日立化成工业株式 会社制 )135 质量部、 氧化钛 ( 商品名 ： FTR-700， 堺化学工业株式会社制 )440 质量部、 四丁 基鏻 -o， o- 二乙基二硫代磷酸酯 ( 商品名 ： PX-4ET， 日本化学工业株式会社制 )1.5 质量部 混合， 以混炼温度 20 ～ 30℃、 混炼时间 10 分钟的条件进行辊混炼， 制作出白色的液状反射 材料 4。得到的白色的液状反射材料 4 的粘度在 25℃下为 12Pa·s。而且， 在图 6G 的工序 中， 研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均 值均约为 21μm。除此以外， 与实施例 1 同样地制作出配线基板 1。
( 比较例 1)
在图 6F 的工序中， 不在导体图案 2 及基材 8 上涂敷反射材料 4， 而使基材 8 直接露 出。导体图案 2 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 23μm。除此以外， 与实 施例 1 同样地制作出配线基板 1。
( 参考例 1)
在图 5D 的工序、 图 5E 的工序中， 在包括激光孔 21 内的基材 8 的整面上形成厚度 10μm 的电镀铜， 形成在基材 8 的表面上的导体图案 2 的厚度在配线基板 1 的四角和中央 的平均值约为 13μm。而且， 在图 6G 的工序中， 研磨后的导体图案 2 及其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 8μm。除此以外， 与实施例 1 同样地制 作出配线基板 1。
( 比较例 2)
在图 6F 的工序中， 通过印刷而在包括导体图案 2 的基材 8 的表面整体上涂敷液状 的反射材料 4。液状的反射材料 4 使用反射材料 A。接着， 在热风循环炉内进行 150℃、 2小 时加热固化而在包括导体图案 2 的基材 8 的表面整体上形成反射材料 4。然后， 在图 6G 的 工序中， 不进行研磨而直接进行热固化。因此， 在包括导体图案 2 的基材 8 的表面整体上形 成反射材料 4， 导体图案 2 未露出。而且， 导体图案 2 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的 平均值约为 23μm， 其附近的反射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 24μm。除此以外， 与实施例 1 同样地制作出配线基板 1。
( 实施例 10)
在图 6G 的工序中， 在反射材料 4 表面的使用了抛光辊的机械研磨时， 作为抛光辊， 将 #600、 #800、 #1000、 #1500、 #2000 按照该顺序使用。研磨后的导体图案 2 及其附近的反 射材料 4 的厚度在配线基板 1 的四角和中央的平均值均约为 18μm。除此以外， 与实施例 1 同样地制作出配线基板 1。
( 实施例 11)
如图 8F ～图 8I 所示， 在内层用的基材 16 上的内层的配线层 22 处设置接受激光 的导体图案 26， 在向上方开口的凹部 24 所设置的位置的基材 8 上的配线层 14 处形成窗孔 25， 使用激光加工机， 通过保形方法， 将反射材料 4 和基材 8 贯通， 形成到达导体图案 26 的
凹部 24。除此以外， 与实施例 1 同样地制作出配线基板 1。
对于如以上那样制作的实施例 1 ～ 11、 参考例 1 及比较例 1、 2 的配线基板， 测定了 反射材料的厚度、 反射材料的表面粗糙度、 反射材料的反射率、 反射层的反射率。
( 反射材料的厚度的测定 )
导体图案及其附近的反射材料的厚度通过观察截面来测定， 求出配线基板的四角 和中央这五点的平均值。
( 表面粗糙度的测定 )
表面粗糙度是 JIS C 6481 所规定的平均粗糙度 Ra， 使用触针式表面粗糙度计 SURFTEST SV-400(Mitutoyo 株式会社制， 商品名 ) 进行了测定。
( 反射率的测定 )
使用分光测色计 ( 商品名 ： CM-508d， Minolta 株式会社制 ) 测定反射材料及反 射层的对包括 420±10nm ～ 800±10nm 的波长域的反射率。 而且， 从该测定结果读取 420±10nm、 460±10nm、 550±10nm、 660±10nm、 800±10nm 的波长下的反射率 ( 表 1 中， 将各 个波长标记为 420、 460、 550、 660、 800)。
( 密封材料的密接强度 )
在形成有反射材料的基板上， 将密封用环氧树脂组成物成形为圆柱状 ( 直径 3.6mm)， 使用 Dage Precision Industries 公司制推拉力测试机测定密接强度。
对于实施例 1 ～ 11、 参考例 1 及比较例 1、 2 的配线基板， 测定了反射材料的厚 度、 反射材料的表面粗糙度、 反射材料的反射率、 反射层的反射率及密封材料的密接强度 的结果如表 1 所示。对于实施例 1、 2、 7 而言， 表示了 420±10nm、 460±10nm、 550±10nm、 660±10nm、 800±10nm 的波长下的反射率， 但对于除此以外的实施例、 比较例而言， 由于波 长与反射率的关系表现出同样的趋势， 因此以 460±10nm 的波长下的反射率为代表值来表 示。根据实施例 1 ～ 11 和比较例 1 的结果， 通过设置基材上的反射材料， 与仅有基材的情 况 ( 比较例 1) 相比， 得到了反射率大幅提高的结果。根据实施例 1 ～ 7 和参考例 1 的结果 可知， 若反射材料的厚度为 10μm 以上， 则对于 420±10nm ～ 800±10nm 的波长域整体的 光， 能得到 70％以上的高反射率。而且， 对实施例 1、 5、 6、 10( 均有研磨 ) 与比较例 2( 没有 研磨及导体图案的露出 ) 进行比较， 反射率最大存在 3％程度的差， 而且根据实施例 1、 5、 6、 10， 即使反射材料的表面粗糙度以 Ra 计变化至 0.3 ～ 7μm 程度， 也得到了反射率相等 的结果。根据实施例 1 和 7， 即使反射层的镀敷从电解银变化成电解金， 对于 420±10nm ～ 800±10nm 的波长域整体的光， 也能得到 70％以上的高反射率的结果。
表 1 是对于实施例 1 ～ 11、 参考例 1 及比较例 1、 2 的配线基板， 测定了反射材料的 厚度、 反射材料的表面粗糙度、 反射材料的反射率、 反射层的反射率、 密封材料的密接强度 的结果。
表1
【符号说明】 1…配线基板 2…导体图案 3…导体图案间隙 4…反射材料 5…搭载用电极 6…中继用电极 7…反射层 8…基材9…电子部件 10…密封材料 11…电子部件封装体 12…白色颜料 13…框状导体 14…配线层 15…层间连接 16… ( 内层用的 ) 基材 17… ( 内层的 ) 层间连接 18…贯通孔 19… ( 内层的 ) 铜箔 20…窗孔 21…激光孔 22… ( 内层的 ) 配线层 23…铜箔 24…向上方开口的凹部 25…窗孔 26… ( 内层的 ) 导体图案