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提供了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性光刻胶清洗剂包含(a)季胺氢氧化物，(b)二甲基亚砜，(c)通式见上述的烷基二醇芳基醚及其衍生物，其中R1为C6-18芳基；R2为H、C1-18烷基或C6-18芳基，m2-6，n1-6，(d)乙醇胺，(e)水和(f)缓蚀剂。该清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时能有效地抑制二氧化硅、Cu、Pb和Sn等金属以。