用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法.pdf

本发明公开了一种用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法。所述标记结构包括在衬底上的至少4条线。所述线沿第一方向彼此平行地延伸且在每对线之间设置有节距，所述节距沿垂直于第一方向的第二方向上被定向。在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。

1.  一种在衬底上的标记结构，该标记结构包括数目为n的多条线，所述n至少等于4，所述线沿第一方向基本彼此平行地延伸且在从所述多条线中选取的每对线之间具有节距，所述节距沿基本上垂直于第一方向的第二方向上被定向，其中，在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。

2.  根据权利要求1所述的标记结构，其中，所述标记结构设置在所述衬底的划线中，所述第一方向沿着所述划线的纵向方向被定向。

3.  根据权利要求1所述的标记结构，其中，所述多条线的第一子集位于衬底上的第一层中，和所述多条线的第二子集位于在第一层上方的第二层中。

4.  根据权利要求3所述的标记结构，其中，所述多条线的第二子集具有至少一条线，所述至少一条线基本上与所述多条线的所述第一子集的对应的线重叠。

5.  根据权利要求3所述的标记结构，其中，对于在第二方向上相邻的所述多条线中的每对线，所述一对线中的一条线是在第一子集中且所述一对线中的另一条线是在第二子集中。

6.  根据权利要求1所述的标记结构，其中，所述标记结构被设置用于在光学对准期间产生光学干涉图案，其中，所述光学干涉图案显示了没有重叠的许多单个局部强度最小量。

7.  根据权利要求1所述的标记结构，其中，标记结构沿第二方向的宽度是大约60微米，标记结构中的线的数目是5且线宽是大约2微米。

8.  根据权利要求7所述的标记结构，其中，在第一对两条相邻线之间的第一节距是大约9微米，在第二对两条相邻线之间的第二节距是大约13微米，在第三对相邻的两条线之间的第三节距是大约17微米，以及在第四对相邻的两条线之间的第四节距是大约5微米。

9.  一种在半导体器件的制备过程中使用的衬底，该衬底包括根据权利要求1-8中任一项所述的标记结构。

10.  一种在衬底上制造半导体器件的方法，该方法包括：
通过光刻过程在衬底上产生标记结构，所述标记结构包括数目为n的多条线，所述n至少等于4，所述线沿第一方向基本上彼此平行地延伸且在每对线之间具有节距，所述每对线从所述多条线中选取，所述节距沿基本上垂直于第一方向的第二方向被定向，其中，在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。

11.  根据权利要求10所述的方法，其中，所述多条线位于衬底上的第一层中。

12.  根据权利要求10所述的方法，其中，所述多条线的第一子集位于衬底上的第一层中，和所述多条线的第二子集位于在第一层上方的第二层中。

13.  根据权利要求12所述的方法，其中，所述多条线的第二子集具有至少一条线，所述至少一条线基本上与所述多条线的第一子集中的对应的线重叠。

14.  根据权利要求12所述的方法，其中，对于在第二方向上相邻的所述多条线中的每对线，所述一对线中的一条线设置在第一子集中且所述一对线中的另一条线设置在第二子集中。

15.  根据权利要求10所述的方法，其中，进一步包括：
提供自参考干涉计的照射束作为在衬底上的斑，用于照射标记结构。

16.  根据权利要求15所述的方法，其中，在光学对准期间，照射标记结构产生光学干涉图案，其中，所述光学干涉图案显示没有重叠的许多单个局部强度最小量。

用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于在光刻设备中的晶片粗对准的标记结构。另外，本发明也涉及这样的标记的制造方法。
背景技术
光刻设备是将需要的图案施加到衬底上，通常是施加到该衬底的目标部分上，的机器。例如，光刻设备可用在集成电路(ICs)的制造中。在这样的例子中，可替换地称为掩模或掩模版的图案形成装置可用来产生电路图案，该电路图案将形成在该IC的单独层上。这个电路图案可转移到衬底(如硅晶片)上的目标部分(包括部分管芯、一个管芯或几个管芯)上。该电路图案的转移典型地是通过在提供在该衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像来进行。通常，单个衬底会包含被连续图案化的邻近的目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进机和所谓的扫描器，在该步进机中，通过一次曝光目标部分上的整个图案，使每个目标部分被照射，在该扫描器中，通过辐射束在给定方向(“扫描”方向)上扫描图案，并同时沿与这个扫描方向的平行或反向平行同步扫描该衬底，使每个目标部分被照射。通过将该图案压印到该衬底上，将该图案从该图案形成装置转移到该衬底上也是可能的。
对于光刻设备中晶片的粗光学对准，包括三个平行线的标记结构(标记)是已知的。所述平行线被布置在晶片的划线中且沿划线的纵向方向延伸。在标记的三条线中，一对相邻的线具有第一节距，另一对相邻的线具有第二节距。第一节距和第二节距沿着划线的宽度方向延伸且第一节距不同于第二节距。
沿在该节距方向上的扫描路径执行光学对准扫描(因此，在划线的外部也可收集扫描数据)。光学对准扫描是基于所谓的自参考干涉法，以从标记中获得扫描数据信号。在EP 1372040中描述了所使用的自参考干涉法。例如通过模式识别程序，通过在扫描数据信号中搜索与标记设计(mark-design)的两个节距相匹配的信号部分可获得标记的位置。扫描数据信号中的匹配信号部分的位置与扫描路径中的标记位置相关。
然而，观测到当使用现有技术的标记时，它只能够选择基于两个节距的被对准的位置。也可能出现这样的情形，靠近标记和在划线外面的产品结构与这些节距中的一个或两个相类似，这导致未对准(misalignment)。
此外，因为靠近标记的任何器件结构将会导致与标记本身的干涉，所以这将妨碍对准的性能。因此，标记具有被保持是空的、没有器件结构的禁区(exclusion zone)。为此，划线不能具有小于最小值的宽度。根据现有技术，对于晶片的粗对准的划线宽度的较小值的减小是不可能的。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了在衬底上的标记结构，该标记结构包括数目为n的多条线，n至少等于4，线沿第一方向彼此平行地延伸且在从所述多条线中选取的每对线之间被设置有节距，所述节距沿垂直于第一方向的第二方向被定向，其中，在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。
根据本发明的一个方面，提供了包括上述的标记结构的半导体器件。
根据本发明的一个方面，提供了在衬底上制造半导体器件的方法，该方法包括：提供衬底，通过光刻过程在衬底上产生标记结构，其中，所述标记结构包括数目为n的多条线，n至少等于4，所述线沿第一方向彼此平行地延伸且在从所述多条线中选取的每对线之间分别被设置有节距，所述节距沿垂直于第一方向的第二方向被定向，其中，在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。
附图说明
现在参照随附的示意性的附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：
图1描述根据本发明实施例的光刻设备；
图2描述根据本发明实施例的标记结构；
图3描述图2的标记结构的响应函数；
图4描述标记结构的响应函数和布局(layout)之间的关系；
图5描述根据本发明实施例的标记结构的横截面；和
图6描述根据本发明实施例的标记结构的横截面。
具体实施方式
图1示意性地描述根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括：
-照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，UV辐射或EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；以及
-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑所述图案形成装置，即承受图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上产生图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其它台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
光刻设备还可以是如下类型：其中至少一部分衬底可由具有相对高折射率的液体(例如水)所覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液还可以施加到光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域是公知的。这里使用的术语“浸没”不意味着结构(例如衬底)必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和定位传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个定位传感器(图1中未明确示出)用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2描述了根据本发明实施例的标记结构M的俯视图。
标记结构M被设置在两个目标部分C中间的划线SL中。划线SL沿第一方向D1纵向地延伸，且在垂直于第一方向D1的第二方向D2上具有宽度。
标记结构M包括沿划线SL的纵向方向D1延伸的n条(至少是四条)线M1、M2、M3、M4、M5。通过n-1个间隙彼此分离所述多条线M1...M5。每个间隙具有不同于另一个间隙的节距。
通过具有第一节距P1的第一间隙来分离线M1和线M2，通过具有第二节距P2的第二间隙来分离线M2和线M3，通过具有第三节距P3的第三间隙来分离线M3和线M4，以及通过具有第四节距P4的第四间隙来分离线M4和M5。
第一、第二、第三和第四(或通常是n-1个)节距中的每一个具有不同于其它节距的尺寸。
由于自参考干涉计的特性，在光学对准扫描过程中，在标记结构中的数目为n的多条线M1...M5的每条线的位置处和在两条或更多的数目为n的多条线M1...M5的干涉处获得在干涉信号中的局部强度最小量。
因此，根据本发明，标记结构中的n-1个节距和它们的顺序被选择，以使得通过自参考干涉法在标记结构M上测量的干涉图案仅显示了基本上没有重叠位置的局部强度最小量。
标记结构被设置用于在光学对准期间产生光学干涉图案，其中，所述光学干涉图案显示了没有重叠的许多单个的局部强度最小量。
本发明允许最大化在标记结构M中的线的数目，在这种条件下，在光学对准扫描期间通过标记结构M可产生独特的干涉图案。
在图2中，作为一个例子显示了包括5条线、每条线宽为2μm的标记结构M。这些线被间隔开，其中，第一节距P1是9μm，第二节距P2是13μm，第三节距P3是17μm以及第四节距是5μm。
图3描述了在光学对准扫描期间沿着在第二方向D2上跨过划线SL的扫描路径测量的图2的示例性标记结构M的干涉图案R的图。
自参考干涉计的照射束作为在衬底上的斑被提供，用于照射标记结构。自参考干涉计至少使用四个激光束，每个激光束分别具有在大约530至大约850nm范围内的波长且与其它激光束的波长不同。在图3中，单个波长的测量强度(垂直轴线)作为在划线SL内的沿在第二方向D2上的扫描路径的测量位置(水平轴线)的函数被绘图。
图4描绘了标记结构的干涉图案R和布局之间的关系。
在标记结构M的线M1...M5的位置上，干涉图案R用相对减少的强度显示了主要的局部强度最小量。主要的局部强度最小量由实线L1、L2、L3、L4、L5示出。
另外，第二局部强度最小量在两条线之间的干涉处被显示，即在每一对相邻的线之间的中间的第二位置上，如由虚线L6、L7、L8、L9示出的。
第三局部强度最小量在多于两条线之间的干涉处被产生，即在分别发生每个干涉的两条外面的线的中间的第三位置上，如由点线L10、L11、L12、L13、L14示出的。
由于第二和第三局部强度最小量的产生，增加了干涉图案中的信息。因此，可以预料到输出精度的增加正比于标记结构中的节距数目除以2的平方根。
由于对特定节距组合有较高的选择性，输出精度的增加有利地提高了该过程的鲁棒性。
实际出现的干涉线与彼此可干涉的标记结构的线相关。显然，这受由传感器(斑直径)照射的面积或预定距离的限制：只有节距小于斑直径的线发生干涉，比斑直径大的节距的线不会导致另外的第二和/或第三强度最小量的产生。
通过用于具有这些性能的标记布局的硬算程序(brute forcecomputation procedure)可确定标记结构的设计(即在标记结构中的数目为n的多条线中的每条线的位置)，也就是，如通过自参考干涉计产生的干涉图案显示了许多单个局部强度最小量，其中，如由标记结构M的图案产生的局部强度最小量的位置没有显示任何实际上的重叠。标记结构包括多条线，其中，所述线基本上平行地延伸和被设置在图案中且在每两条相邻的线之间有间隙。所述间隙被选择和排列，从而实现了产生在单个局部强度最小量之间基本上没有重叠的干涉图案的要求。照射标记结构在光学对准期间产生了光学干涉图案，其中，光干涉图案显示了基本上没有重叠的许多单个局部强度最小量。通过术语“基本上平行”来表示所述线可以实际上不是完全直的，或可以具有局部的变化。所指的意思是它们足够平行(和在它们之间的节距足够垂直)，使得它们可以起到产生所需要的干涉图案的功能。
可能的标记结构的设计的数目受许多输入参数的限制，诸如标记结构的宽度、标记结构中的线的数目、标记中的每条线的线宽、干涉图案中的局部最小量之间的被允许的最小距离。
例如，对于具有60μm宽度、线宽为2μm的5条线以及在局部最小量之间的最小距离为2μm的标记的情形，仍然可以在1μm网格上构造大约2500条线的图案(即标记结构的网格的分辨率是1μm)，这满足了基本上没有重叠的要求。在所有的设计中排除同样的节距出现两次(或多次)的情况，因为这些设计将会在干涉图案中显示单个局部强度最小量的重叠。
对于其余的可能的标记布局(即没有出现两次或更多次的节距)，进一步的优化可被施加以对特定条件进行优化(例如，在划线内部均匀地分布线、在多种节距之间的最小或最大的差别)。
图5描述根据本发明实施例的标记结构的横截面。
所述横截面沿着在图2中所示的线V-V截得。在衬底100上，通过在衬底100的表面上产生在第一层102中的数目为n的多条线M1、M2、M3、M4、M5限定标记结构M。本领域技术人员将会理解，各种光刻过程可以涉及数目为n的多条线M1...M5的图案的产生。线M1、M2、M3、M4、M5可以由诸如金属的第一材料形成。在第一层102中的线M1、M2、M3、M4、M5之间的空间103可以是空的或包括具有与所述第一材料不同的光学性质的第二材料。所述第二材料可包括二氧化硅。
第一和第二材料合适的组合可包括具有不同反射率的材料。另外，可使用具有这样性质的第一和第二材料，所述这些性质在线M1...M5和空间105之间的相位对比上产生差别。
由箭头D2显示划线SL的横向方向。
图6描述根据本发明另一实施例的标记结构的横截面。所述横截面沿着在图2中所示的线V-V截得。
标记结构包括位于衬底上的第一层中的多条线的第一子集(subset)和位于所述第一层上方的第二层中的多条线的第二子集。
在使用数目为n的多条线的第一子集和第二子集的两个步骤中可产生标记结构M。在衬底100上，通过在衬底100的表面上产生在第一层102中的数目为n的多条线(例如M1、M3、M5)的第一子集限定标记结构M。线M1、M3、M5可以由诸如金属的第一材料形成。在线M1、M3、M5之间，第一层102可包括具有与所述第一材料不同光学性质的第二材料103。所述第二材料可包括二氧化硅。
第二层104被设置在第一层102的上面，在本实例中，第二层104包括数目为n的多条线M2、M4的第二子集。线M2、M4可由第一材料或具有与第一材料基本上相似的光学性质的材料形成。在线M2、M4之间的空间105中，第二材料或另外的第三材料可作为填充材料而存在。所述填充材料应该具有不同于线M2、M4的材料的光学性质。可替换地，在第二层中的相邻线之间的空间可以是空的。
在第一子集和第二子集中的线位置的分布可以被选择，以使得对于在标记结构中相邻的每对线，一条线在第一子集中且所述一对线中的另一条线在第二子集中。
注意到，另外或可替换地，第一子集和第二子集可包括在标记结构中的同一位置上的共用的线。所述标记结构被设置，使得所述多条线的第一子集至少具有与所述多条线的第二子集共用的一条线。
在第一层102中的第一子集的一条或多条线的位置可与第二层104中的第二子集的一条或多条线的位置共用。例如，线M3可被压印在第一层102中和(再次)在第二层104中。
如上所述的标记结构可提供有用的结果。因为较大数量的节距在光学对准程序的模式识别步骤中可被结合和最终达到平衡，所以与现有技术中的标记结构相比，可获得较高的精度。另外，根据本发明的标记结构的实施例可以对形成串扰非常不敏感(由于在光学对准扫描期间通过照射目标部分的一部分所导致)，这是因为图案通常较为独特(使得在光学对准扫描期间降低在标记结构和产品区域或目标部分之间用于隔离的禁区是可能的)。另外，本发明的实施例也可以允许在选择标记设计时有更加灵活的方法。此外，通过在不同层/曝光中(在线的至少两条子集中)分离标记结构，它可利于一次对准来自单个标记结构的两个层。
虽然本文给出了特定的有关光刻设备在ICs制造的应用参考，但应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他应用，例如集成光学系统、磁畴存储器的引导及检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”和“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨迹(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
虽然本文给出了特定的有关本发明的实施例在光学光刻技术中的应用参考，但应该理解到本发明可以在其他应用中使用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，并不限于光学光刻。在压印光刻中图案形成装置的拓扑可以被印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、加热、压力或它们的组合来固化在所述抗蚀剂。在抗蚀剂固化之后，移除所述图案形成装置，在所述抗蚀剂中留下了图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm的范围内的波长)，以及诸如离子束或电子束的粒子束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性的、电磁的和静电的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。