显示面板用的基板、 显示面板、 显示面板用的基板的制造方 法以及显示面板的制造方法 技术领域 本发明涉及显示面板用的基板、 显示面板、 显示面板用的基板的制造方法以及显 示面板的制造方法， 特别是涉及在表面形成薄膜状并且细线状的配线图案的显示面板用的 基板、 具备该显示面板用的基板的显示面板、 在表面形成薄膜状并且细线状的配线图案的 显示面板用的基板的制造方法以及显示面板的制造方法。
背景技术
一般的有源矩阵型的液晶显示面板具备 TFT 阵列基板和对置基板 ( 滤色器等 )。 并 且， 具备以下结构 ： 这些基板以规定的微小间隔对置配设， 在这些基板之间填充封入液晶。 TFT 阵列基板的单侧表面 ( 与对置基板对置的一侧的表面 ) 形成有称为数据线 ( 也称为源 极配线 )、 扫描线 ( 也称为栅极配线 ) 和漏极配线等各种规定的薄膜状且细线状的配线图 案。对于液晶显示面板存在想提高开口率的要求。在此所谓的 “开口率” 是指显示区 域 ( 或者一个像素 ) 中能透光的区域所占的面积的比例。实现开口率的提高能实现光源所 产生的光的有效利用， 并且能实现显示面板的亮度的提高。 为了实现开口率的提高， 需要降 低显示区域 ( 或者一个像素 ) 中遮光性材料所占的面积的比例。作为存在于像素中的遮光 性材料， 例如有数据线、 信号线、 漏极配线等。因此， 为了降低遮光性材料的面积的比例， 考 虑使这些配线图案的宽度变细的结构。
然而， 使数据线、 扫描线、 漏极配线等的配线图案的宽度变细的结构会产生下面的 问题。 由于近年的液晶显示面板的大面积化、 驱动液晶显示面板的信号的高频率化等， 要求 提高上述配线图案所具有的信号传送能力。当配线图案的宽度变细时， 配线图案的截面积 随之变小， 配线图案的电阻变大。这样一来， 有可能降低配线图案所具有的信号传送能力。
为了实现配线图案所具有的信号传送能力的提高 ( 或者， 为了防止或抑制信号传 送能力的降低 )， 可以考虑将形成配线图案的材料变更为低电阻的材料的结构、 使配线图案 的膜厚变厚的结构等。 然而， 在将形成配线图案的材料变更为低电阻的材料的结构中， 随着 材料的变更， 需要大幅度变更成膜工艺。另外， 在使配线图案的膜厚变厚的结构中， 不仅有 可能导致材料成本的上升， 也有可能导致成膜处理能力的恶化。
除此以外， 对于液晶显示面板， 存在想使驱动像素的 TFT 的沟道长度变长的要求。 所谓 “TFT 的沟道长度” 是指 TFT 的源极电极和漏极电极隔开微小的间隔对置的部分的长 度。使 TFT 的沟道长度变长， 由此能在短时间内将充分的电流提供给像素电极。为了使 TFT 的沟道长度变长， 一般需要使 TFT 的尺寸变大。然而当 TFT 的尺寸变大时， 有可能导致像素 的开口率的降低。
另外， 作为能与使 TFT 的沟道长度变长的结构得到同样的作用效果的结构， 可以 考虑变更沟道区域的半导体的膜质， 提高沟道区域中的电荷的移动速度的结构。 然而， 在变 更半导体的膜质的结构中， 一般需要随着材料的变更而大幅度变更成膜工艺。
现有技术文献 专利文献 专利文献 1 ： 日本特开 2005-191113 号公报 专利文献 2 ： 日本特开 2007-299972 号公报发明内容 发明所要解决的课题
鉴于上述实际情况， 本发明要解决的课题是提供不使配线图案所具有的信号传送 能力降低而能使配线图案的宽度变细的显示面板用的基板、 显示面板、 显示面板用的基板 的制造方法以及显示面板的制造方法， 或者提供不使配线图案的宽度变大而能提高配线图 案所具有的信号传送能力的显示面板用的基板、 显示面板、 显示面板用的基板的制造方法 以及显示面板的制造方法， 或者提供维持配线图案所具有的信号传送能力并能实现像素的 开口率的提高的显示面板用的基板、 显示面板、 显示面板用的基板的制造方法以及显示面 板的制造方法， 或者提供能不使 TFT 的沟道长度随着 TFT 的尺寸的大型化、 半导体膜的膜质 的变更而变长的显示面板用的基板、 显示面板、 显示面板用的基板的制造方法以及显示面 板的制造方法。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题， 本发明的要旨在于具备 ： 基底， 该基底的截面形成为大致半圆 形状 ； 以及薄膜状的配线图案， 该薄膜状的配线图案的至少一部分重叠于上述基底。
本发明的要旨在于， 具有 ： 基底， 该基底的与长边方向成直角的方向上的截面形 状形成为大致半圆形状 ； 以及薄膜状的配线图案， 该薄膜状的配线图案的长边方向是与上 述基底的长边方向大致相同的方向， 并且该薄膜状的配线图案的至少一部分重叠于上述基 底， 该薄膜状的配线图案的与长边方向成直角的方向上的截面的至少一部分形成为大致圆 弧形状。
优选上述显示面板用的基板具有像素电极和驱动该像素电极的薄膜晶体管， 上述 配线图案是对上述薄膜晶体管传输图像信号的数据线、 对上述薄膜晶体管的栅极电极传输 选择脉冲的扫描线、 将上述薄膜晶体管的漏极电极和上述像素电极电连接的漏极配线中的 至少一个。
显示面板用的基板具有像素电极和驱动该像素电极的薄膜晶体管， 其要旨在于 ： 上述薄膜晶体管的漏极电极和沟道区域中的至少一部分重叠于截面形状形成为大致半圆 形状的基底。
上述基底能采用由感光性树脂材料形成的基底。
本发明的要旨在于具备上述任一种显示面板用的基板和对置基板。
本发明的要旨在于包括如下阶段 ： 形成截面为大致方形的基底 ； 使该基底形成为 截面为大致半圆形状 ； 以及形成配线图案， 所述配线图案的至少一部分重叠于上述基底。
本发明的要旨在于包括如下阶段 ： 形成薄膜图案状的基底， 所述薄膜图案状的基 底的与长边方向成直角的方向上的截面形状为大致方形 ； 使该基底的与长边方向成直角的 方向上的截面形状形成为大致半圆形状 ； 以及形成配线图案， 该配线图案具有长边方向与 上述基底的长边方向大致相同的部分， 并且该部分的至少一部分重叠于上述基底， 该配线
图案具有与长边方向成直角的方向上的截面形状为大致圆弧形状的部分。
本发明的要旨在于包括如下阶段 ： 在透明基板的表面形成薄膜图案状的基底 ； 使 上述基底的与长边方向成直角的方向上的截面形状形成为大致半圆形状 ； 形成扫描线， 所 述扫描线具有长边方向是与上述基底的长边方向大致相同的方向的部分， 并且该部分的至 少一部分重叠于上述基底。
本发明的要旨在于包括如下阶段 ： 在经过了规定的工序的透明基板的表面形成薄 膜图案状的基底 ； 使上述基底的与长边方向成直角的方向上的截面形状形成为大致半圆形 状； 以及形成数据线， 所述数据线具有长边方向是与上述基底的长边方向大致相同的方向 的部分， 并且该部分的至少一部分重叠于上述基底。
本发明的要旨在于包括如下阶段 ： 在经过了规定的工序的透明基板的表面形成薄 膜图案状的基底 ； 使上述基底的与长边方向成直角的方向上的截面形状形成为大致半圆形 状； 以及形成漏极配线， 所述漏极配线具有长边方向是与上述基底的长边方向大致相同的 方向的部分， 并且该部分的至少一部分重叠于上述基底。
本发明是形成具有栅极电极、 源极电极以及漏极电极的薄膜晶体管的显示面板用 的基板的制造方法， 其要旨在于， 包括如下阶段 ： 形成薄膜图案状的基底， 所述薄膜图案状 的基底重叠于栅极电极 ； 使上述基底的与长边方向成直角的方向上的截面形状形成为大致 半圆形状 ； 以及形成漏极电极， 所述漏极电极的至少一部分重叠于上述基底。 优选上述基底采用包括感光性树脂材料的基底。
另外， 优选使上述基底的与长边方向成直角的方向上的截面形状形成为大致半圆 形状的阶段是对上述基底加热的阶段或者对上述基底实施焙烘处理的阶段。
本发明的要旨在于包括上述任一种显示面板用的基板的制造方法。
发明效果
根据本发明， 成为在截面形状形成为大致半圆形状的基底上层叠配线图案的结 构， 因此能实现即使配线图案的外观上的宽度不变大， 也能使该配线图案的截面积变大， 实 现信号传送能力的提高。 换言之， 不损害配线图案的信号传送能力， 就能使配线图案的宽度 变小。能通过使配线图案的宽度变小来实现像素开口率的提高， 因此能维持配线图案的信 号传送能力， 并且实现像素的开口率的提高。
另外， 根据使薄膜晶体管的沟道区域和漏极电极重叠于截面形状形成为半圆形状 的基底的结构， 能不使 TFT 的外观上的尺寸变大， 来使 TFT 的沟道长度变长。 因此， 使 TFT 的 沟道长度变长， 由此能在短时间内将充分的电流提供给像素电极， 因此提高了 TFT 的能力。 这样， 不将 TFT 大型化来降低开口率， 就能使 TFT 的沟道长度变长， 实现 TFT 的能力提高。
另外， 能维持 TFT 的实质性沟道长度， 并且使 TFT 的外观上的尺寸变小。因此， 通 过维持 TFT 的能力并且实现 TFT 的尺寸小型化来实现开口率的提高。
只要上述基底采用感光性树脂材料构成， 就能通过光刻法容易地形成基底。 另外， 只要是应用树脂材料作为基底的结构， 在加热处理或者焙烘处理中树脂软化， 利用软化的 树脂的表面张力来使树脂材料的截面形状成为大致半圆形状。因此， 能通过简单的工序形 成截面形状为大致半圆形状的基底。
附图说明 图 1 是示意性地表示形成于本发明的实施方式的显示面板用的基板的配线图案 的结构的外观立体图。
图 2 是对将配线图案形成于基底的上表面的结构和没有基底的结构进行比较的 截面图 ( 配线图案的沿着与长边方向成直角的方向的截面图 )。
图 3 是阶段性地表示基底和配线图案的形成方法的截面示意图。
图 4 是阶段性地表示基底和配线图案的形成方法的截面示意图。
图 5 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的结构的外观立体图。
图 6 是从排列于本发明的实施方式的显示面板用的基板的多个像素电极和多个 TFT 抽取一个像素的像素电极和一个 TFT 的结构来放大表示的平面示意图。
图 7 是图 6 的 A-A 线截面图， 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的 基板的截面构造的图。
图 8 是图 6 的 B-B 线截面图。
图 9 是图 6 的 C-C 线截面图。
图 10 是图 6 的 D-D 线截面图， 是表示 TFT 的沟道区域和漏极电极的截面构造的截 面图。
图 11 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 12 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 13 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 14 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 15 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 16 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 17 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 18 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 19 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法的各工 序的截面图。
图 20 是示意性地表示应用了本发明的实施方式的显示面板用的基板的显示面板 的结构的外观立体图。
图 21 是示意性地表示对置基板 ( 滤色器 ) 的结构的图， 1(a) 是示意性地表示对置 基板 ( 滤色器 ) 的整体构造的立体图， (b) 抽取表示形成于对置基板 ( 滤色器 ) 的一个像 素的结构的平面图， (c) 是图 21(b) 的 F-F 线截面图， 是表示像素的截面构造的图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施方式。 本发明的实施方式的显示面板用的基 板 1 是液晶显示面板用的 TFT 阵列基板。
图 1 是示意性地表示形成于本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 的配线图案 13 的结构的外观立体图。 如图 1 所示， 在本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 中， 在透 明基板 11 上形成有基底 12 以及重叠于该基底 12 的规定的配线图案 13。
如图 1 所示， 在透明基板 11 上形成基底 12。该基底 12 具有与配线图案 13 大致相 同的形状， 沿着与长边方向成直角的方向的截面形成为大致半圆形状。该基底 12 例如由热 固化性树脂材料等形成。并且， 重叠于该基底 12 形成规定的配线图案 13。即， 具有在基底 12 的上表面侧层叠配线图案 13 的结构。配线图案 13 形成为薄膜状且细线状。因此， 配线 图案 13 的沿着与长边方向成直角的方向的截面具有形成为大致圆弧状的部分。
根据这种结构， 与没有基底 12 的结构相比较， 能维持配线图案 13 所具有的信号传 送能力， 并且使配线图案 13 的宽度方向尺寸变小。图 2 是对在基底 12 的上表面形成配线 图案 13 的结构和没有基底 12 的结构进行比较的截面图 ( 配线图案的沿着与长边方向成直 角的方向的截面图 )。 如图 2(a) 所示， 当设为在截面为大致半圆形的基底 12 的上表面形成 配线图案的结构时， 与如图 2(b) 所示没有基底 12 的结构相比较， 如果截面积相同则能使配 线图案 13 的宽度方向尺寸变小。 具 体 地 说， 例 如 设 基 底 12 的 半 圆 的 半 径 为 5.0μm， 设 配 线 图 案 13 的 膜 厚 为 0.3μm， 则配线图案 13 的宽度为 5.6μm， 配线图案 13 的截面积为约 2.5μm2。如图 2(b) 所 示， 在以没有基底的结构形成配线图案 14 时 ( 即， 如图 2(b) 所示， 使截面为大致方形时 )， 设膜厚为 0.3μm 的情况下， 为了实现与在基底 12 的上表面形成配线图案 13 的结构相同的 2 截面积 2.5μm ， 需要使配线图案 14 的宽度为约 8.3μm。
这样， 根据在基底 12 的上表面形成配线图案 13 的结构， 与没有基底 12 的结构相 比较， 能实现宽度方向尺寸缩短 ((8.3-5.6)/8.3)×100 ＝ 32.5(％ )。因此， 能维持配线图 案 13 所具有的信号传送能力并且实现配线图案 13 的宽度方向尺寸的减小。并且， 由此能 实现液晶显示面板的开口率的提高。
另外， 在有截面为大致半圆形状的基底 12 的结构和没有基底 12 的结构中， 在使配 线图案 13、 14 的宽度方向尺寸相同的情况下， 有截面为大致半圆形的基底 12 的结构能使配 线图案 13 的截面积变大。因此， 不用导致配线图案 13 的宽度方向尺寸的增加就能实现配 线图案 13 所具有的信号传送能力的提高。
下面说明基底 12 和配线图案 13 的形成方法。图 3 和图 4 是阶段性地表示基底 12 和配线图案 13 的形成方法的截面示意图。该图 3 和图 4 是用与基底 12 和配线图案 13 的 长边方向成直角的面切断的截面图。
首先， 如图 3(a) 所示， 在透明基板 11 的表面形成作为基底 12 的材料的感光性树 脂材料的层 15。感光性的树脂材料可以是正型也可以是负型， 在此以使用正型的结构为例 进行说明。形成感光性树脂材料的层 15 的方法能应用例如使用旋涂法等在透明基板的表 面涂敷感光性的树脂材料的方法。
感光性的树脂材料能应用例如感光性的丙烯酸树脂等。 能用作感光性的树脂材料 的材料的组成和结构式如表 1 所示。 即， 能应用含有 20 ～ 30％的丙烯酸类树脂作为基底树
脂、 含有 1 ～ 10％的萘醌二叠氮磺酸酯作为感光剂、 含有 65 ～ 75％的二乙二醇甲乙醚作为 溶剂的溶液。
[ 表 1]
下面如图 3(b) 所示， 使用光掩模 16 对形成的感光性树脂材料的层 15 实施曝光处 理。 具体地说， 利用光掩模 16 对成为基底 12 的部分进行遮光， 对除此以外的部分照射光能。 然后， 对实施了曝光处理的感光性的树脂材料实施显影处理。 当实施显影处理时， 如图 3(c) 所示， 遮光的部分 17 保留在透明基板 11 上， 除此以外的部分 ( 照射光能的部分 ) 被除去。
然后， 对通过显影处理保留在透明基板 11 上的感光性的树脂材料 17 实施加热处 理 ( 或者焙烘处理 )。当实施加热处理时， 在该加热处理 ( 焙烘处理 ) 的过程中， 感光性的 树脂材料软化， 由于其表面张力， 使截面形状从方形变化为大致半圆形状。 然后当进行加热 处理 ( 焙烘处理 ) 时， 感光性的树脂材料以截面成为大致半圆形状的状态固化。因此， 如图 3(d) 所示， 得到了截面为大致半圆形状的基底 12。
然后， 如图 4(a) 所示， 在经过上述工序而形成有基底 12 的透明基板 11 的表面形 成成为配线图案的金属薄膜 18。该金属薄膜 18 的形成方法能应用公知的溅射法等。
然后如图 4(b) 所示， 在金属薄膜 18 的表面形成光致抗蚀剂材料的层 19， 用规定的 光掩模 20 对形成的光致抗蚀剂材料的层 19 实施曝光处理。光致抗蚀剂材料能应用感光性 的树脂材料。光致抗蚀剂材料的层 19 的形成方法能应用例如用旋涂法等涂敷光致抗蚀剂
材料的方法等。然后， 在曝光处理中， 如果光致抗蚀剂材料是正型， 则遮挡覆盖金属薄膜 18 中成为配线图案 13 的部分 ( 重叠于基底 12 的部分 ) 的光致抗蚀剂材料， 对覆盖除此以外 的部分的光致抗蚀剂材料照射光能。
当对实施了曝光处理的光致抗蚀剂材料进行显影时， 如图 4(c) 所示， 遮光的部分 191 保留在金属薄膜上， 除此以外的部分 ( 照射光能的部分 ) 被除去。即， 金属薄膜 18 的重 叠于基底 12 的部分被光致抗蚀剂材料覆盖， 除此以外的部分露出。
然后， 如图 4(d) 所示， 将保留在金属薄膜 18 上的光致抗蚀剂材料用作掩模， 除去 金属薄膜 18 的露出的部分。该金属薄膜 18 的除去方法能应用干式蚀刻、 湿式蚀刻等公知 的各种蚀刻。由此， 保留被光致抗蚀剂材料覆盖的部分， 从透明基板 11 的表面除去金属薄 膜 18。
然后， 如图 4(e) 所示， 除去光致抗蚀剂材料 191。由此， 得到在截面为大致半圆形 状的基底 12 的上表面重叠有配线图案 13 的构造。
下面说明具备这种配线图案的构造的显示面板用的基板 1。
图 5 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 的结构的外观立体 图。如图 5 所示， 本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 具有显示区域 301( 也称为有源 区域 ) 和面板边框区域 302。在显示区域 ( 有源区域 )301 中矩阵状排列有多个像素电极。 另外， 排列有用于驱动各像素电极的 TFT。 在面板边框区域 302 形成有用于对各 TFT 传输规 定的信号的规定的配线等。 图 6 是从排列于本发明的实施方式的显示面板用的基板的多个像素电极 32 和多 个 TFT31 中抽取一个像素的像素电极 32 和一个 TFT31 的结构来放大表示的平面示意图。 图 7 是图 6 的 A-A 线截面图， 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 的截面 构造的图。
如图 6 和图 7 所示， 本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 具有 ： 透明基板 11、 数据线 33( 也称为源极配线 )、 扫描线 34( 也称为栅极配线 )、 漏极配线 35、 辅助电容信号线 36、 TFT31、 栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37、 钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38、 有机绝缘膜 ( 第三绝缘 膜 )39 以及像素电极 32。TFT31 具有栅极电极 311、 源极电极 312 以及漏极电极 313。
此外， 在此所谓的漏极配线 35 是指用于将 TFT31 的漏极电极 313 和像素电极 32 电连接的配线。具体地说， 漏极配线 35 的一端部 ( 即基端部 ) 与 TFT31 的漏极电极 313 电 导通。漏极配线 35 的另一端部 ( 即前端部 ) 与像素电极 32 电导通。根据这种结构， 漏极 配线 35 能将从 TFT31 的漏极电极 313 输出的电信号传输到像素电极 32。
图 8 是图 6 的 B-B 线截面图。如图 8 所示， 在透明基板 11 的表面形成截面为大致 半圆形的基底 ( 为了便于说明， 将该基底称为 “第一基底 12a” )， 形成扫描线 34， 使其重叠 于该第一基底 12a。根据这种结构， 能维持扫描线 34 的信号传送能力并且使其宽度方向尺 寸变小。因此， 能实现像素的开口率的提高。另外， 根据这种结构， 不用使扫描线 34 的外观 上的宽度方向的尺寸变大， 就能使其截面积变大。因此， 能实现扫描线 34 的信号传送能力 的提高。
图 9 是图 6 的 C-C 线截面图。如图 9 所示， 在栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 的表 面形成截面为大致半圆形的基底 12b、 12c， 形成数据线 33 和漏极配线 35， 使其重叠于这些 基底 12b、 12c。为了便于说明， 将数据线的基底称为第二基底 12b， 将漏极配线的基底称为
第三基底 12c。根据这种结构， 能维持数据线 33 和漏极配线 35 的信号传送能力， 并且使它 们的宽度方向尺寸变小。因此， 能实现像素的开口率的提高。另外， 根据这种结构， 不用使 数据线 33 和漏极配线 35 的外观上的宽度方向的尺寸变大， 就能使它们的截面积变大。因 此， 不用降低开口率， 就能实现数据线 33 和漏极配线 35 的信号传送能力的提高。
图 10 是图 6 的 D-D 线截面图， 是示意性地表示 TFT31 的沟道区域和漏极电极 313 的截面构造的截面图。如图 10 所示， 在第一绝缘膜的表面形成基底 ( 为了便于说明， 将该 基底称为 “第四基底” 12d)， 形成半导体膜 40 和漏极电极 313， 使其重叠于该第四基底 12d。 该第四基底 12d 的长边方向是与 TFT31 的沟道区域的长边方向成大致直角的方向。根据这 种结构， TFT31 的沟道区域中的半导体膜 40 和漏极电极 313 呈半圆状的曲线。因此， 与没 有第四基底 12d 的结构相比较， 能使 TFT31 的与源极电极 312 对置的漏极电极 313 的长度 变长。
因此， 根据这种结构， 结果是不用使 TFT31 的漏极电极 313 的外观上的长度变长， 或者不用使 TFT31 大型化， 就能使 TFT31 的沟道长度变长。并且， 能通过使 TFT31 的沟道长 度变长来在短时间内将充分的电流提供给像素电极， 因此提高了 TFT31 的能力。这样， 不用 使 TFT31 大型化、 使开口率降低， 就能使 TFT31 的沟道长度变长。 下面说明本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 的制造方法。
图 11 ～图 19 是示意性地表示本发明的实施方式的显示面板用的基板的制造方法 的各工序的截面图。各图的 (a) 相当于图 6 的 A-A 线截面图， 各图的 (b) 相当于图 6 的 B-B 线截面图， 各图的 (c) 相当于图 6 的 C-C 线截面图。另外， 各图的 (a)(b)(c) 表示同一工序 中的 A-A 线截面、 B-B 线截面、 C-C 线截面。
首先， 如图 11 所示， 在透明基板 11 的表面形成扫描线的基底 ( 第一基底 12a)( 特 别参照图 11(b)。不形成于图 11(a)、 (c) 示出的位置 )。第一基底 12a 的形成方法如上所 述。
然后， 如图 12(a)(b) 所示， 在透明基板 11 的显示区域 ( 有源区域 )301 形成扫描 线 34、 辅助电容信号线 36 和 TFT31 的栅极电极 311( 不形成于图 12(c) 示出的位置 )。特 别是如图 12(b) 所示， 扫描线 34 重叠于在前面的工序中形成的第一基底 12a 而形成。
具体地说， 在透明基板 11 的单侧表面形成包括钛、 铬、 钨、 钼、 铝等的单层或者多 层的导体膜 ( 以下， 为了便于说明而称为 “第一导体膜” )。该第一导体膜的形成方法能应 用公知的各种溅射法等。另外， 该第一导体膜的厚度没有特别限定， 能应用例如 300nm 程度 的膜厚。
然后， 如图 12(b) 所示， 把形成的第一导体膜图案化为扫描线 34、 辅助电容信号线 36、 TFT31 的栅极电极 311 等的形状。该第一导体膜的图案化能应用公知的各种湿式蚀刻。 在第一导体膜包括铬的结构中， 能应用采用 (NH4)2[Ce(NH3)6]+HNO3+H2O 液的湿式蚀刻。
然后， 如图 13(a)(b)(c) 所示， 在经过上述工序的透明基板 11 的表面形成栅极绝 缘膜 ( 第一绝缘膜 )37。 栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 能应用厚度为 300nm 程度的 SiNx( 氮 化硅 )。栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 的形成方法能应用公知的 CVD 法。当形成栅极绝缘 膜 ( 第一绝缘膜 )37 时， 特别是如图 13(a)(b) 所示， 扫描线 34、 辅助电容信号线 36 和 TFT31 的栅极电极 311 由栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 覆盖。
然后， 如图 14(a) 所示， 在要形成 TFT31 的沟道区域和漏极电极 313 的位置形成第
四基底 12d。此外， 不形成在图 14(b)(c) 示出的位置。第四基底 12d 的形成方法如上所述。 该第四基底 12d 具有在与 TFT31 的沟道区域的长边方向成直角的方向上延伸的结构。即， 第四基底 12d 的长边方向与 TFT31 的沟道区域的长边方向正交。
然后， 如图 15(a) 所示， 在栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 的表面的规定的位置形成 规定形状的半导体膜 40。此外， 不形成在图 15(b)(c) 示出的位置。具体地说， 该半导体膜 40 形成在隔着栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 和第四基底 12d 重叠于栅极电极 311 的位置和 隔着栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 重叠于辅助电容信号线 36 的位置。该半导体膜 40 具有 第一子半导体膜 401 和第二子半导体膜 402 的二层构造。第一子半导体膜 401 能应用厚度 为约 100nm 程度的非晶硅。第二子半导体膜 402 能应用厚度为约 20nm 程度的 n+ 型的非晶 硅等。
该半导体膜 40( 第一子半导体膜 401 和第二子半导体膜 402) 的形成方法能应用 CVD 法和光刻法。即， 首先用 CVD 法将半导体膜 40( 第一子半导体膜 401 和第二子半导体膜 402) 的材料沉积在经过了上述工序的透明基板 11 的单侧表面。 然后， 用光刻法来将形成的 半导体膜 40( 第一子半导体膜 401 和第二子半导体膜 402) 图案化为规定的形状。该图案 化能应用例如采用 HF+HNO3 溶液的湿式蚀刻、 采用 Cl2 和 SF6 气体的干式蚀刻。 由此， 半导体 膜 40( 第一子半导体膜 401 和第二子半导体膜 402) 隔着栅极绝缘膜 ( 第一绝缘膜 )37 重 叠于栅极电极 311 而形成， 并且重叠于辅助电容信号线 36 而形成。 然后， 如图 16(a)(c) 所示， 在同一工序中同时形成第二基底 12b 和第三基底 12c。 此外， 在该工序中， 在图 16(b) 示出的位置不形成基底。第二基底 12b 和第三基底 12c 的形 成方法如上所述。
然后， 如图 17(a)(c) 所示， 在相同工序中由相同的材料同时形成数据线 33、 漏极 配线 35、 TFT31 的源极电极 312 和漏极电极 313。如图 17(a)(c) 所示， 数据线 33 重叠于第 二基底 12b 而形成， 漏极配线 35 重叠于第三基底 12c 而形成。 此外， 在该工序中， 在图 17(b) 示出的位置不变化。具体地说， 首先， 在经过了上述工序的透明基板 11 的单侧表面形成作 为数据线 33、 漏极配线 35、 TFT31 的源极电极 312 和漏极电极 313 的材料的导体膜 ( 将该 导体膜称为 “第二导体膜” )。然后， 把形成的第二导体膜图案化为规定的形状。
该第二导体膜具有包括钛、 铝、 铬、 钼等的单层或者二层以上的层叠构造。在本发 明的实施方式的显示面板用的基板中， 具有第二导体膜包括不同材料的二层构造。 即， 第二 导体膜具有包括离透明基板 11 近的一侧的第一子导体膜 411 和离像素电极 32 近的一侧的 第二子导体膜 412 的二层构造。第一子导体膜 411 能应用钛等。第二子导体膜 412 能应用 铝等。
第二导体膜的形成方法能应用溅射法等。第二导体膜的图案化能应用采用 Cl2 和 BCl3 气体的干式蚀刻和采用磷酸、 醋酸、 硝酸的湿式蚀刻。通过该图案化形成数据线 33、 漏 极配线 35、 TFT31 的源极电极 312 和漏极电极 313。在该图案化中， 第二子半导体膜 402 也 通过将源极电极和漏极电极用作掩模的蚀刻形成沟道区域。
经 过 以 上 的 工 序， 如 图 17(a)(b)(c) 所 示， 在 透 明 基 板 11 的 单 侧 表 面 形 成 TFT31( 栅极电极 311、 源极电极 312、 漏极电极 313)、 数据线 33， 扫描线 34、 漏极配线 35、 辅 助电容信号线 36。
如图 17(b) 所示， 扫描线 34 重叠于第一基底 12a 而形成。如图 17(c) 所示， 数据
线 33 重叠于第二基底 12b 而形成。漏极配线 35 重叠于第三基底 12c 而形成。因此， 与不重 叠于基底 12a、 12b、 12c 的结构相比较， 能维持信号传送能力， 并且使扫描线 34、 数据线 33、 漏极配线 35 的宽度方向尺寸变小。因此能实现开口率的提高。换言之， 不用使宽度方向尺 寸变大， 就能实现扫描线 34、 数据线 33、 漏极配线 35 的信号传送能力的提高。
如图 17(a) 所示， 半导体膜 40 和漏极电极 313 重叠于第四基底 12d 而形成， 因此 漏极电极 313 弯曲为半圆状， 与源极电极 312 对置。因此， 与没有第四基底 12d 的结构相比 较， 能使漏极电极 313 和沟道区域的长度变长。因此， 不用使 TFT31 的漏极电极 313 的外观 上的长度变长， 或者不用使 TFT31 大型化， 就能使 TFT31 的沟道长度变长。 并且， 使 TFT31 的 沟道长度变长， 由此能在短时间内将充分的电流提供给像素电极 32， 因此提高了 TFT31 的 能力。这样， 不用使 TFT31 大型化、 使开口率降低， 就能使 TFT31 的沟道长度变长。
然后， 如图 18(a)(b)(c) 所示， 在经过了上述工序的透明基板 11 的表面形成钝化 膜 ( 第二绝缘膜 )38 和有机绝缘膜 ( 第三绝缘膜 )39。具体地说， 在经过了上述工序的透明 基板 11 的表面形成钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38。该钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 能应用厚度为 300nm 程度的 SiNx( 氮化硅 )。钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 的形成方法能应用 CVD 法等。然 后在形成的钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 的表面形成有机绝缘膜 ( 第三绝缘膜 )39。该有机绝 缘膜 ( 第三绝缘膜 )39 能应用丙烯酸类的树脂材料。
形成的有机绝缘膜 ( 第三绝缘膜 )39 通过光刻法等被图案化为规定的图案。通过 该图案化， 在有机绝缘膜 ( 第三绝缘膜 )39 中形成用于使像素电极 32 和漏极配线 35 电导 通的开口部 ( 接触孔 )。
当在有机绝缘膜 ( 第三绝缘膜 )39 中形成开口部 ( 接触孔 ) 时， 通过该开口部 ( 接 触孔 ) 露出钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 的规定的部分。因此， 将图案化的有机绝缘膜 ( 第三 绝缘膜 )39 用作掩模， 对钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 进行图案化。通过该图案化除去钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 中从有机绝缘膜 ( 第三绝缘膜 )39 的开口部 ( 接触孔 ) 露出的部分。由 此， 在钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 中也形成开口部 ( 接触孔 )。该钝化膜 ( 第二绝缘膜 )38 的 图案化能应用采用 CF4+O2 气体或 SF6+O2 气体的干式蚀刻。
然后， 如图 19(a)(b)(c) 所示， 在有机绝缘膜 ( 第三绝缘膜 )39 的表面形成像素 电极 32。像素电极 32 能应用例如 100nm 程度的厚度的 ITO(Indium Tin Oxide ： 铟锡氧化 物 )。作为像素电极 32 的形成方法， 能应用公知的各种溅射法等。
经过以上的工序， 制造出本发明的实施方式的显示面板用的基板 1。
下面说明应用本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 的显示面板 5 的制造方 法。
图 20 是示意性地表示应用了本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 的显示面 板 5 的结构的外观立体图。如图 20 所示， 本发明的实施方式的显示面板 5 具备 TFT 阵列基 板 ( 即本发明的实施方式的显示面板用的基板 1) 和对置基板 ( 即滤色器 )51。并且在它们 之间填充有液晶。显示面板 5 的结构能应用一般的液晶显示面板的结构， 因此省略详细的 说明。
本发明的实施方式的显示面板 5 的制造方法包括 TFT 阵列基板制造工序、 滤色器 制造工序、 面板 ( 单元 ) 制造工序。此外， TFT 阵列基板制造工序如上所述。
对置基板 ( 滤色器 )51 的结构和滤色器制造工序如下所述。图 21 是示意性地表示对置基板 ( 滤色器 )51 的结构的图， 具体地说， 图 21(a) 是示意性地表示对置基板 ( 滤色 器 )51 的整体构造的立体图， 图 21(b) 是抽取表示形成于对置基板 ( 滤色器 )51 的一个像 素的结构的平面图， 图 21(c) 是图 21(b) 的 F-F 线截面图， 是表示像素的截面构造的图。
如该图 21 所示， 对置基板 ( 滤色器 )51 在包括玻璃等的透明基板 511 的表面形 成黑矩阵 512， 在黑矩阵 512 的各格子的内侧形成包括红色、 绿色、 蓝色的各种颜色的着色 感材的着色层 513。并且形成该各颜色的着色层 513 的格子按规定的顺序排列。在黑矩阵 512 和各颜色的着色层 513 的表面形成保护膜 514， 在保护膜 514 的表面形成透明电极 ( 共 用电极 )515。在透明电极 ( 共用电极 )515 的表面形成控制液晶的取向的取向限制构造物 516。
滤色器制造工序包括黑矩阵形成工序、 着色层形成工序、 保护膜形成工序、 透明电 极 ( 共用电极 ) 形成工序。
黑矩阵形成工序的内容， 例如如果是树脂 BM 法， 则如下所述。首先， 在透明基板 511 的表面涂敷 BM 抗蚀剂 ( 指含有黑色着色剂的感光性树脂组合物 ) 等。然后把涂敷的 BM 抗蚀剂用光刻法等形成规定的图案。由此， 得到规定的图案的黑矩阵 512。
在着色层形成工序中， 形成彩色显示用的红色、 绿色、 蓝色的各颜色的着色层 513。 例如如果是着色感材法则如下所述。首先， 在形成有黑矩阵 512 的透明基板 511 的表面涂 敷着色感材 ( 指在感光性材料中分散有规定颜色的颜料的溶液 )。 然后， 把涂敷的着色感材 用光刻法等形成规定的图案。并且该工序针对红色、 绿色、 蓝色的各颜色进行。由此得到各 颜色的着色层 513。
黑矩阵形成工序中所用的方法不限于树脂 BM 法。能应用例如铬 BM 法、 重合法等 公知的各种方法。在着色层形成工序中所用的方法也不限于着色感材法。能应用例如印刷 法、 染色法、 电镀法、 转印法、 蚀刻法等公知的各种方法。另外， 也可以用先形成着色层 513， 然后形成黑矩阵 512 的背面曝光法。
在保护膜形成工序中， 在黑矩阵 512 和着色层 513 的表面形成保护膜 514。 能应用 例如用旋涂法在经过了上述工序的透明基板 511 的表面涂敷保护膜材料的方法 ( 全面涂敷 法 )、 用印刷或者光刻法等形成规定的图案的保护膜 514 的方法 ( 图案化法 ) 等。保护膜材 料能应用例如丙烯酸树脂、 环氧树脂等。
在透明电极 ( 共用电极 ) 膜形成工序中， 在保护膜 514 的表面形成透明电极 ( 共 用电极 )515。 例如如果是掩模法， 则在经过了上述工序的透明基板 511 的表面配置掩模， 通 过溅射等蒸镀 ITO(Indium Tin Oxide) 等来形成透明电极 ( 共用电极 )515。
然后形成取向限制构造物 516。 该取向限制构造物 516 用例如光刻法等来形成。 在 经过了上述工序的透明基板 511 的表面涂敷感光性材料， 通过光掩模曝光为规定的图案。 然后在之后的显影工序中除去不必要的部分， 得到规定的图案的取向限制构造物 516。
经过这种工序得到对置基板 ( 滤色器 )51。
下面说明面板 ( 单元 ) 制造工序。 首先， 在经过上述工序得到的 TFT 阵列基板 ( 即 本发明的任一种实施方式的显示面板用的基板 1) 和对置基板 ( 滤色器 )51 各自的表面形 成取向膜。然后对形成的取向膜实施取向处理。然后， 使本发明的实施方式的显示面板用 的基板和对置基板 ( 滤色器 ) 贴合， 并且在它们之间填充液晶。
在本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 和对置基板 ( 滤色器 )51 各自的表面形成取向膜的方法如下。 首先用取向材料涂敷装置等在本发明的实施方式的显示面板用的 基板 1 和对置基板 ( 滤色器 )51 各自的表面涂敷取向材料。取向材料是指包含成为取向膜 的原料的物质的溶液。取向材料涂敷装置能应用例如圆压式印刷装置、 喷墨印刷装置等现 有的一般方法。然后对涂敷的取向材料用取向膜焙烧装置等加热、 焙烧。
然后， 对焙烧的取向膜实施取向处理。该取向处理能应用用摩擦辊等对取向膜的 表面造成微小的损伤的方法、 对取向膜的表面照射紫外线等光能来调整取向膜的表面性状 的光取向处理等公知的各种处理方法。另外， 也可以是不实施取向处理的结构。
然后， 用密封图案化装置等对本发明的实施方式的显示面板用的基板和对置基板 ( 滤色器 ) 中的一方的表面涂敷密封材料。
然后用隔离物撒布装置等， 将用于将单元间隙均匀保持为规定的值的隔离物撒布 于本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 和对置基板 ( 滤色器 )51 中的一方的表面。然 后， 用液晶滴下装置等， 对本发明的任一种实施方式的显示面板用的基板和对置基板 ( 滤 色器 ) 中的一方的表面的被密封材料包围的区域滴下液晶。
然后， 在减压环境下使本发明的实施方式的显示面板用的基板 1 和对置基板 ( 滤 色器 )51 贴合。此外， 也可以是在使密封材料固化之后在本发明的任一种实施方式的显示 面板用的基板 1 和对置基板 ( 滤色器 )51 之间注入液晶的方法。 经过这种工序得到本发明的显示面板。
以上参照附图详细说明了本发明的实施方式， 但是本发明不受上述各实施方式的 任何限定， 无疑在不脱离本发明的主旨的范围内能进行各种改变。