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1、10申请公布号CN104078057A43申请公布日20141001CN104078057A21申请号201410112268422申请日20140325201306731520130327JPG11B5/8420060171申请人昭和电工株式会社地址日本东京都72发明人冈部健彦藤克昭74专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人李照明段承恩54发明名称磁记录介质的制造方法57摘要一种磁记录介质的制造方法，其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中，所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层。
2、后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂，之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂，所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。30优先权数据51INTCL权利要求书1页说明书15页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书15页附图3页10申请公布号CN104078057ACN104078057A1/1页21一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法，其特征在于。
3、，所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂，之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂，所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。2根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，在所述被积层体上涂布所述第二润滑剂的步骤是将涂布在所述被积层体上的所述第一润滑剂的一部分或全部置换为所述第二润滑剂的步骤。3根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第一润滑剂包含分子量在15005。
4、000范围内的二元醇。4根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第二润滑剂包含分子量在5002000范围内的四元醇。5根据权利要求1至4中任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第二润滑剂包含多个化合物。6根据权利要求1至5中任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，将所述保护层与所述润滑层的粘合率设为6099的范围内。权利要求书CN104078057A1/15页3磁记录介质的制造方法技术领域0001本发明涉及一种磁记录介质的制造方法。背景技术0002近些年，磁存储装置被搭载在个人计算机、动画记录器、数据服务器等各种产品中，其重要性正在提高。磁存储装置是具有利用磁记录。
5、来保存电子数据的磁记录介质的装置，例如包括磁盘装置、可挠性盘片装置、磁带装置等。磁盘装置例如包括硬盘HDDHARDDISKDRIVE等。0003一般的磁记录介质具有多层膜积层构造，该多层膜积层构造例如在非磁性基板上依次形成衬底层、中间层、磁记录层及保护层，并在保护层的表面涂布了润滑层。为了防止在形成磁记录介质的各层之间混入不纯物等，在磁记录介质的制造中，使用在减压下可连续积层各层的串联式INLINETYPE真空成膜装置例如专利文献1。0004在串联式真空成膜装置中，具备可在基板上进行成膜形成膜的成膜单元的多个成膜用腔室与进行加热处理的腔室或预备腔室等一起通过闸门阀被连接，形成一条成膜线。将基板。
6、安装在托架上并使其在通过成膜线期间，在基板上形成预定的层，制造期望的磁记录介质。0005一般来说，成膜线被配置成环状，在成膜线上具备将基板安装在托架上或将基板从托架上卸下的基板拆装腔室。在成膜腔室间循环一周的托架被供应至基板拆装腔室，成膜后的基板从托架上被拆下，在卸下成膜后的基板的托架上新安装基板。0006另外，作为在磁记录介质的表面形成润滑层的方法，提出了气相润滑VAPORPHASELUBRICATION成膜方法，该气相润滑成膜方法在真空容器内配置磁记录介质，并向真空容器内导入通过加热而气化了的润滑剂例如专利文献2。0007当用串联式真空成膜装置来制造如上所述的具有多层膜积层构造的磁记录介质。
7、时，例如在磁记录层的形成中使用利用溅射法所形成的真空成膜装置，在保护层的形成中使用利用离子束法所形成的真空成膜装置，在润滑层的形成中使用利用气相润滑成膜法所形成的真空成膜装置。由此，可使被积层体不与大气接触地来进行从磁记录层到润滑层的形成工序或成膜步骤。0008另外，提出了一种磁记录介质，其形成两层润滑层，在保护层侧具备化学上稳定且具有与保护层之间适当的紧贴性的固定层或结合层，并在表面侧具备主要由低摩擦系数的材料构成的流动层或自由层例如专利文献3。000900100011专利文献1日本特开平8274142号公报0012专利文献2日本特开2004002971号公报0013专利文献3日本特开200。
8、6147012号公报说明书CN104078057A2/15页4发明内容00140015如果考虑磁记录介质与磁头的接触，则优选润滑层的摩擦系数低者。另一方面，若考虑磁记录介质的耐腐蚀性，则优选由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率高者。0016因此，本发明的目的在于提供一种磁记录介质的制造方法，其可降低润滑层的摩擦系数、且可提高由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率。0017根据本发明的一个方案，提供一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂，之后，使。
9、用在有机溶剂溶解的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂，所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。00180019根据公开的磁记录介质的制造方法，可降低润滑层的摩擦系数，且可提高由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率。附图说明0020图1是表示本发明的一个实施方式中的磁记录介质的制造装置的一个例子的示意图。0021图2是表示用图1的制造装置所制造的磁记录介质的一个例子的剖视图。0022图3是表示具备在本实施方式中所制造的磁记录介质的磁存储装置的构成的一个例子的立体图。具体实施方式0023以下参。
10、照附图对本发明的各实施方式中的磁记录介质的制造方法及装置进行说明。0024根据本发明人的研究可知如果使被积层体不与大气接触而连续地进行磁记录介质的从磁记录层到润滑层的形成工序，则根据润滑剂的种类可将在润滑层中包含的粘合层的比例或粘合率提高至接近100。但是，根据本发明人的研究，对于润滑层的粘合率，100也并非是最佳值。从降低磁记录介质与磁头接触时的摩擦系数的观点来看，优选润滑层包含适度的自由层。另一方面，如果从提高磁记录介质的耐腐蚀性的观点来看，优选提高由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率。0025因此，如以下所说明的，本发明人发现了一种磁记录介质的制造方法，其通过在适当的范围内提高润滑层的对保护层。
11、的表面的粘合率从而在润滑层中包含适当的自由层，并提高由润滑层覆盖的保护层表面的覆盖率。0026对于磁记录介质的润滑层，在保护层侧需要与保护层坚固结合也即粘合率BONDEDRATIO高化学上稳定的粘合层，在表面侧需要主要由低摩擦系数的材料形成的自由层。在此，如果使用气相润滑成膜方法，则可容易形成该粘合层，但难以提高保护层表面的由润滑剂覆盖的覆盖率、且难以使润滑层含有适度的自由层。换言之，对于具有这样特说明书CN104078057A3/15页5性的磁记录介质的润滑层，其由特殊的润滑剂及其他的润滑剂的混合物形成的情况较多，但若要用气相润滑成膜方法来涂布这样的润滑剂，则存在由于加热使得包含在润滑剂中的。
12、化合物的一部分会分解或热聚合而变质成别的化合物、或者只是分子量低的低沸点的化合物会先蒸发而被涂布的问题。0027对此，在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，由于在用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第一润滑剂之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂来涂布润滑剂，因此与包含于润滑层中的保护层的结合力低的化合物被有机溶剂冲洗，能够使润滑层确实地包含第二润滑剂。由此，能够形成适度包含结合层和自由层的润滑层。0028另外，在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，也可以将在被积层体上涂布第二润滑剂的步骤设置成，将涂布在被积层体上的第一润滑剂的一部分或全部置换为第二润滑剂的步骤。如上所述，作为用气相润滑成膜方。
13、法涂布的物质，适用分子量低、且分子量范围窄的物质，但这样性质的物质与适用于磁记录介质的润滑层的化合物并不一定一致。换言之，对于磁记录介质的润滑层，除了粘合率以外，还寻求由润滑层覆盖保护层表面的高覆盖率。0029另外，包含极性低的化合物的润滑剂适于气相润滑成膜。因此，本发明人发现，作为形成结合层的润滑剂，即使包含于润滑剂中的化合物的分子量较高也可得到一定程度的覆盖率及一定值以上的粘合率，因此优选化合物的极性较低。另外，本发明人发现，作为形成自由层的润滑剂，即使包含于润滑剂中的化合物的分子量较低也可得到一定值以下的摩擦系数、抑制磁头上的润滑剂拾取、且得到一定值以上的覆盖率，因此优选化合物的极性较高。
14、。另一方面，发现为了发挥润滑层的润滑性，优选设置例如膜厚为2埃3左右的自由层，如果润滑层的总膜厚为例如10，则优选粘合层的膜厚为总膜厚的大约80大约70的87左右。0030因此，对于涂布于被积层体的第一润滑剂，使用对于保护层表面的粘合率为一定值以上、且可形成适度的结合层的极性低的化合物，对于置换第一润滑剂的一部分或全部的第二润滑剂，使用对于保护层的表面的覆盖率为一定值以上、且可形成摩擦系数为一定值以下的自由层的极性高的化合物。由此，可形成实现了包含适度的自由层、高粘合率、高覆盖率、低摩擦系数的润滑层。0031将第一润滑剂的一部分或全部置换为第二润滑剂的步骤可通过在向被积层体涂布第一润滑剂的涂布。
15、步骤之后，涂布溶解于有机溶剂的第二润滑剂来实现，作为所述步骤的具体涂布方法，可举出浸渍法DIPMETHOD或旋涂法SPINCOATMETHOD等。当在由包含极性低的化合物的第一润滑剂所形成的第一润滑层上形成了由包含极性高的化合物的第二润滑剂所形成的第二润滑层时，包含极性低的化合物的第一润滑剂的一部分或全部被包含极性高的化合物的第二润滑剂置换。0032当使用浸渍法时，例如可使用如下方法，通过在浸渍涂布装置的浸渍槽中所加入的润滑层形成用溶液中，浸渍形成有至保护层为止的各层的被积层体，之后，以预定的速度从浸渍槽捞起被积层体，从而将润滑层形成用溶液涂布在被积层体的保护层上的表面上。0033当使用旋涂法。
16、时，例如可使用如下方法，由喷嘴向被积层体表面吹喷润滑层形成用溶液，之后，使被积层体高速旋转而甩掉多余的溶液，在保护层上的表面上涂布润滑剂。0034作为用于润滑剂层形成用溶液的有机溶剂，例如可举出VERTRELXF商品名，三井说明书CN104078057A4/15页6杜邦氟化学公司制等氟类溶剂等，通过改变溶剂与第二润滑剂的混合比例，从而能够改变第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。具体来说，当提高包含于润滑剂层形成用溶液中的第二润滑剂的混合比例时，能够提高第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。0035另外，根据用于润滑剂层形成用溶液的有机溶剂的种类，也能够改变第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。具体来说，。
17、当相对于第二润滑剂，提高针对有机溶剂的第一润滑剂的溶解力时，能够提高第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。0036在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，第一润滑剂中包含的化合物的分子量比第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，第一润滑剂中包含的化合物的极性比第二润滑剂中包含的化合物的极性低。0037在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，作为第一润滑剂，优选包含分子量在15005000范围内的二元醇DIOL。通过使用分子量较高、极性较低的二元醇，可得到一定程度的覆盖率及一定值以上的粘合率、并且可抑制润滑剂拾取。需要说明的是，所谓的二元醇是2个羟基与2个不同的碳结合的脂肪族或脂环化合物的总称，例如，可。
18、例举下述化合物。当第一润滑剂中所包含的化合物是二元醇时，二元醇的极性可由羟基的量而调整。0038化100390040其中，P、Q为整数，数均分子量为15005000。0041另外，在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，作为第二润滑剂，优选包含分子量在5002000范围内的四元醇TETRAOL。对于这样的化合物，由于容易与第一润滑剂进行置换，因此能够促进第一润滑剂向第二润滑剂的置换。另外，四元醇的一部分还具有形成自由层的效果。通过使用分子量较低、极性较高的四元醇，可得到一定值以下的摩擦系数，抑制润滑剂拾取，且得到一定值以上的覆盖率。需要说明的是，所谓的四元醇，是4个羟基与4个不同的碳结合的脂肪。
19、族或脂环化合物的总称，例如，可例举下述化合物。当第二润滑剂中所包含的化合物是四元醇时，四元醇的极性可由羟基的量而调整。在本实施方式中，通过减少一个分子中所包含的羟基的个数，可将第一润滑剂中所包含的化合物例如二元醇的极性调整得比第二润滑剂中所包含的化合物例如四元醇的极性更低。0042化200430044其中，P、Q为整数，数均分子量为5002000。0045在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，作为第二润滑剂，优选使用多个化合物。具体来说，在第二润滑剂中，除了容易与第一润滑剂置换的化合物之外，优选还添加容易形成自由层的化合物。以下对多个化合物AC的具体例子进行说明。0046A混合了四元醇和二元。
20、醇的润滑剂。0047化30048说明书CN104078057A5/15页70049其中，P、Q为整数，数均分子量为15005000。0050化400510052其中，P、Q为整数，数均分子量为5002000。0053B包含如下述一般式1所示的化合物A、如下述一般式2所示的化合物B1或如下述一般式3所示的化合物B2，并且化合物A与化合物B1的质量比A/B1或化合物A与化合物B2的质量比A/B2为00503的范围内的润滑剂。0054化500550056化600570058化700590060在上述一般式1中，X为15的整数，R1为氢原子、碳数14的烷基、或碳数14的卤代烷基的任一个，R2是末端基为。
21、CH2OH或CHOHCH2OH的取代基，在上述一般式2中，P为460范围的整数，Q为460范围的整数，在上述一般式3中，R为436范围的整数，S为436范围的整数。0061C包含如下述一般式4所示的化合物A和化合物B，该化合物B是选自下述一般式5所示的化合物B1、下述一般式6所示的化合物B2、下述一般式7所示的化合物B3、下述一般式8所示的化合物B4任意一个的化合物，并且化合物A与化合物B的质量比A/B为00509的范围内的润滑剂。0062化800630064化90065说明书CN104078057A6/15页80066化1000670068化1100690070化1200710072在上述一。
22、般式4中，X为15的整数，R1为氢原子、碳数14的烷基、或碳数14的卤代烷基的任一个，R2是末端基为CH2OH或CHOHCH2OH的取代基，在上述一般式5中，M为460范围的整数。在上述一般式6中，N为436范围的整数。在上述一般式7中，R为460范围的整数。在上述一般式8中，A、B、C、D为440范围的整数。0073在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，优选将保护层与润滑层的粘合率设为6099换言之，自由层的比例为401的范围内。换言之，通过在润滑层中包含适度的自由层，从而能够降低磁记录介质与磁头接触时的摩擦系数。需要说明的是，将形成了润滑层后的磁记录介质浸渍入碳氟化合物溶剂中5分钟，用E。
23、SCAELECTRONSPECTROSCOPYFORCHEMICALANALYSIS来测定同一介质的同一位置上的浸渍前后的说明书CN104078057A7/15页91270CM1附近的吸光率，并将其比例的百分比浸渍后吸光率/浸渍前吸光率100作为粘合率来测定。对于氟碳化合物溶剂，使用了VERTRELXF商品名，三井杜邦氟化学公司制或与其相当的产品。0074接着，对在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法的一个例子进行说明。0075图1是表示本发明的一个实施方式中的磁记录介质的制造装置的一个例子的示意图。图1所示的磁记录介质的制造装置具有形成到磁记录介质的保护层的成膜装。
24、置101、及在保护层的表面上形成润滑层的气相润滑成膜装置102。0076成膜装置101具有通过腔室间的闸门阀G将基板拆装用腔室903、第一角腔室CORNERCHAMBER904、第一处理腔室905、第二处理腔室906、第二角腔室907、第三处理腔室908、第四处理腔室909、第二处理腔室910、第六处理腔室911、第七处理腔室912、第八处理腔室913、第三角腔室914、第九处理腔室915、第十处理腔室916、第四角腔室917、第十一处理腔室918、第十二处理腔室919、第十三处理腔室920、及预备腔室921环状连接的结构。各腔室903921具有被多个隔壁包围、可呈减压状态的空间部。0077在。
25、相互邻接的腔室间例如腔室905、906间，设置高速自由开闭的腔室间闸门阀G。所有的闸门阀G的开闭动作在相同时间进行。由此，可将输送基板未示出的多个托架925从按正确规则相互连接的腔室的一个移动到另一个。0078在第一处理腔室第十三处理腔室905、906、908913、915、916、918920上，分别具备基板加热单元或基板加热器、成膜单元或成膜部、处理气供应单元或氟利昂气供应部、排气单元或排气部等。成膜单元可以用溅射装置、离子束成膜装置来形成。利用气体供应单元和排气单元，可根据需要来流入处理气体。0079例如，从第一处理腔室905到第十处理腔室916被用于磁记录介质的到磁记录层的成膜，第十一。
26、处理腔室918及第十二处理腔室919被用于保护层的成膜。将这些第十一处理腔室918及第十二处理腔室919的处理气压设为P1。在这个例子中，第十三处理腔室920作为预备腔室使用。0080需要说明的是，第一处理腔室至第十三处理腔室905、906、908913、915、916、918920的底部压力到达压被设定为例如1105PA。0081角腔室904、907、914、917被配置在磁记录介质的成膜装置101的角上，将托架925的朝向变更为托架925的行进方向。角腔室904、907、914、917内被设定为高真空，可以减压气氛来转动托架925。0082如图1所示，在第一角腔室904与预备腔室921之间。
27、，配置基板拆装用腔室903。基板拆装用腔室903的空间部比其他腔室的空间部大。在基板拆装用腔室903内配置2台可安装或卸下基板的托架925。用一台托架925进行基板的安装，用另一台托架925进行基板的卸下。各托架925同时沿图1的箭头所示的方向被输送。在基板拆装用腔室903上，连接有基板搬入用腔室902及基板搬出用腔室922。0083在基板搬入用腔室902内，配置一台真空机器人111，在基板搬出用腔室922内配置另一台真空机器人112。真空机器人111、112是输送装置的一个例子。基板搬入用腔室902使用真空机器人111将基板安装在基板拆装用腔室903内的托架925上。另外，基板搬出用腔室92。
28、2使用真空机器人112将基板从基板拆装用腔室903内的托架925上卸下。说明书CN104078057A8/15页100084在基板搬入用腔室902上，通过腔室间闸门阀G连接锁气室12。在基板搬出用腔室922上，通过腔室间闸门阀G连接锁气室13。各锁气室12、13在其内部可存放多个基板例如50片。各锁气室12、13具有在各锁气室12、13的两侧对所存放的基板进行传递的功能，各锁气室12、13的动作是以下说明的处理的循环。0085向成膜装置的基板搬入0086向成膜装置101的基板的搬入可通过包含以下的步骤S1S9的处理来实现。0087步骤S1关闭闸门阀G1、G2。0088步骤S2将锁气室12内设为。
29、大气压。0089步骤S3打开闸门阀G1。0090步骤S5利用作为输送装置的一个例子的基板搬入机器人940将多个基板例如50片搬入锁气室12内。0091步骤S6关闭闸门阀G1。0092步骤S7将锁气室12内减压至真空。0093步骤S8打开闸门阀G2。0094步骤S9使用真空机器人111，将锁气室12内的基板安装到基板拆装用腔室903内的托架925上。0095从成膜装置的被积层体的搬出和向气相润滑成膜装置的被积层体的搬入0096从成膜装置101的被积层体的搬出和向气相润滑成膜装置102的被积层体的搬入，可通过含有以下的步骤S11S18的处理来实现。0097步骤S11关闭闸门阀G3、G4。0098步。
30、骤S12将锁气室13内减压至真空。0099步骤S13打开闸门阀G3。0100步骤S14使用真空机器人112，将基板从基板拆装用腔室903内的托架925拆下，累积在锁气室12内。0101步骤S15如果锁气室12内的基板满了例如达到50片，则关闭闸门阀G3。0102步骤S16将锁气室13内减压至真空。0103步骤S17打开闸门阀G4。0104步骤S18使用设在真空容器942内的真空机器人941将锁气室12内的基板例如50片搬入气相润滑成膜装置102。真空机器人941是输送装置的一个例子。0105返回图1的说明，气相润滑成膜装置102具有通过闸门阀G将填充惰性气体的隔离腔室943、气相润滑处理腔室9。
31、44、锁气室945、及输送盒的返回路径腔室947连接的结构。在锁气室945的旁边，设置用于将形成了润滑层的被积层体取出的基板搬出机器人946。基板搬出机器人946是输送装置的一个例子。作为用于输送多个被积层体例如50片的输送盒948在各腔室943945、947间移动。并且，由基板搬出机器人946所搬出的多个被积层体被输送到使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂的润滑剂的涂布装置600。0106气相润滑成膜装置102内的被积层体以下也称为基板等的动作是以下说明的处理的循环，连续进行包括以下步骤S21S38的处理。0107步骤S21关闭闸门阀G5、G6。0108步骤S22将隔离腔室943内减压至真空。说明。
32、书CN104078057A109/15页110109步骤S23打开闸门阀G5。0110步骤S24使用真空机器人941将锁气室12内的基板例如50片放入隔离腔室943内的输送盒948。0111步骤S25关闭闸门阀G5。0112步骤S26向隔离腔室943内流入惰性气体，将内压设为P3。0113步骤S27打开闸门阀G6。0114步骤S28将隔离腔室943内的输送盒948搬入气相润滑处理腔室944内。0115步骤S29在气相润滑处理腔室944内，在输送盒948内的被积层体上形成润滑层。0116步骤S30打开闸门阀G7，容纳有形成了润滑层的被积层体的输送盒948向锁气室945移动。0117步骤S31关闭。
33、闸门阀G7。0118步骤S32将锁气室945设为大气压。0119步骤S33打开闸门阀G8。0120步骤S34利用基板搬出机器人946将处理完的被积层体取出。0121步骤S35关闭闸门阀G8。0122步骤S35将锁气室945内减压至真空。0123步骤S36打开闸门阀G9。0124步骤S37将空的输送盒948通过返回路径腔室947移动至隔离腔室943。另外，返回路径腔室947内被减压至真空。0125步骤S38隔离腔室943在减压状态下打开闸门阀G10，将空的输送盒948搬入隔离腔室943内。0126图2是表示用图1的制造装置所制造的磁记录介质1的一个例子的剖视图。需要说明的是，在对磁记录介质1的数。
34、据的记录方式中存在面内记录方式和垂直记录方式，在本实施方式中，对使用垂直记录方式的磁记录介质1进行说明。0127磁记录介质1具有基板100、在基板100上形成的紧贴层110、在紧贴层110上形成的软磁性衬底层120、在软磁性衬底层120上形成的取向控制层130、在取向控制层130上形成的非磁性衬底层140、在非磁性衬底层140上形成的作为磁记录层的一个例子的垂直记录层150、在垂直记录层150上形成的保护层160、以及在保护层160上形成的润滑层170。在本实施方式中，在基板100的两面上分别具有形成了紧贴层110、软磁性衬底层120、取向控制层130、非磁性衬底层140、垂直记录层150、保。
35、护层160、及润滑层170的结构。需要说明的是，在以下说明中，根据需要，也可将在基板100两面积层的从紧贴层110到保护层160各层的积层结构、也即在基板100上形成了润滑层170以外各层的积层结构称为积层基板180。另外，在以下说明中，根据需要，也可将在基板100的两面形成的从紧贴层110到垂直记录层150各层的积层结构、也即在基板100上形成了保护层160及润滑层170以外各层的积层结构称为积层体190。0128在本实施方式中，基板100由非磁性体形成。对于基板100，可使用由例如铝、铝合金等金属材料形成的金属基板，也可使用由例如玻璃、陶瓷、硅、金刚砂、碳等非金属材料形成的非金属基板。另外。
36、，在这些金属基板或非金属基板的表面上，可使用例如电镀法或喷溅说明书CN104078057A1110/15页12法等来将形成有NIP层或NIP合金层的基板作为基板100来使用。0129对于玻璃基板，例如可使用通常的玻璃或结晶化玻璃等。对于通常的玻璃，例如可使用通用的钠钙玻璃SODALIMEGLASS、铝硅玻璃等。另外，对于结晶化玻璃，例如可使用锂系结晶化玻璃等。另外，对于陶瓷基板，例如可使用以通用的氧化铝、氮化铝、氮化硅等为主成分的烧成体、或这些的纤维强化物等。0130通过基板100与如下所述主成分为CO或FE的软磁性衬底层120接触，使得由于表面的吸附气体或水分的影响、基板成分的扩散等，腐蚀有。
37、可能进行。因此，优选在基板100与软磁性衬底层120之间设置紧贴层110。需要说明的是，作为紧贴层110的材料，例如可适当选择CR、CR合金、TI、TI合金等。另外，紧贴层110的厚度优选2NM20。0131软磁性衬底层120是为了在采用垂直记录方式时为了实现记录再生时的噪声降低而设置。在本实施方式中，软磁性衬底层120具有在紧贴层110上形成的第一软磁性层121、在第一软磁性层121上形成的间隔层122、以及在间隔层122上形成的第二软磁性层123。换言之，软磁性衬底层120具有用第一软磁性层121和第二软磁性层123夹持间隔层122的结构。0132第一软磁性层121及第二软磁性层123优选。
38、用在40607030原子比的范围内包含FECO的材料而形成，为了提高导磁率和耐腐蚀性而优选在1ATM8ATM的范围内含有选自TA、NB、ZR、CR的至少一种。另外，间隔层122可由RU、RE、CU等形成，特别优选由RU形成。0133取向控制层103是为了使通过非磁性衬底层140而积层的垂直记录层150结晶颗粒细微化、并改善记录再现特性而被设置。对形成取向控制层130的材料并无特别限定，优选具有HCP构造、FCC构造、非晶结构的材料。特别优选由RU系合金、NI系合金、CO系合金、PT系合金、CU系合金形成，也可由将这些合金多层化的多层构造形成。例如，优选从基板侧100形成NI系合金和RU系合金的。
39、多层构造、CO系合金和RU系合金的多层构造、PT系合金和RU系合金的多层构造。0134非磁性衬底层140是为了对积层在非磁性衬底层140上的垂直记录层150的初始积层部中的结晶生长的混乱进行抑制、并对记录再生时噪声的发生进行抑制而设置。但是，也可将非磁性衬底层140省略。0135在本实施方式中，非磁性衬底层140优选由加上以CO为主成分的金属，还包含氧化物的材料来形成。非磁性衬底层140的CR含有量优选为25原子50原子。作为包含在非磁性衬底层140中的氧化物，优选使用例如CR、SI、TA、AL、TI、MG、CO等氧化物，特别优选使用TIO2、CR2O3、SIO2等。相对于构成磁性粒子的例如将。
40、CO、CR、PT等合金作为一个化合物来算出的MOL总量，包含在非磁性衬底层140中的氧化物的含有量优选为3MOL以上且18MOL以下。0136本实施方式中的垂直记录层150具有在非磁性衬底层140上形成的第一磁性层151、在第一磁性层151上形成的第一非磁性层152、在第一非磁性层152上形成的第二磁性层153、在第二磁性层153上形成的第二非磁性层154、以及在第二非磁性层154上形成的第三磁性层155。换言之，在垂直记录层150中，具有通过第一磁性层151和第二磁性层153来夹持第一非磁性层152、并通过第二磁性层153及第三磁性层155来夹持第二非磁性层154的结构。说明书CN10407。
41、8057A1211/15页130137第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155是为了利用从磁头3供应的磁能量将磁化方向逆转到垂直记录层150的厚度方向、并通过维持该磁化的状态来存储数据而设置。需要说明的是，这些第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155与本实施方式中的磁性层对应。0138第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155优选包含以CO为主成分的金属的磁性粒子和非磁性氧化物、并具有以氧化物包围磁性粒子的粒状构造。0139形成第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155的氧化物优选为例如CR、SI、TA、AL、TI、MG、CO等，特别优选为TIO2、。
42、CR2O3、SIO2等。另外，作为垂直记录层150中最下层的第一磁性层151，优选包含由两种以上的氧化物形成的复合氧化物，特别优选包含CR2O3SIO2、CR2O3TIO2、CR2O3SIO2TIO2等。0140另外，适于形成第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155的磁性粒子的材料，例如包括90CO14CR18PT10SIO2将由CR含有量14原子、PT含有量18原子、剩余部分CO组成的磁性粒子作为一个化合物计算出的摩尔浓度为90MOL、由SIO2组成的氧化物组成为10MOL、92CO10CR16PT8SIO2、94CO8CR14PT4NB6CR2O3之外，还有COCRPTTA2O。
43、5、COCRPTCR2O3TIO2、COCRPTCR2O3SIO2、COCRPTCR2O3SIO2TIO2、COCRPTMOTIO、COCRPTWTIO2、COCRPTBAL2O3、COCRPTTANDMGO、COCRPTBCUY2O3、COCRPTRUSIO2等组成物。0141第一非磁性层152及第二非磁性层154是为了通过使在形成垂直记录层150的第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155的各磁性层上的磁化反转容易、减小在磁性粒子整体上的磁化反转的分散而降低噪声而设置。在本实施方式中，第一非磁性层152及第二非磁性层154优选例如包含RU及CO。0142需要说明的是，在图2所示的。
44、例子中，形成垂直记录层150具有三层构造第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155，但垂直记录层150并不限定于三层构造，也可以具有四层以上的多层构造。另外，在这个例子中，在形成垂直记录层150的各磁性层第一磁性层151、第二磁性层153及第三磁性层155之间设置非磁性层第一非磁性层152及第二非磁性层154，但形成垂直记录层150的磁性层也并不限定于这样的结构，也可以具有例如将具有不同的组成的两个磁性层重叠配置的结构。0143保护层160是为了抑制垂直记录层150的腐蚀、并当磁头3与磁记录介质1接触时防止磁记录介质1表面的损伤而进行保护，或者为了提高磁记录介质1的耐腐蚀性而设置。0。
45、144保护层160可由周知的保护层材料形成，例如包括C、SIO2、ZRO2。保护层160优选由碳C形成，从保持保护层160的硬度、且实现薄层化的观点来看，特别优选由非晶状的硬质碳膜或类金刚石碳DLCDIAMONDLIKECARBON来形成保护层160。再有，保护层160的厚度为1NM10NM，其可在图3及下述的磁存储装置中将磁头3与磁记录介质1的距离缩短，从高记录密度的观点来看有利。0145润滑层170是为了当磁头3与磁记录介质1接触时抑制磁头3及磁记录介质1的表面的磨耗、并提高磁记录介质1的耐腐蚀性而设置。润滑层170可由公知的润滑层材料形成，例如优选由全氟聚醚PERFLUOROPOLYET。
46、HER、氟化醇、氟化羧酸等润滑剂形成。润说明书CN104078057A1312/15页14滑层170的厚度为1NM2NM，其可在图3及下述的磁记录介质中将磁头3与磁记录介质1的距离缩短，从高记录密度的观点来看有利。0146在利用气相润滑处理而进行的润滑层170的成膜中，当以90150加热上述润滑剂、将润滑剂的蒸气导入反应容器内、并将反应容器内的压力设为10PA左右时，通过将针对反应容器内的被积层体的露出时间设为10秒左右，从而可在保护层160的表面上形成1NM左右的润滑层170。0147图3是表示具备在本实施方式中所制造的磁记录介质1的磁存储装置的构成的一个例子的立体图。0148磁存储装置50。
47、具有磁性记录数据的磁记录介质1、对磁记录介质1进行转动驱动的转动驱动部2、将数据写入磁记录介质1中并对记录在磁记录介质1中的数据进行读取的磁头3、搭载磁头3或头滑块的支架4、通过支架4相对于磁记录介质1来相对地移动磁头3的驱动部5、将对从外部所输入的信息进行处理而得到的记录信号输出至磁头3、并将对来自磁头3的再生信号进行处理而得到的信息输出至外部的信号处理部6。0149在图3所示的例子中，磁记录介质1是具有圆盘形状的磁盘。对于磁盘，可以在至少一个面上形成用于记录数据的磁记录层，也可以如图2所示在两面上形成磁记录层。另外，在图3所示的例子中，在一台磁存储装置50上安装有多个在此例中为3片磁记录介。
48、质1，但磁记录介质1的片数只要是1片以上即可。0150根据上述实施方式，所形成的润滑层与保护层表面的粘合率在适当的范围内提高，并包括适当的自由层。另外，可提高由润滑层所覆盖的保护层表面的覆盖率。由此，可提供一种可靠性及耐腐蚀性优异的磁记录介质，并可提供一种可靠性高的磁存储装置。0151以上通过实施方式对磁记录介质的制造方法及装置进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，无需说在本发明的范围内可进行各种变形及改良。0152实施例0153实施例10154使用图1的制造装置来制造磁记录介质。首先，将清洗过的玻璃基片柯尼卡美能达公司制造、外径25英寸容纳于图1所示的制造装置的锁气室12内，之后，使用。
49、真空机器人111装载于托架925上，在该基板表面形成积层膜。需要说明的是，成膜腔室内的到达真空度底压为1105PA。0155接着，在该玻璃基板之上，在处理腔室905内以1PA的氩气压，使用60CR50TI靶来以10NM的膜厚形成紧贴层。另外，在该紧贴层上，在处理腔室906内以1PA的氩气压，使用46FE46CO5ZR3BFE含有量46原子、CO含有量46原子、ZR含有量5原子、B含有量3原子的靶以100以下的基板温度来形成34NM膜厚的第一软磁性层。另外，在该第一软磁性层上，在处理腔室908内形成076NM膜厚的RU层。再有，在该RU层上，在处理腔室909内形成34NM膜厚的46FE46CO5ZR3B的第二软磁性层。将夹持RU层的第一软磁性层及第二软磁性层作为软磁性衬底层来形成。0156接着，在软磁性衬底层上，在处理腔室910内以1PA的氩气压，使用NI6WW含有量6原子、剩余NI靶来形成5NM膜厚的第一衬底层，在处理腔室911内使用RU靶形成10NM膜厚的第二衬底层，在处理腔室912内使用RU靶以8PA的氩气压形成10NM膜厚的第三衬底层，形成三层构造的衬底层。说明书CN104078057A1413/15页150157接着，在三层构造的衬底层上，以1PA的氩气压，在处理腔室91。