一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺.pdf

《一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺.pdf（5页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。

1、10申请公布号CN102140667A43申请公布日20110803CN102140667ACN102140667A21申请号201110065829622申请日20110318C25D13/20200601C23C22/4020060171申请人蚌埠市钰诚五金工贸有限公司地址233000安徽省蚌埠市小蚌埠镇吴郢村72发明人庞志成丁宁陈云帮丁甸刘传让徐大力74专利代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司34112代理人方峥54发明名称一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺57摘要本发明公开了一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺，运用阴极电泳前稀土硅烷化处理技术，即通过多金。

2、属氧酸盐合成技术与硅烷化处理技术成功融合，使得合成的硅钼杂多酸稀土镧盐与硅烷膜杂化，在金属表面形成硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜。本发明工艺所得的杂化膜具有耐腐蚀性能强，致密均匀，电阻小，附着力好，“自修复”性能好等优点。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页CN102140673A1/1页21一种金属阴极电泳前稀土多金属氧酸盐硅烷化处理工艺，其特征在于运用阴极电泳前稀土硅烷化处理技术，即通过多金属氧酸盐合成技术与硅烷化处理技术成功融合，使得合成的硅钼杂多酸稀土镧盐与硅烷膜杂化，在金属表面形成硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜，具体包括以下步骤1首先将金属材。

3、料表面进行脱脂处理；2将脱脂处理的金属材料进行两次水洗；3将水洗后的金属材料进行抛光处理，再次水洗；4将步骤3处理的金属材料用碱液进清洗，然后再次水洗；5将步骤4水洗后的金属材料放入盛有硅烷剂的硅烷槽里浸渍，进行硅烷化处理，浸泡完成后，在金属材料表面得到硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜，要求，浸泡时间13MIN，浸泡温度为室温40，纯水洗电导率20S/CM。6将硅烷化处理后的金属材料在50100下烘干固化051H。2根据权利要求1所述的金属阴极电泳前稀土多金属氧酸盐硅烷化处理工艺，其特征在于所述的硅烷剂为稀土硅烷化处理剂，其每升处理剂的组成原料各组分的重量为硅烷偶联剂KH5601050G、钼酸钠13。

4、5G、硅酸钠0104G、乙酸镧0408G、无水乙醇2040G、异构醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚115G、乙二胺四乙酸二钠0104G。3根据权利要求1或2所述的金属阴极电泳前稀土多金属氧酸盐硅烷化处理工艺，其特征在于所述的稀土硅烷化处理剂得制备方法，包括以下步骤1将乙醇加入去离子水中搅拌均匀；2将硅烷偶联剂KH560加入到步骤1配制好的乙醇溶中，搅拌均匀，并调节溶液的PH46，制得溶液1；3将钼酸钠和硅酸钠分别溶解到去离子水中，并搅拌混合均匀，再调节PH23后，再将乙酸镧加入其中溶解混合，制得溶液2；4将溶液1与溶液2混合，加入异构醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚与乙二胺四乙酸二钠，充分搅拌并定容，最后调节溶液的P。

5、H46；5混合溶液室温下静置水解24小时，即可。权利要求书CN102140667ACN102140673A1/3页3一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺技术领域0001本发明涉及金属表面处理领域，具体涉及一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺。背景技术0002在金属表面处理中，基体表面处理质量好坏直接影响涂层的附着力、外观及耐腐蚀等性能。传统的磷酸盐转化和铬酸盐钝化表面处理技术虽然可以获得良好的效果，但处理过程中排出的废液中含有锌、锰、镍、铬等重金属离子和亚硝酸盐等致癌物质，对环境污染非常严重。而金属表面硅烷化处理技术由于不涉及危害环境的物质，生产工艺能耗低、技术应用领域。

6、广泛，被认为有望取代磷酸盐转化处理和铬酸盐钝化处理，是金属表面前处理的最新发展方向。0003硅烷化处理是以有机硅烷水溶液为主要成分对金属或非金属材料进行表面处理的过程。硅烷化处理与传统磷化相比具有以下多个优点无有害重金属离子，不含磷，无需加温。硅烷处理过程不产生沉渣，处理时间短，控制简便。处理步骤少，可省去表调工序，槽液可重复使用。0004金属表面硅烷化处理具有广阔的应用前景，但现有技术所成的硅烷膜存在抗腐蚀性能不强、成膜不均匀、不具备“自修复”性能或者“自修复”性能差等缺陷，限制了其发展。在阴极电泳涂装时，对预处理膜层的各项指标要求更加严格，如耐碱性能要求，因为电泳过程中的碱性增强会破坏硅烷。

7、膜层，导致基体表面微观结构发生变化，严重影响整体涂层的性能。本项目运用阴极电泳前稀土硅烷化处理技术，即通过多金属氧酸盐合成技术与硅烷化处理技术成功融合，使得合成的硅钼杂多酸稀土镧盐LA8SIMO120423与硅烷膜杂化，在金属表面形成硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜。发明内容0005本发明公开了一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺，运用阴极电泳前稀土硅烷化处理技术，即通过多金属氧酸盐合成技术与硅烷化处理技术成功融合，使得合成的硅钼杂多酸稀土镧盐与硅烷膜杂化，在金属表面形成硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜。0006本发明采用的技术方案如下0007一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺，。

8、具体包括以下步骤00081首先将金属材料表面进行脱脂处理；00092将脱脂处理的金属材料进行两次水洗；00103将水洗后的金属材料进行抛光处理，再次水洗；00114将步骤3处理的金属材料用碱液进清洗，然后再次水洗；00125将步骤4水洗后的金属材料放入盛有硅烷剂的硅烷槽里浸渍，进行硅烷化处理，浸泡完成后，在金属材料表面得到硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜，要求，浸泡时间说明书CN102140667ACN102140673A2/3页413MIN，浸泡温度为室温40，纯水洗电导率20S/CM。00136将硅烷化处理后的金属材料在50100下烘干固化051H。0014所述的金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅。

9、烷化处理工艺，其特征在于所述的硅烷剂为稀土硅烷化处理剂，其每升处理剂的组成原料各组分的重量为硅烷偶联剂KH5601050G、钼酸钠135G、硅酸钠0104G、乙酸镧0408G、无水乙醇2040G、异构醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚115G、乙二胺四乙酸二钠0104G。0015所述的金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺，其特征在于所述的稀土硅烷化处理剂得制备方法，包括以下步骤00161将乙醇加入去离子水中搅拌均匀；00172将硅烷偶联剂KH560加入到步骤1配制好的乙醇溶中，搅拌均匀，并调节溶液的PH46，制得溶液1；00183将钼酸钠和硅酸钠分别溶解到去离子水中，并搅拌混合均匀，再调节PH23后。

10、，再将乙酸镧加入其中溶解混合，制得溶液2；00194将溶液1与溶液2混合，加入异构醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚与乙二胺四乙酸二钠盐，充分搅拌并定容，最后调节溶液的PH46；00205混合溶液室温下静置水解24小时，即可。0021本发明的有益效果0022采用本发明方法对金属阴极材料进行硅烷化处理后，在金属表面形成硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜，该膜具有以下优点00231、该杂化膜较之单纯的硅烷化处理膜层，耐腐蚀性能特别是耐碱性能大大提高，从而保证在电泳过程碱性环境下硅烷膜的完整性，进而保证涂料与基体的附着力；00242、该杂化膜膜厚100NM明显小于常规阴极电泳磷化膜23M，因此电阻较小，使电泳涂装时电沉积。

11、的效率增加；00253、该杂化膜致密均匀，电泳涂装时导电能力、电场强度一致，能够得到均匀的电沉积膜；00264、该杂化膜具有多金属氧酸盐“假液相行为”，即某些极性分子在室温下可以自由地流动，具有类似液相的反应特点，因此该杂化膜表现出很好的“自修复”性能。0027因此，本发明工艺可以从根本上改善现有硅烷处理技术的不足，从而能够更好的应用于阴极电泳涂装前处理。具体实施方式0028一种金属阴极电泳前多金属氧酸稀土盐硅烷化处理工艺，具体包括以下步骤00291首先将金属材料表面进行脱脂处理；00302将脱脂处理的金属材料进行两次水洗；00313将水洗后的金属材料进行抛光处理，再次水洗；00324将步骤3。

12、处理的金属材料用碱液进清洗，然后再次水洗；00335将步骤4水洗后的金属材料放入盛有硅烷剂的硅烷槽里浸渍，进行硅烷化处理，浸泡完成后，在金属材料表面得到硅烷硅钼杂多酸稀土镧杂化膜，要求，浸泡时间13MIN，浸泡温度为室温40，纯水洗电导率20S/CM。说明书CN102140667ACN102140673A3/3页500346将硅烷化处理后的金属材料100烘干固化1H。0035所述的硅烷剂为稀土硅烷化处理剂，其每升处理剂的组成原料各组分的重量为硅烷偶联剂KH5601050G、钼酸钠135G、硅酸钠0104G、乙酸镧0408G、无水乙醇2040G、异构醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚115G、乙二胺四乙酸二钠0104G。0036所述的稀土硅烷化处理剂的制备方法，包括以下步骤00371将乙醇加入去离子水中搅拌均匀；00382将硅烷偶联剂KH560加入到步骤1配制好的乙醇溶中，搅拌均匀，并调节溶液的PH46，制得溶液1；00393将钼酸钠和硅酸钠分别溶解到去离子水中，并搅拌混合均匀，再调节PH23后，再将乙酸镧加入其中溶解混合，制得溶液2；00404将溶液1与溶液2混合，加入异构醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚与乙二胺四乙酸二钠，充分搅拌并定容，最后调节溶液的PH46；00415混合溶液室温下静置水解24小时，即可。说明书CN102140667A。