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1、10申请公布号CN102474221A43申请公布日20120523CN102474221ACN102474221A21申请号201080029936722申请日2010070261/222,56920090702US12/763,45820100420USH03D7/1620060171申请人高通股份有限公司地址美国加利福尼亚州72发明人奥亚斯M乔克西马希姆兰詹74专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人宋献涛54发明名称具有可选混频器及跨导单位的混频器跨导接口57摘要本发明揭示用于提供混频器块与跨导GM块之间的高效接口的技术。在示范性实施例中,所述跨导块的至少两个单位单。
2、元的输出电流以导电方式耦合在一起,且使用单个导电路径而耦合到所述混频器块。对于差分信号,所述导电路径可包括两条导电引线。在所述混频器块内,所述单个导电路径可扇出到所述混频器块的至少两个单位单元。可选择性地启用或停用至少一个GM单位单元以控制所述混频器跨导块的增益设定。所述技术可进一步应用于支持同相及正交混频以及多模式及/或多频带操作的收发器架构。30优先权数据85PCT申请进入国家阶段日2011123086PCT申请的申请数据PCT/US2010/0409582010070287PCT申请的公布数据WO2011/003092EN2011010651INTCL权利要求书3页说明书10页附图10页。
3、19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书3页说明书10页附图10页1/3页21一种设备,其包含混频器块,其耦合到第一输入电压,所述混频器块包含各自耦合到所述第一输入电压及耦合到对应混频器单位输入电流的多个混频器单位单元,至少一个混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一混频器单位单元经配置以产生输出信号,所述输出信号与以所述对应混频器单位输入电流混频的所述第一输入电压成比例;跨导GM块,其耦合到第二输入电压,所述GM块包含各自耦合到所述第二输入电压的多个GM单位单元,至少一个GM单位单元能够被选择性地启用或停用,每一GM单位单元经配置以产生与所述第二输入电压成比例的至少一个。
4、GM单位输出电流,所述多个GM单位单元的所述GM单位输出电流以导电方式耦合在一起;以及导电路径,其将所述以导电方式耦合的GM单位输出电流耦合到所述混频器单位输入电流。2根据权利要求1所述的设备,所述混频器单位单元中的每一者包含差分对,所述第一输入电压为包含正电压及负电压的差分电压。3根据权利要求1所述的设备,所述第二输入电压为包含正电压及负电压的差分电压,所述导电路径包含正导电路径及负导电路径,每一GM单位单元经配置以产生与所述正电压成比例的正GM输出电流及与所述负电压成比例的负GM输出电流,所述正GM输出电流通过所述正导电路径而以导电方式耦合在一起,所述负GM输出电流通过所述负导电路径而以导。
5、电方式耦合在一起。4根据权利要求1所述的设备,所述第一输入电压耦合到同相本机振荡器LO电压,所述第二输入电压耦合到所接收信号电压。5根据权利要求1所述的设备,所述第一输入电压耦合到同相本机振荡器LO电压,所述第二输入电压耦合到待发射的信号电压。6根据权利要求1所述的设备,所述混频器块进一步耦合到第一辅助输入电压,所述混频器块进一步包含多个辅助混频器单位单元,其各自耦合到所述第一辅助输入电压及耦合到对应辅助混频器单位输入电流,至少一个辅助混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一辅助混频器单位单元经配置以产生输出信号,所述输出信号与以所述对应辅助混频器单位输入电流混频的所述第一辅助输入电压成比。
6、例;所述GM块进一步耦合到第二辅助输入电压,所述GM块进一步包含多个辅助GM单位单元,其各自耦合到所述第二辅助输入电压,至少一个辅助GM单位单元能够被选择性地启用或停用,每一辅助GM单位单元经配置以产生与所述第二辅助输入电压成比例的至少一个辅助GM单位输出电流,所述辅助GM单位输出电流以导电方式耦合在一起;所述设备进一步包含辅助导电路径,其将所述以导电方式耦合的辅助GM输出电流耦合到所述辅助混频器单位输入电流。7根据权利要求6所述的设备,所述第一输入电压包含同相本机振荡器LO电压,所述第一辅助输入电压包含正交LO电压,所述第二输入电压包含同相信号电压,所述第二辅助输入电压包含正交信号电压。8根。
7、据权利要求1所述的设备,其进一步包含耦合到第二输入电压的第二混频器块,权利要求书CN102474221A2/3页3所述第二混频器块包含各自耦合到所述第二输入电压及耦合到对应第二混频器单位输入电流的多个第二混频器单位单元,至少一个第二混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一第二混频器单位单元经配置以产生输出电流,所述输出电流与以所述对应第二混频器单位输入电流混频的所述第二输入电压成比例;所述导电路径进一步将所述以导电方式耦合的GM单位输出电流耦合到所述第二混频器单位输入电流。9根据权利要求8所述的设备,所述第一输入电压包含用于第一频带的信号电压,所述第二输入电压包含用于第二频带的信号电压。1。
8、0根据权利要求1所述的设备,所述多个混频器单位单元具有相等大小。11根据权利要求1所述的设备,第一混频器单位单元的大小为第二混频器单位单元的大小的两倍。12根据权利要求1所述的设备,所述多个GM单位单元具有相等大小。13根据权利要求1所述的设备,第一GM单位单元的大小为第二GM单位单元的大小的两倍。14根据权利要求1所述的设备,每一GM单位单元包含一GM晶体管,所述GM晶体管经配置以产生与所述第二输入电压成比例的所述GM单位输出电流,至少两个GM单位单元的所述GM晶体管共享一共用漏极。15一种方法,其包含将第一输入电压耦合到混频器块内的多个混频器单位单元;选择性地启用或停用至少一个混频器单位单。
9、元;将第二输入电压耦合到跨导GM块内的多个跨导GM单位单元;选择性地启用或停用至少一个GM单位单元;以及使用单个导电路径将至少两个GM单位单元的输出电流耦合到所述混频器块。16根据权利要求15所述的方法,所述混频器单位单元中的每一者包含差分对,所述第一输入电压包含差分电压。17根据权利要求15所述的方法,所述第二输入电压包含差分电压。18根据权利要求15所述的方法,其进一步包含将第一辅助输入电压耦合到所述混频器块内的多个辅助混频器单位单元;选择性地启用或停用至少一个辅助混频器单位单元;将第二辅助输入电压耦合到所述GM块内的多个辅助GM单位单元;选择性地启用或停用至少一个辅助GM单位单元;及使用。
10、单个辅助导电路径将至少两个辅助GM单位单元的所述输出电流耦合到所述多个混频器单位单元。19根据权利要求15所述的方法,进一步包含将第二输入电压耦合到第二混频器块内的多个第二混频器单位单元;选择性地启用或停用至少一个第二混频器单位单元;使用单个辅助导电路径将至少两个辅助GM单位单元的所述输出电流耦合到所述多个第二混频器单位单元。20一种设备,其包含权利要求书CN102474221A3/3页4混频器块,其耦合到第一输入电压,所述混频器块包含各自耦合到所述第一输入电压及耦合到对应混频器单位输入电流的多个混频器单位单元,至少一个混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一混频器单位单元经配置以产生输出。
11、信号,所述输出信号与以所述对应混频器单位输入电流混频的所述第一输入电压成比例;耦合到第二输入电压的跨导GM块,所述GM块包含各自耦合到所述第二输入电压的多个GM单位单元,至少一个GM单位单元能够被选择性地启用或停用,每一GM单位单元经配置以产生与所述第二输入电压成比例的至少一个GM单位输出电流;以及用于高效地将所述GM单位输出电流耦合到所述混频器单位输入电流的装置。21一种用于无线通信的装置,所述装置包含用于放大TX信号的至少一个基带发射TX放大器、TXLO信号产生器、耦合到所述TXLO信号产生器及所述至少一个基带TX放大器的输出的上变频转换器、耦合到所述上变频转换器的输出的TX滤波器、耦合到。
12、所述TX滤波器的功率放大器PA、RX滤波器、耦合到所述RX滤波器的低噪声放大器LNA、RXLO信号产生器、耦合到所述RXLO信号产生器及所述RX滤波器的下变频转换器、耦合到所述下变频转换器的输出的至少一个低通滤波器,所述上变频转换器及所述下变频转换器中的至少一者包含混频器块,其耦合到第一输入电压,所述混频器块包含各自耦合到所述第一输入电压及耦合到对应混频器单位输入电流的多个混频器单位单元,至少一个混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一混频器单位单元经配置以产生输出信号,所述输出信号与以所述对应混频器单位输入电流混频的所述第一输入电压成比例;跨导GM块,其耦合到第二输入电压,所述GM块包含。
13、各自耦合到所述第二输入电压的多个GM单位单元,至少一个GM单位单元能够被选择性地启用或停用,每一GM单位单元经配置以产生与所述第二输入电压成比例的至少一个GM单位输出电流,所述多个GM单位单元的所述GM单位输出电流以导电方式耦合在一起;以及导电路径,其将所述以导电方式耦合的GM单位输出电流耦合到所述混频器单位输入电流。22根据权利要求21所述的装置,所述TXLO信号产生器包含同相及正交TXLO差分引线,所述TX放大器的所述输出包含同相及正交TX差分引线,所述上变频转换器包含所述混频器块、所述GM块及所述导电路径,所述第一输入电压耦合到所述同相及正交TXLO差分引线,所述第二输入电压耦合到所述同。
14、相及正交TX差分引线。23根据权利要求21所述的装置,所述RXLO信号产生器包含同相及正交RXLO差分引线,所述下变频转换器包含所述混频器块、所述GM块及所述导电路径,所述第一输入电压耦合到所述同相及正交RXLO差分引线,所述第二输入电压耦合到所述LNA的输出。权利要求书CN102474221A1/10页5具有可选混频器及跨导单位的混频器跨导接口0001根据35USC120主张优先权0002本专利申请案主张当前正待决的在2009年7月2日申请的标题为“高效混频器跨导接口EFFICIENTMIXERTRANSCONDUCTANCEINTERFACE”的第61/222,569号美国临时专利申请案的。
15、优先权,且所述临时专利申请案已转让给本案受让人,且特此以引用的方式明确地并入本文中。技术领域0003本发明涉及电路设计,且明确地说,涉及高效混频器跨导接口。背景技术0004通信电路可使用一个或一个以上混频器电路来将信号频谱从一个频率转变为另一频率。举例来说,在发射器中,混频器可用于上变频转换器中以将基带信号转换为射频RF信号。在接收器中,混频器可用于下变频转换器中以将所接收到的RF信号转换为中频IF或基带以供处理。特定混频器电路可利用电流模式架构,在电流模式架构中,使第一输入电压与信号电流例如,混频器的偏压电流混频以产生输出信号。信号电流可由跨导GM块产生,跨导块又从第二输入电压产生信号电流。。
16、在一些实施方案中,混频器与GM块两者可具备多个增益设定以调谐混频器跨导块的总增益。0005在多频带或多模式收发器中,可提供混频器及/或GM块的多个例子以适应每一单独信号路径或模式中的操作。这可能需要复制混频器跨导块的特定部分以支持所述多个操作模式。此外,可能需要混频器处理复合信号,即,具有同相I分量与正交Q分量两者的信号。支持多模式及复杂操作所需的增加的电路的量可能令人无法接受地增加集成电路IC裸片面积,而且增加混频器与GM块之间的接口中的信号引线的数目。0006将需要提供一种用于混频器及GM块的高效架构,所述架构提供用于混频器跨导块的多个增益设定,且进一步高效地适应用于多模式操作的复合信号的。
17、混频。发明内容0007本发明的一方面提供一种设备,其包含耦合到第一输入电压的混频器块,所述混频器块包含各自耦合到所述第一输入电压及耦合到对应的混频器单位输入电流的多个混频器单位单元,至少一个混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一混频器单位单元经配置以产生一输出信号,所述输出信号与混频有所述对应混频器单位输入电流的所述第一输入电压成比例;耦合到第二输入电压的跨导GM块,所述GM块包含各自耦合到所述第二输入电压的多个GM单位单元,至少一个GM单位单元能够被选择性地启用或停用,每一GM单位单元经配置以产生与所述第二输入电压成比例的至少一个GM单位输出电流,所述多个GM单位单元的所述GM单位输出。
18、电流以导电方式耦合在一起;及导电路径,其将所述以导电方式耦合的GM单位输出电流耦合到所述混频器单位输入电流。0008本发明的另一方面提供一种方法,其包含将第一输入电压耦合到混频器块内的说明书CN102474221A2/10页6多个混频器单位单元;选择性地启用或停用至少一个混频器单位单元;将第二输入电压耦合到跨导GM块内的多个GM单位单元;选择性地启用或停用至少一个GM单位单元;及使用单个导电路径将至少两个GM单位单元的输出电流耦合到所述混频器块。0009本发明的又一方面提供一种设备,其包含耦合到第一输入电压的混频器块,所述混频器块包含各自耦合到所述第一输入电压及耦合到对应混频器单位输入电流的多。
19、个混频器单位单元,至少一个混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一混频器单位单元经配置以产生一输出信号,所述输出信号与混频有所述对应混频器单位输入电流的所述第一输入电压成比例;耦合到第二输入电压的跨导GM块,所述GM块包含各自耦合到所述第二输入电压的多个GM单位单元,至少一个GM单位单元能够被选择性地启用或停用,每一GM单位单元经配置以产生与所述第二输入电压成比例的至少一个GM单位输出电流;及用于高效地将所述GM单位输出电流耦合到所述混频器单位输入电流的装置。0010本发明的又一方面提供一种用于无线通信的装置,所述装置包含用于放大TX信号的至少一个基带发射TX放大器、TXLO信号产生器、耦。
20、合到所述TXLO信号产生器及所述至少一个基带TX放大器的输出的上变频转换器、耦合到所述上变频转换器的输出的TX滤波器、耦合到所述TX滤波器的功率放大器PA、RX滤波器、耦合到所述RX滤波器的低噪声放大器LNA、RXLO信号产生器、耦合到所述RXLO信号产生器及所述RX滤波器的下变频转换器、耦合到所述下变频转换器的输出的至少一个低通滤波器,所述上变频转换器及所述下变频转换器中的至少一者包含耦合到第一输入电压的混频器块,所述混频器块包含各自耦合到所述第一输入电压及耦合到对应混频器单位输入电流的多个混频器单位单元,至少一个混频器单位单元能够被选择性地启用或停用,每一混频器单位单元经配置以产生输出信号。
21、,所述输出信号与混频有所述对应混频器单位输入电流的所述第一输入电压成比例;耦合到第二输入电压的跨导GM块,所述GM块包含各自耦合到所述第二输入电压的多个GM单位单元,至少一个GM单位单元能够被选择性地启用或停用,每一GM单位单元经配置以产生与所述第二输入电压成比例的至少一个GM单位输出电流,所述多个GM单位单元的所述GM单位输出电流以导电方式耦合在一起;及导电路径,其将所述以导电方式耦合的GM单位输出电流耦合到所述混频器单位输入电流。附图说明0011图1说明耦合到跨导GM块的现有技术混频器的例子;0012图1A说明用于图1中所展示的块的现有技术有源双平衡电流模式差分混频器跨导架构的实例实施方案。
22、;0013图2说明耦合到具有增益控制的GM块的混频器的实例现有技术实施方案;0014图3说明根据本发明的增益控制的混频器跨导架构的示范性实施例;0015图3A说明图3中所展示的混频器跨导块的示范性晶体管层级实施例;0016图3B说明图3A中所展示的缓冲器块的示范性实施例;0017图4说明用于将两个复合信号彼此混频的混频器跨导架构的示范性实施例;0018图5说明本发明的替代示范性实施例,其中单个GM块在用于N个相异频率范围的多个混频器当中共享;0019图6说明可实施本发明的技术的无线通信装置的设计的框图;及说明书CN102474221A3/10页70020图7说明根据本发明的方法的示范性实施例。。
23、具体实施方式0021下文结合附图所陈述的详细描述意在作为本发明的示范性实施例的描述且无意表示可实践本发明的仅有实施例。贯穿此描述而使用的术语“示范性”表示“充当实例、例子或说明”,且未必应被解释为比其它示范性实施例优选或有利。详细描述包括特定细节以便实现提供对本发明的示范性实施例的透彻理解的目的。所属领域的技术人员将明白,可在无这些特定细节的情况下实践本发明的示范性实施例。在一些例子中,以框图形式展示众所周知的结构及装置,以便避免模糊本文中所呈现的示范性实施例的新颖性。0022图1说明现有技术混频器跨导块100的操作。在图1中,混频器块110经配置以将第一差分输入电压V1V1PV1N与混频器差。
24、分输入电流IIPIN混频或相乘,以产生差分输出信号OUTOUTPOUTN,所述差分输出信号OUTOUTPOUTN可为差分电压或差分电流。差分电流I由GM块120产生,GM块120经设计以致使I在合适范围内与第二差分输入电压V2V2PV2N成线性比例。将了解,整个混频器跨导块100有效地混频第一差分输入电压V1与第二差分输入电压V2以产生差分输出信号“输出OUT”,其中“输出OUT”相对于V1及V2的量值由混频器块110及GM块120的增益表征。在所展示的实例中,差分电流I经由导电路径125而供应到混频器块110,导电路径125可经定义以包括分别用于电流IP及IN的两条导电引线125P及125N。
25、。0023虽然在图1中将第一输入电压V1及第二输入电压V2展示为差分电压,但将了解,本发明的技术无需限于处理差分电压的混频器块或GM块。还可容易地适应单端电压,且所属领域的技术人员可容易地得出对所展示的技术的修改。此外,将了解,混频器可为单平衡式或双平衡式。预期此些替代示范性实施例在本发明的范围内。0024在示范性实施例中,混频器块110及GM块120可用于例如针对RF发射器应用的上变频转换器中。在此情况下,电压V1可为例如发射TX本机振荡器LO电压,且电压V2可为例如待发射的基带TX信号。或者,混频器块110及GM块120可用于例如针对RF接收器应用的下变频转换器中。在此情况下,电压V1可为。
26、例如接收RXLO电压,且电压V2可为例如待下变频转换到基带或某一其它中频IF的所接收RF信号。下文参看图6给出将本发明的技术应用于无线电收发器架构的进一步描述。0025图1A说明用于图1中所展示的块100的现有技术有源双平衡电流模式差分混频器跨导架构的实例实施方案100A。注意,仅出于说明性目的而展示图1A,且图1A无意将本发明的范围限于用于实施混频器或GM块的任何特定技术。举例来说,所属领域的技术人员将了解,无源混频器实施方案也可采用本发明的技术,且预期此些替代示范性实施例在本发明的范围内。0026在图1A中,GM块120A包括经配置以分别将电压V2P及V2N转换为电流IP及IN的晶体管16。
27、0P及160N。电流IP是经由导电引线125P而提供到包括晶体管1501及1502的第一混频器差分对,而电流IN是经由导电引线125N而提供到包括晶体管1503及1504的第二混频器差分对。第一混频器差分对与第二混频器差分对共用形成混频器块110A,且将输入电压V1P及V1N与由GM块120A产生的电流IP及IN相乘。使第一混频器差分对与第二混频器差分对的输出交叉耦合以产生差分输出电流IOUTIOUTPIOUTN。说明书CN102474221A4/10页80027图2说明耦合到具有增益控制的GM块220的混频器块210的实例现有技术实施方案,本文中将GM块220及混频器块210统称为增益控制的。
28、混频器跨导块200。混频器块210包括M个混频器单位单元1101到110M的集合,且GM块220包括与所述M个混频器单位单元一一对应的M个GM单位单元1201到120M的集合。将第一差分输入电压V1V1PV1N提供到混频器单位单元1101到110M中的每一者,且将第二差分输入电压V2V2PV2N提供到GM单位单元1201到120M中的每一者。GM单位单元产生经由导电路径1251到125M而耦合到混频器单位单元中的对应者的对应GM单位差分输出电流IP1及IN1到IPM及INM。导电路径1251到125M中的每一者可包括两条导电引线一条导电引线用于运载正电流IPK,且另一条导电引线用于运载负电流I。
29、NK,其中K为从1到M的索引。在一实施方案中,混频器单位单元1101到110M中的每一者可并入有如图1A中所展示的110A的电路,且混频器单位单元1201到120M中的每一者可并入有也如图1A中所展示的120A的电路。0028在图2中,可如下来实现混频器跨导块200的增益控制。可通过对应启用信号或控制位ENM1到ENMM来启用或停用所述M个混频器单位单元1101到110M中的每一者,同时还可通过对应启用信号ENG1到ENGM来启用或停用所述M个GM单位单元1201到120M中的每一者。通过在任何时间选择启用或停用所述混频器GM单位单元对中的哪些混频器GM单位单元对,可选择混频有输入电压V1的总。
30、电流,因此允许使用多个增益步长GAINSTEP进行对混频器跨导块200的增益控制。举例来说,对于最大增益,可启用所有GM单位单元1201到120M以从GM块220产生最大电流,且还可启用所有对应混频器单位单元1101到110M。或者,可启用GM单位单元1201到120M的子集,以及混频器单位单元1101到110M的对应子集,以产生小于最大增益的增益。0029在示范性实施例中,可根据数字方案例如,二进制译码方案、温度计译码方案THERMOMETERCODINGSCHEME,或此项技术中已知的任何其它译码方案来控制混频器跨导块200的增益。举例来说,在具有4位增益控制的混频器跨导块200的二进制译。
31、码实施方案中,可提供大小为1X、1X、2X、4X及8X的5个混频器GM单位单元对。在此二进制译码实施方案中,可通过使用所述四个控制位选择性地启用或停用混频器GM单位单元对来指定十六个非零增益电平,其中大小为1X的混频器GM单位单元中的一者始终启用。或者,在温度计译码实施方案中,可提供各自大小为1X的16个混频器GM单位单元对。在此温度计译码实施方案中,可通过使用四个控制位及解码器选择性地启用或停用混频器GM单位单元对来指定十六个非零增益电平。解码器可用以将所述四个控制位转变为用于所述16个混频器GM单位单元对的个别启用/停用信号。0030如先前所提到,虽然为简单起见在图2中绘制为单线,但为了适。
32、应差分信号,导电路径1251到125M中的每一者实际上可由两条单独导电引线组成,一条导电引线用于正电流IP且另一条导电引线用于负电流IN。在此情况下,刚才所描述的二进制译码实施方案可能需要5条导电路径或10条导电引线来实施十六个非零增益电平,而温度计译码实施方案可能需要16条导电路径或32条导电引线。对于支持多个相异频率范围的实施方案,所需导电引线的数目可对应地倍增。举例来说,如果混频器跨导块支持三个单独频率范围例如,低、中、高,那么二进制译码实施方案将需要1535条导电路径,且温度计译码实施方案将需要48316条导电路径。说明书CN102474221A5/10页90031此外,特定收发器可经。
33、设计以适应正交混频方案,即,第一同相及正交输入电压可与第二同相及正交输入电压混频。在所述情况下,每一单位增益单元可进一步与两条导电路径相关联,二进制译码实施方案将需要总共30215条导电路径或当信号为差分信号时,需要60条导电引线,且温度计译码实施方案将需要总共96248条导电路径或当信号为差分信号时,需要192条导电引线。0032将了解,在IC中路由此些大量导电引线可能消耗显著的裸片面积且增加裸片成本。此外,各种寄生元件可与所述导电引线相关联,包括导电引线的电阻、其对地电容以及其经由侧壁电容而相对于彼此的电容。这些寄生元件可负面地影响GM块的线性、增加混频器噪声且使混频器电路的残余边带抑制R。
34、SB降级。因此,将需要使混频器块与GM块之间的接口中的导电引线的数目最小化。0033图3说明根据本发明的增益控制的混频器跨导块的示范性实施例300。在图3中,所述N个GM单位单元1201到120N的IP输出以导电方式耦合在一起,且所述N个GM单位单元的IN输出也以导电方式耦合在一起。在本说明书及所附权利要求书中,术语“以导电方式耦合”将表示其中耦合的节点之间存在电短路即,低电阻的导电路径的情况。0034在单个导电引线325P上运载IP电流的总和,且在单个导电引线325N上运载IN电流的总和。在图3中将所述两条导电引线325P及325N共用标记为导电路径325。在混频器处,引线325P及325N。
35、各自耦合到混频器单位单元1101到110M的个别电流输入。可将导电引线325P及325N理解为扇出到所述混频器单位单元中的每一者。可选择性地启用或停用GM块320的个别单位单元,以调整混频器跨导块300的增益。明确地说,可通过对应信号ENG1到ENGN来启用或停用所述N个GM单位单元1201到120N中的每一者。0035除选择性地启用所述GM单位单元1201到120N之外,还可通过对应信号ENM1到ENMM来选择性地启用所述M个混频器单位单元1101到110M。将了解,虽然未必影响混频器跨导块300的总增益,但选择性地启用所述混频器单位单元将影响混频器单位单元的线性以及在操作期间可用于GM单位。
36、单元的余量例如,漏极到源极电压。举例来说,当GM单位单元经编程以产生电流IP及IN的最小值时,则可启用较少混频器单位单元。相反,当GM单位单元经编程以产生电流IP及IN的最大值时,则可启用较多混频器单位单元以有效地适应来自GM单位单元的较大电流。0036注意,虽然混频器单位单元1101到110M中的每一者均展示为耦合到对应的选择性启用信号ENM1到ENMM,但一般来说,并非所有混频器单位单元均需要耦合到对应的选择性启用信号。举例来说,在示范性实施例中,可始终启用第一混频器单位单元1101或任何其它数目的混频器单位单元。预期此些替代示范性实施例在本发明的范围内。0037将了解,与图2中所展示的混。
37、频器跨导块200中的导电引线的数目相比,块300中的此些引线的数目有利地得以减少,同时保留混频器跨导块的可调整增益的特征。0038将进一步了解,因为GM单位单元的输出以导电方式耦合在一起,且经由导电引线325P及325N而提供到混频器单位单元,所以GM单位单元的数目与混频器单位单元的数目无需相同,且每一GM单位单元无需与对应混频器单位单元一一对应。举例来说,图3中展示GM单位单元1201到120N的数目N不同于混频器单位单元1101到110M的数目M。此外,可独立于混频器单位单元的对应选择而作出启用或停用哪些GM单位单元的选择。此特征提供在编程混频器跨导块300的特性中的额外自由度。说明书CN。
38、102474221A6/10页100039图3A说明图3中所展示的混频器跨导块的示范性晶体管层级实施例。注意,仅出于说明性目的而提供图3A,且无意将本发明的范围限于所描述的块的任何特定晶体管层级实施方案。0040在图3A中,每一GM单位单元120A1到120AN展示为使用图1A中的GM块120A的差分对架构来实施。提供对应开关晶体管125P1、125N1到125PN、125NN以用于GM单位单元120A1到120AN。所述开关晶体管耦合到对应的启用信号ENG1到ENGN,且经配置以选择性地启用或停用对应的GM单位单元。0041如本文中先前参看图3所描述,在图3A中,所述N个GM单位单元1201。
39、到120N的IP输出以导电方式耦合在一起,且所述N个GM单位单元的IN输出也以导电方式耦合在一起。使用单个导电引线325P将正电流IP路由到混频器块110A1到110AM,同时还使用单个导电引线325N将负电流IP路由到混频器块。0042混频器单位单元110A1到110AM中的每一者采用图1A中所展示的混频器块110A的双平衡混频器架构。在所展示的示范性实施例中,在混频器单位单元110A1到110AM中的每一者中提供选择性启用缓冲器115P、115N在图3A中,针对每一混频器单位单元个别地表示为115P1到115PM及115N1到115NM。响应于对应启用信号ENM1到ENMM,选择性启用缓冲。
40、器115P、115N可将对应输入电压传递通过到每一混频器单位单元中的第一及第二混频器差分对或拒绝对应输入电压,藉此有效地接通或断开混频器单位单元。0043图3B说明图3A中所展示的缓冲器块115P或115N的示范性实施例,其中“输入INPUT”表示缓冲器的输入电压,“输出OUTPUT”表示缓冲器的输出电压,且“EN”及“EN_B”分别表示选择性启用信号及选择性启用信号的逻辑反LOGICALINVERSE。0044将了解,仅出于说明性目的而提供图3A及图3B中所展示的混频器块及GM块的选择性启用特征的特定实施方案,且无意限制本发明的范围。所属领域的技术人员可容易地得出选择性启用特征的其它实施方案。
41、,且预期此些替代示范性实施例在本发明的范围内。0045可了解,晶体管160P1到160PN或“GM晶体管”中的任一者或全部可共享一共用漏极,而晶体管160N1到160NN也表示为“GM晶体管”中的任一者或全部也可共享一共用漏极。举例来说,在图3A中,晶体管160P1到160PN共享一共用漏极,而晶体管160N1到160NN也共享一共用漏极。将了解,一个以上GM单位单元的晶体管共享一共用漏极可有利地减小实施根据本发明的混频器跨导块所需的裸片面积。0046在示范性实施例中,本文中所描述的技术可进一步适应利用正交混频方案的收发器。图4说明用于将两个复合信号彼此混频的混频器跨导块的示范性实施例400。。
42、在图4中,混频器跨导块400经配置以将同相及正交差分本机振荡器电压LO_IP、LO_IN、LO_QP、LO_QN与对应于所接收信号或待发射信号的同相及正交差分电压V_IP、V_IN、V_QP、V_QN混频。注意,在图4中,将混频器单位单元未图示的启用信号标记为用于同相电压的ENM1ENMMI及用于正交电压的ENM1ENMMQ,而将GM单位单元也未图示的启用信号标记为用于同相电压的ENG1ENGNI及用于正交电压的ENG1ENGNQ。0047在实施例400中,提供单独传导路径以将在GM块420的输出处所产生的I电流及Q电流中的每一者耦合到混频器块410,从而导致两条传导路径425I及425Q,或。
43、用于差分信说明书CN102474221A107/10页11号的总共四条传导引线。在示范性实施例中,将了解,在GM块与混频器之间的导电引线的总数目大体上等于到GM块的电压输入的数目。因此,在存在四个电压输入V_IP、V_IN、V_QP、V_QN的情况下如图4中所展示,存在四条导电引线以用于传导I_IP、I_IN、I_QP、I_QN。0048在替代示范性实施例中,例如引线的数目可依据到GM块的电压输入的数目而较多或较少。举例来说,如果仅存在一个提供到GM块其由多个GM单位单元组成的单端电压输入V,那么根据本发明,可在GM块与混频器块之间仅提供一条导电引线。0049将了解,图4中所展示的架构无需应用。
44、于具有同相I分量及正交Q正交分量的复合信号的混频。在替代示范性实施例中,图4中所展示的架构还可应用于任何多维信号例如,各自具有主要分量及辅助分量的二维信号的混频。预期此些替代示范性实施例在本发明的范围内。0050图5说明本发明的替代示范性实施例500,其中在用于N个相异频率范围的多个混频器块5101到510N当中共享单个GM块520。在图5中,提供用于第一频率范围1的第一混频器块5101,提供用于第二频率范围的第二混频器块未图示等等,至多达提供用于第N个频率范围N的第N个混频器块510N。分别提供用于混频器块5101到510N中的每一者中的混频器单位单元未图示的启用信号ENM1到ENMM1I及。
45、ENM1到ENMMNQ。注意,一个频率范围的混频器块的控制位的值以及控制位的数目M大体上可独立于另一频率范围的混频器块的控制位的值以及控制位的数目M。所有混频器块5101到510N可共享来自单个GM块520的导电路径525I、525Q。可了解,与其中提供用于每一频率范围的相异混频器及GM块的实施方案相比,此方案减小了多个频率范围所需的裸片面积。0051类似地,在替代示范性实施例中,还可提供用于单个混频器单位单元的多个GM块。举例来说,在接收器应用中,可提供多个前端低噪声放大器LNA,每一LNA经最佳化以用于不同接收频率范围,且每一LNA耦合到单独的GM块。预期此些替代示范性实施例在本发明的范围。
46、内。0052将了解,与常规架构相比,根据本发明的技术,在混频器块与GM块之间所路由的导电引线的数目可得以减小。此外,引入在相对于GM块单独地启用混频器的单位单元中的额外自由度。这些技术导致存在较少待路由的引线,且因此可将具有较低薄层电阻的较宽金属用于引线,藉此减小路由电阻且增加GM块的线性。且如参看图5所描述,可在多个信号路径当中共享单个GM块,从而导致显著裸片面积节省。此外,在本发明的发射器实施例中,上文所描述的技术可有利地使混频器跨导块布局中越过LO信号引线的基带导电引线的数目最小化,藉此有利地减少存在于系统中的LO耦合的量。0053图6说明可实施本发明的技术的无线通信装置600的设计的框。
47、图。图6展示实例收发器设计。一般来说,发射器及接收器中的信号的调节可由放大器、滤波器、上变频转换器、下变频转换器等的一个或一个以上级来执行。这些电路块可以不同于图6中所展示的配置的配置来布置。此外,图6中未展示的其它电路块也可用以调节发射器及接收器中的信号。还可省略图6中的一些电路块。0054在图6中所展示的设计中,无线装置600包括收发器620及数据处理器610。数据处理器610可包括存储器未图示以存储数据及程序代码。收发器620包括支持双向通信的发射器630及接收器650。一般来说,无线装置600可包括用于任何数目个通信系统说明书CN102474221A118/10页12及频率范围的任何数。
48、目个发射器及任何数目个接收器。可在一个或一个以上模拟集成电路IC、RFICRFIC、混频信号IC等上实施收发器620的全部或一部分。0055发射器或接收器可通过超外差式架构或直接转换架构来实施。在超外差式架构中,在多个级中在射频RF与基带之间对信号进行频率转换,例如,接收器在一个级中从RF转换到中频IF,且接着在另一级中从IF转换到基带。在直接转换架构中,在一个级中在RF与基带之间对信号进行频率转换。超外差式架构与直接转换架构可使用不同电路块及/或具有不同要求。在图6中所展示的设计中,发射器630及接收器650通过直接转换架构来实施。0056在发射路径中,数据处理器610处理待发射的数据且将I。
49、模拟输出信号及Q模拟输出信号提供到发射器630。在所展示的示范性实施例中,数据处理器610包括数/模转换器DAC614A及614B,以用于将由数据处理器610产生的数字信号转换为I模拟输出信号及Q模拟输出信号。DAC614A及614B可各自具备由时钟信号产生器615产生的时钟信号615A。0057在发射器630内,低通滤波器632A及632B分别对I模拟输出信号及Q模拟输出信号进行滤波,以移除由先前数/模转换产生的不合需要的图像。放大器AMP634A及634B分别放大来自低通滤波器632A及632B的信号,且提供I基带信号及Q基带信号。上变频转换器640通过来自TXLO信号产生器670的I发射TX本机振荡LO信号及Q发射TX本机振荡LO信号对I基带信号及Q基带信号进行上变频转换,且提供经上变频转换的信号。滤波器642对经上变频转换的信号进行滤波,以移除由上变频转换导致的不合需要的图像以及接收频带中的噪声。功率放大器PA644放大来自滤波器642的信号以获得所要输出功率电平且提供发射RF信号。发射RF信号路由经过双工器或开关646,且经由天线648而发射。0058在接收路径中,天线648接收由基站发射的信号,且提供所接收的RF信号,所接收的RF信号路由经过双工器或开关646且提供到低噪声放大器LNA652。所接收的RF信号由LNA652来放大,且由滤波器65。