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1、10申请公布号CN102075144A43申请公布日20110525CN102075144ACN102075144A21申请号201010616078822申请日20101230H03D1/1820060171申请人天津南大强芯半导体芯片设计有限公司地址300457天津市开发区宏达街23号泰达学院五区四楼72发明人戴宇杰陈力颖吕英杰张小兴54发明名称一种电子标签解调电路57摘要一种电子标签解调电路，其特征在于它包括包络检波电路、信号解调电路和信号整形电路；其优越性在于用于无源高频HF/超高频UHF电子标签的信号解调电路中，能够极大地降低电路的瞬态功耗，极大提高电子标签的接收信号能力，并降低无源。
2、电子标签的功耗，从而提高电子标签的工作距离。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书3页附图2页CN102075151A1/2页21一种电子标签解调电路，包括包含子载波信号的高频/超高频输入幅度调制ASK信号端VRF、地端子VSS、电源VDD、偏置电压信号端VBIAS，其特征在于它包括包络检波电路、信号解调电路和信号整形电路；其中所说的包络检波电路的输入端连接包含子载波信号的高频/超高频输入幅度调制ASK信号端VRF，其输出端与信号解调电路的输入端连接，并将检出的包络信号输出给信号解调电路；所说的信号解调电路输出端与信号整形电路的输入端；所说的信号整形。
3、电路的输出端输出所需的电压信号VDEM。2根据权利要求1所述的一种电子标签解调电路，其特征在于所说的包络检波电路由N个电容CA1至CAN、2N个二极管D1至D2N、N个电容CB1至CBN、N1个二极管DA1至DAN1、N1个二极管DB1至DBN1和N沟道晶体管M1构成；其中所说的电容CA1至CAN的一端与端子VRF相连接，其另一端与二极管D1、D3、D5至D2N1的负极相连接，并同时与二极管D2、D4、D6至D2N的正极相连接；所说的二极管D1、D3、D5至D2N1的正极与地端子VSS相连接；所说的二极管D2、D4、D6至D2N的负极与电容CB1至CBN的一端及二极管D3至D2N的正极连接，其。
4、另一端与地端子VSS连接；所说的二极管DA1至DAN1相互串连，其中二极管DA1的正极与地端子VSS相连接，二极管DAN1的负极与二极管D2N2的负极相连接；所说的二极管DB1至DBN1的相互串连，其中二极管DB1的正极与地端子VSS相连接，二极管DBN1的负极与二极管D2N的负极相连接；所说的N沟道晶体管M1的漏极与二极管DAN1的负极和二极管D2N2的负极相连接，其源极与地端子VSS相连接，其栅极与信号解调电路的输出端连接。3根据权利要求2所述的一种电子标签解调电路，其特征在于所说的包络检波电路由4个电容CA1至CA4、8个二极管D1至D8、4个电容CB1至CB4、3个二极管DA1至DA3。
5、、5个二极管DB1至DB5和N沟道晶体管M1构成；其中所说的电容CA1至CA4的一端与端子VRF相连接，其另一端与二极管D1、二极管D3、二极管D5的负极相连接，并同时与二极管D2、二极管D4、二极管D6、二极管D8的正极相连接；所说的二极管D1、二极管D3、二极管D5、二极管D7的正极与地端子VSS相连接；所说的二极管D2、二极管D4、D6、二极管D8的负极与电容CB1至CB4的一端及二极管D3至D8的正极连接，其另一端与地端子VSS连接；所说的二极管DA1至DA3相互串连，其中二极管DA1的正极与地端子VSS相连接，二极管DA3的负极与二极管D6的负极相连接；所说的二极管DB1至DB5的相。
6、互串连，其中二极管DB1的正极与地端子VSS相连接，二极管DB5的负极与二极管D8的负极相连接；所说的N沟道晶体管M1的漏极与二极管DA3的负极和二极管D6的负极相连接，其源极与地端子VSS相连接，其栅极与信号解调电路的输出端连接。4根据权利要求1、2或3所述的一种电子标签解调电路，其特征在于所说的信号解调电路是由N沟道晶体管M2、N沟道晶体管M3、P沟道晶体管M4、P沟道晶体管M5和N沟道晶体管M6构成；其中所说的P沟道晶体管M4的源极和P沟道晶体管M5的源极连接在一起与电源VDD相连接，所说的P沟道晶体管M4的漏极与N沟道晶体管M2的漏极连接在一起与信号整形电路的输入端连接；所说的P沟道晶。
7、体管M4的栅极与P沟道晶体管M5的栅极相互连接；所说的P沟道晶体管M5的漏极与N沟道晶体管M3的漏极相互连接，其栅极与漏极短接；所说的N沟道晶体管M2的栅极与包络检波电路中N沟道晶体管M1的栅极连接，其源级接地端子VSS；所说的N沟道晶体管M3的源级接地端子VSS，其栅极与N沟道晶体管M6的栅极相互连接；所说的N沟道晶体管M6的源级接地端子VSS，其源级和栅极短接，且源级权利要求书CN102075144ACN102075151A2/2页3连接偏置电压信号端VBIAS。5根据权利要求1所述的一种电子标签解调电路，其特征在于所说的信号整形电路是由缓冲器B1构成；所说的缓冲器B1由P沟道晶体管M7和。
8、N沟道晶体管M8构成；所说的P沟道晶体管M7和N沟道晶体管M8的栅极相互连接作为信号整形电路的输入端与信号解调电路中的P沟道晶体管M4的漏极与N沟道晶体管M2的漏极连接；二者的漏极相互连接作为信号整形电路的输出端VDEM；所说的P沟道晶体管M7的源级连接电源VDD；所说的N沟道晶体管M8的源级接地端子VSS。权利要求书CN102075144ACN102075151A1/3页4一种电子标签解调电路一技术领域0001本发明涉及一种解调电路，尤其是一种电子标签解调电路。二背景技术0002电子标签作为一种射频数据采集技术，正广泛应用于物流、防伪、电子票证以及门禁等领域。作为无源高频/超高频无线通信的电。
9、子标签系统，低成本、低功耗、大数据存储容量成为电子标签所需解决的问题。由于电子标签接收无线信号且为无源电路，如何极大提高电子标签的接收信号能力，并降低无源电子标签的功耗成为急需解决的重点问题。三发明内容0003本发明的发明目的在于提供一种电子标签解调电路，它可以克服现有技术的不足，是一种能够极大地降低电路的瞬态功耗，在极大提高电子标签的接收信号能力同时，降低无源电子标签的功耗，从而提高电子标签的工作距离的电路。0004本发明的技术方案一种电子标签解调电路，包括包含子载波信号的高频/超高频输入幅度调制ASK信号端VRF、地端子VSS、电源VDD、偏置电压信号端VBIAS，其特征在于它包括包络检波。
10、电路、信号解调电路和信号整形电路；其中所说的包络检波电路的输入端连接包含子载波信号的高频/超高频输入幅度调制ASK信号端VRF，其输出端与信号解调电路的输入端连接，并将检出的包络信号输出给信号解调电路；所说的信号解调电路输出端与信号整形电路的输入端；所说的信号整形电路的输出端输出所需的电压信号VDEM。0005上述所说的包络检波电路由N个电容CA1至CAN、2N个二极管D1至D2N、N个电容CB1至CBN、N1个二极管DA1至DAN1、N1个二极管DB1至DBN1和N沟道晶体管M1构成；其中所说的电容CA1至CAN的一端与端子VRF相连接，其另一端与二极管D1、D3、D5至D2N1的负极相连接。
11、，并同时与二极管D2、D4、D6至D2N的正极相连接；所说的二极管D1、D3、D5至D2N1的正极与地端子VSS相连接；所说的二极管D2、D4、D6至D2N的负极与电容CB1至CBN的一端及二极管D3至D2N的正极连接，其另一端与地端子VSS连接；所说的二极管DA1至DAN1相互串连，其中二极管DA1的正极与地端子VSS相连接，二极管DAN1的负极与二极管D2N2的负极相连接；所说的二极管DB1至DBN1的相互串连，其中二极管DB1的正极与地端子VSS相连接，二极管DBN1的负极与二极管D2N的负极相连接；所说的N沟道晶体管M1的漏极与二极管DAN1的负极和二极管D2N2的负极相连接，其源极与。
12、地端子VSS相连接，其栅极与信号解调电路的输出端连接。0006上述所说的包络检波电路由4个电容CA1至CA4、8个二极管D1至D8、4个电容CB1至CB4、3个二极管DA1至DA3、5个二极管DB1至DB5和N沟道晶体管M1构成；其中所说的电容CA1至CA4的一端与端子VRF相连接，其另一端与二极管D1、二极管D3、二极管D5的负极相连接，并同时与二极管D2、二极管D4、二极管D6、二极管D8的正极相连接；所说的二极管D1、二极管D3、二极管D5、二极管D7的正极与地端子VSS相连接；所说的二极管D2、二极管D4、D6、二极管D8的负极与电容CB1至CB4的一端及二极管D3至D8的正极连接，说。
13、明书CN102075144ACN102075151A2/3页5其另一端与地端子VSS连接；所说的二极管DA1至DA3相互串连，其中二极管DA1的正极与地端子VSS相连接，二极管DA3的负极与二极管D6的负极相连接；所说的二极管DB1至DB5的相互串连，其中二极管DB1的正极与地端子VSS相连接，二极管DB5的负极与二极管D8的负极相连接；所说的N沟道晶体管M1的漏极与二极管DA3的负极和二极管D6的负极相连接，其源极与地端子VSS相连接，其栅极与信号解调电路的输出端连接。0007上述所说的信号解调电路是由N沟道晶体管M2、N沟道晶体管M3、P沟道晶体管M4、P沟道晶体管M5和N沟道晶体管M6构。
14、成；其中所说的P沟道晶体管M4的源极和P沟道晶体管M5的源极连接在一起与电源VDD相连接，所说的P沟道晶体管M4的漏极与N沟道晶体管M2的漏极连接在一起与信号整形电路的输入端连接；所说的P沟道晶体管M4的栅极与P沟道晶体管M5的栅极相互连接；所说的P沟道晶体管M5的漏极与N沟道晶体管M3的漏极相互连接，其栅极与漏极短接；所说的N沟道晶体管M2的栅极与包络检波电路中N沟道晶体管M1的栅极连接，其源级接地端子VSS；所说的N沟道晶体管M3的源级接地端子VSS，其栅极与N沟道晶体管M6的栅极相互连接；所说的N沟道晶体管M6的源级接地端子VSS，其源级和栅极短接，且源级连接偏置电压信号端VBIAS。0。
15、008上述所说的信号整形电路是由缓冲器B1构成；所说的缓冲器B1由P沟道晶体管M7和N沟道晶体管M8构成；所说的P沟道晶体管M7和N沟道晶体管M8的栅极相互连接作为信号整形电路的输入端与信号解调电路中的P沟道晶体管M4的漏极与N沟道晶体管M2的漏极连接；二者的漏极相互连接作为信号整形电路的输出端VDEM；所说的P沟道晶体管M7的源级连接电源VDD；所说的N沟道晶体管M8的源级接地端子VSS。0009本发明的工作原理包络检波电路将包含子载波信号的高频/超高频输入幅度调制ASK信号，通过对电容CA1至CAN，CB1至CBN，二极管D1至D2N，DA1至DAN1，DB1至DBN1进行反复充放电来获得。
16、信号电压，来实现峰值包络检波的功能，获得输入无线射频信号的包络信号，通过N沟道晶体管M1产生检波信号，从而从无线载波信号中检波出包络信号，信号解调电路，通过晶体管M2至M6对信号电压进行边沿检测，对检波出的包络信号进行解调，恢复出所需的数字信号；信号整形电路，通过缓冲器B1对解调恢复出的数字信号进行整形输出，用于对解调恢复出的数字信号进行整形输出。0010VREF为包含子载波信号的高频/超高频输入幅度调制ASK信号，其载波信号频率为1KHZ至1GHZ，在载波信号频率为1KHZ至1MHZ，VSS为接地，VDD为电源，VBIAS为偏置电压，VDEM为解调制得到的输出信号。0011本发明的优越性用于。
17、无源高频HF/超高频UHF电子标签的信号解调电路中，能够极大地降低电路的瞬态功耗，极大提高电子标签的接收信号能力，并降低无源电子标签的功耗，从而提高电子标签的工作距离。四附图说明0012图1为本发明所涉一种电子标签解调电路的结构框图。0013图2为本发明所涉一种电子标签解调电路的结构示意图。0014图3为本发明所涉一种电子标签解调电路中信号整形电路所采用的缓冲器B1的电路图。0015图4为本发明所涉一种电子标签解调电路的一种实施例的结构示意图。说明书CN102075144ACN102075151A3/3页6五具体实施方式0016实施例一种电子标签解调电路见图1，包括包含子载波信号的高频/超高频。
18、输入幅度调制ASK信号端VRF、地端子VSS、电源VDD、偏置电压信号端VBIAS，其特征在于它包括包络检波电路、信号解调电路和信号整形电路；其中所说的包络检波电路的输入端连接包含子载波信号的高频/超高频输入幅度调制ASK信号端VRF，其输出端与信号解调电路的输入端连接，并将检出的包络信号输出给信号解调电路；所说的信号解调电路输出端与信号整形电路的输入端；所说的信号整形电路的输出端输出所需的电压信号VDEM。0017上述所说的包络检波电路见图4由4个电容CA1至CA4、8个二极管D1至D8、4个电容CB1至CB4、3个二极管DA1至DA3、5个二极管DB1至DB5和N沟道晶体管M1构成；其中所。
19、说的电容CA1至CA4的一端与端子VRF相连接，其另一端与二极管D1、二极管D3、二极管D5的负极相连接，并同时与二极管D2、二极管D4、二极管D6、二极管D8的正极相连接；所说的二极管D1、二极管D3、二极管D5、二极管D7的正极与地端子VSS相连接；所说的二极管D2、二极管D4、D6、二极管D8的负极与电容CB1至CB4的一端及二极管D3至D8的正极连接，其另一端与地端子VSS连接；所说的二极管DA1至DA3相互串连，其中二极管DA1的正极与地端子VSS相连接，二极管DA3的负极与二极管D6的负极相连接；所说的二极管DB1至DB5的相互串连，其中二极管DB1的正极与地端子VSS相连接，二极。
20、管DB5的负极与二极管D8的负极相连接；所说的N沟道晶体管M1的漏极与二极管DA3的负极和二极管D6的负极相连接，其源极与地端子VSS相连接，其栅极与信号解调电路的输出端连接。0018上述所说的信号解调电路见图4是由N沟道晶体管M2、N沟道晶体管M3、P沟道晶体管M4、P沟道晶体管M5和N沟道晶体管M6构成；其中所说的P沟道晶体管M4的源极和P沟道晶体管M5的源极连接在一起与电源VDD相连接，所说的P沟道晶体管M4的漏极与N沟道晶体管M2的漏极连接在一起与信号整形电路的输入端连接；所说的P沟道晶体管M4的栅极与P沟道晶体管M5的栅极相互连接；所说的P沟道晶体管M5的漏极与N沟道晶体管M3的漏极。
21、相互连接，其栅极与漏极短接；所说的N沟道晶体管M2的栅极与包络检波电路中N沟道晶体管M1的栅极连接，其源级接地端子VSS；所说的N沟道晶体管M3的源级接地端子VSS，其栅极与N沟道晶体管M6的栅极相互连接；所说的N沟道晶体管M6的源级接地端子VSS，其源级和栅极短接，且源级连接偏置电压信号端VBIAS。0019上述所说的信号整形电路见图3、图4是由缓冲器B1构成；所说的缓冲器B1由P沟道晶体管M7和N沟道晶体管M8构成；所说的P沟道晶体管M7和N沟道晶体管M8的栅极相互连接作为信号整形电路的输入端与信号解调电路中的P沟道晶体管M4的漏极与N沟道晶体管M2的漏极连接；二者的漏极相互连接作为信号整形电路的输出端VDEM；所说的P沟道晶体管M7的源级连接电源VDD；所说的N沟道晶体管M8的源级接地端子VSS。说明书CN102075144ACN102075151A1/2页7图1图2图3说明书附图CN102075144ACN102075151A2/2页8图4说明书附图CN102075144A。