表面改性磷光体、制造其的方法和包括其的发光器件.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201610634445.4

申请日:

20160805

公开号:

CN106433625A

公开日:

20170222

当前法律状态:

有效性:

审查中

法律详情:

IPC分类号:

C09K11/61,C09K11/67,H01L33/50

主分类号:

C09K11/61,C09K11/67,H01L33/50

申请人:

三星显示有限公司

发明人:

刘俊优,李相爀

地址:

韩国京畿道龙仁市

优先权:

10-2015-0111572

专利代理机构:

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人:

刘灿强;尹淑梅

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内容摘要

提供了一种表面改性磷光体、制造其的方法和包括其的发光器件。所述表面改性磷光体包括磷光体基质和包覆在磷光体基质上的纳米尺寸磷光体,磷光体基质由化学式1表示,化学式1K2SiF6:Mn4+。

权利要求书

1.一种表面改性磷光体,所述表面改性磷光体包括:磷光体基质,包括由化学式1表示的化合物化学式1KSiF:Mn;以及纳米尺寸磷光体,设置在所述磷光体基质上。 2.根据权利要求1所述的表面改性磷光体,其中,所述磷光体基质具有从2微米至200微米范围内的颗粒尺寸。 3.根据权利要求1所述的表面改性磷光体,其中,所述磷光体基质具有裂纹,其中,所述纳米尺寸磷光体设置在所述裂纹中。 4.根据权利要求1所述的表面改性磷光体,其中,所述纳米尺寸磷光体具有从20纳米至1000纳米范围内的颗粒尺寸。 5.根据权利要求1所述的表面改性磷光体,其中,所述纳米尺寸磷光体发射与所述磷光体基质发射的颜色相同的颜色。 6.根据权利要求1所述的表面改性磷光体,其中,所述纳米尺寸磷光体包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物,化学式2LiTiO:Mn,化学式3CaAlSiN:Eu。 7.一种制造表面改性磷光体的方法,所述方法包括以下步骤:将醇和磷光体基质混合,并搅拌该混合物,以获得第一搅拌材料;将纳米尺寸磷光体和所述第一搅拌材料混合,并搅拌该混合物,以获得第二搅拌材料;将包括Zn的溶剂添加到所述第二搅拌材料,并搅拌该混合物,以获得第三搅拌材料;以及从所述第三搅拌材料中去除所述溶剂,以制造出所述表面改性磷光体。 8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述磷光体基质包括由化学式1表示的化合物化学式1KSiF:Mn。 9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述醇是乙醇。 10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述包括Zn的溶剂是ZnSO的水溶液,基于所述水溶液的总重量,所述ZnSO具有从0.5重量百分数至1.5重量百分数范围内的浓度。 11.根据权利要求7所述的方法,其中,所述磷光体基质具有从2微米至200微米范围内的颗粒尺寸。 12.根据权利要求7所述的方法,其中,所述纳米尺寸磷光体具有从20纳米至1000纳米范围内的颗粒尺寸。 13.根据权利要求7所述的方法,其中,所述纳米尺寸磷光体包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物,化学式2LiTiO:Mn,化学式3CaAlSiN:Eu。 14.一种发光器件,所述发光器件包括:基底;发光元件,位于所述基底上;以及波长转换部,位于所述发光元件上,所述波长转换部包括表面改性磷光体,其中,所述表面改性磷光体包括磷光体基质和包覆在所述磷光体基质上的纳米尺寸磷光体,所述磷光体基质包括由化学式1表示的化合物化学式1KSiF:Mn。 15.根据权利要求14所述的发光器件,其中,所述磷光体基质具有从2微米至200微米范围内的颗粒尺寸。 16.根据权利要求14所述的发光器件,其中,所述磷光体基质具有裂纹,所述纳米尺寸磷光体设置在所述裂纹中。 17.根据权利要求14所述的发光器件,其中,所述纳米尺寸磷光体具有从20纳米至1000纳米范围内的颗粒尺寸。 18.根据权利要求14所述的发光器件,其中,所述纳米尺寸磷光体发射与所述磷光体基质发射的颜色相同的颜色。 19.根据权利要求14所述的发光器件,其中,所述纳米尺寸磷光体包括由下面的化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物,化学式2LiTiO:Mn,化学式3CaAlSiN:Eu。

说明书

本申请要求于2015年8月7日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0111572号韩国专利申请的优先权和所有权益,该申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种表面改性磷光体、涉及一种制造该表面改性磷光体的方法以及涉及一种包括该表面改性磷光体的发光器件。

背景技术

显示装置可以划分为发光以显示图像的自发射型显示装置,或者可以划分为控制由单独的光源发射的光以显示图像的受光型显示装置。受光型显示装置的代表性示例是液晶显示(LCD)装置。

LCD装置是已经发现了大范围应用的平板显示装置中的一种,并包括具有在其上形成的场发生电极(诸如像素电极和共电极)的两个基底、位于两个基底之间的液晶层和将光提供给液晶层的背光器件。LCD装置将电压施加到场发生电极,从而在液晶层上产生电场,液晶层的液晶分子的取向根据电场来确定,从而控制背光器件的发光量,使得可以显示图像。背光器件包括发光的光源、分散由光源发射的光以将光转换成面光源的导光板和各种漫射膜。

发光的光源可以使用冷阴极荧光灯(CCFL)、外置电极荧光灯(EEFL)等,目前广泛使用发光二极管(LED)。

使用滤色器的LCD装置期望地接收白光,并且为了产生白光,可以采用如下的方法:利用从LED发射的蓝光激发磷光体,磷光体吸收一部分蓝光,引起激发发光。

磷光体可以通过球磨工艺来制造,通过球磨工艺形成的磷光体可具有例如裂痕的细裂纹,细裂纹可以或可以不穿透颗粒。由于细裂纹,因此磷光体的光效率会降低,并且会加速由热或湿气引起的磷光体的劣化。因此,仍需要改善的磷光体。

发明内容

实施例的各方面涉及一种表面改性磷光体,该表面改性磷光体的表面包覆有发射与磷光体基质的颜色相同的颜色的纳米尺寸磷光体。

另外,实施例的各方面涉及一种包括该表面改性磷光体的发光器件。

根据实施例,表面改性磷光体包括:磷光体基质,包括由化学式1表示的化合物

化学式1

K2SiF6:Mn4+;以及

纳米尺寸磷光体,包覆在磷光体基质上。

磷光体基质可以具有从大约2μm至大约200μm范围内的颗粒尺寸。

磷光体基质可以具有裂纹,纳米尺寸磷光体可以设置在裂纹中。

纳米尺寸磷光体可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。

纳米尺寸磷光体可以发射与磷光体基质发射的颜色相同的颜色。

纳米尺寸磷光体可以包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物。

化学式2

Li2TiO3:Mn4+,

化学式3

CaAlSiN3:Eu2+。

根据另一个实施例,制造表面改性磷光体的方法包括以下步骤:将醇和磷光体基质混合并搅拌该混合物,以获得第一搅拌材料;将纳米尺寸磷光体和第一搅拌材料混合并搅拌该混合物,以获得第二搅拌材料;将包括Zn的溶剂添加到第二搅拌材料并搅拌该混合物,以获得第三搅拌材料;从第三搅拌材料中去除溶剂,以制造出表面改性磷光体。

磷光体基质可以包括由化学式1表示的化合物

化学式1

K2SiF6:Mn4+。

醇可以是乙醇。

包括Zn的溶剂可以是ZnSO4的水溶液,基于所述水溶液的总重量,ZnSO4具有从大约0.5重量百分数至大约1.5重量百分数范围内的浓度。

磷光体基质可以具有从大约2μm至大约200μm范围内的颗粒尺寸。

纳米尺寸磷光体可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。

纳米尺寸磷光体可以包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物。

化学式2

Li2TiO3:Mn4+;

化学式3

CaAlSiN3:Eu2+。

根据又一个实施例,发光器件包括:基底;发光元件,位于基底上;以及波长转换部,位于发光元件上,波长转换部包括表面改性磷光体,其中,表面改性磷光体包括磷光体基质和包覆在磷光体基质上的纳米尺寸磷光体,磷光体基质包括由化学式1表示的化合物。

化学式1

K2SiF6:Mn4+。

磷光体基质可以具有从大约2μm至大约200μm范围内的颗粒尺寸。

磷光体基质可以具有裂纹,纳米尺寸磷光体可以设置在裂纹中。

纳米尺寸磷光体可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。

纳米尺寸磷光体可以发射与磷光体基质发射的颜色相同的颜色。

纳米尺寸磷光体可以包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物。

化学式2

Li2TiO3:Mn4+,

化学式3

CaAlSiN3:Eu2+。

前述仅是示出性的而不意图以任何方式来限制。除了上面描述的示出性的方面、实施例和特征之外,通过参照附图和详细的描述,另外的方面、实施例和特征将变得明显。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述,本公开的以上和其它特征以及方面将被更清楚地理解,在附图中:

图1是磷光体基质的扫描电子显微照片;

图2是磷光体基质的示意性视图;

图3是示出K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率(lumen maintenance rate)的光通维持率(百分数,%)与时间(小时)的曲线图;

图4是示出根据第一实施例的表面改性磷光体的示意性视图;

图5是示出磷光体基质的激发光谱和发射光谱的相对强度(任意单位,a.u.)与波长(纳米,nm)的曲线图;

图6是示出根据第一实施例的制造表面改性磷光体的方法的流程图;

图7是示出随着时间的磷光体的光通维持率的光通维持率(百分数,%)与时间(小时)的曲线图;

图8是示出随着时间的磷光体的色坐标变化(chromaticity coordinate variation)的Cx变化(Cx的改变)与时间(小时)的曲线图;

图9是根据第二实施例的发光器件的实施例的平面图;

图10是根据第二实施例的发光器件的实施例的剖视图;

图11是根据第三实施例的发光器件的实施例的剖视图;

图12是根据第四实施例的发光器件的实施例的剖视图;

图13是根据第五实施例的背光单元的实施例的剖视图;

图14是根据第六实施例的背光单元的实施例的剖视图;以及

图15是根据第七实施例的显示装置的实施例的分解透视图。

具体实施方式

在下文中,现在将参照附图更加详细地描述实施例。然而,本发明可以以许多不同形式来实施,而不应被解释为受限于在这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。

在这里使用的所有术语仅用于描述实施例,并可以根据相关领域和申请人的意图来修改。因此,在这里使用的术语应解释为具有与本公开的上下文中的含义一致的含义,并不意图限制本发明。

在附图中,为了更好地说明,可以简化或夸大特定元件或形状,还可以省略实际产品中存在的其它元件。因此,附图意图便于理解。在整个说明书中,同样的附图标记表示同样的元件。

将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。

在整个说明书中,将未经过表面处理(诸如包覆)的磷光体称作“磷光体”或“磷光体基质”,将具有若干纳米的颗粒尺寸的磷光体称作“纳米尺寸磷光体”,将经过表面处理的磷光体称作“表面改性磷光体”。

图1是磷光体基质的扫描电子显微照片,图2是磷光体基质的示意性视图。

磷光体(磷光体基质)可以通过球磨工艺来制造。如图1和图2中所示,通过球磨工艺制造的磷光体由于球磨工艺的性质而具有在其表面上形成的裂纹21、22和23。裂纹21、22和23可以被称作表面裂纹。

球磨工艺是一种将要研磨的材料与钢球或陶瓷球放入可旋转的圆筒状容器中,并旋转该容器使得通过球下落时引起的冲击和球之间的挤压来研磨所述材料的工艺。就这点而言,基于放入容器中的球的直径,通过材料的研磨制造的粉末的颗粒尺寸可以改变。

K2SiF6:Mn4+是吸收蓝色以发射红色的红色磷光体,并具有优异的颜色特性。K2SiF6:Mn4+磷光体也被称作新的红色磷光体。然而,在将通过球磨工艺制造的K2SiF6:Mn4+磷光体在高温、高湿度环境中使用相对长的时间段的情况下,光通维持率会减小。

另外,磷光体在大约55℃的温度下使用大约2000小时之后维持大约90%或更大的光通维持率(见曲线图图3,线A1),并且在大约60℃的温度和大约75%的湿度下使用大约2000小时之后维持大约85%或更大的光通维持率(见图3的线A2)的情况下,磷光体被评价为具有高的颜色再现性和优异的寿命特性。然而,通过球磨工艺制造的K2SiF6:Mn4+磷光体无法满足上述条件。

图3是示出通过球磨工艺制造的K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率的曲线图。参照图3,当在大约55℃的温度下使用K2SiF6:Mn4+磷光体大约2000小时时,K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率减小至大约90%或更小(见图3的结果B1),当在大约60℃的温度和大约75%的湿度下使用K2SiF6:Mn4+磷光体大约2000小时时,K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率减小至大约85%或更小(见图3的结果B2)。

在不意图被理论束缚的同时,理解的是,K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率减小的原因是因为在通过球磨工艺制造K2SiF6:Mn4+磷光体的工艺中,多个裂纹21、22和23会出现在K2SiF6:Mn4+磷光体的表面上。

更详细地,在光或能量入射到磷光体的表面的情况下,光通过裂纹21、22和23散射到各个方向中,因此导致使用磷光体的发光器件(例如,发光二极管(LED))的效率和寿命的减小。

就这点而言,使用磷光体的LED的效率可以由式1表示。

式1

LED效率=磷光体的发射量-(C1+C2+C3)

C1:通过裂纹21散射的光的损耗

C2:通过裂纹22散射的光的损耗

C3:通过裂纹23散射的光的损耗

另外,在湿气渗入裂纹21、22和23的情况下,具有高的亲水特性的四价Mn离子(Mn4+)与湿气反应,使得K2SiF6:Mn4+磷光体的化学计量被破坏,作为激活剂的四价Mn离子(Mn4+)的独特功能被损坏。因此,K2SiF6:Mn4+磷光体的效率降低。

第一实施例提供了其表面包覆(或被覆)有纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101。

图4是示出根据第一实施例的表面改性磷光体101的实施例的示意性视图。

根据第一实施例的表面改性磷光体101包括磷光体基质10和包覆在磷光体基质10上的纳米尺寸磷光体30,磷光体基质10包括由化学式1表示的化合物。

化学式1

K2SiF6:Mn4+

包括由化学式1表示的化合物的磷光体基质10也可以被称作“K2SiF6:Mn4+磷光体”。

磷光体基质10的颗粒尺寸可以基于磷光体基质10的使用目的而改变。磷光体基质10具有从大约2μm至大约200μm范围内的颗粒尺寸。更详细地,磷光体基质10可以具有从大约5μm至大约50μm范围内的颗粒尺寸。在磷光体基质10具有高度均匀的颗粒尺寸分布的情况下,磷光体基质10可以具有从大约10μm至大约20μm范围内的平均颗粒尺寸。

如图4中所示,磷光体基质10具有表面裂纹21、22和23,纳米尺寸磷光体30设置在裂纹21、22和23中。由于纳米尺寸磷光体30设置在裂纹21、22和23中,使得磷光体基质10的裂纹21、22和23被纳米尺寸磷光体30填充,所以可以抑制在裂纹21、22和23中发生的光散射。因此,减少了磷光体处的光损耗,因此可以提高光发射效率。纳米尺寸磷光体30可以设置在除了裂纹21、22和23之外的区域中。

纳米尺寸磷光体30具有纳米尺寸。详细地,纳米尺寸磷光体30具有可嵌入到磷光体基质10的裂纹21、22和23中的颗粒尺寸。例如,纳米尺寸磷光体30可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。纳米尺寸磷光体30的颗粒尺寸可以基于在磷光体基质10中形成的裂纹21、22和23的尺寸而改变。

根据第一实施例,纳米尺寸磷光体30可以发射与磷光体基质10发射的颜色相同的颜色。纳米尺寸磷光体30的示例可以包括这样的磷光体,其包括由化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物中的至少一种。

化学式2

Li2TiO3:Mn4+

化学式3

CaAlSiN3:Eu2+

包括由化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物的磷光体被称作纳米尺寸磷光体。

Li2TiO3:Mn4+的激活剂是Mn4+,这是磷光体基质10的激活剂。另外,在范围为大约400nm至大约500nm的波长下,Li2TiO3:Mn4+具有高的激发效率,并在与红色的波长范围对应的大约700nm的波长下,具有高的发射效率。

图5示出磷光体基质10的激发光谱和发射光谱。参照图5,Li2TiO3:Mn4+在分别与K2SiF6:Mn4+(是磷光体基质10)的波长范围相似的波长范围下具有高的激发效率和高的发射效率。因此,作为纳米尺寸磷光体30的Li2TiO3:Mn4+可以通过补偿磷光体基质10的发光来提高表面改性磷光体101的光效率。

也可以在磷光体基质10的裂纹21、22和23中设置CaAlSiN3:Eu2+,从而提高表面改性磷光体101的光效率。

在下文中,将描述根据第一实施例的制造表面改性磷光体101的方法。图6是示出根据第一实施例的制造表面改性磷光体101的方法的流程图。

首先,在工艺步骤S10中,将醇和磷光体基质10混合,然后进行第一次搅拌。

可以使用任何合适的醇。醇可以是甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇或它们的组合。优选乙醇。

磷光体基质10包括由化学式1表示的化合物,并可以使用KHF2、KMnO4和H2SiF6来制造。

例如,将0.5摩尔(mol)的KHF2粉末和0.05mol的KMnO4粉末溶于49重量百分数(wt%)的氢氟酸水溶液中,同时进行搅拌,并且将6mL的30wt%过氧化氢水溶液缓慢滴加到所得的溶液,从而获得黄色沉淀物。接着,去除上清液,并且将黄色沉淀物在70mL的49wt%的氢氟酸水溶液中搅拌五分钟以去除沉淀物中的残余KHF2。将1.2mmol的所得的K2MnF6完全溶于480mL的氢氟酸水溶液中,从而制备氢氟酸水溶液。将7.2mmol的34%的H2SiF6水溶液与制备的氢氟酸水溶液混合,并且将混合物搅拌大约20分钟至大约30分钟。接着,缓慢滴加86.4mmol的KHF2饱和水溶液,从而获得橙色沉淀物。接着,清洗并干燥该沉淀物。使用球磨机研磨干燥的沉淀物,从而制造出包括由化学式1表示的化合物的磷光体基质10,其中,磷光体基质10具有从大约2μm至大约200μm范围内的颗粒尺寸。

接着,在工艺步骤S20中,将纳米尺寸磷光体30混合到第一次搅拌的材料中,然后第二次搅拌该混合物。

纳米尺寸磷光体30可以使用包括由化学式2表示的化合物的纳米尺寸磷光体和包括由化学式3表示的化合物的纳米尺寸磷光体中的一种。

化学式2

Li2TiO3:Mn4+

化学式3

CaAlSiN3:Eu2+

作为由化学式2表示的纳米尺寸磷光体的化合物的Li2TiO3:Mn4+可以以如下的方式来制备。

首先,将Li2CO3、TiO2和MnCO3放入乙醇中并搅拌。接着,在10个大气压的压力下并在脱氧气氛中烧结该搅拌的材料,从而形成丸状物。将丸状物再次放入乙醇中并搅拌,以形成湿丸。将湿丸与铝球和乙醇一起放入球磨容器中,并旋转容器以执行球磨工艺。在这样的实施例中,基于铝球的尺寸和容器的旋转速度来确定Li2TiO3:Mn4+的颗粒尺寸。作为纳米尺寸磷光体30的Li2TiO3:Mn4+可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。

另外,作为由化学式3表示的纳米尺寸磷光体的化合物的CaAlSiN3:Eu2+可以以如下的方式制备。

首先,将CaCO3、AlN3、SiN4和EuO2放入乙醇中,然后搅拌。接着,在10个大气压的压力下并在脱氧气氛中烧结该搅拌的材料,从而形成丸状物。将丸状物再次放入乙醇中并搅拌,从而形成湿丸。将湿丸与铝球和乙醇一起放入球磨容器中,并旋转容器以执行球磨工艺。在这样的实施例中,基于铝球的尺寸和容器的旋转速度来确定CaAlSiN3:Eu2+的颗粒尺寸。作为纳米尺寸磷光体30的CaAlSiN3:Eu2+可以具有从大约200nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。

接着,在S30中,将包括Zn的溶剂,即,其中设置有(例如溶有)包括Zn的化合物的溶剂,放入第二次搅拌的材料中,并第三次搅拌该混合物。

包括Zn的溶剂可以包括浓度范围为大约0.5%至大约1.5%的ZnSO4水溶液。

接着,在工艺步骤S40中,去除溶剂,从而获得包覆有纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101。

以前面描述的方式制备的根据第一实施例的表面改性磷光体101可以具有高的光通维持率。

为了证实光通维持率,对表面改性磷光体101执行光通维持率测试和色坐标变化测试,同时改变在磷光体基质10上包覆的纳米尺寸磷光体30的含量。磷光体基质10使用具有大约20μm的平均直径的K2SiF6:Mn4+,纳米尺寸磷光体30使用具有大约200nm的平均直径的Li2TiO3:Mn4+。

详细地,制造实验示例1(Ex.1)、实验示例2(Ex.2)、实验示例3(Ex.3)、实验示例4(Ex.4)、实验示例5(Ex.5)和实验示例6(Ex.6),实验示例1(Ex.1)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的3wt%的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101,实验示例2(Ex.2)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的4wt%的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101,实验示例3(Ex.3)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的5wt%的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101,实验示例4(Ex.4)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的6wt%的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101,实验示例5(Ex.5)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的7wt%的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101,实验示例6(Ex.6)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的8wt%的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101。

另外,为了比较,未包覆有纳米尺寸磷光体30的磷光体基质10被用作对比示例1(Comp.1)。

光通维持率测试的结果示出在图7中。图7是示出随着时间的磷光体的光通维持率的曲线图。

详细地,图7示出在60℃的温度和75%的湿度下随着时间的光通维持率。参照图7,证实的是,与对比示例1(Comp.1)的光通维持率相比,根据实验示例1至实验示例6(Ex.1至Ex.6)的磷光体呈现高的光通维持率。

图8是示出随着时间的磷光体的色坐标变化的曲线图。色坐标使用CIE1931色坐标,并测量色坐标的x轴的变化。基于CIE 1931色坐标,K2SiF6:Mn4+磷光体具有0.702的x轴色坐标值和0.311的y轴色坐标值。

图8示出随着时间的x轴色坐标值的变化(ΔCx)量。参照图8,证实的是,与对比示例1(Comp.1)的色坐标的变化(ΔCx)程度相比,根据实验示例1至实验示例6(Ex.1至Ex.6)的磷光体具有色坐标的小的变化(ΔCx)程度。即,根据实验示例1至实验示例6(Ex.1至Ex.6)的磷光体具有随着时间的发射颜色的较小程度的变化(ΔCx)。

在下文中,将参照图9和图10描述根据第二实施例的发光器件102。图9是示出根据第二实施例的发光器件102的平面图,图10是示出根据第二实施例的发光器件102的剖视图。

参照图9和图10,根据第二实施例的发光器件102包括具有第一表面201的基底200、设置在基底200的第一表面201上并发射激发光的发光元件100和被构造为吸收激发光从而发射可见光的波长转换部400。

基底200可以包括不透明的或具有高的反射率的树脂,或者可以由不透明的或具有高的反射率的树脂形成,具体地,可以包括可有利于注射工艺的聚合物树脂,或者可以由可有利于注射工艺的聚合物树脂形成。然而,基底200不限于此,可以包括各种非导电材料,或者可以由各种非导电材料形成。即,基底200可以包括诸如陶瓷的非导电材料,或者可以由诸如陶瓷的非导电材料形成。另外,基底200可以是形成有布线图案的印刷电路板(PCB)。

基底200可以包括容纳发光元件100的腔(未示出)和围绕发光元件100的分隔壁220。另外,基底200可以包括电连接到发光元件100以对发光元件100施加驱动电力的一对引线框架211和212。这对引线框架211和212可以直接接触发光元件100,或者可以通过导电布线电连接到发光元件100。另外,引线框架211和212可以用作用于施加外部电信号的端子。为此,引线框架211和212可以包括具有优异的导电性的金属材料,或者可以由具有优异的导电性的金属材料形成。

发光元件100设置在基底200的第一表面201上。在施加有电信号时发光的任何合适的元件可以用作发光元件100。发光元件100的代表性示例可以包括半导体发光元件。例如,发光元件100可以包括n型半导体层、p型半导体层和置于其间的活性层。在这里,活性层可以包括氮化物半导体,或者可以由氮化物半导体形成。

发光元件100可以发射蓝光,但不限于此。

波长转换部400可以发射被从发光元件100发射的光激发从而在波长方面被转换的可见光。波长转换部400包括第一树脂层401和分散在第一树脂层401中的表面改性磷光体101。第一树脂层401可以包括选自于以下中的至少一种:环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰亚胺树脂和它们的组合,或者可以由选自于以下中的至少一种形成:环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰亚胺树脂和它们的组合。

表面改性磷光体101可以使用根据第一实施例的表面改性磷光体101。表面改性磷光体101是吸收激发光以发射红光的红色磷光体。

另外,除了发射红光的表面改性磷光体101之外,必要时,波长转换部400还可以包括发射绿光的绿色磷光体120。

根据第二实施例的发光器件102包括下填充部300和覆盖部501,波长转换部400被基底200、下填充部300和覆盖部501中的至少一个包封。

下填充部300填充波长转换部400与基底200的第一表面201之间的空间,因此使波长转换部400与基底200的第一表面201分开,因此,可以保护波长转换部400免受在外部渗入基底200至基底200的第一表面201的湿气的影响。下填充部300可以包括第二树脂层301,第二树脂层301包括树脂。第二树脂层301可以包括选自于以下中的至少一种:环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰亚胺树脂和它们的组合,或者可以由选自于以下中的至少一种形成:环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰亚胺树脂和它们的组合。

另外,基底200还可以包括在设置有发光元件100的第一表面201上的防潮涂层230。防潮涂层230可以包括氟基涂覆组合物和氧化硅基涂覆组合物中的至少一种,或者可以由氟基涂覆组合物和氧化硅基涂覆组合物中的至少一种形成,因此,可以更有效地防止湿气渗透。

在这样的实施例中,形成设置在下填充部300中的第二树脂层301的树脂材料和形成设置在波长转换部400中的第一树脂层401的树脂材料可以具有彼此不同的折射率。例如,形成第二树脂层301的树脂材料的折射率可以比形成第一树脂层401的树脂材料的折射率大。在这样的实施例中,当从发光元件100发射的光透过第二树脂层301和第一树脂层401以发射到外部时,相对于外部材料(空气)的折射率差减小,使得由于折射率差而引起的全反射减小,从而可以提高光提取效率。

覆盖部501设置在波长转换部400上,并覆盖波长转换部400的上部。因此,可以有效地减少或防止湿气渗入波长转换部400的上部。覆盖部501可以包括包含玻璃的材料,或者可以由包含玻璃的材料形成。

图11是示出根据第三实施例的发光器件103的剖视图。

根据第三实施例的发光器件103具有覆盖部502仅覆盖波长转换部400的上部而不是覆盖部502覆盖波长转换部400的上部和侧部两者的结构,这与图10中示出的发光器件102的结构不同。

图12是示出根据第四实施例的发光器件104的剖视图。

根据第四实施例的发光器件104具有将下填充部310设置为使发光元件100的上部是敞开的而不是下填充部310覆盖发光元件100的上部的结构,这与在图11中示出的发光器件103的结构不同。在这样的实施例中,不必由透明材料形成下填充部310,下填充部310可以包括可易于向上反射从发光元件100发射的光的反射材料,或者可以由可易于向上反射从发光元件100发射的光的反射材料形成。

在下文中,将参照图13描述根据第五实施例的背光单元105。

图13是示出根据第五实施例的背光单元105的剖视图。

参照图13,背光单元105包括基底512、位于基底512上的光源511和位于光源511的上部上的至少一个光学片513。光源511是根据第二实施例的发光器件102。

根据第五实施例的背光单元105朝向设置有LCD面板的上部发光。

图14是示出根据第六实施例的背光单元106的剖视图。

根据第六实施例的背光单元106在侧向方向上发光而不是在向上方向上发光。

详细地,在根据第六实施例的背光单元106中,安装在基底602上的光源601在侧向方向上发光,以这样的方式发射的光可以入射到导光板603以被转换成面光源的形式。透射过导光板603的光向上发射,反射层604设置在导光板603的下表面上,从而提高光提取效率。在这里,光源601是根据第二实施例的发光器件102。

在下文中,将参照图15描述根据第七实施例的显示装置107。

图15是示出根据第七实施例的显示装置107的分解透视图。

参照图15,根据第七实施例的显示装置107包括下盖701、反射片710、基底720、光学膜、显示面板750和上盖760,基底720包括光源702,光学膜包括漫射片730和棱镜片740。在这里,光源702是根据第二实施例的发光器件102。另外,基底720可以是可将电力和电信号传输到光源702的电路板。

下盖701可以具有在上表面中具有开口的盒的形状,并可以容纳光源702。上盖760围绕包括漫射片730和棱镜片740的光学膜的边缘部分,并可以装配到下盖701以与其结合。

漫射片730可以散射从光源702发射的光,以使光均匀地照射到面板的整个部分,棱镜片740可以增强由漫射片730散射的光的亮度。虽然未示出,但是为了保护棱镜片740,还可以在棱镜片740上方设置保护片。

显示面板750可以设置在包括漫射片730和棱镜片740的光学膜与上盖760之间。显示面板750可以是LCD面板。LCD面板可以包括彼此面对的一对下基底(未示出)和上基底(未示出)与置于其间的液晶层。

滤色器、黑色矩阵和共电极等设置在上基底中。

薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的像素电极可以设置在下基底中。在这里,基于液晶的模式,设置在上基底中的共电极可以形成在下基底中,形成在上基底中以增加开口率的滤色器或黑色矩阵等可以形成在下基底中。

如上面阐述的,根据实施例的表面改性磷光体具有磷光体基质的表面包覆有颜色与磷光体基质的颜色相同的纳米尺寸磷光体的结构,使得可以防止由于表面裂纹引起的磷光体的劣化。

通过上面提及的,将领会的是,出于说明的目的,已经在这里描述了根据本公开的各种实施例,并且在不脱离本教导的范围和精神的情况下,可以做出各种修改。因此,在这里公开的各种实施例不意图限制本教导的真实范围和精神。可以以任何方式混合并匹配上面描述的各种特征与其它实施例,以产生与发明一致的进一步的实施例。

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610634445.4 (22)申请日 2016.08.05 (30)优先权数据 10-2015-0111572 2015.08.07 KR (71)申请人 三星显示有限公司 地址 韩国京畿道龙仁市 (72)发明人 刘俊优李相爀 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限 公司 11286 代理人 刘灿强尹淑梅 (51)Int.Cl. C09K 11/61(2006.01) C09K 11/67(2006.01) H01L 33/50(2010.01) (54)发明名称。

2、 表面改性磷光体、 制造其的方法和包括其的 发光器件 (57)摘要 提供了一种表面改性磷光体、 制造其的方法 和包括其的发光器件。 所述表面改性磷光体包括 磷光体基质和包覆在磷光体基质上的纳米尺寸 磷光体, 磷光体基质由化学式1表示, 化学式 1K2SiF6:Mn4+。 权利要求书2页 说明书10页 附图8页 CN 106433625 A 2017.02.22 CN 106433625 A 1.一种表面改性磷光体, 所述表面改性磷光体包括: 磷光体基质, 包括由化学式1表示的化合物 化学式1 K2SiF6:Mn4+; 以及 纳米尺寸磷光体, 设置在所述磷光体基质上。 2.根据权利要求1所述的表。

3、面改性磷光体, 其中, 所述磷光体基质具有从2微米至200微 米范围内的颗粒尺寸。 3.根据权利要求1所述的表面改性磷光体, 其中, 所述磷光体基质具有裂纹, 其中, 所述纳米尺寸磷光体设置在所述裂纹中。 4.根据权利要求1所述的表面改性磷光体, 其中, 所述纳米尺寸磷光体具有从20纳米至 1000纳米范围内的颗粒尺寸。 5.根据权利要求1所述的表面改性磷光体, 其中, 所述纳米尺寸磷光体发射与所述磷光 体基质发射的颜色相同的颜色。 6.根据权利要求1所述的表面改性磷光体, 其中, 所述纳米尺寸磷光体包括由化学式2 和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物, 化学式2 Li2TiO3:Mn4+。

4、, 化学式3 CaAlSiN3:Eu2+。 7.一种制造表面改性磷光体的方法, 所述方法包括以下步骤: 将醇和磷光体基质混合, 并搅拌该混合物, 以获得第一搅拌材料; 将纳米尺寸磷光体和所述第一搅拌材料混合, 并搅拌该混合物, 以获得第二搅拌材料; 将包括Zn的溶剂添加到所述第二搅拌材料, 并搅拌该混合物, 以获得第三搅拌材料; 以 及 从所述第三搅拌材料中去除所述溶剂, 以制造出所述表面改性磷光体。 8.根据权利要求7所述的方法, 其中, 所述磷光体基质包括由化学式1表示的化合物 化学式1 K2SiF6:Mn4+。 9.根据权利要求7所述的方法, 其中, 所述醇是乙醇。 10.根据权利要求7。

5、所述的方法, 其中, 所述包括Zn的溶剂是ZnSO4的水溶液, 基于所述水 溶液的总重量, 所述ZnSO4具有从0.5重量百分数至1.5重量百分数范围内的浓度。 11.根据权利要求7所述的方法, 其中, 所述磷光体基质具有从2微米至200微米范围内 的颗粒尺寸。 12.根据权利要求7所述的方法, 其中, 所述纳米尺寸磷光体具有从20纳米至1000纳米 范围内的颗粒尺寸。 13.根据权利要求7所述的方法, 其中, 所述纳米尺寸磷光体包括由化学式2和化学式3 表示的化合物中的至少一种化合物, 化学式2 Li2TiO3:Mn4+, 权利要求书 1/2 页 2 CN 106433625 A 2 化学式。

6、3 CaAlSiN3:Eu2+。 14.一种发光器件, 所述发光器件包括: 基底; 发光元件, 位于所述基底上; 以及 波长转换部, 位于所述发光元件上, 所述波长转换部包括表面改性磷光体, 其中, 所述表面改性磷光体包括磷光体基质和包覆在所述磷光体基质上的纳米尺寸磷 光体, 所述磷光体基质包括由化学式1表示的化合物 化学式1 K2SiF6:Mn4+。 15.根据权利要求14所述的发光器件, 其中, 所述磷光体基质具有从2微米至200微米范 围内的颗粒尺寸。 16.根据权利要求14所述的发光器件, 其中, 所述磷光体基质具有裂纹, 所述纳米尺寸 磷光体设置在所述裂纹中。 17.根据权利要求14。

7、所述的发光器件, 其中, 所述纳米尺寸磷光体具有从20纳米至1000 纳米范围内的颗粒尺寸。 18.根据权利要求14所述的发光器件, 其中, 所述纳米尺寸磷光体发射与所述磷光体基 质发射的颜色相同的颜色。 19.根据权利要求14所述的发光器件, 其中, 所述纳米尺寸磷光体包括由下面的化学式 2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合物, 化学式2 Li2TiO3:Mn4+, 化学式3 CaAlSiN3:Eu2+。 权利要求书 2/2 页 3 CN 106433625 A 3 表面改性磷光体、 制造其的方法和包括其的发光器件 0001 本申请要求于2015年8月7日在韩国知识产权局(KIPO)提交。

8、的第10-2015-0111572 号韩国专利申请的优先权和所有权益, 该申请的内容通过引用全部包含于此。 技术领域 0002 本公开涉及一种表面改性磷光体、 涉及一种制造该表面改性磷光体的方法以及涉 及一种包括该表面改性磷光体的发光器件。 背景技术 0003 显示装置可以划分为发光以显示图像的自发射型显示装置, 或者可以划分为控制 由单独的光源发射的光以显示图像的受光型显示装置。 受光型显示装置的代表性示例是液 晶显示(LCD)装置。 0004 LCD装置是已经发现了大范围应用的平板显示装置中的一种, 并包括具有在其上 形成的场发生电极(诸如像素电极和共电极)的两个基底、 位于两个基底之间的。

9、液晶层和将 光提供给液晶层的背光器件。 LCD装置将电压施加到场发生电极, 从而在液晶层上产生电 场, 液晶层的液晶分子的取向根据电场来确定, 从而控制背光器件的发光量, 使得可以显示 图像。 背光器件包括发光的光源、 分散由光源发射的光以将光转换成面光源的导光板和各 种漫射膜。 0005 发光的光源可以使用冷阴极荧光灯(CCFL)、 外置电极荧光灯(EEFL)等, 目前广泛 使用发光二极管(LED)。 0006 使用滤色器的LCD装置期望地接收白光, 并且为了产生白光, 可以采用如下的方 法: 利用从LED发射的蓝光激发磷光体, 磷光体吸收一部分蓝光, 引起激发发光。 0007 磷光体可以通。

10、过球磨工艺来制造, 通过球磨工艺形成的磷光体可具有例如裂痕的 细裂纹, 细裂纹可以或可以不穿透颗粒。 由于细裂纹, 因此磷光体的光效率会降低, 并且会 加速由热或湿气引起的磷光体的劣化。 因此, 仍需要改善的磷光体。 发明内容 0008 实施例的各方面涉及一种表面改性磷光体, 该表面改性磷光体的表面包覆有发射 与磷光体基质的颜色相同的颜色的纳米尺寸磷光体。 0009 另外, 实施例的各方面涉及一种包括该表面改性磷光体的发光器件。 0010 根据实施例, 表面改性磷光体包括: 磷光体基质, 包括由化学式1表示的化合物 0011 化学式1 0012 K2SiF6:Mn4+; 以及 0013 纳米尺。

11、寸磷光体, 包覆在磷光体基质上。 0014 磷光体基质可以具有从大约2 m至大约200 m范围内的颗粒尺寸。 0015 磷光体基质可以具有裂纹, 纳米尺寸磷光体可以设置在裂纹中。 0016 纳米尺寸磷光体可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。 说明书 1/10 页 4 CN 106433625 A 4 0017 纳米尺寸磷光体可以发射与磷光体基质发射的颜色相同的颜色。 0018 纳米尺寸磷光体可以包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合 物。 0019 化学式2 0020 Li2TiO3:Mn4+, 0021 化学式3 0022 CaAlSiN3:Eu2+。 0。

12、023 根据另一个实施例, 制造表面改性磷光体的方法包括以下步骤: 将醇和磷光体基 质混合并搅拌该混合物, 以获得第一搅拌材料; 将纳米尺寸磷光体和第一搅拌材料混合并 搅拌该混合物, 以获得第二搅拌材料; 将包括Zn的溶剂添加到第二搅拌材料并搅拌该混合 物, 以获得第三搅拌材料; 从第三搅拌材料中去除溶剂, 以制造出表面改性磷光体。 0024 磷光体基质可以包括由化学式1表示的化合物 0025 化学式1 0026 K2SiF6:Mn4+。 0027 醇可以是乙醇。 0028 包括Zn的溶剂可以是ZnSO4的水溶液, 基于所述水溶液的总重量, ZnSO4具有从大约 0.5重量百分数至大约1.5重。

13、量百分数范围内的浓度。 0029 磷光体基质可以具有从大约2 m至大约200 m范围内的颗粒尺寸。 0030 纳米尺寸磷光体可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。 0031 纳米尺寸磷光体可以包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合 物。 0032 化学式2 0033 Li2TiO3:Mn4+; 0034 化学式3 0035 CaAlSiN3:Eu2+。 0036 根据又一个实施例, 发光器件包括: 基底; 发光元件, 位于基底上; 以及波长转换 部, 位于发光元件上, 波长转换部包括表面改性磷光体, 其中, 表面改性磷光体包括磷光体 基质和包覆在磷光体基质上的。

14、纳米尺寸磷光体, 磷光体基质包括由化学式1表示的化合物。 0037 化学式1 0038 K2SiF6:Mn4+。 0039 磷光体基质可以具有从大约2 m至大约200 m范围内的颗粒尺寸。 0040 磷光体基质可以具有裂纹, 纳米尺寸磷光体可以设置在裂纹中。 0041 纳米尺寸磷光体可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。 0042 纳米尺寸磷光体可以发射与磷光体基质发射的颜色相同的颜色。 0043 纳米尺寸磷光体可以包括由化学式2和化学式3表示的化合物中的至少一种化合 物。 0044 化学式2 0045 Li2TiO3:Mn4+, 0046 化学式3 说明书 2/10 页 。

15、5 CN 106433625 A 5 0047 CaAlSiN3:Eu2+。 0048 前述仅是示出性的而不意图以任何方式来限制。 除了上面描述的示出性的方面、 实施例和特征之外, 通过参照附图和详细的描述, 另外的方面、 实施例和特征将变得明显。 附图说明 0049 通过以下结合附图的详细描述, 本公开的以上和其它特征以及方面将被更清楚地 理解, 在附图中: 0050 图1是磷光体基质的扫描电子显微照片; 0051 图2是磷光体基质的示意性视图; 0052 图3是示出K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率(lumen maintenance rate)的光通维 持率(百分数, )与时间(小。

16、时)的曲线图; 0053 图4是示出根据第一实施例的表面改性磷光体的示意性视图; 0054 图5是示出磷光体基质的激发光谱和发射光谱的相对强度(任意单位, a.u.)与波 长(纳米, nm)的曲线图; 0055 图6是示出根据第一实施例的制造表面改性磷光体的方法的流程图; 0056 图7是示出随着时间的磷光体的光通维持率的光通维持率(百分数, )与时间(小 时)的曲线图; 0057 图8是示出随着时间的磷光体的色坐标变化(chromaticity coordinate variation)的Cx变化(Cx的改变)与时间(小时)的曲线图; 0058 图9是根据第二实施例的发光器件的实施例的平面图。

17、; 0059 图10是根据第二实施例的发光器件的实施例的剖视图; 0060 图11是根据第三实施例的发光器件的实施例的剖视图; 0061 图12是根据第四实施例的发光器件的实施例的剖视图; 0062 图13是根据第五实施例的背光单元的实施例的剖视图; 0063 图14是根据第六实施例的背光单元的实施例的剖视图; 以及 0064 图15是根据第七实施例的显示装置的实施例的分解透视图。 具体实施方式 0065 在下文中, 现在将参照附图更加详细地描述实施例。 然而, 本发明可以以许多不同 形式来实施, 而不应被解释为受限于在这里阐述的实施例。 相反, 提供这些实施例使得本公 开将是彻底的和完整的,。

18、 并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。 0066 在这里使用的所有术语仅用于描述实施例, 并可以根据相关领域和申请人的意图 来修改。 因此, 在这里使用的术语应解释为具有与本公开的上下文中的含义一致的含义, 并 不意图限制本发明。 0067 在附图中, 为了更好地说明, 可以简化或夸大特定元件或形状, 还可以省略实际产 品中存在的其它元件。 因此, 附图意图便于理解。 在整个说明书中, 同样的附图标记表示同 样的元件。 0068 将理解的是, 当诸如层、 膜、 区域或基底的元件被称作 “在” 另一元件 “上” 时, 该元 件可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。 相反, 当元。

19、件被称作 “直接在” 另 说明书 3/10 页 6 CN 106433625 A 6 一元件 “上” 时, 不存在中间元件。 0069 在整个说明书中, 将未经过表面处理(诸如包覆)的磷光体称作 “磷光体” 或 “磷光 体基质” , 将具有若干纳米的颗粒尺寸的磷光体称作 “纳米尺寸磷光体” , 将经过表面处理的 磷光体称作 “表面改性磷光体” 。 0070 图1是磷光体基质的扫描电子显微照片, 图2是磷光体基质的示意性视图。 0071 磷光体(磷光体基质)可以通过球磨工艺来制造。 如图1和图2中所示, 通过球磨工 艺制造的磷光体由于球磨工艺的性质而具有在其表面上形成的裂纹21、 22和23。 。

20、裂纹21、 22 和23可以被称作表面裂纹。 0072 球磨工艺是一种将要研磨的材料与钢球或陶瓷球放入可旋转的圆筒状容器中, 并 旋转该容器使得通过球下落时引起的冲击和球之间的挤压来研磨所述材料的工艺。 就这点 而言, 基于放入容器中的球的直径, 通过材料的研磨制造的粉末的颗粒尺寸可以改变。 0073 K2SiF6:Mn4+是吸收蓝色以发射红色的红色磷光体, 并具有优异的颜色特性。 K2SiF6:Mn4+磷光体也被称作新的红色磷光体。 然而, 在将通过球磨工艺制造的K2SiF6:Mn4+磷 光体在高温、 高湿度环境中使用相对长的时间段的情况下, 光通维持率会减小。 0074 另外, 磷光体在大。

21、约55的温度下使用大约2000小时之后维持大约90或更大的 光通维持率(见曲线图图3, 线A1), 并且在大约60的温度和大约75的湿度下使用大约 2000小时之后维持大约85或更大的光通维持率(见图3的线A2)的情况下, 磷光体被评价 为具有高的颜色再现性和优异的寿命特性。 然而, 通过球磨工艺制造的K2SiF6:Mn4+磷光体 无法满足上述条件。 0075 图3是示出通过球磨工艺制造的K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率的曲线图。 参照 图3, 当在大约55的温度下使用K2SiF6:Mn4+磷光体大约2000小时时, K2SiF6:Mn4+磷光体的 光通维持率减小至大约90或更小(见图。

22、3的结果B1), 当在大约60的温度和大约75的 湿度下使用K2SiF6:Mn4+磷光体大约2000小时时, K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率减小至大 约85或更小(见图3的结果B2)。 0076 在不意图被理论束缚的同时, 理解的是, K2SiF6:Mn4+磷光体的光通维持率减小的 原因是因为在通过球磨工艺制造K2SiF6:Mn4+磷光体的工艺中, 多个裂纹21、 22和23会出现 在K2SiF6:Mn4+磷光体的表面上。 0077 更详细地, 在光或能量入射到磷光体的表面的情况下, 光通过裂纹21、 22和23散射 到各个方向中, 因此导致使用磷光体的发光器件(例如, 发光二极管(。

23、LED)的效率和寿命的 减小。 0078 就这点而言, 使用磷光体的LED的效率可以由式1表示。 0079 式1 0080 LED效率磷光体的发射量-(C1+C2+C3) 0081 C1: 通过裂纹21散射的光的损耗 0082 C2: 通过裂纹22散射的光的损耗 0083 C3: 通过裂纹23散射的光的损耗 0084 另外, 在湿气渗入裂纹21、 22和23的情况下, 具有高的亲水特性的四价Mn离子(Mn4 +)与湿气反应, 使得K2SiF6:Mn4+磷光体的化学计量被破坏, 作为激活剂的四价Mn离子(Mn4+) 的独特功能被损坏。 因此, K2SiF6:Mn4+磷光体的效率降低。 说明书 4。

24、/10 页 7 CN 106433625 A 7 0085 第一实施例提供了其表面包覆(或被覆)有纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体 101。 0086 图4是示出根据第一实施例的表面改性磷光体101的实施例的示意性视图。 0087 根据第一实施例的表面改性磷光体101包括磷光体基质10和包覆在磷光体基质10 上的纳米尺寸磷光体30, 磷光体基质10包括由化学式1表示的化合物。 0088 化学式1 0089 K2SiF6:Mn4+ 0090 包括由化学式1表示的化合物的磷光体基质10也可以被称作 “K2SiF6:Mn4+磷光 体” 。 0091 磷光体基质10的颗粒尺寸可以基于磷光体基质10的。

25、使用目的而改变。 磷光体基质 10具有从大约2 m至大约200 m范围内的颗粒尺寸。 更详细地, 磷光体基质10可以具有从大 约5 m至大约50 m范围内的颗粒尺寸。 在磷光体基质10具有高度均匀的颗粒尺寸分布的情 况下, 磷光体基质10可以具有从大约10 m至大约20 m范围内的平均颗粒尺寸。 0092 如图4中所示, 磷光体基质10具有表面裂纹21、 22和23, 纳米尺寸磷光体30设置在 裂纹21、 22和23中。 由于纳米尺寸磷光体30设置在裂纹21、 22和23中, 使得磷光体基质10的 裂纹21、 22和23被纳米尺寸磷光体30填充, 所以可以抑制在裂纹21、 22和23中发生的光。

26、散 射。 因此, 减少了磷光体处的光损耗, 因此可以提高光发射效率。 纳米尺寸磷光体30可以设 置在除了裂纹21、 22和23之外的区域中。 0093 纳米尺寸磷光体30具有纳米尺寸。 详细地, 纳米尺寸磷光体30具有可嵌入到磷光 体基质10的裂纹21、 22和23中的颗粒尺寸。 例如, 纳米尺寸磷光体30可以具有从大约20nm至 大约1000nm范围内的颗粒尺寸。 纳米尺寸磷光体30的颗粒尺寸可以基于在磷光体基质10中 形成的裂纹21、 22和23的尺寸而改变。 0094 根据第一实施例, 纳米尺寸磷光体30可以发射与磷光体基质10发射的颜色相同的 颜色。 纳米尺寸磷光体30的示例可以包括这。

27、样的磷光体, 其包括由化学式2表示的化合物和 由化学式3表示的化合物中的至少一种。 0095 化学式2 0096 Li2TiO3:Mn4+ 0097 化学式3 0098 CaAlSiN3:Eu2+ 0099 包括由化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物的磷光体被称作纳米尺 寸磷光体。 0100 Li2TiO3:Mn4+的激活剂是Mn4+, 这是磷光体基质10的激活剂。 另外, 在范围为大约 400nm至大约500nm的波长下, Li2TiO3:Mn4+具有高的激发效率, 并在与红色的波长范围对应 的大约700nm的波长下, 具有高的发射效率。 0101 图5示出磷光体基质10的激发光谱和。

28、发射光谱。 参照图5, Li2TiO3:Mn4+在分别与 K2SiF6:Mn4+(是磷光体基质10)的波长范围相似的波长范围下具有高的激发效率和高的发 射效率。 因此, 作为纳米尺寸磷光体30的Li2TiO3:Mn4+可以通过补偿磷光体基质10的发光来 提高表面改性磷光体101的光效率。 0102 也可以在磷光体基质10的裂纹21、 22和23中设置CaAlSiN3:Eu2+, 从而提高表面改 说明书 5/10 页 8 CN 106433625 A 8 性磷光体101的光效率。 0103 在下文中, 将描述根据第一实施例的制造表面改性磷光体101的方法。 图6是示出 根据第一实施例的制造表面改。

29、性磷光体101的方法的流程图。 0104 首先, 在工艺步骤S10中, 将醇和磷光体基质10混合, 然后进行第一次搅拌。 0105 可以使用任何合适的醇。 醇可以是甲醇、 乙醇、 丙醇、 异丙醇、 丁醇或它们的组合。 优选乙醇。 0106 磷光体基质10包括由化学式1表示的化合物, 并可以使用KHF2、 KMnO4和H2SiF6来制 造。 0107 例如, 将0.5摩尔(mol)的KHF2粉末和0.05mol的KMnO4粉末溶于49重量百分数 (wt)的氢氟酸水溶液中, 同时进行搅拌, 并且将6mL的30wt过氧化氢水溶液缓慢滴加到 所得的溶液, 从而获得黄色沉淀物。 接着, 去除上清液, 并。

30、且将黄色沉淀物在70mL的49wt 的氢氟酸水溶液中搅拌五分钟以去除沉淀物中的残余KHF2。 将1.2mmol的所得的K2MnF6完全 溶于480mL的氢氟酸水溶液中, 从而制备氢氟酸水溶液。 将7.2mmol的34的H2SiF6水溶液与 制备的氢氟酸水溶液混合, 并且将混合物搅拌大约20分钟至大约30分钟。 接着, 缓慢滴加 86.4mmol的KHF2饱和水溶液, 从而获得橙色沉淀物。 接着, 清洗并干燥该沉淀物。 使用球磨 机研磨干燥的沉淀物, 从而制造出包括由化学式1表示的化合物的磷光体基质10, 其中, 磷 光体基质10具有从大约2 m至大约200 m范围内的颗粒尺寸。 0108 接着。

31、, 在工艺步骤S20中, 将纳米尺寸磷光体30混合到第一次搅拌的材料中, 然后 第二次搅拌该混合物。 0109 纳米尺寸磷光体30可以使用包括由化学式2表示的化合物的纳米尺寸磷光体和包 括由化学式3表示的化合物的纳米尺寸磷光体中的一种。 0110 化学式2 0111 Li2TiO3:Mn4+ 0112 化学式3 0113 CaAlSiN3:Eu2+ 0114 作为由化学式2表示的纳米尺寸磷光体的化合物的Li2TiO3:Mn4+可以以如下的方 式来制备。 0115 首先, 将Li2CO3、 TiO2和MnCO3放入乙醇中并搅拌。 接着, 在10个大气压的压力下并 在脱氧气氛中烧结该搅拌的材料, 。

32、从而形成丸状物。 将丸状物再次放入乙醇中并搅拌, 以形 成湿丸。 将湿丸与铝球和乙醇一起放入球磨容器中, 并旋转容器以执行球磨工艺。 在这样的 实施例中, 基于铝球的尺寸和容器的旋转速度来确定Li2TiO3:Mn4+的颗粒尺寸。 作为纳米尺 寸磷光体30的Li2TiO3:Mn4+可以具有从大约20nm至大约1000nm范围内的颗粒尺寸。 0116 另外, 作为由化学式3表示的纳米尺寸磷光体的化合物的CaAlSiN3:Eu2+可以以如 下的方式制备。 0117 首先, 将CaCO3、 AlN3、 SiN4和EuO2放入乙醇中, 然后搅拌。 接着, 在10个大气压的压 力下并在脱氧气氛中烧结该搅拌。

33、的材料, 从而形成丸状物。 将丸状物再次放入乙醇中并搅 拌, 从而形成湿丸。 将湿丸与铝球和乙醇一起放入球磨容器中, 并旋转容器以执行球磨工 艺。 在这样的实施例中, 基于铝球的尺寸和容器的旋转速度来确定CaAlSiN3:Eu2+的颗粒尺 寸。 作为纳米尺寸磷光体30的CaAlSiN3:Eu2+可以具有从大约200nm至大约1000nm范围内的 说明书 6/10 页 9 CN 106433625 A 9 颗粒尺寸。 0118 接着, 在S30中, 将包括Zn的溶剂, 即, 其中设置有(例如溶有)包括Zn的化合物的溶 剂, 放入第二次搅拌的材料中, 并第三次搅拌该混合物。 0119 包括Zn的溶。

34、剂可以包括浓度范围为大约0.5至大约1.5的ZnSO4水溶液。 0120 接着, 在工艺步骤S40中, 去除溶剂, 从而获得包覆有纳米尺寸磷光体30的表面改 性磷光体101。 0121 以前面描述的方式制备的根据第一实施例的表面改性磷光体101可以具有高的光 通维持率。 0122 为了证实光通维持率, 对表面改性磷光体101执行光通维持率测试和色坐标变化 测试, 同时改变在磷光体基质10上包覆的纳米尺寸磷光体30的含量。 磷光体基质10使用具 有大约20 m的平均直径的K2SiF6:Mn4+, 纳米尺寸磷光体30使用具有大约200nm的平均直径 的Li2TiO3:Mn4+。 0123 详细地,。

35、 制造实验示例1(Ex.1)、 实验示例2(Ex.2)、 实验示例3(Ex.3)、 实验示例4 (Ex.4)、 实验示例5(Ex.5)和实验示例6(Ex.6), 实验示例1(Ex.1)包括以相对于表面改性磷 光体101的总重量的3wt的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101, 实验示例2 (Ex.2)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的4wt的量包含纳米尺寸磷光体30的 表面改性磷光体101, 实验示例3(Ex.3)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的5wt 的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101, 实验示例4(Ex.4)包括以相对于表面改 性磷光体101的总重量。

36、的6wt的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101, 实验示 例5(Ex.5)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的7wt的量包含纳米尺寸磷光体30 的表面改性磷光体101, 实验示例6(Ex.6)包括以相对于表面改性磷光体101的总重量的 8wt的量包含纳米尺寸磷光体30的表面改性磷光体101。 0124 另外, 为了比较, 未包覆有纳米尺寸磷光体30的磷光体基质10被用作对比示例1 (Comp.1)。 0125 光通维持率测试的结果示出在图7中。 图7是示出随着时间的磷光体的光通维持率 的曲线图。 0126 详细地, 图7示出在60的温度和75的湿度下随着时间的光通维持率。 参照。

37、图7, 证实的是, 与对比示例1(Comp.1)的光通维持率相比, 根据实验示例1至实验示例6(Ex.1至 Ex.6)的磷光体呈现高的光通维持率。 0127 图8是示出随着时间的磷光体的色坐标变化的曲线图。 色坐标使用CIE1931色坐 标, 并测量色坐标的x轴的变化。 基于CIE 1931色坐标, K2SiF6:Mn4+磷光体具有0.702的x轴 色坐标值和0.311的y轴色坐标值。 0128 图8示出随着时间的x轴色坐标值的变化(Cx)量。 参照图8, 证实的是, 与对比示 例1(Comp.1)的色坐标的变化(Cx)程度相比, 根据实验示例1至实验示例6(Ex.1至Ex.6) 的磷光体具有。

38、色坐标的小的变化(Cx)程度。 即, 根据实验示例1至实验示例6(Ex.1至 Ex.6)的磷光体具有随着时间的发射颜色的较小程度的变化(Cx)。 0129 在下文中, 将参照图9和图10描述根据第二实施例的发光器件102。 图9是示出根据 第二实施例的发光器件102的平面图, 图10是示出根据第二实施例的发光器件102的剖视 图。 说明书 7/10 页 10 CN 106433625 A 10 0130 参照图9和图10, 根据第二实施例的发光器件102包括具有第一表面201的基底 200、 设置在基底200的第一表面201上并发射激发光的发光元件100和被构造为吸收激发光 从而发射可见光的波。

39、长转换部400。 0131 基底200可以包括不透明的或具有高的反射率的树脂, 或者可以由不透明的或具 有高的反射率的树脂形成, 具体地, 可以包括可有利于注射工艺的聚合物树脂, 或者可以由 可有利于注射工艺的聚合物树脂形成。 然而, 基底200不限于此, 可以包括各种非导电材料, 或者可以由各种非导电材料形成。 即, 基底200可以包括诸如陶瓷的非导电材料, 或者可以 由诸如陶瓷的非导电材料形成。 另外, 基底200可以是形成有布线图案的印刷电路板(PCB)。 0132 基底200可以包括容纳发光元件100的腔(未示出)和围绕发光元件100的分隔壁 220。 另外, 基底200可以包括电连接。

40、到发光元件100以对发光元件100施加驱动电力的一对 引线框架211和212。 这对引线框架211和212可以直接接触发光元件100, 或者可以通过导电 布线电连接到发光元件100。 另外, 引线框架211和212可以用作用于施加外部电信号的端 子。 为此, 引线框架211和212可以包括具有优异的导电性的金属材料, 或者可以由具有优异 的导电性的金属材料形成。 0133 发光元件100设置在基底200的第一表面201上。 在施加有电信号时发光的任何合 适的元件可以用作发光元件100。 发光元件100的代表性示例可以包括半导体发光元件。 例 如, 发光元件100可以包括n型半导体层、 p型半导。

41、体层和置于其间的活性层。 在这里, 活性层 可以包括氮化物半导体, 或者可以由氮化物半导体形成。 0134 发光元件100可以发射蓝光, 但不限于此。 0135 波长转换部400可以发射被从发光元件100发射的光激发从而在波长方面被转换 的可见光。 波长转换部400包括第一树脂层401和分散在第一树脂层401中的表面改性磷光 体101。 第一树脂层401可以包括选自于以下中的至少一种: 环氧树脂、 硅树脂、 改性硅树脂、 聚氨酯树脂、 氧杂环丁烷树脂、 丙烯酸树脂、 聚碳酸酯树脂、 聚酰亚胺树脂和它们的组合, 或 者可以由选自于以下中的至少一种形成: 环氧树脂、 硅树脂、 改性硅树脂、 聚氨酯。

42、树脂、 氧杂 环丁烷树脂、 丙烯酸树脂、 聚碳酸酯树脂、 聚酰亚胺树脂和它们的组合。 0136 表面改性磷光体101可以使用根据第一实施例的表面改性磷光体101。 表面改性磷 光体101是吸收激发光以发射红光的红色磷光体。 0137 另外, 除了发射红光的表面改性磷光体101之外, 必要时, 波长转换部400还可以包 括发射绿光的绿色磷光体120。 0138 根据第二实施例的发光器件102包括下填充部300和覆盖部501, 波长转换部400被 基底200、 下填充部300和覆盖部501中的至少一个包封。 0139 下填充部300填充波长转换部400与基底200的第一表面201之间的空间, 因此。

43、使波 长转换部400与基底200的第一表面201分开, 因此, 可以保护波长转换部400免受在外部渗 入基底200至基底200的第一表面201的湿气的影响。 下填充部300可以包括第二树脂层301, 第二树脂层301包括树脂。 第二树脂层301可以包括选自于以下中的至少一种: 环氧树脂、 硅 树脂、 改性硅树脂、 聚氨酯树脂、 氧杂环丁烷树脂、 丙烯酸树脂、 聚碳酸酯树脂、 聚酰亚胺树 脂和它们的组合, 或者可以由选自于以下中的至少一种形成: 环氧树脂、 硅树脂、 改性硅树 脂、 聚氨酯树脂、 氧杂环丁烷树脂、 丙烯酸树脂、 聚碳酸酯树脂、 聚酰亚胺树脂和它们的组 合。 说明书 8/10 页 。

44、11 CN 106433625 A 11 0140 另外, 基底200还可以包括在设置有发光元件100的第一表面201上的防潮涂层 230。 防潮涂层230可以包括氟基涂覆组合物和氧化硅基涂覆组合物中的至少一种, 或者可 以由氟基涂覆组合物和氧化硅基涂覆组合物中的至少一种形成, 因此, 可以更有效地防止 湿气渗透。 0141 在这样的实施例中, 形成设置在下填充部300中的第二树脂层301的树脂材料和形 成设置在波长转换部400中的第一树脂层401的树脂材料可以具有彼此不同的折射率。 例 如, 形成第二树脂层301的树脂材料的折射率可以比形成第一树脂层401的树脂材料的折射 率大。 在这样的实。

45、施例中, 当从发光元件100发射的光透过第二树脂层301和第一树脂层401 以发射到外部时, 相对于外部材料(空气)的折射率差减小, 使得由于折射率差而引起的全 反射减小, 从而可以提高光提取效率。 0142 覆盖部501设置在波长转换部400上, 并覆盖波长转换部400的上部。 因此, 可以有 效地减少或防止湿气渗入波长转换部400的上部。 覆盖部501可以包括包含玻璃的材料, 或 者可以由包含玻璃的材料形成。 0143 图11是示出根据第三实施例的发光器件103的剖视图。 0144 根据第三实施例的发光器件103具有覆盖部502仅覆盖波长转换部400的上部而不 是覆盖部502覆盖波长转换部。

46、400的上部和侧部两者的结构, 这与图10中示出的发光器件 102的结构不同。 0145 图12是示出根据第四实施例的发光器件104的剖视图。 0146 根据第四实施例的发光器件104具有将下填充部310设置为使发光元件100的上部 是敞开的而不是下填充部310覆盖发光元件100的上部的结构, 这与在图11中示出的发光器 件103的结构不同。 在这样的实施例中, 不必由透明材料形成下填充部310, 下填充部310可 以包括可易于向上反射从发光元件100发射的光的反射材料, 或者可以由可易于向上反射 从发光元件100发射的光的反射材料形成。 0147 在下文中, 将参照图13描述根据第五实施例的。

47、背光单元105。 0148 图13是示出根据第五实施例的背光单元105的剖视图。 0149 参照图13, 背光单元105包括基底512、 位于基底512上的光源511和位于光源511的 上部上的至少一个光学片513。 光源511是根据第二实施例的发光器件102。 0150 根据第五实施例的背光单元105朝向设置有LCD面板的上部发光。 0151 图14是示出根据第六实施例的背光单元106的剖视图。 0152 根据第六实施例的背光单元106在侧向方向上发光而不是在向上方向上发光。 0153 详细地, 在根据第六实施例的背光单元106中, 安装在基底602上的光源601在侧向 方向上发光, 以这样。

48、的方式发射的光可以入射到导光板603以被转换成面光源的形式。 透射 过导光板603的光向上发射, 反射层604设置在导光板603的下表面上, 从而提高光提取效 率。 在这里, 光源601是根据第二实施例的发光器件102。 0154 在下文中, 将参照图15描述根据第七实施例的显示装置107。 0155 图15是示出根据第七实施例的显示装置107的分解透视图。 0156 参照图15, 根据第七实施例的显示装置107包括下盖701、 反射片710、 基底720、 光 学膜、 显示面板750和上盖760, 基底720包括光源702, 光学膜包括漫射片730和棱镜片740。 在这里, 光源702是根据。

49、第二实施例的发光器件102。 另外, 基底720可以是可将电力和电信 说明书 9/10 页 12 CN 106433625 A 12 号传输到光源702的电路板。 0157 下盖701可以具有在上表面中具有开口的盒的形状, 并可以容纳光源702。 上盖760 围绕包括漫射片730和棱镜片740的光学膜的边缘部分, 并可以装配到下盖701以与其结合。 0158 漫射片730可以散射从光源702发射的光, 以使光均匀地照射到面板的整个部分, 棱镜片740可以增强由漫射片730散射的光的亮度。 虽然未示出, 但是为了保护棱镜片740, 还可以在棱镜片740上方设置保护片。 0159 显示面板750可以设置在包括漫射片730和棱镜片740的光学膜与上盖760之间。 显 示面板750可以是LCD面板。 LCD面板可以包括彼此面对的一对下基底(未示出)和上基底(未 示出)与置于其间的液晶层。 0160 滤色器、 黑色矩阵和共电极等设置在上基底中。 0161 薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的像素电极可以设置在下基底中。 在这里, 基于 液晶的模式, 设置在上基底中的共电极可以形成在下基底中, 形成在上基底中以增加开口 率的滤色器或黑色矩阵等可以形成在下基底中。 0162 如上面阐述的, 根据实施例的表面改性磷光体具有磷光体基质的。

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