一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN201610291824.8	申请日：	20160505
公开号：	CN105820760A	公开日：	20160803
当前法律状态：		有效性：	有效
法律详情：
IPC分类号：	C09G1/02	主分类号：	C09G1/02
申请人：	济南大学
发明人：	李慧芝,许崇娟,翟涛
地址：	250022 山东省济南市南辛庄西路路336号
优先权：	CN201610291824A
专利代理机构：	济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)	代理人：	李茜
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内容摘要

本发明公开了一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基硅油：70~78%，羟基亚乙基二磷酸：2.0~5.0%，甘油：2.0~5.0%，硬脂酸：0.5~2.0%，AlN‑‑Al2O3‑CeO2‑MgO复合物：12~20%，各组分之和为百分之百，以200转/分的转速，搅拌反应2~4 h，即得磁盘基片抛光的抛光液，其中磨料的粒径在20~100nm之间。该制备工艺简单，条件易于控制，生产成本低，易于工业化生产。抛光过程，具有液体抛光效果好，光泽度，无划痕，平整度高，用量少，防腐蚀，容易洗涤。

权利要求书

1.一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1）A液制备：在反应器中，按质量百分浓度加入，去离子水：50~58%，分散剂：0.5~1.5%，草酸铵：15~22%，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝：8~14%，α-AlO：12~20%，各组分之和为百分之百，搅拌反应1h，制成均匀浆液得到A液；（2）B液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水：60~68%，硝酸铈铵：22~30%，氯化镁：6~12%，各组分之和为百分之百，搅拌溶解，制得B液；（3）AlN--AlO-CeO-MgO复合物的制备：在反应器中，按如下组成体积百分浓度加入，A液：52~60%，B液：40~48%，搅拌，温度升至75±3℃，反应4~6h，固液分离，水洗至中性，固体经110℃干燥后，在900~950℃焙烧4~6h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN--AlO-CeO-MgO复合物，其粒径为20~100nm；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基硅油：70~78%，羟基亚乙基二磷酸：2.0~5.0%，甘油：2.0~5.0%，硬脂酸：0.5~2.0%，AlN--AlO-CeO-MgO复合物：12~20%，各组分之和为百分之百，以200转/分的转速，搅拌反应2~4h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 2.根据权利要求1所述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的分散剂为酒石酸钠或六偏磷酸钠或焦磷酸钠中一种或几种。 3.根据权利要求1所述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的氮化铝、α-AlO粉体磨料的粒径小于100nm。 4.根据权利要求1所述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，步骤（4）所述的二甲基硅油的分子量在2000~4000之间。 5.根据权利要求1所述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法所制备的磁盘基片抛光的抛光液。

说明书

技术领域

本发明涉及的是一种抛光液的制备技术领域，特别涉及一种用于磁盘基片抛光的抛光液的制备方法及用于磁盘基片和磁头的抛光中。

背景技术

磁盘基片一般是由铝镁合金或玻璃材料制造的，随着计算机工业的迅猛发展，特别是随着计算机磁盘存储密度的迅速提高，要求磁头去读更小、更弱的信号，因而磁头与磁盘介质之间的距离进一步减少以提高输出信号的强度。目前，磁头与磁盘间隙已降低到10nm左右，磁头和磁盘的表面粗糙、划痕和杂质粒子均会对计算机磁盘造成致命的危害，微米级抛光液已不能适应计算机磁盘与磁头抛光的发展要求。预计下一代计算机磁头与磁盘间隙将降低到7-8nm，并且已有人在进行磁头与磁盘间准接触乃至直接接触读写研究。随着磁头与磁盘间运行如此接近，对磁盘表面质量的要求也越来越高。当磁盘表面具有波度时，磁头就会随着高速旋转的存储器硬盘的波动上下运动。然而，如果波度超过一定的高度时，磁头就不再能随着波动运动，它就会与磁盘基片表面碰撞，发生所谓的“磁头压碎”，磁头压碎会使磁头和存储器硬盘表面上的磁介质损坏，从导致磁盘设备发生故障或读写信息错误。当磁盘表面存在微米级微凸时就会使磁头压碎。当磁盘表面存在凹坑时，就不能完整地写入信息，从而导致信息读出失败。因此，在形成磁介质之前，对磁盘基片进行超精细抛光，使基片的表面粗糙度和波纹度降至最小十分重要，同时必须完全去除微凸、细凹坑、抛光痕迹、表面尘埃等表面缺陷。

近年来，已有一些专利报道了磁盘基片的抛光组合物及抛光方法，中国专利申请号为201110058816.6中公开了硬盘磁头的抛光液及其制备方法，其特点，主要由金刚石磨粒、分散剂、缓蚀剂、相转移剂、油相介质调节剂和烃类溶剂配制而成；中国专利申请号为201410792152.X中公考了一种用于计算机硬盘的抛光液及其制备方法，，其特征是包括按重量份计：离子水15~25份、氧化剂2~5份、有机络合剂3~6份和研磨剂65~80份；所述氧化剂为过氧醋酸、超氯酸盐、硝酸铁或过氧异丁酸中的至少一种，所述有机络合剂为有机胺、有机酸或有机磷中的至少一种，所述研磨剂为氧化镁溶胶；中国专利申请号为201410157503.X中公开了一种计算机硬盘抛光液及其制备方法，，其特征在于包括如下组分：氧化剂1~2份，有机螯合剂2~3份，有机胺0.2~1份，磨料氧化镁溶胶1~15份，去离子水20~30份，以重量份计；所述氧化剂为过氧醋酸或过氧异丁酸；所述有机胺为三乙胺或二异丁基胺。本发明组分形成中性及碱性的抛光液；中国专利申请号为02155461.7中公开了一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料，其特点，抛光浆料含有磨料、氧化剂和水。

抛光磨料通常由氧化铈、氧化铝、氧化硅、氧化铁、氧化锆、氧化铬、氧化锡等组份组成，不同的材料的硬度不同，在液体中的化学性质也不同，因此使用场合各不相同。金刚石和氮化铝的莫氏硬度为10，氮化硼和氮化硅莫氏硬度为9.5，氧化铝和氧化铬的莫氏硬度为9，氧化铈和氧化锆为7，氧化铁更低，在抛光过程中，要加入抛光液，抛光液中磨料的软硬度、颗粒大小、均匀程度在抛光规程中起到十分重要作用。

传统的化学机械抛光(CMP)技术是目前计算机硬盘加工的重要手段，在化学作用和机械作用的结合下实现材料的去除和工件表面的平坦化，虽然工件的材料去除率很高，但是抛光过程中由于纳米磨粒硬度大，易团聚，分散性差，使得工件表面容易造成凹陷、腐蚀、微划痕和颗粒残留等损伤，这些表面损伤很难再通过CMP技术除去，从而形成不易克服的硬盘表面的缺陷，不能很好地满足当前对硬盘表面原子级材料表面平整工艺的要求。

现有的抛光液为酸性，具有一定的腐蚀性，应用于计算机硬盘时容易对计算机硬盘的边缘产生损伤，且容易影响抛光机的寿命。

氮化铝，化学式为AlN，是共价键化合物，属于六方晶系，铅锌矿型的晶体结构，呈白色或灰白色，是一种重要的结构材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；高温时抗氧化，切削能力较强，化学性质稳定，而且它还能抵抗冷热冲击。本申请将氮化铝与氧化镁、氧化铈、氧化铝，硬脂酸钙、缓蚀剂、分散剂等制备一种用于磁盘基片抛光的抛光液，该抛光液具有硬度高、流动性好、软硬度不能互补、缓蚀等优点，保证了磁盘、磁头的抛光质量。

发明内容

本发明的目是提供一种用于磁盘基片抛光的抛光液的制备方法；本发明的目的通过以下技术方案实现。

一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：

（1）A液制备：在反应器中，按质量百分浓度加入，去离子水：50~58%，分散剂：0.5~1.5%，草酸铵：15~22%，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝：8~14%，α-Al2O3：12~20%，各组分之和为百分之百，搅拌反应1h，制成均匀浆液得到A液；

（2）B液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水：60~68%，硝酸铈铵：22~30%，氯化镁：6~12%，各组分之和为百分之百，搅拌溶解，制得B液；

（3）AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，按如下组成体积百分浓度加入，A液：52~60%，B液：40~48%，搅拌，温度升至75±3℃，反应4~6h，固液分离，水洗至中性，固体经110℃干燥后，在900~950℃焙烧4~6h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20~100nm；

（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基硅油：70~78%，羟基亚乙基二磷酸：2.0~5.0%，甘油：2.0~5.0%，硬脂酸：0.5~2.0%，AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物：12~20%，各组分之和为百分之百，以200转/分的转速，搅拌反应2~4h，即得磁盘基片抛光的抛光液。

在一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法中，步骤（1）所述的分散剂为酒石酸钠或六偏磷酸钠或焦磷酸钠中一种或几种。

在一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法中，步骤（1）所述的氮化铝、α-Al2O3粉体磨料的粒径小于100nm。

在一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法中，步骤（4）所述的二甲基硅油的分子量在2000~4000之间。

本发明所述的颗粒度测试方法是采用激光粒度仪测得的粒度当量直径尺寸。

本发明所得到的磁盘基片抛光的抛光液使用方法：即可以直接用于磁盘基片抛光，每平方米用量为60~80g。

本发明与现有技术比较，具有如下优点及有益效果：

（1）本发明制得一种用于磁盘基片抛光的抛光液，在制备AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物过程中，采用加入草酸铵加热分解出草酸，使硝酸铈铵、氯化镁与草酸生成草酸铈沉淀和草酸镁沉淀，由于草酸铵加热分解出草酸是有加热时间和温度控制的，整个沉淀是均相沉淀，所以年形成的草酸生成草酸铈沉淀和草酸镁沉淀的颗粒细小而均匀，经过灼烧氧化后使CeO2、MgO沉淀的颗粒细小均匀分布在AlN和α-Al2O3表面上，具有中位径粒小，粒度分布范围窄的特点。

（2）本发明获得一种用于磁盘基片抛光的抛光液，制备工艺简单，条件易于控制，生产成本低，易于工业化生产。

（3）本发明获得大理石抛光液,由于磨料是AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物，复合物中AlN的硬度高具有优良的切削率，α-Al2O3具有中等强度，同时表面附着的CeO2具有优良的抛光性能，MgO的硬度很软，因此，流动性好、软硬度不能互补、抛光液的抛光效果好，光泽度，划痕数量少，平整度高，用量少。

（4）本发明获得一种用于磁盘基片抛光的抛光液,由于是液态避免了粉体的污染，同时溶液清洗，还具有防腐作用。

具体实施方式

实施例1

（1）A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：54mL，酒石酸钠：1.0g，草酸铵：18g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝：11g，α-Al2O3：16g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；

（2）B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：64mL，硝酸铈铵：25g，氯化镁：11g，搅拌溶解，制得B液；

（3）AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入，A液：56mL，B液：44mL，搅拌，温度升至75±3℃，反应5h，固液分离，水洗至中性，固体经110℃干燥后，在900~950℃焙烧5h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20~100nm；

（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油：74mL，羟基亚乙基二磷酸：3mL，甘油：3mL，硬脂酸：1.0g，AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物：19g，以200转/分的转速，搅拌反应3h，即得磁盘基片抛光的抛光液。

实施例2

（1）A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：58mL，六偏磷酸钠：0.5g，草酸铵：22g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝：8g，α-Al2O3：12g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；

（2）B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：68mL，硝酸铈铵：22g，氯化镁：10g，搅拌溶解，制得B液；

（3）AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入，A液：52mL，B液：48mL，搅拌，温度升至75±3℃，反应4h，固液分离，水洗至中性，固体经110℃干燥后，在900~950℃焙烧4h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20~100nm；

（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油：70mL，羟基亚乙基二磷酸：5mL，甘油：5mL，硬脂酸：2.0g，AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物：18g，以200转/分的转速，搅拌反应2h，即得磁盘基片抛光的抛光液。

实施例3

（1）A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：50mL，酒石酸钠：1.5g，草酸铵：15g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝：13g，α-Al2O3：20g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；

（2）B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：60mL，硝酸铈铵：28g，氯化镁：12g，搅拌溶解，制得B液；

（3）AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入，A液：60mL，B液：40mL，搅拌，温度升至75±3℃，反应6h，固液分离，水洗至中性，固体经110℃干燥后，在900~950℃焙烧6h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20~100nm；

（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油：78mL，羟基亚乙基二磷酸：4mL，甘油：4mL，硬脂酸：2.0g，AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物：12g，以200转/分的转速，搅拌反应4h，即得磁盘基片抛光的抛光液。

实施例4

（1）A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：52mL，焦磷酸钠：0.5g，草酸铵：17g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝：12g，α-Al2O3：18g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；

（2）B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：62mL，硝酸铈铵：30g，氯化镁：8g，搅拌溶解，制得B液；

（3）AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入，A液：54mL，B液：46mL，搅拌，温度升至75±3℃，反应4.5h，固液分离，水洗至中性，固体经110℃干燥后，在900~950℃焙烧4.5h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20~100nm；

（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油：76mL，羟基亚乙基二磷酸：2mL，甘油：5mL，硬脂酸：0.5g，AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物：16g，以200转/分的转速，搅拌反应2.5h，即得磁盘基片抛光的抛光液。

实施例5

（1）A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：112mL，六偏磷酸钠：2g，草酸铵：40g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝：20g，α-Al2O3：28g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；

（2）B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水：132mL，硝酸铈铵：56g，氯化镁：12g，搅拌溶解，制得B液；

（3）AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入，A液：116mL，B液：84mL，搅拌，温度升至75±3℃，反应5.5h，固液分离，水洗至中性，固体经110℃干燥后，在900~950℃焙烧5.5h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20~100nm；

（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油：144mL，羟基亚乙基二磷酸：10mL，甘油：4mL，硬脂酸：2.0g，AlN--Al2O3-CeO2-MgO复合物：40g，以200转/分的转速，搅拌反应3.5h，即得磁盘基片抛光的抛光液。

使用方法：即可以直接用于磁盘基片抛光，每平方米用量为60~80g。将抛光液撒到磁盘基片上，每平方米用量为60~80g。抛光过程无粉尘污染。该抛光液抛光后的磁盘基片完全可以达到磁盘的要求。

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610291824.8 (22)申请日 2016.05.05 (71)申请人济南大学地址 250022 山东省济南市南辛庄西路路 336号 (72)发明人李慧芝许崇娟翟涛 (74)专利代理机构济南誉丰专利代理事务所 (普通合伙企业) 37240 代理人李茜 (51)Int.Cl. C09G 1/02(2006.01) (54)发明名称一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法 (57)摘要本发明公开了一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，该方法具有。

2、以下工艺步骤：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基硅油： 7078%，羟基亚乙基二磷酸： 2.05.0%，甘油： 2.05.0%，硬脂酸： 0.52.0%， AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物： 1220%，各组分之和为百分之百，以200转/分的转速，搅拌反应24 h，即得磁盘基片抛光的抛光液，其中磨料的粒径在20100nm之间。该制备工艺简单，条件易于控制，生产成本低，易于工业化生产。抛光过程，具有液体抛光效果好，光泽度，无划痕，平整度高，用量少，防腐蚀，容易洗涤。权利要求书1页说明书5页 CN 10582076。

3、0 A 2016.08.03 CN 105820760 A 1.一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1） A液制备：在反应器中，按质量百分浓度加入，去离子水： 5058%，分散剂： 0.51.5%，草酸铵： 1522%，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝： 814%， -Al2O3： 1220%，各组分之和为百分之百，搅拌反应1h，制成均匀浆液得到A液；（2） B液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水： 6068%，硝酸铈铵： 2230%，氯化镁： 612%，各组分之和为百分之百，搅拌溶解，制得B。

4、液；（3） AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，按如下组成体积百分浓度加入， A液： 5260%， B液： 4048%，搅拌，温度升至753，反应46h，固液分离，水洗至中性，固体经110干燥后，在900950焙烧46h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20100nm；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基硅油： 7078%，羟基亚乙基二磷酸： 2.05.0%，甘油： 2.05.0%，硬脂酸： 0.52.0%， AlN- Al2O3-C。

5、eO2-MgO复合物： 1220%，各组分之和为百分之百，以200转/分的转速，搅拌反应24 h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 2.根据权利要求1所述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的分散剂为酒石酸钠或六偏磷酸钠或焦磷酸钠中一种或几种。 3.根据权利要求1所述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的氮化铝、 -Al2O3粉体磨料的粒径小于100nm。 4.根据权利要求1所述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，步骤（4）所述的二甲基硅油的分子量在20004000之间。 5.根据权利要求1所。

6、述的一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法所制备的磁盘基片抛光的抛光液。权利要求书 1/1 页 2 CN 105820760 A 2 一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法技术领域 0001 本发明涉及的是一种抛光液的制备技术领域，特别涉及一种用于磁盘基片抛光的抛光液的制备方法及用于磁盘基片和磁头的抛光中。背景技术 0002 磁盘基片一般是由铝镁合金或玻璃材料制造的，随着计算机工业的迅猛发展，特别是随着计算机磁盘存储密度的迅速提高，要求磁头去读更小、更弱的信号，因而磁头与磁盘介质之间的距离进一步减少以提高输出信号的强度。目前，磁头与磁盘间隙已降低到 10nm左右，磁。

7、头和磁盘的表面粗糙、划痕和杂质粒子均会对计算机磁盘造成致命的危害，微米级抛光液已不能适应计算机磁盘与磁头抛光的发展要求。预计下一代计算机磁头与磁盘间隙将降低到7-8nm，并且已有人在进行磁头与磁盘间准接触乃至直接接触读写研究。随着磁头与磁盘间运行如此接近，对磁盘表面质量的要求也越来越高。当磁盘表面具有波度时，磁头就会随着高速旋转的存储器硬盘的波动上下运动。然而，如果波度超过一定的高度时，磁头就不再能随着波动运动，它就会与磁盘基片表面碰撞，发生所谓的 “磁头压碎” ，磁头压碎会使磁头和存储器硬盘表面上的磁介质损坏，从导致磁盘设备发生故障或读写信息错误。当。

8、磁盘表面存在微米级微凸时就会使磁头压碎。当磁盘表面存在凹坑时，就不能完整地写入信息，从而导致信息读出失败。因此，在形成磁介质之前，对磁盘基片进行超精细抛光，使基片的表面粗糙度和波纹度降至最小十分重要，同时必须完全去除微凸、细凹坑、抛光痕迹、表面尘埃等表面缺陷。 0003 近年来，已有一些专利报道了磁盘基片的抛光组合物及抛光方法，中国专利申请号为201110058816.6中公开了硬盘磁头的抛光液及其制备方法，其特点，主要由金刚石磨粒、分散剂、缓蚀剂、相转移剂、油相介质调节剂和烃类溶剂配制而成；中国专利申请号为 201410792152.X中公考了。

9、一种用于计算机硬盘的抛光液及其制备方法，，其特征是包括按重量份计：离子水1525份、氧化剂25份、有机络合剂36份和研磨剂6580份；所述氧化剂为过氧醋酸、超氯酸盐、硝酸铁或过氧异丁酸中的至少一种，所述有机络合剂为有机胺、有机酸或有机磷中的至少一种，所述研磨剂为氧化镁溶胶；中国专利申请号为 201410157503.X中公开了一种计算机硬盘抛光液及其制备方法，，其特征在于包括如下组分：氧化剂12份，有机螯合剂23份，有机胺0.21份，磨料氧化镁溶胶115份，去离子水2030份，以重量份计；所述氧化剂为过氧醋酸或过氧异丁酸；所述有机胺为三乙。

10、胺或二异丁基胺。本发明组分形成中性及碱性的抛光液；中国专利申请号为02155461.7中公开了一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料，其特点，抛光浆料含有磨料、氧化剂和水。 0004 抛光磨料通常由氧化铈、氧化铝、氧化硅、氧化铁、氧化锆、氧化铬、氧化锡等组份组成，不同的材料的硬度不同，在液体中的化学性质也不同，因此使用场合各不相同。金刚石和氮化铝的莫氏硬度为10，氮化硼和氮化硅莫氏硬度为9.5，氧化铝和氧化铬的莫氏硬度为9，氧化铈和氧化锆为7，氧化铁更低，在抛光过程中，要加入抛光液，抛光液中磨料的软硬度、颗粒大小、均匀程度在抛光规程中起。

11、到十分重要作用。说明书 1/5 页 3 CN 105820760 A 3 0005 传统的化学机械抛光(CMP)技术是目前计算机硬盘加工的重要手段，在化学作用和机械作用的结合下实现材料的去除和工件表面的平坦化，虽然工件的材料去除率很高，但是抛光过程中由于纳米磨粒硬度大，易团聚，分散性差，使得工件表面容易造成凹陷、腐蚀、微划痕和颗粒残留等损伤，这些表面损伤很难再通过CMP技术除去，从而形成不易克服的硬盘表面的缺陷，不能很好地满足当前对硬盘表面原子级材料表面平整工艺的要求。 0006 现有的抛光液为酸性，具有一定的腐蚀性，应用于计算机硬盘时容易对计算机硬盘的边缘。

12、产生损伤，且容易影响抛光机的寿命。 0007 氮化铝，化学式为AlN，是共价键化合物，属于六方晶系，铅锌矿型的晶体结构，呈白色或灰白色，是一种重要的结构材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；高温时抗氧化，切削能力较强，化学性质稳定，而且它还能抵抗冷热冲击。本申请将氮化铝与氧化镁、氧化铈、氧化铝，硬脂酸钙、缓蚀剂、分散剂等制备一种用于磁盘基片抛光的抛光液，该抛光液具有硬度高、流动性好、软硬度不能互补、缓蚀等优点，保证了磁盘、磁头的抛光质量。发明内容 0008 本发明的目是提供一种用于磁盘基片抛光的抛光液的制备方法；本发。

13、明的目的通过以下技术方案实现。 0009 一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1） A液制备：在反应器中，按质量百分浓度加入，去离子水： 5058%，分散剂： 0.51.5%，草酸铵： 1522%，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝： 814%， -Al2O3： 1220%，各组分之和为百分之百，搅拌反应1h，制成均匀浆液得到A液；（2） B液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水： 6068%，硝酸铈铵： 2230%，氯化镁： 612%，各组分之和为百分之百，搅拌溶解，制得B液；（3） Al。

14、N-Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，按如下组成体积百分浓度加入， A液： 5260%， B液： 4048%，搅拌，温度升至753，反应46h，固液分离，水洗至中性，固体经110干燥后，在900950焙烧46h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20100nm；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基硅油： 7078%，羟基亚乙基二磷酸： 2.05.0%，甘油： 2.05.0%，硬脂酸： 0.52.0%， AlN- Al2O3-CeO2-MgO复合。

15、物： 1220%，各组分之和为百分之百，以200转/分的转速，搅拌反应24 h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 0010 在一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法中，步骤（1）所述的分散剂为酒石酸钠或六偏磷酸钠或焦磷酸钠中一种或几种。 0011 在一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法中，步骤（1）所述的氮化铝、 -Al2O3粉体磨料的粒径小于100nm。 0012 在一种用于磁盘基片抛光的抛光液制备方法中，步骤（4）所述的二甲基硅油的分子量在20004000之间。 0013 本发明所述的颗粒度测试方法是采用激光粒度仪测得的粒度当量直径尺寸。说明书 2/5 页 4 C。

16、N 105820760 A 4 0014 本发明所得到的磁盘基片抛光的抛光液使用方法：即可以直接用于磁盘基片抛光，每平方米用量为6080g。 0015 本发明与现有技术比较，具有如下优点及有益效果：（1）本发明制得一种用于磁盘基片抛光的抛光液，在制备AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物过程中，采用加入草酸铵加热分解出草酸，使硝酸铈铵、氯化镁与草酸生成草酸铈沉淀和草酸镁沉淀，由于草酸铵加热分解出草酸是有加热时间和温度控制的，整个沉淀是均相沉淀，所以年形成的草酸生成草酸铈沉淀和草酸镁沉淀的颗粒细小而均匀，经过灼烧氧化后使 CeO2、 MgO沉淀的颗粒细小均匀分。

17、布在AlN和 -Al2O3表面上，具有中位径粒小，粒度分布范围窄的特点。 0016 （2）本发明获得一种用于磁盘基片抛光的抛光液，制备工艺简单，条件易于控制，生产成本低，易于工业化生产。 0017 （3）本发明获得大理石抛光液,由于磨料是AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，复合物中 AlN的硬度高具有优良的切削率， -Al2O3具有中等强度，同时表面附着的CeO2具有优良的抛光性能， MgO的硬度很软，因此，流动性好、软硬度不能互补、抛光液的抛光效果好，光泽度，划痕数量少，平整度高，用量少。 0018 （4）本发明获得一种用于磁盘基片抛光的抛光。

18、液,由于是液态避免了粉体的污染，同时溶液清洗，还具有防腐作用。具体实施方式 0019 实施例1 （1） A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 54mL，酒石酸钠： 1.0g，草酸铵： 18g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝： 11g， -Al2O3： 16g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；（2） B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 64mL，硝酸铈铵： 25g，氯化镁： 11g，搅拌溶解，制得B液；（3） AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入， A液： 56mL， B液： 44mL，搅拌，温度。

19、升至753，反应5h，固液分离，水洗至中性，固体经110干燥后，在900 950焙烧5h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20100nm；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油： 74mL，羟基亚乙基二磷酸： 3mL，甘油： 3mL，硬脂酸： 1.0g， AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物： 19g，以200转/分的转速，搅拌反应3h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 0020 实施例2 （1） A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 58mL，六偏磷酸钠： 0.5g。

20、，草酸铵： 22g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝： 8g， -Al2O3： 12g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；（2） B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 68mL，硝酸铈铵： 22g，氯化镁： 10g，搅拌溶解，制得B液；（3） AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入， A液： 52mL， B液： 48mL，搅拌，温度升至753，反应4h，固液分离，水洗至中性，固体经110干燥后，在900 950焙烧4h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20100n。

21、m；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油： 70mL，羟基亚乙说明书 3/5 页 5 CN 105820760 A 5 基二磷酸： 5mL，甘油： 5mL，硬脂酸： 2.0g， AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物： 18g，以200转/分的转速，搅拌反应2h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 0021 实施例3 （1） A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 50mL，酒石酸钠： 1.5g，草酸铵： 15g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝： 13g， -Al2O3： 20g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；（2）。

22、B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 60mL，硝酸铈铵： 28g，氯化镁： 12g，搅拌溶解，制得B液；（3） AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入， A液： 60mL， B液： 40mL，搅拌，温度升至753，反应6h，固液分离，水洗至中性，固体经110干燥后，在900 950焙烧6h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20100nm；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油： 78mL，羟基亚乙基二磷酸： 4mL，甘油： 4。

23、mL，硬脂酸： 2.0g， AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物： 12g，以200转/分的转速，搅拌反应4h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 0022 实施例4 （1） A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 52mL，焦磷酸钠： 0.5g，草酸铵： 17g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝： 12g， -Al2O3： 18g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；（2） B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 62mL，硝酸铈铵： 30g，氯化镁： 8g，搅拌溶解，制得B液；（3） AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应。

24、器中，分别加入， A液： 54mL， B液： 46mL，搅拌，温度升至753，反应4.5h，固液分离，水洗至中性，固体经110干燥后，在 900950焙烧4.5h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20 100nm；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油： 76mL，羟基亚乙基二磷酸： 2mL，甘油： 5mL，硬脂酸： 0.5g， AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物： 16g，以200转/分的转速，搅拌反应2.5h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 0023 实施例5 （1）。

25、 A液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 112mL，六偏磷酸钠： 2g，草酸铵： 40g，搅拌溶解后，加入纳米氮化铝： 20g， -Al2O3： 28g，搅拌反应1h，制成均匀浆液为A液；（2） B液制备：在反应器中，分别加入，去离子水： 132mL，硝酸铈铵： 56g，氯化镁： 12g，搅拌溶解，制得B液；（3） AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物的制备：在反应器中，分别加入， A液： 116mL， B液： 84mL，搅拌，温度升至753，反应5.5h，固液分离，水洗至中性，固体经110干燥后，在 900950焙烧5.5。

26、h，冷却后，经气流粉碎，即得AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物，其粒径为20 100nm；（4）磁盘基片抛光的抛光液制备：在反应器中，分别加入，二甲基硅油： 144mL，羟基亚乙基二磷酸： 10mL，甘油： 4mL，硬脂酸： 2.0g， AlN-Al2O3-CeO2-MgO复合物： 40g，以200转/分的转速，搅拌反应3.5h，即得磁盘基片抛光的抛光液。 0024 使用方法：即可以直接用于磁盘基片抛光，每平方米用量为6080g。将抛光液撒到磁盘基片上，每平方米用量为6080g。抛光过程无粉尘污染。该抛光液抛光后的磁盘基片完说明书 4/5 页 6 CN 105820760 A 6 全可以达到磁盘的要求。说明书 5/5 页 7 CN 105820760 A 7 。

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