说明
本发明涉及苯并噻吩并噻吩异靛聚合物、这些聚合物的制备方法、中间体、包含这些聚合物的电子器件以及这些聚合物作为半导体材料的用途。
有机半导体材料可用于电子器件，如有机光伏器件(OPVs)、有机场效应晶体管(OFETs)、有机发光二极管(OLEDs)、有机光电二极管(OPDs)和有机电致变色器件(ECDs)。
有机半导体材料最好与液体加工技术(如旋涂)相容，因为液体加工技术从可加工性的角度看方便，因此能够制造基于低成本有机半导体材料的电子器件。此外，液体加工技术也与塑料基底相容，因此能够制造基于轻质和机械柔性的有机半导体材料的电子器件。
为了用于有机光伏器件(OPVs)、有机场效应晶体管(OFETs)和有机光电二极管(OPDs)，该有机半导体材料更合意地表现出高载流子迁移率。
为了用于有机光伏器件(OPVs)和有机光电二极管(OPDs)，该有机半导体材料还应表现出对可见光和近红外线的强吸收。
异靛型化合物作为电子器件中的半导体材料的用途是本领域中已知的。
WO 2009/053291描述了包含下列单元的半导体聚合物
和包含这些聚合物的有机场效应晶体管。
本发明的目的是提供有机半导体材料。
通过权利要求1的聚合物、权利要求10的方法、权利要求11的中间体和权利要求12和13的电子器件和权利要求14的用途解决这一目的。
本发明的聚合物包含至少一种式(1)的单元
其中
R1在每种情况下选自H、C1-100-烷基、C2-100-烯基、C2-100-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基、5至20元杂芳基、C(O)-C1-100-烷基、C(O)-C5-12-环烷基和C(O)-OC1-100-烷基，
其中
C1-100-烷基、C2-100-烯基和C2-100-炔基可以被1至40个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素、CN和NO2的取代基取代；且C1-100-烷基、C2-100-烯基和C2-100-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素、CN和NO2的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO替代，
C6-18-芳基和5至20元杂芳基可以被1至6个独立地选自C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRaRb、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、N[C(O)Ra][C(O)Rb]、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素、CN和NO2的取代基取代，
其中
Ra和Rb独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、O-C1-60-烷基、O-C2-60-烯基、O-C2-60-炔基、O-C5-8-环烷基、O-C6-14-芳基、O-5至14元杂芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif、NR5R6、卤素和O-C(O)-R5，
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、O-C1-60-烷基、O-C2-60-烯基、O-C2-60-炔基、O-C5-8-环烷基、O-C6-14-芳基、O-5至14元杂芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii、NR50R60、卤素和O-C(O)-R50；
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-环烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10元杂芳基、O-Si(CH3)3、NR500R600、卤素和O-C(O)-R500，
R5、R6、R50、R60、R500和R600独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
C1-60-烷基、C2-60-烯基和C2-60-炔基可以被1至20个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素、CN和NO2的取代基取代；且C1-60-烷基、C2-60-烯基和C2-60-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素、CN和NO2的取代基取代；且C5-8-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO替代，
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRcRd、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、N[C(O)Rc][C(O)Rd]、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rc和Rd独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-环烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10元杂芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio、NR7R8、卤素和O-C(O)-R7，
其中
q是1至50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-环烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10元杂芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir、NR70R80、卤素和O-C(O)-R70；
其中
r是1至50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-环烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10元杂芳基、O-Si(CH3)3、NR700R800、卤素和O-C(O)-R700，
R7、R8、R70、R80、R700和R800独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基和5至10元杂芳基，
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
R2在每种情况下选自氢、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基、5至20元杂芳基、OR21、OC(O)-R21、C(O)-OR21、C(O)-R21、NR21R22、NR21-C(O)R22、C(O)-NR21R22、N[C(O)R21][C(O)R22]、SR21、卤素、CN、SiRSisRSitRSiu和OH，
其中
R21和R22独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基，且
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、卤素、CN、SiRSisRSitRSiu和NO2的取代基取代；且C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、卤素、CN、SiRSisRSitRSiu和NO2的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRe或NRe-CO替代，
C6-18-芳基和5至20元杂芳基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、卤素、CN、SiRSisRSitRSiu和NO2的取代基取代，
其中
RSis、RSit和RSiu互相独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、苯基和O-Si(CH3)3，
Re和Rf独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rg和Rh独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
n是0、1、2或3，
m是0、1、2或3，
且
L1和L2彼此独立地并且在每种情况下选自C6-18-亚芳基、5至20元杂亚芳基，
其中
C6-18-亚芳基和5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、N[C(O)R31][C(O)R32]、SR31、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和OH的取代基R3取代，且
其中
可以被1或2个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41和CN的取代基R4取代，
其中
R31、R32、R41和R42彼此独立地并且在每种情况下选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基，且
其中
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO替代，
C6-18-芳基和5至20元杂芳基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代，
其中
RSiv、RSiw、RSix互相独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、苯基和O-Si(CH3)3，
Ri和Rj独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rk和Rl独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
卤素可以是F、Cl、Br和I。
C1-4-烷基、C1-10-烷基、C1-20-烷基、C1-30-烷基、C1-36-烷基、C1-50-烷基、C1-60-烷基和C1-100-烷基可以是支化或未支化的。C1-4-烷基的实例是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基和叔丁基。C1-10-烷基的实例是C1-4-烷基、正戊基、新戊基、异戊基、正-(1-乙基)丙基、正己基、正庚基、正辛基、正(2-乙基)己基、正壬基和正癸基。C1-20-烷基的实例是C1-10-烷基和正十一烷基、正十二烷基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基(C20)。C1-30-烷基、C1-36-烷基、C1-50-烷基、C1-60-烷基和C1-100-烷基的实例是C1-20-烷基和正-二十二烷基(C22)、正-二十四烷基(C24)、正-二十六烷基(C26)、正-二十八烷基(C28)和正-三十烷基(C30)。
C2-10-烯基、C2-20-烯基、C2-30-烯基、C2-60-烯基和C2-100-烯基可以是支化或未支化的。C1-20-烯基的实例是乙烯基、丙烯基、顺式-2-丁烯基、反式-2-丁烯基、3-丁烯基、顺式-2-戊烯基、反式-2-戊烯基、顺式-3-戊烯基、反式-3-戊烯基、4-戊烯基、2-甲基-3-丁烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基和十二碳烯基(docenyl)。C2-20-烯基、C2-60-烯基和C2-100-烯基的实例是C2-10-烯基和亚油基(C18)、亚麻基(C18)、油基(C18)和廿碳四烯基(arachidonyl)(C20)。C2-30-烯基的实例是C2-20-烯基和二十二烯基(C22)。
C2-10-炔基、C2-20-炔基、C2-30-炔基、C2-60-炔基和C2-100-炔基可以是支化或未支化的。C2-10-炔基的实例是乙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、壬炔基和癸炔基。C2-20-炔基、C2-30-烯基、C2-60-炔基和C2-100-炔基的实例是十一炔基、十二炔基、十一炔基(undecynyl)、十二炔基(dodecynyl)、十三炔基、十四炔基、十五炔基、十六炔基、十七炔基、十八炔基、十九炔基和二十炔基(C20)。
C5-6-环烷基的实例是环戊基和环己基。C5-8-环烷基的实例是C5-6-环烷基和环庚基和环辛基。C5-12-环烷基是C5-8-环烷基和环壬基、环癸基、环十一烷基和环十二烷基。
C6-10-芳基的实例是苯基、
C6-14-芳基的实例是C6-10-芳基和
C6-18-芳基的实例是C6-14-芳基和
5至10元杂芳基是5至10元单环或多环，如二环、三环或四环的环系，其包含至少一个杂芳环并且还可包含非芳环，其可被＝O取代。
5至14元杂芳基是5至14元单环或多环，如二环、三环或四环的环系，其包含至少一个杂芳环并且还可包含非芳环，其可被＝O取代。
5至20元杂芳基是5至20元单环或多环，如二环、三环或四环的环系，其包含至少一个杂芳环并且还可包含非芳环，其可被＝O取代。
5至10元杂芳基的实例是
5至14元杂芳基的实例是对5至10元杂芳基给出的实例和
5至20元杂芳基的实例是对5至14元杂芳基给出的实例和
其中
R100和R101独立地并且在每种情况下选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，或R100和R101如果连接到相同原子上，与它们连向的原子一起形成5至12元环系，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、卤素、CN和NO2的取代基取代；
5至12元环系可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORq、OC(O)-Rq、C(O)-ORq、C(O)-Rq、NRqRr、NRq-C(O)Rr、C(O)-NRqRr、N[C(O)Rq][C(O)Rr]、SRq、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rq和Rr独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
C6-18-亚芳基是6至18元单环或多环，如二环、三环或四环环系，其包含至少一个C-芳环并且还可包含非芳环，其可被＝O取代。
C6-18-亚芳基的实例是
其中
R102和R103独立地并且在每种情况下选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，或R102和R103如果连接到相同原子上，与它们连向的原子一起形成5至12元环系，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
5至12元环系可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rs和Rt独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
5至20元杂亚芳基是5至20元单环或多环，如二环、三环或四环环系，其包含至少一个杂芳环并且还可包含非芳环，其可被＝O取代。
5至20元杂亚芳基的实例是
其中
R104和R105独立地并且在每种情况下选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，或R104和R105如果连接到相同原子上，与它们连向的原子一起形成5至12元环系，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
5至12元环系可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rs和Rt独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
该5至12元环系除R100和R101、或R102和R103、或R104和R105连向的原子外还可含有选自CH2、O、S和NRu的环成员，其中Ru在每种情况下选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基。
优选地，本发明的聚合物包含基于该聚合物的重量计至少60重量％的式(I)的单元。
更优选地，本发明的聚合物包含基于该聚合物的重量计至少80重量％的式(I)的单元。
最优选地，本发明的聚合物基本由式(I)的单元构成。
优选地，R1在每种情况下选自H、C1-100-烷基、C2-100-烯基、C2-100-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基，
其中
C1-100-烷基、C2-100-烯基和C2-100-炔基可以被1至40个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C1-100-烷基、C2-100-烯基和C2-100-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRa或NRa-CO替代，
C6-18-芳基和5至20元杂芳基可以被1至6个独立地选自C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代，
其中
Ra和Rb独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、O-C1-60-烷基、O-C2-60-烯基、O-C2-60-炔基、O-C5-8-环烷基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie和RSif独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih和RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-60-烷基、C2-60-烯基和C2-60-炔基可以被1至20个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素和CN的取代基取代；且C1-60-烷基、C2-60-烯基和C2-60-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素和CN的取代基取代；且C5-8-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO替代，
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素和CN的取代基取代；
其中
Rc和Rd独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio，
其中
q是1至50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-环烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10元杂芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir、NR70R80、卤素和O-C(O)-R70；
其中
r是1至50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、O-C1-30-烷基、O-C2-30-烯基、O-C2-30-炔基、O-C5-6-环烷基、O-C6-10-芳基、O-5至10元杂芳基、O-Si(CH3)3、NR700R800、卤素和O-C(O)-R700，
R70、R80、R700和R800独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基和5至10元杂芳基，
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个选自卤素和CN的取代基取代。
更优选地，R1在每种情况下选自C1-100-烷基、C2-100-烯基和C2-100-炔基，
其中
C1-100-烷基、C2-100-烯基和C2-100-炔基可以被1至40个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORa、OC(O)-Ra、C(O)-ORa、C(O)-Ra、NRa-C(O)Rb、C(O)-NRaRb、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C1-100-烷基、C2-100-烯基和C2-100-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
其中
Ra和Rb独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie和RSif独立地选自H、C1-60-烷基、C2-60-烯基、C2-60-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-60-烷基、C2-60-烯基和C2-60-炔基可以被1至20个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素和CN的取代基取代；且C1-60-烷基、C2-60-烯基和C2-60-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素和CN的取代基取代；且C5-8-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRc或NRc-CO替代，
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、ORc、OC(O)-Rc、C(O)-ORc、C(O)-Rc、NRc-C(O)Rd、C(O)-NRcRd、SRc、Si(RSij)(RSik)(RSil)、-O-Si(RSij)(RSik)(RSil)、卤素和CN的取代基取代；
其中
Rc和Rd独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基，
RSij、RSik和RSil独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSimRSin]q-RSio，
其中
q是1至50的整数，
RSim、RSin、RSio独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSipRSiq]r-RSir，
其中
r是1至50的整数，
RSip、RSiq、RSir独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个选自卤素和CN的取代基取代。
再更优选地，R1在每种情况下选自C1-50-烷基、C2-50-烯基和C2-50-炔基，
其中
C1-50-烷基、C2-50-烯基和C2-50-炔基可以被1至20个独立地选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C1-50-烷基、C2-50-烯基和C2-50-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
其中
Ra独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基和C6-10-芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个选自卤素和CN的取代基取代。
最优选地，R1在每种情况下选自C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基，
其中
C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基可以被1至20个独立地选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
其中
Ra独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基和C6-10-芳基
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H、C1-30-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至10个选自卤素和CN的取代基取代。
特别地，R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基。
优选地，R2在每种情况下选自氢、C1-30-烷基和卤素，
其中
C1-30-烷基可以被1至10个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORe、OC(O)-Re、C(O)-ORe、C(O)-Re、NReRf、NRe-C(O)Rf、C(O)-NReRf、N[C(O)Re][C(O)Rf]、SRe、卤素、CN、SiRSisRSitRSiu和NO2的取代基取代；且C1-30-烷基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
其中
RSis、RSit和RSiu互相独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、苯基和O-Si(CH3)3，
Re和Rf独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORg、OC(O)-Rg、C(O)-ORg、C(O)-Rg、NRgRh、NRg-C(O)Rh、C(O)-NRgRh、N[C(O)Rg][C(O)Rh]、SRg、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rg和Rh独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
更优选地，R2在每种情况下选自氢、未取代的C1-30-烷基和卤素。
特别地，R2在每种情况下是氢。
n优选是0、1或2。n更优选是0或1。n最优选是0。
m优选是0、1或2。
优选地，L1和L2彼此独立地并且在每种情况下选自C6-18-亚芳基、5至20元杂亚芳基
和
其中
C6-18-亚芳基和5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和OH的取代基R3取代，且
其中
可以被1或2个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41和CN的取代基R4取代，
其中
R31、R32、R41和R42彼此独立地并且在每种情况下选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基，且
其中
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO替代，
C6-18-芳基和5至20元杂芳基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代，
其中
RSiv、RSiw、RSix互相独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、苯基和O-Si(CH3)3，
Ri和Rj独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rk和Rl独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
更优选地，L1和L2彼此独立地并且在每种情况下选自5至20元杂亚芳基
和
其中
5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和OH的取代基R3取代，且
其中
可以被1或2个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41和CN的取代基R4取代，
其中
R31、R32、R41和R42彼此独立地并且在每种情况下选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基，且
其中
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO替代，
C6-18-芳基和5至20元杂芳基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代，
其中
RSiv、RSiw、RSix互相独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、苯基和O-Si(CH3)3，
Ri和Rj独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rk和Rl独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
再更优选地，L1和L2彼此独立地并且在每种情况下选自5至20元杂亚芳基
和
其中5至20元杂亚芳基选自
其中
R104和R105独立地并且在每种情况下选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，或R104和R105如果连接到相同原子上，与它们连向的原子一起形成5至12元环系，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
5至12元环系可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rs和Rt独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
其中
5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基和卤素的取代基R3取代，且
其中
可以被1或2个在每种情况下选自C1-30-烷基、C(O)-R41、C(O)-OR41和CN的取代基R4取代，
其中
R41在每种情况下是C1-30-烷基。
最优选地，L1和L2彼此独立地并且在每种情况下是5至20元杂亚芳基，
其中5至20元杂亚芳基选自
其中
R104和R105独立地并且在每种情况下选自H和C1-20-烷基，
其中
5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基和卤素的取代基R3取代。
特别地，L1和L2彼此独立地并且在每种情况下是5至20元杂亚芳基，
其中5至20元杂亚芳基选自
其中
5至20元杂亚芳基是未取代的。
在包含至少一个式(1)的单元的优选聚合物中，
其中
n是0、1、2或3，
m是0、1、2或3，且
L1和L2彼此独立地并且在每种情况下选自C6-18-亚芳基、5至20元杂亚芳基
和
其中
C6-18-亚芳基和5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和OH的取代基R3取代，且
其中
可以被1或2个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41和CN的取代基R4取代，
其中
R31、R32、R41和R42彼此独立地并且在每种情况下选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基，且
其中
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO替代，
C6-18-芳基和5至20元杂芳基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代，
其中
RSiv、RSiw、RSix互相独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、苯基和O-Si(CH3)3，
Ri和Rj独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORk、OC(O)-Rl、C(O)-ORk、C(O)-Rk、NRkRl、NRk-C(O)Rl、C(O)-NRkRl、N[C(O)Rk][C(O)Rl]、SRk、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rk和Rl独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代。
R2在每种情况下选自氢、未取代的C1-30-烷基和卤素，
L1和L2彼此独立地并且在每种情况下选自5至20元杂亚芳基
和
其中
5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、OR31、OC(O)-R31、C(O)-OR31、C(O)-R31、NR31R32、NR31-C(O)R32、C(O)-NR31R32、SR31、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和OH的取代基R3取代，且
其中
可以被1或2个在每种情况下选自C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基、C(O)-R41、C(O)-NR41R42、C(O)-OR41和CN的取代基R4取代，
其中
R31、R32、R41和R42彼此独立地并且在每种情况下选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-12-环烷基、C6-18-芳基和5至20元杂芳基，且
其中
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个独立地选自C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
C5-12-环烷基可以被1至6个独立地选自C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基、5至14元杂芳基、ORi、OC(O)-Rj、C(O)-ORi、C(O)-Ri、NRiRj、NRi-C(O)Rj、C(O)-NRiRj、N[C(O)Ri][C(O)Rj]、SRi、卤素、CN、SiRSivRSiwRSix和NO2的取代基取代；且C5-12-环烷基的一个或两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O、S、OC(O)、CO、NRi或NRi-CO替代。
在再更优选的包含至少一个式(1)的单元的聚合物中
R1在每种情况下选自C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基，
其中
C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基可以被1至20个独立地选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
其中
Ra和Rb独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基和C6-10-芳基
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H、C1-30-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至10个选自卤素和CN的取代基取代，
R2在每种情况下选自未取代的氢、C1-30-烷基和卤素，
n是0或1，
m是0、1或2，且
L1和L2彼此独立地并且在每种情况下选自5至20元杂亚芳基
和
其中5至20元杂亚芳基选自
其中
R104和R105独立地并且在每种情况下选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-8-环烷基、C6-14-芳基和5至14元杂芳基，或R104和R105如果连接到相同原子上，与它们连向的原子一起形成5至12元环系，
其中
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至5个选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C5-8-环烷基可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
C6-14-芳基和5至14元杂芳基可以被1至5个独立地选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
5至12元环系可以被1至5个选自C1-10-烷基、C2-10-烯基、C2-10-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORs、OC(O)-Rt、C(O)-ORs、C(O)-Rs、NRsRt、NRs-C(O)Rt、C(O)-NRsRt、N[C(O)Rs][C(O)Rt]、SRs、卤素、CN和NO2的取代基取代；
其中
Rs和Rt独立地选自H、C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基，
其中
C1-10-烷基、C2-10-烯基和C2-10-炔基可以被1至5个选自卤素、CN和NO2的取代基取代，
其中
5至20元杂亚芳基可以被1至6个在每种情况下选自C1-30-烷基和卤素的取代基R3取代，且
其中
可以被1或2个在每种情况下选自C1-30-烷基、C(O)-R41、C(O)-OR41和CN的取代基R4取代，
其中
R41在每种情况下是C1-30-烷基。
在最优选的包含至少一个式(1)的单元的聚合物中
R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基，
R2是氢，
n是0，
m是0、1或2，且
L1和L2彼此独立地并且在每种情况下是5至20元杂亚芳基，
其中5至20元杂亚芳基选自
其中
5至20元杂亚芳基是未取代的。
本发明的特别优选的聚合物包含至少一个下式的单元
本发明的聚合物优选具有1至10000kDa的重均分子量(Mw)和1至10000kDa的数均分子量(Mn)。本发明的聚合物更优选具有1至1000kDa的重均分子量(Mw)和1至100kDa的数均分子量(Mn)。本发明的聚合物最优选具有10至100kDa的重均分子量(Mw)和5至60kDa的数均分子量(Mn)。重均分子量(Mw)和数均分子量(Mn)可以通过在80℃下使用氯苯作为洗脱剂和聚苯乙烯作为标样的凝胶渗透色谱法(GPC)测定。
本发明的聚合物可通过本领域中已知的方法制备。
例如，包含至少一个式(1)的单元的本发明的聚合物，其中n是0，并且其具有式(1-I)
其中
R1、R2和L2如上定义，
m是0、1、2或3，
可通过使式(2)的化合物与1摩尔当量式(3)的化合物反应制备
其中Y在每种情况下是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3，且R1和R2如上定义，
其中
L2如对式(1-I)的化合物所定义，且
Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2)、SnZ1Z2Z3、
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6彼此独立地并且在每种情况下是H或C1-4-烷基。
例如，包含至少一个式(1)的单元的本发明的聚合物，其中n和m是0，并且其具有式(1-II)
其中
R1和R2如上定义
可通过使式(2)的化合物与式(8)的化合物反应制备
其中Y在每种情况下是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3，且R1和R2如上定义，
其中
R1和R2如对式(1-II)的化合物所定义，且
Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2)、SnZ1Z2Z3、
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6彼此独立地并且在每种情况下是H或C1-4-烷基。
当Za和Zb独立地选自B(OZ1)(OZ2)、
时，
其中Z1、Z2、Z3、Z4、Z5和Z6彼此独立地并且在每种情况下是H或C1-4-烷基，
该反应通常在催化剂，优选Pd催化剂，如Pd(P(Ph)3)4、Pd(OAc)2和Pd2(dba)3，和碱，如K3PO4、Na2CO3、K2CO3、LiOH和NaOMe存在下进行。根据Pd催化剂，该反应还可能要求存在膦配体，如P(Ph)3、P(o-甲苯基)3和P(tert-Bu)3。该反应也通常在升高的温度，如40至250℃，优选60至200℃的温度下进行。该反应可以在合适的溶剂，如四氢呋喃、甲苯或氯苯存在下进行。该反应通常在惰性气体下进行。
当Za和Zb独立地为SnZ1Z2Z3(其中Z1、Z2和Z3彼此独立地为C1-4-烷基)时，该反应通常在催化剂，优选Pd催化剂，如Pd(P(Ph)3)4和Pd2(dba)3存在下进行。根据Pd催化剂，该反应还可能要求存在膦配体，如P(Ph)3、P(o-甲苯基)3和P(tert-Bu)3。该反应也通常在升高的温度，如40至250℃，优选60至200℃的温度下进行。该反应可以在合适的溶剂，如甲苯或氯苯存在下进行。该反应通常在惰性气体下进行。
式(2)的化合物可通过本领域中已知的方法制备。
例如，式(2)的化合物，其中
其中Y是I、Br、Cl或O-三氟甲磺酸根(O-triflate)，且R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基，
可通过用Y-供体处理式(2’)的化合物制备
其中R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基。
例如，当Y是Br时，Y-供体可以是N-溴代琥珀酰亚胺。当使用N-溴代琥珀酰亚胺作为Y-供体时，该反应可以在0℃下在CHCl3/乙酸作为溶剂存在下进行。
式(3)的化合物(其中R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基)可通过用Eaton’s试剂处理式(4)的化合物制备
其中R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基。
式(4)的化合物(其中R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基)可通过用式(6)的化合物处理式(5)的化合物制备
其中R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基
该反应通常在合适的溶剂中，如在甲苯中，和在合适的温度，如0至140℃下进行。
式(5)的化合物(其中R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基)可通过用双(频哪醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)处理式(7)的化合物制备
该反应通常在催化剂，优选钯催化剂存在下进行。该反应通常在合适的溶剂，如无水甲苯中在升高的温度，如40至160℃下进行。
6,6’-二溴异靛(7)和溴-3-甲基亚硫酰基噻吩(6)可根据文献合成(Org.Lett.2010,12,660-663；Adv.Mater.2013,25,838-843)。
下式的中间体也是本发明的一部分
其中
R1和R2如上定义，
Y在每种情况下是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3。
在式(2)和(2’)的优选中间体中
R1在每种情况下选自C1-50-烷基、C2-50-烯基和C2-50-炔基，
其中
C1-50-烷基、C2-50-烯基和C2-50-炔基可以被1至20个独立地选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C1-50-烷基、C2-50-烯基和C2-50-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
其中
Ra独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基和C6-10-芳基，
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif，
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-30-烷基、C2-30-烯基和C2-30-炔基可以被1至10个选自卤素和CN的取代基取代，
R2在每种情况下选自氢、未取代的C1-30-烷基和卤素，且
Y在每种情况下是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3。
在更优选的式(2)和(2’)的中间体中
R1在每种情况下选自C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基，
其中
C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基可以被1至20个独立地选自C5-6-环烷基、C6-10-芳基、5至10元杂芳基、ORa、SRa、Si(RSia)(RSib)(RSic)、-O-Si(RSia)(RSib)(RSic)、卤素和CN的取代基取代；且C1-36-烷基、C2-36-烯基和C2-36-炔基的至少两个CH2-基团，但不是相邻的CH2-基团可以被O或S替代，
其中
Ra独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基和C6-10-芳基
RSia、RSib和RSic独立地选自H、C1-20-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSidRSie]o-RSif
其中
o是1至50的整数，
RSid、RSie、RSif独立地选自H、C1-30-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、-[O-SiRSigRSih]p-RSii，
其中
p是1至50的整数，
RSig RSih、RSii独立地选自H、C1-30-烷基、C2-20-烯基、C2-20-炔基、C5-6-环烷基、C6-10-芳基、O-Si(CH3)3，
C1-20-烷基、C2-20-烯基和C2-20-炔基可以被1至10个选自卤素和CN的取代基取代，
R2在每种情况下选自氢、未取代的C1-30-烷基和卤素，且
Y在每种情况下是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3。
在式(2)和(2’)的更优选的中间体中
R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基，R2是氢且
Y在每种情况下是I、Br、Cl或O-S(O)2CF3。
在式(2)的最优选的中间体中
Y在每种情况下是I、Br或O-S(O)2CF3，且R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基且R2是氢。
特别优选的式(2)的中间体
其中R1在每种情况下是未取代的C1-36-烷基且R2是氢。
包含本发明的聚合物的电子器件也是本发明的一部分。
该电子器件可以是有机光伏器件(OPVs)、有机场效应晶体管(OFETs)、有机发光二极管(OLEDs)或有机光电二极管(OPDs)。
优选地，该电子器件是有机光伏器件(OPVs)、有机场效应晶体管(OFETs)或有机光电二极管(OPDs)。
更优选地，该电子器件是有机场效应晶体管(OFET)。
通常，有机场效应晶体管包含介电层、半导体层和基底。此外，有机场效应晶体管通常包含栅电极和源/漏电极。
该半导体层优选包含本发明的聚合物。该半导体层可具有5至500纳米，优选10至100纳米，更优选20至50纳米的厚度。
该介电层包含介电材料。该介电材料可以是二氧化硅或氧化铝，或有机聚合物，如聚苯乙烯(PS)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚(4-乙烯基酚)(PVP)、聚(乙烯基醇)(PVA)、苯并环丁烯(BCB)或聚酰亚胺(PI)。该介电层可具有10至2000纳米，优选50至1000纳米，更优选100至800纳米的厚度。
该介电层除介电材料外还可包含有机硅烷衍生物或有机磷酸衍生物的自组装单层。有机硅烷衍生物的一个实例是辛基三氯硅烷。有机磷酸衍生物的一个实例是辛基癸基磷酸。该介电层中所含的自组装单层通常与半导体层接触。
该源/漏电极可由任何合适的有机或无机源/漏电极材料制成。无机源/漏电极材料的实例是金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)，以及包含至少一种这些金属的合金。该源/漏电极可具有1至100纳米，优选20至70纳米的厚度。
该栅电极可以由任何合适的栅材料，如高掺杂硅、铝(Al)、钨(W)、氧化铟锡或金(Au)或包含至少一种这些金属的合金制成。该栅电极可具有1至200纳米，优选5至100纳米的厚度。
该基底可以是任何合适的基底，如玻璃或塑料基底，如聚醚砜、聚碳酸酯、聚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。根据有机场效应晶体管的设计，栅电极，例如高掺杂硅也可充当基底。
该有机场效应晶体管可通过本领域中已知的方法制备。
例如，底栅顶接触有机场效应晶体管可如下制备：介电材料，例如Al2O3或二氧化硅可通过合适的沉积方法(如原子层沉积或热蒸发)作为层施加在也充当基底的栅电极(如高掺杂硅片)上。可以将有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物的自组装单层施加到该介电材料层上。例如，可以由溶液使用溶液沉积技术施加有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物。可以在该有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物的自组装单层上通过本发明的聚合物的溶液沉积或真空热蒸发形成半导体层。可以通过经荫罩在该半导体层上沉积合适的源/漏电极材料(例如钽(Ta)和/或金(Au))而形成源/漏电极。通道宽度(W)通常是10至1000微米且通道长度(L)通常是5至500微米。
例如，顶栅底接触有机场效应晶体管可如下制备：可通过在合适的基底(例如玻璃基底)上的光刻划定电极上蒸发合适的源/漏电极材料(例如金(Au))而形成源/漏电极。可通过在源/漏电极上例如通过旋涂沉积本发明的聚合物的溶液、接着在升高的温度下(例如在80至360℃的温度下)将该层退火而形成半导体层。在将半导体层淬火后，可以通过在该半导体层上(例如通过旋涂)施加合适的介电材料(如聚(甲基丙烯酸甲酯))的溶液而形成介电层。可以经荫罩在该介电层上蒸发合适的栅极材料(例如金(Au))的栅电极。
本发明的聚合物作为半导体材料的用途也是本发明的一部分。
本发明的聚合物表现出高载流子迁移率。本发明的聚合物可表现出具有高空穴和电子迁移率的双极性质。此外，本发明的聚合物表现出高稳定性，特别是高热稳定性。本发明的聚合物还与液体加工技术相容。此外，本发明的聚合物表现出对近红外线的强吸收。
实施例
实施例1
a)类似于文献通过6,6’-二溴异靛的烷基化进行化合物I-1的合成：
b)6,6’-二硼酸酯-异靛(I-2)的合成
将6,6’-二溴异靛I-1(3克，2.75毫摩尔)、双(频哪醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)(1.75克，6.88毫摩尔)、Pd(PPh3)2Cl2(190毫克，0.275毫摩尔)和乙酸钾(1.08克，11毫摩尔)在无水甲苯(50毫升)中的混合物在氩气下加热至110℃16小时。然后将该反应混合物冷却至室温并用二氯甲烷推过短硅胶柱。将收集的滤液浓缩并干燥以产生深红色固体形式的6,6’-二硼酸酯异靛，不进一步提纯(2.65克，81％)。1H NMR(400MHz,CDCl3,300K),δ(ppm):9.14(d,3J＝7.9Hz,2H),7.48(dd,3J＝7.9,4J＝0.6Hz,2H),7.16(s,2H),3.70-3.68(m,4H),1.96(t,2H),1.36(s,24H),1.35-1.24(m,80H),0.89-0.85(m,12H).13C NMR(100MHz,CDCl3,300K),δ(ppm):168.09,144.47,134.31,128.88,128.74,124.24,113.50,84.03,44.45,31.94,30.02,29.66,29.37,24.88,22.70,14.13.
c)6,6’-二(3-甲基亚硫酰基噻吩)异靛(I-4)的合成：
向烘干的20毫升微波管瓶中加入6,6’-二硼酸酯-异靛(I-2)(1.0克，7.7毫摩尔)、Pd2(dba)3(38毫克，0.038毫摩尔)和P-(o-tol)3(46毫克，0.15毫摩尔)、溴-3-甲基亚硫酰基噻吩(I-3，类似于文献制造)(430毫克，19.25摩尔)，密封该管，然后加入甲苯(10毫升)以及2滴季铵氯化物(aliquat)和2M K3PO4(3.5毫升)。该混合物在氩气下脱气半小时，然后移除氩气入口。对该管施以回流18小时。在冷却至室温后，该反应混合物用EA萃取，收集有机相并用硫酸镁干燥，通过减压除去溶剂，通过柱色谱法(洗脱剂：DCM:EA＝10:1)提纯以提供深红色固体(530毫克，53％)。1H NMR(400MHz,CDCl3,300K)δ(ppm):9.26(d,3J＝8.3Hz,2H),7.66(d,3J＝5.4Hz,2H),7.50(d,3J＝5.4Hz,2H),7.12(dd,3J＝8.3,4J＝1.6Hz,2H),6.95(d,4J＝1.4Hz,2H),3.76-3.65(m,4H),2.79(s,6H),1.94(t,2H),1.37-1.23(m,80H),0.88-0.84(m,12H).13C NMR(100MHz,CDCl3,300K),δ(ppm):168.53,145.66,143.24,135.45,132.98,130.72,127.27,125.41,123.22,122.00,108.69,44.05,31.92,31.76,30.08,29.63,29.36,26.52,22.69,14.12.HRMS(ESI,pos.mode):C74H115N2O4S4的计算值:1223.7661,[M+H]+，实测值:1223.7594.
d)BTTIID(I-5)的合成
6,6’-二(3-甲基亚硫酰基噻吩)异靛(I-4)(800毫克，0.65毫摩尔)在室温下在暗处与Eaton’s试剂(6毫升)一起搅拌3天。将该混合物倒入冰水中，用氯仿萃取，有机相用MgSO4干燥，减压除去溶剂并将粗产物在真空中干燥，其随后再溶解在吡啶(10毫升)中，然后将该混合物回流整夜。在将该混合物冷却至室温后，用氯仿和稀盐酸萃取，分离的有机相经MgSO4干燥，并减压除去溶剂。该粗产物通过在硅胶上的柱色谱法提纯(洗脱剂：CHCl3:PE＝1:3)以提供红色固体BTTIID(I-5)(450毫克，59％)。1H NMR(400MHz,CDCl3,300K)δ(ppm):9.81(s,2H),7.56(d,3J＝5.1Hz,2H),7.32(d,3J＝5.1Hz,2H),6.98(s,2H),3.72-3.70(m,4H),1.99(t,2H),1.38-1.21(m,80H),0.88-0.83(m,12H).13C NMR(100MHz,CDCl3,300K),δ(ppm):168.52,142.60,142.18,136.62,134.86,134.48,132.12,129.38,125.86,120.74,120.07,99.45,44.74,31.93,31.67,30.05,29.68,29.36,26.54,22.69,14.12.MS(MALDI-TOF,CHCl3):C72H106N2O2S4计算值:1158.71,实测值:1158.4.UV-vis(CHCl3):lmax/nm(e/M-1cm-1)＝510(36700).CV(CH2Cl2,0.1M TBAHFP,vs Fc/Fc+):E1/2red(X/X-)＝–1.28V,E1/2red(X-/X2-)＝―1.64V,E1/2ox(X/X+)＝0.78V
实施例2
二溴BTTIID(I-6)的合成
将NBS(65克，0.36毫摩尔)分小份添加到苯并噻吩并噻吩异靛(200克，0.17毫摩尔)在CHCl3/AcOH(20毫升:5毫升)中的溶液中，将反应混合物在回流下搅拌大约5小时，其可通过TLC监测。当反应完成时，冷却至室温，减压除去溶剂并通过在硅胶上的柱色谱法提纯(洗脱剂：CHCl3:PE＝1:4)以提供红色固体二溴-BTTIID(I-6)(164毫克，72％)。1H NMR(400MHz,CDCl3,300K),δ(ppm):9.70(s,2H),7.23(s,2H),6.67(s,2H),3.66-3.64(m,4H),1.92(t,2H),1.37-1.21(m,80H),0.88-0.83(m,12H).13C NMR(100MHz,CDCl3,300K),δ(ppm):168.25,142.62,140.63,135.07,134.79,133.61,131.87,125.68,123.27,120.07,116.14,98.77,44.72,31.94,30.08,29.75,29.69,29.39,26.61,22.71,14.13.MS(MALDI-TOF,CHCl3):C72H104Br2N2O2S4计算值:1314.5,实测值:1314.1.
实施例3
P1的合成
向微波管瓶中加入二溴BTTIID(I-6)(100毫克，0.076毫摩尔，1当量)和2,5-双(三甲基甲锡烷基)噻吩(31.04毫克，0.076微摩尔，1当量)、Pd2(dba)3(1.50毫克)和P(o-Tol)3(1.84毫克)。将该管密封并用氩气吹扫，然后加入脱气氯苯(2毫升)。该混合物在氩气下充分脱气，然后移除氩气入口。在微波反应器中对该管施以下列条件：100℃5分钟、140℃5分钟、160℃30分钟。在冷却至RT后，将该聚合物沉淀到甲醇中，并经Soxhlet套筒过滤。该聚合物使用Soxhlet装置用甲醇、丙酮、己烷、二氯甲烷、氯仿和氯苯萃取。将该氯苯溶液浓缩并沉淀到甲醇中。过滤沉淀物并在真空下干燥以提供深蓝色固体形式的P1(40毫克，40％)。GPC(氯苯,80℃):Mn 33000,Mw 91135g mol-1,PDI＝2.74.1H NMR(1,1,2,2-四氯乙烷-d2,130℃,400MHz),δ(ppm):9.68(宽),6.63(宽),3.96-3.89(宽),2.15-2.13(宽),1.76-0.96(宽).
实施例4
P2的合成
向微波管瓶中加入二溴BTTIID(I-6)(68.6毫克，0.052毫摩尔，1当量)和2,5-双(三甲基甲锡烷基)硒吩(23.78毫克，0.052微摩尔，1当量)、Pd2(dba)3(2毫克)和P(o-Tol)3(2.58毫克)。密封该管并用氩气吹扫，然后加入脱气氯苯(1.0毫升)。该混合物在氩气下充分脱气，然后移除氩气入口。在微波反应器中对该管施以下列条件：100℃5分钟、140℃5分钟、160℃30分钟。在冷却至RT后，将该聚合物沉淀到甲醇中，并经Soxhlet套筒过滤。该聚合物使用Soxhlet装置用甲醇、丙酮、己烷、二氯甲烷、氯仿和氯苯萃取。将该氯仿和氯苯溶液浓缩并沉淀到甲醇中。过滤沉淀物并在真空下干燥以提供深蓝色固体形式的P2(55毫克(氯仿)和6毫克(氯苯)，87.1％)。1H NMR(1,1,2,2-四氯乙烷-d2，130℃,400MHz).,δ(ppm):9.67(宽),6.49(宽),3.96-3.87(宽),1.64-0.96(宽)。GPC(氯仿馏分)(氯苯,80℃):Mn 51500,Mw 17966g mol-1,PDI＝3.49.
实施例5
P3的合成
与聚合物P2的合成类似地进行聚合物P3的合成：
实施例6
P4的合成
与聚合物P2的合成类似地进行聚合物P4的合成：
实施例7
P5的合成
与聚合物P2的合成类似地进行聚合物P5的合成：
实施例8
化合物(I-7)的合成
与化合物I-5类似地合成化合物I-7
实施例9
化合物(I-8)的合成
与化合物I-6类似地由I-7合成化合物I-8
实施例10
聚合物(P6)的合成
与聚合物P2类似地由I-8合成聚合物P6
实施例11
化合物(I-9)的合成
与化合物I-5类似地合成化合物I-9
实施例12
基于本发明的化合物和聚合物的有机场效应晶体管(OFET)的制造和电学表征
背接触式、顶栅FETs的制备
将半导体化合物I-x或聚合物Px以0,75wt％的浓度溶解在邻二氯苯中，随后涂布到具有充当FET的源和漏极触点的光刻预图案化的金触点的PET基底上。通过标准刮刀涂布器以20mm/s的涂布速度涂布100微升该制剂，在整个基底上产生该半导体的均匀层。在涂布完成后，将该基底立即转移到预热热板上并在90℃下加热30秒。接着在有机半导体上旋涂由Cytop CTL-809M构成的栅极介电层(1200rpm，30s)。在旋涂后，将该基底再转移到热板上并在100℃下退火另外5分钟。通过轮廓仪测得该介电层的厚度为535纳米。最后通过真空蒸发沉积50纳米厚的荫罩图案化金栅电极以完成BGTC配置的FETs(见图1a-h)
电学表征
由在饱和区中计算的转移特性曲线(实心灰色曲线)的root representation计算迁移率μ。由图1中的黑色虚线测定斜率m。将图1中的黑色虚线拟合至电流特性ID的root representation区域以获得与root representation的线性斜率的良好相关性。
阈值电压UTh可取自图1中的黑色虚线与X轴部分(VGS)的交点。
为了计算OFET的电性质，使用下列方程：
其中ε0是8.85x 10-12As/Vm的真空电容率(vacuum permittivity)。对于Cytop，εr＝2,1且d＝535nm是电介质的厚度。通道长度L＝10μm和通道宽度W＝250μm.
对于各化合物计算下列迁移率：