电子材料用 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金 技术领域 本发明涉及一种析出硬化型铜合金， 尤其是涉及一种适用于各种电子仪器部件的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金。
背景技术 对于用于引线框、 连接器、 管脚、 端子、 继电器、 开关等各种电子仪器部件的电子材 料用铜合金， 作为其基本特性， 被要求可同时实现高强度及高导电性 ( 或热传导性 )。近年 来， 电子部件的高集成化及小型化、 薄壁化快速发展， 与此相对应地， 对于电子仪器部件中 所使用的铜合金的要求等级也愈益提高。
从高强度及高导电性的角度考虑， 近年来， 作为电子材料用铜合金， 析出硬化型铜 合金的使用量正在增加， 取代先前的以磷青铜、 黄铜等为代表的固溶强化型铜合金。 析出硬 化型铜合金中， 通过对经固溶化处理的过饱和固溶体进行时效处理， 而使微细的析出物均 匀地分散， 从而提高合金的强度， 同时减少铜中的固溶元素量， 以提高电传导性。 因此， 可获 得强度、 弹性等机械性质优异， 并且电传导性、 热传导性良好的材料。
析出硬化型铜合金中， 一般被称为科森系合金 ( コルソン系合金 ) 的 Cu-Ni-Si 系 铜合金是兼具较高的导电性、 强度、 应力缓和特性及弯曲加工性的典型的铜合金， 为业界目 前正积极开发的合金之一。该铜合金中， 可通过使微细的 Ni-Si 系金属间化合物粒子在铜 基质中析出来谋求强度与导电率的提高。
目前已知 Cu-Ni-Si 系铜合金可通过添加 Co 与 Cr 来谋求特性的提高。与 Ni 同样 地， Co 和 Cr 能够与 Si 形成化合物来提高强度。
在日本特开 2006-283120 号公报 ( 专利文献 1) 中， 认为含有 Co 与 Cr 的 Cu-Ni-Si 系合金的特性 ( 尤其是强度与导电率 ) 当于某种组成条件以及制造条件下、 控制夹杂物的 大小、 组成、 分布时， 会有显著性地提高。具体而言， 该专利文献 1 中记载了一种电子材料用 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系铜合金， 其特征在于 ： 在含有 Ni ： 0.5 ～ 2.5 质量％、 Co ： 0.5 ～ 2.5 质 量％、 及 Si ： 0.30 ～ 1.2 质量％、 Cr ： 0.09 ～ 0.5 质量％， 且剩余部分由 Cu 及不可避免的杂 质构成的铜合金中， 该合金组成中的 Ni 与 Co 的合计量与 Si 的质量浓度比 ([Ni+Co]/Si 比 ) 为 4 ≤ [Ni+Co]/Si ≤ 5， 该合金组成中的 Ni 与 Co 的质量浓度比 (Ni/Co 比 ) 为 0.5 ≤ Ni/ Co ≤ 2， 而对于分散于材料中的大小为 1μm 以上的夹杂物的个数 (P)、 其中含碳浓度为 10 2 质量％以上的夹杂物的个数 (Pc)， Pc 为 15 个 /1000μm 以下， 且比 (Pc/P) 为 0.3 以下。
又， 日本特开 2005-113180 号公报 ( 专利文献 2) 虽然不是 Cu-Ni-Si 系铜合金， 但 其着眼于在铜合金中析出的 Cr 与 Si 的化合物。其中记载， 通过使具有规定的大小以及个 可 数密度的 CrSi 化合物微细地在 Cu 基质中析出， 以及限制 CrSi 以外的 Cr 化合物的大小， 改善冲压加工性， 同时确保蚀刻加工性。另外， 该专利文献 2 中记载了一种电子仪器用铜 合金， 其含有 Cr ： 0.1 ～ 0.25 重量％、 Si ： 0.005 ～ 0.1 重量％、 Zn ： 0.1 ～ 0.5 重量％、 Sn ： 0.05 ～ 0.5 重量％， Cr 与 Si 的重量比为 3 ～ 25， 剩余部分由 Cu 及不可避免的杂质构成， 铜母相中大小为 0.05μm ～ 10μm 的 CrSi 化合物以 1×103 ～ 5×105 个 /mm2 的个数密度
存在， 并且， Cr 化合物 (CrSi 化合物以外 ) 的大小为 10μm 以下， 蚀刻加工性及冲压加工性 优异。在制造该铜合金时， 热加工前的加热处理温度设为 850℃～ 980℃， 在热加工后， 需要 实施一次结合了冷加工与以 400℃～ 600℃的温度进行的热处理的工序， 或者， 需要反复实 施数次该工序。
专利文献 1 日本特开 2006-283120 号公报
专利文献 2 日本特开 2005-113180 号公报 发明内容 发明所要解决的课题
近年来对电子部件的急速的高集成化与小型化、 薄壁化的材料特性的飞跃性提高 的要求， 也同样适用于作为本发明的合金系的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金。
然而， 在专利文献 1 中并没有关于 Cr-Si 化合物的记载。
在专利文献 2 中， 虽然有通过控制 Cr-Si 化合物的个数密度与大小来改善蚀 刻加工性与冲压加工性的记载， 但是因为没有添加 Ni， 所以没有考虑到 Ni-Si 化合物、 Co-Si 化 合 物 的 形 成， 只 需 要 考 虑 Cr-Si 化 合 物 形 成 的 条 件 即 可， 并没有研究如何在 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金中控制 Cr-Si 化合物。
因此， 本发明课题在于通过控制 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金中 Cr-Si 化合物的析出状 态， 来谋求特性的提高。
用以解决课题的手段
本 发 明 人 为 解 决 上 述 课 题 而 进 行 了 专 心 研 究， 结 果 发 现 以 下 发 明。 对 于 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金， 设定为 Si 相对于 Ni 及 Co 过剩的组成， 使 Ni 添加量相应的 Ni 硅 化物与 Co 添加量相应的 Co 硅化物确实地析出以实现高强度化， 另一方面使过剩的 Si 与所 添加的 Cr 生成化合物以实现高导电化。并且， 本发明的关键之处在于， 控制 Cr-Si 化合物 的成长， 以避免让 Cr 与 Si 的化合过度成长、 应该与 Ni 及 Co 化合的 Si 变得不足。具体而 言， 本发明人着眼于 Cr-Si 化合物的组成与大小、 个数密度， 发现通过控制热处理工序的温 度与冷却速度可更好地发挥其效果。
即， 本发明是 ：
(1) 一种电子材料用铜合金， 其含有 Ni ： 1.0 ～ 4.5 质量％、 Si ： 0.50 ～ 1.2 质 量％、 Co ： 0.1 ～ 2.5 质量％、 Cr ： 0.003 ～ 0.3 质量％， Ni 与 Co 的合计质量与 Si 的质量浓 度比 ([Ni+Co]/Si 比 ) 为 4 ≤ [Ni+Co]/Si ≤ 5)， 剩余部分由 Cu 及不可避免的杂质构成， 对 于分散于材料中的大小为 0.1μm ～ 5μm 的 Cr-Si 化合物， 其分散粒子中 Cr 与 Si 的原子 4 2 浓度比为 1 ～ 5， 其分散密度大于 1×10 个 /mm ， 且为 1×106 个 /mm2 以下。
(2) 如 (1) 的电子材料用铜合金， 其中关于分散于材料中的大小大于 5μm 的 2 Cr-Si 化合物， 其分散密度为 50 个 /mm 以下。
(3) 如 (1) 或 (2) 的电子材料用铜合金， 其进一步含有 0.05 ～ 2.0 质量％的选自 Sn 和 Zn 中的 1 种或 2 种以上。
(4) 如 (1) ～ (3) 中任一项的电子材料用铜合金， 其进一步含有 0.001 ～ 2.0 质 量％的选自 Mg、 Mn、 Ag、 P、 As、 Sb、 Be、 B、 Ti、 Zr、 Al 及 Fe 中的 1 种或 2 种以上。
(5) 一种熟铜品 ( 伸铜品 )， 其使用上述 (1) ～ (4) 中任一项的铜合金。
(6) 一种电子仪器部件， 其使用上述 (1) ～ (5) 中任一项的铜合金。
发明效果
根据本发明， 可更佳地发挥合金元素 Cr 的添加效果， 故而可获得强度及导电率提 高的电子材料用 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金。 具体实施方式
(1)Ni、 Co 和 Si 的添加量
Ni、 Co 和 Si 通过实施适当的热处理而形成金属间化合物， 可在不使导电率恶化的 情况下谋求高强度化。以下， 对 Ni、 Co 和 Si 各自的添加量进行说明。
关于 Ni 及 Co， 为了满足作为电子材料用铜合金的适当的强度及导电率， 必须设为 Ni ： 1.0 ～ 4.5 质量％、 Co ： 0.1 ～ 2.5 质量％， 优选为 Ni ： 1.0 ～ 2.0 质量％、 Co ： 1.0 ～ 2.0 质量％， 更优选为 Ni ： 1.2 ～ 1.8 质量％、 Co ： 1.2 ～ 1.8 质量％。但是， 当未满 Ni ： 0.5 质 量％、 Co ： 0.5 质量％时， 无法获得所需要的强度 ； 反过来， 当超过 Ni ： 2.5 质量％、 Co ： 2.5 质 量％时， 虽然能够谋求高强度化， 但导电率会显著地降低， 进一步热加工性也会降低， 故不 优选。
关于 Si， 为了满足目标强度与导电率， 必须为 0.30 ～ 1.2 质量％， 优选为 0.5 ～ 0.8 质量％。然而， 当小于 0.3％时， 无法获得所需要的强度， 当超过 1.2 质量％时， 虽然能 够谋求高强度化， 但导电率会显著地降低， 进一步热加工性也会降低， 故不优选。
在 本 发 明 中， 进 一 步 规 定 了 合 金 组 成 中 Ni 与 Co 的 总 量 与 Si 的 重 量 浓 度 比 ([Ni+Co]/Si)。
在本发明中， 通过将 Ni/Si 比设定在以往所报告的规定范围 3 ≤ Ni/Si ≤ 7 的低 侧， 即通过稍微增加 Si 的添加量， 使 Ni、 Co 不剩余地形成硅化物， 减轻无助于析出的过剩的 Ni 及 Co 的固溶所造成的导电率的降低。但是， 在重量浓度比 [Ni+Co]/Si ＜ 4 时， 因为 Si 的比率过高， 不但由于固溶 Si 而使导电率降低， 在退火工序中也因为在材料表层形成 Si02 的氧化皮膜而使钎焊性劣化。另外， 无助于强化的 Ni-Co-Si 系析出粒子变得容易粗大化， 无助于强度， 相反地容易成为弯曲加工时的裂痕发生的起点、 镀敷不良部。另一方面， 提高 Ni 及 Co 相对于 Si 的比率， 达到 [Ni+Co]/Si ＞ 5 时， 导电率会显著降低， 用于电子材料并不 佳。
因此， 在本发明中， 将合金组成中的 [Ni+Co])/Si 比控制在 4 ≤ [Ni+Co]/Si ≤ 5 的范围。
[Ni+Co]/Si 比优选为 4.2 ≤ [Ni+Co]/Si ≤ 4.7。
Ni 及 Co 不仅都与 Si 生成化合物， 而且 Ni 和 Co 彼此关联进一步改善合金特性， 通过控制合金组成中的 Ni 与 Co 的重量浓度比 (Ni/Co 比 )， 能够进一步提高特性。优选将 Ni/Co 比设在 0.5 ≤ Ni/Co ≤ 2 的范围， 由此可以显著地看到强度的提高。Ni/Co 比更优选 的范围为 0.8 ≤ Ni/Co ≤ 1.3。
Cr 的添加量
在 Cu-Ni-Si-Co 系合金中， 若使 Ni、 Si 及 Co 的浓度上升， 则析出粒子的总数增加， 因此可谋求通过析出强化实现的强度上升。 另一方面， 随着添加浓度的上升， 无助于析出的 固溶量也会增加， 因此导电率会降低， 结果时效析出的峰强度上升， 但作为峰强度的导电率下降。然而， 若在上述 Cu-Ni-Si 系合金中添加 0.003 ～ 0.3 质量％的 Cr、 优选 0.01 ～ 0.1 质量％的 Cr， 则于最终特性中， 与具有相同的 Ni、 Si 及 Co 浓度的 Cu-Ni-Si-Co 系合金相比， 可在不有损于强度的条件下使导电率上升， 进一步可改善热加工性而提高材料利用率。
在 Cu-Ni-Si-Co 系合金中添加 Cr 时析出的粒子的组成， 虽以 Cr 为主成分的 bcc 构造的析出粒子容易单体析出， 但与 Si 的化合物也容易析出。Cr 通过实施适当的热处理， 可在铜母相中容易地析出与 Si 的化合物即铬硅化物 (Cr3Si 等 )， 因此在组合固溶化处理、 冷轧、 时效处理形成合金特性的步骤中， 可使未作为 Ni2Si、 CoSi2 等析出的固溶 Si 成分作为 Cr-Si 化合物析出。 因此， 可抑制因固溶 Si 引起的导电率的降低， 从而可在无损于强度的情 况下谋求导电率的上升。
此时， 若 Cr 粒子中的 Si 浓度低， 则 Si 残留于母相中， 因而导电率降低， 另一方面， 若 Cr 粒子中的 Si 浓度高， 则用以析出 Ni-Si 粒子、 Co-Si 粒子的 Si 浓度减少， 因而强度降 低。进一步， 当 Cr 中的 Si 浓度高时， 粗大的 Cr-Si 化合物增加， 而弯曲、 疲劳强度等劣化。 进一步， 即使减慢固溶化后的冷却速度， 或者过度延长时效热处理时间， Cr-Si 化合物也会 粗大化， Ni-Si 化合物的 Si 浓度减少， 从而导致有助于强化的 Ni-Si 化合物不足。其原因 在于， Cu 中的 Si 与 Cr 的扩散速度快于 Ni、 Co， 因此 Cr-Si 化合物容易粗大化， Cr-Si 化合 物的析出速度快于 Ni-Si 化合物和 Co-Si 粒子的析出速度。 因此， 若控制固溶化后的冷却速度， 以避免成为比最大强度的时效条件更高温、 更 长时间的条件， 则可控制 Cr-Si 化合物的组成、 大小及密度。因此， 将 Cr 浓度设为 0.003 质 量％以上， 0.3 质量％， 将 Cr-Si 化合物中 Cr 与 Si 的原子浓度比设为 1 ～ 5。
又， 由于 Cr 在熔解铸造时的冷却过程中会优先析出至晶界， 故而可强化晶界， 使 热加工时不易发生破裂， 从而抑制材料利用率下降。即， 在熔解铸造时析出至晶界的 Cr 在 固溶化处理等中可再固溶， 在接着的时效析出时生成硅化物。通常的 Cu-Ni-Si 系合金中所 添加的 Si 量中， 无助于时效析出的 Si 仍然固溶于母相中， 抑制导电率的上升， 但通过添加 硅化物形成元素的 Cr， 使硅化物进一步析出， 从而与以往的 Cu-Ni-Si-Co 系合金相比， 可降 低固溶 Si 量， 从而可在无损于强度的情况下使导电率上升。
Cr-Si 化合物的大小、 分散密度
Cr-Si 化合物的大小会对弯曲加工性及疲劳强度等造成影响， 当大于 5μm 的 2 Cr-Si 化合物的分散密度超过 50 个 /mm 的时候、 或者 0.1 ～ 5μm 的 Cr-Si 化合物的分散密 6 2 度超过 1×10 个 /mm 的时候， 弯曲加工性、 疲劳强度会显著劣化。进一步， 个数密度会影响 母相中的 Si 浓度的过或不足， 因此在大粒子大量分散的状态下无法获得所需的强度特性。 因此， 大于 5μm 的 Cr-Si 化合物的分散密度可以设为 50 个 /mm2 以下， 优选设为 30 个 /mm2 以下， 更优选设为 10 个 /mm2 以下。0.1 ～ 5μm 的 Cr-Si 化合物的分散密度只要为 1×106 个 /mm2 以下即可， 优选为 5×105 个 /mm2 以下， 更优选为 1×105 个 /mm2 以下。又， 为 1×104 个 /mm2 以下时， 通过添加 Cr 产生的改善效果小， 故希望超过 1×104 个 /mm2， 在典型的实施 5 2 方式中， 为 1×10 个 /mm 以上。
Sn 和 Zn
通过在本发明的 Cu-Ni-Si 系合金中， 以 0.05 ～ 2.0 质量％的总量添加选自 Sn 和 Zn 中的 1 种或 2 种以上可以在不太损及强度、 导电率的情况下， 改善应力缓和特性等。 当该 添加量小于 0.05 质量％时， 则效果不足， 当超过 2.0 质量％时， 则会损害铸造性、 热加工性
等制造性、 制品的导电率， 因此优选添加 0.05 ～ 2.0 质量％。
其它添加元素
通过添加特定量的 Mg、 Mn、 Ag、 P、 As、 Sb、 Be、 B、 Ti、 Zr、 Al 及 Fe， 可呈现各种效果， 而 通过互补， 不仅可改善强度、 导电率， 也可改善制造性， 例如弯曲加工性、 镀敷性、 通过铸锭 组织的微细化实现的热加工性的改善， 因此， 在本发明的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金中， 可根 据所需求的特性而适当添加总量为 2.0 质量％以下的这些元素的 1 种或 2 种以上。关于其 添加量， 当这些元素的总量小于 0.001 质量％时， 无法获得所需的效果， 而当这些元素的总 量超过 2.0 质量％时， 导电率的降低、 制造性的劣化变得显著， 因此总量优选设为 0.001 ～ 2.0 质量％， 更优选设为 0.01 ～ 1.0 质量％。
再者， 在不会对本发明的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金的特性造成不良影响的范围， 也 可添加本说明书中未具体记载的元素。
下面， 对本发明的制造方法进行说明。本发明的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金， 除了 控制 Ni-Si 化合物、 Co-Si 和 Cr-Si 化合物的固溶化处理、 时效处理的条件以外， 可通过 Cu-Ni-Si 系合金的惯用制造方法来制造。
首先， 使用大气熔解炉， 将电解铜、 Ni、 Si、 Co、 Cr 等原料熔解， 获得所需组成的熔 液。 继而， 将该熔液铸造成铸锭。 其后进行热轧， 并反复进行冷轧与热处理， 以加工成具有所 需厚度及特性的条或箔。 热处理有固溶化处理与时效处理。 固溶化处理中， 在 700 ～ 1000℃ 的高温进行加热， 使 Ni-Si 系化合物、 Ni-Si 系化合物及 Cr-Si 系化合物固溶于 Cu 母相中， 同时使 Cu 母相再结晶。固溶化处理有时也由热轧来兼作。 该固溶化处理中， 冷却速度也与加热温度一样重要。因以往并未控制加热后的 冷却速度， 因此是在加热炉的出侧设置水槽进行水冷， 或者采用大气环境气氛下的空气冷 却。此时， 冷却速度容易因加热温度的设定而发生变动， 以往的冷却速度在 1℃ / 秒以下到 10℃ / 秒以上的范围变动。因此， 难以进行如本发明例的合金系的特性的控制。
冷却速度理想的是 1℃ / 秒～ 10℃ / 秒的范围。时效处理中， 在 350 ～ 550℃的温 度范围进行 1h 以上的加热， 典型的是进行 3 ～ 24h 的加热， 使固溶化处理中固溶的 Ni 及 Si 的化合物与 Cr 及 Si 的化合物析出为微细粒子。利用该时效处理， 强度与导电率提高。为 获得更高的强度， 有时在时效前和 / 或时效后进行冷轧。又， 当在时效后进行冷轧时， 有时 在冷轧后进行消除应力退火 ( 低温退火 )。
本发明的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系铜合金在一个实施方式中， 可使 0.2％耐力为 750MPa 以上且导电率为 50 ％ IACS 以上， 进一步可使 0.2 ％耐力为 800MPa 以上且导电率为 50 ％ IACS 以上， 也可使 0.2％耐力为 850MPa 以上且导电率为 50％ IACS 以上。
本发明的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金可加工成各种熟铜品， 例如板、 条、 管、 棒及线， 进一步， 本发明的 Cu-Ni-Si 系铜合金可使用于同时要求高强度及高电传导性 ( 或热传导 性 ) 的引线框、 连接器、 管脚、 端子、 继电器、 开关、 二次电池用箔材等电子仪器部件。
实施例 以下示出本发明的具体例， 但这些实施例是为了更进一步理解本发明及其优点而 提供， 并无意用来限定发明。
本发明的实施例中所用的铜合金， 具有如表 1 所示在使 Ni、 Si、 Co 及 Cr 的含量若
干变化的铜合金中适当添加 Sn、 Zn、 Mg、 Mn、 Co 及 Ag 的组成。又， 比较例中所用的铜合金分 别为具有本发明的范围外的参数的 Cu-Ni-Si-Co-Cr 系合金。
利用高频熔解炉， 在 1300℃对表 1 中记载的各种成分组成的铜合金进行熔制， 铸 造成厚度为 30mm 的铸锭。 接着， 将该铸锭在 1000℃加热后， 热轧至板厚为 10mm， 快速进行冷 却。 为去除表面的垢 (scale)， 实施平面切削至厚度为 8mm， 随后通过冷轧制成厚度为 0.2mm 的板。 接着， 在 Ar 气体环境气氛中实施固溶化处理， 根据 Ni 及 Cr 的添加量， 在 800 ～ 1000℃ 保持 120 秒后， 改变冷却速度冷却至室温。冷却速度是通过改变向加热后的试样喷吹的气 体流量来控制， 计测自试样的最高到达温度冷却至 400℃的时间作为冷却速度。 未喷吹气体 时的炉冷速度为 5℃ /s， 再者作为延缓冷却速度的示例， 将一面控制加热输出一面进行降 温时的冷却速度设为 1℃ /s。其后， 冷轧至 0.1mm， 最后， 根据添加量， 以 400 ～ 550℃在惰 性环境气氛中各实施 1 ～ 12 小时的时效处理， 制得试样。
对如此获得的各合金进行强度及导电率的特性评价。对于强度， 进行压延平行方 向上的拉伸试验， 测定 0.2％耐力 (YS ： MPa)， 而导电率 (EC ； ％ IACS) 则通过利用 W 电桥 (W ブリツジ ) 的体积电阻率测定而求出。
弯曲性的评价是使用 W 字型模具， 在试样板厚与弯曲半径的比为 1 的条件下进行 90°弯曲加工。评价是以光学显微镜观察弯曲加工部表面， 将未观察到裂缝的情形判断为 实用上无问题， 并标注○， 将观察到裂缝的情形标注为 ×。疲劳试验是根据 JIS Z 2273， 施 7 加交变应力， 求出直至断裂为止的重复数为 10 次的应力 (MPa)。 Cr-Si 化合物的观察是在对材料的板面进行电解研磨后， 通过 FE-AES 观察 ( 日本 电子株式会社制、 JUMP-7800F)， 在多处将大小为 0.1μm 以上的粒子作为对象， 实际上利用 + Ar 进行溅射以去除其表层的吸附元素 (C、 O)， 然后测定各粒子的俄歇能谱， 将检测出的元 素通过灵敏度系数法作为半定量值而进行重量浓度换算时， 以检测出 Cr 与 Si 的粒子为对 象。Cr-Si 化合物的 “组成 (Cr/Si)” “大小” “分散密度” 定义为 FE-AES 观察下对多处进行 分析所得出的大小为 0.1μm 以上的 Cr-Si 粒子的平均组成、 最小圆的直径、 各观察视野中 的平均个数。
将结果示于表 1 及表 2。
发明例 1 ～ 24 中， 通过适当的冷却速度， 使得 Cr-Si 化合物的分散密度为 1×106 以下， 且 Cr/Si 为 1 ～ 5 的范围， 因此得到良好的特性。
另一方面， 比较例 1 ～ 10 由于不含 Co， 比较例 11、 12 由于不含 Cr， 因此强度与导 电率无法达到高次元。比较例 13、 14 由于冷却速度慢， 因此 Cr-Si 化合物过度成长， 从而无 法获得充分的强度， 且弯曲加工性也差。
比较例 15、 16 中， 由于冷却速度快， 因此 Cr-Si 化合物不成长， 过剩的 Si 残留在合 金中， 强度与导电率劣化。比较例 17、 18 中， 由于时效温度高， 因此 Cr-Si 化合物过度成长， 未获得充分的强度， 且弯曲加工性也差。又， 在粗大粒子中 Cu、 Ni 等扩散， 粒子中的 Si 浓度 降低， 相对地 Cr/Si 比上升。比较例 19、 20 中， 由于 Cr 的浓度过高， 因此 Cr-Si 化合物过度 成长， 未获得充分的强度， 弯曲加工性也差。11