具体实施方式
以下结合附图,对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。
本发明可应用于数种不同的有机电激发光装置中,而其中必要的组成包括阴极、阳极以及设置于该阴极与阳极之间的有机层,该有机层可以包含电洞注入层、电洞传输层、发光层以及电子传输层。
如图1所示的为最典型的结构,其中该有机电激发光装置10包括一基板11、一设置于该基板11上的阳极层12、一设置于该阳极层12上的有机层20、一设置于该有机层20上的金属阴极层18以及两端分别连接于该阳极层12和阴极层18的电源19,该有机层20包括由该阳极层12至阴极层18方向堆迭的一电洞注入层13、一电洞传输层14、一发光层15、一电子传输层16以及一电子注入层17,当施加电压于阳极层12和阴极层18时,阳极层12所产生的电洞以及阴极层18所产生的电子会注入该有机层20中进而结合成激子(excitons),而当激子降至基态时便会散射出光。
而以下仔细描述这数层所使用的材料。首先必须注意的是,在其他形态中,可将阴极层与阳极层的位置互换,以使得阴极层设置于基板上,或者基板可直接当成阳极层或阴极层,再者,以各层堆迭的有机层的总厚度较佳的是等于或小于500nm。
须注意的是,所属领域中具有通常知识者可依现有的技艺或本发明说明书中所述的先前技术或现有的方法利用本发明所请的化合物制得有机电激发光元件或装置。以下说明本发明有机电激发光元件或装置中电洞注入层以外的各元件结构的适用材料。
基板
基板可依据光所放射的方向为透光性或是不透明的,如果欲使发射光(EL)的发射能由基板处观察,则基板必须具有光穿透性,在这种情况下,一般都是使用玻璃或有机材料;而如果EL发射是欲透过上电极观察的话,则下层支撑物的通光与否将变得无关紧要,因此可为光穿透、光吸收或光反射,此时,基板的材料可使用但不限制为玻璃、塑胶、半导体材料、陶瓷和电路板材料,当然此种元件结构必须提供可透光的上电极。
阳极
导电阳极层通常制作于基板上,而当EL放射是透过阳极观测时,则阳极必须是透明的或大体上对于某些放射是可穿透的;应用作为本发明的阳极的材料可为一般常见的透明阳极-铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO),但其他金属氧化物仍是可使用的,包括但不限制于铝或铟掺杂的锌氧化物(indium doped zincoxide,IZO)、镁-铟氧化物(magnesium-indium oxide)和镍-钨氧化物(nickel-tungsten oxide),除了这些氧化物外,如氮化镓(gallium nitride)的金属氮化物、如硒化锌(zinc selenide)的金属硒化物和如硫化锌(zinc sulfide)的金属硫化物,都可使用作为阳极的材料。对于EL放射是透过上电极而被观测,且该阴极为上电极的应用中,阳极的透光性不再重要,而可使用任何可导电的材料,透明的、不透明的或反射的材料皆可,此应用下可使用的材料包括但不限制于金、铱、钼、钯和铂。一般阳极材料,无论透明与否,其功函率通常大于或等于4.1eV,所需要的阳极材料通常以适当的方式沉积,例如蒸镀、溅镀、化学气相沉积、或电化学方法等,而阳极可用熟知的微影曝光方式(photolithography)蚀刻图案化。
电洞传输层(hole-transporting layer,HTL)
有机电激发光元件的电洞传输层至少包含一个电洞传导化合物,例如芳香三级胺,现今所推断的是此种化合物至少要含有一个只键结在碳原子上的三价的氮原子,而此碳原子至少要有一个是芳香环的其中一元素;这些芳香族三级胺的其中一种形式可以是芳基胺,例如单芳烃基胺、双芳烃基胺、三芳烃基胺或是高分子的芳烃基胺基团;单分子型三芳烃基胺的典范由Klupfel等人描述于美国第3,180,730号专利案;而其他适合的三芳烃基胺是由Brantley等人揭露于美国第3,567,450号和第3,658,520号专利案,有关于一个或多个乙烯基自由基和/或包含至少一个容纳有活性氢的基团取代的三芳烃基胺。
最为人所使用的一种芳香族三级胺是由美国第4,720,432号和第5,061,569号专利案所描述的:包含至少两个芳香族三级胺基团的芳香族三级胺,以下列出的为有用的芳香族三级胺的例证,其包括但不限制在1,1-双(4-二-对-甲苯基胺基苯基)环己烷、1,1-双(4-二-对-甲苯基胺基苯基)-4-苯基-环己烷、4,4’-双(二苯基胺基)四苯、双(4-二甲基胺基-2-甲基苯基)-苯基甲烷、N,N,N-三(对-甲苯基)胺、4-(二-对-甲苯基胺基)-4’-[4(二-对-甲苯基胺基)-苯乙烯基]茋、N,N,N’,N’-四-对-甲苯基-4,4’-二胺基联苯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺基联苯、N,N,N’,N’-四-1-萘基-4,4’-二胺基联苯、N,N,N’,N’-四-2-萘基-4,4’-二胺基联苯、N-苯基咔唑、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]联苯、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基]联苯、4,4”-双[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]对-联三苯、4,4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基胺基]联苯、1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]萘、4,4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基胺基]联苯、4,4”-双[N-(1-蒽基)-N-苯基胺基]对-联三苯、4,4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基胺基]联苯、4,4’-双[N-(8-氟蒽烯基)-N-苯基胺基]联苯、4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基胺基]联苯、4,4’-双[N-(2-稠四苯基)-N-苯基胺基]联苯、4,4’-双[N-(2-苝基)-N-苯基胺基]联苯、4,4’-双[N-(2-苛基)-N-苯基胺基]联苯、2,6-双(二-对-甲苯基胺基)萘、2,6-双(二-(1-萘基)胺基)萘、2,6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基]萘、N,N,N’,N’-四(2-萘基)-4,4”-二胺基-对-联三苯、4,4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)-苯基]胺基}联苯、4,4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)胺基]联苯、2,6-双[N,N-二(2-萘基)胺基]芴或1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]萘。
另一种有用的电洞传输材料为EP 1,009,041所描述的多环性芳香族化合物,此外,高分子型电洞传输材料也能被使用,如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺和共聚高分子,如聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯-磺酸盐),也被称为PEDOT/PSS。
发光层(Light-emitting layer,LEL)
如美国第4,769,292号和第5,935,721号专利案所描述,有机电激发光元件的发光层由一个发光性或荧光性的材料所构成,且此区域也是电子-电洞对再结合而产生电激发光的地方;发光层可由单一材料组成,但通常都是包含一主发光材料和一客发光材料或可发光的任何光色掺杂物;在发光层中的主发光材料可以是一电子传输材料(如下所述),或一电洞传输材料(如上所述),或其他材料或可供电子-电洞再结合的材料组合;掺杂物通常是选自高荧光效率的染料,但磷光化合物,如WO 98/55561、WO 00/18851、WO 00/57676和WO 00/70655所描述的过渡金属络合物也是可使用的;掺杂物掺杂于主发光材料的重量百分比通常为0.01%到10%。
在选择一染料为掺杂物时有一重要关键,就是必须比较能隙电位(bandgappotential),而能隙电位为一分子的最高填满分子轨域(highest occupied molecularorbital)和最低未填满分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital)的差值,如果想达到从主发光材料到掺杂物的高效率能量转移,则掺杂物的能隙必定要小于主发光材料的能隙。
已知且被使用过的主发光体及发光材料被揭露于美国第4,768,292号、第5,141,671号、第5,150,006号、第5,151,629号、第5,405,709号、第5,484,922号、第5,593,788号、第5,645,948号、第5,683,823号、第5,755,999号、第5,928,802号、第5,935,720号、第5,935,721号和第6,020,078号专利案,但不局限于以上专利。
以8-羟基喹啉及类似衍生物(分子式A)所构成的金属络合物为有用的主发光体化合物的一种,特别是适合发光波长大于500nm的电激发光,如绿、黄、橘和红光。
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9,10-二-(2-萘基)蒽的衍生物(分子式B)为构成有用的主发光体的一种,特别是适用于发光波长大于400nm的电激发光,例如,蓝、绿、黄、橘、红光。
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例证包含9,10-二-(2-萘基)蒽和2-第三-丁基-9,10-二-(2-萘基)蒽;其他可作为发光层主发光体的蒽衍生物,包括9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽衍生物及EP 681,019所描述的苯基蒽衍生物。
描述于美国第5,121,029号专利案中的二苯乙烯基伸芳基衍生物也是用于发光层的有效主发光体。
适合的荧光掺杂物包括衍生自熔合环、杂环和其他化合物例如蒽、四苯(tetracene)、二苯并吡喃、二萘嵌苯(perylene)、红荧烯(rubrene)、香豆素(coumarin)、若丹明(rodamine)、喹吖啶酮(quinacridone)、噻喃(thiopyran)、聚甲炔(polymethine)、pyrilium、thiapyrilium和carbostyryl化合物。以下的例证包括一些可用的掺杂物,但不仅限于此:
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其中R可为氢、叔丁基、或
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其中n=1或2,R1,R2,R3,R4选自取代或非取代的苯基、1-萘基、2-萘基、9-蒽基、或
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R9,R10,R11,R12选自取代或非取代的苯基、1-萘基、2-萘基、9-蒽基、或
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其中R13,R14,X选自取代或非取代的苯基、1-萘基、2-萘基、9-蒽基、或
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其中R可为氢或叔丁基、或
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其中R可为氢、叔丁基、或
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其中R可为氢、苯基、甲基、或
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其中,式八为5,6,11,12-四苯基并四苯(红荧烯)[5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(rubrene)],是一被广泛研究且使用的黄光掺杂物,根据一些研究文献报导(Y.Sato et al,Syn.Met.,1997,91,103),可知该化合物有以下优点:接近100%的量子效率、抗浓度骤熄可达7%、具双极性等等,且可增加元件稳定性与寿命。并且可用一般主发光体或者电洞传输材料作为其主发光体,如台湾公告第I242595号专利案。
电子传输层(Elctron-transporting layer,ETL)
在此发明中,较合适的有机电激发光元件的电子传输层的薄膜材料为金属螯合8-羟基喹啉类(oxinoid)化合物,包含8-羟基喹啉(oxine)螯合基,此类的化合物可帮助电子的注入和传输及产生高效率和易于制作的薄膜型态;其他可作为电子传输材料包含美国第4,356,429号专利案所揭露的各种丁二烯衍生物及美国第4,539,507号专利案所描述的各种杂环光学明亮剂(heterocyclic opticalbrighteners),而苯并氮杂茂类也可作为可用的电子传输材料。
在某些例子中,发光层和电子传输层可选择性的合并成单一层,亦即可同时兼顾发光和电子传输。
阴极(Cathode)
如果设计为电激发光由阳极透出,则在此发明中几乎任何可导电的材料皆可组成阴极,其中较为需求的材料特性为成膜性佳,此可确保阴极和底下的有机层有良好的接触,进而提升电子在低电压时的注入,且要有好的稳定性;有用的阴极材料通常为低功函数的金属(<4.0eV)或金属合金;美国第4,885,221号专利案中所描述的镁银合金(Mg:Ag)为合适的阴极材料之一,其中银的比率为1%到20%;另一种合适的阴极材料为包含一厚导电金属层覆盖一低功函数金属薄层或金属盐的双层式结构,美国第5,677,572号专利案中所描述的此种阴极由一LiF薄层和一Al厚层所组成;其他有用的阴极材料包含但不限制于美国第5,059,861号、第5,059,862号和第6,140,763号专利案中所被揭露的材料。
而当元件设计为电激发光是透过阴极发出的话,则阴极必须为透明或接近于透明,在这种情况下,金属必须很薄或必须使用透明的导电氧化物,或这些材料的组合;美国第5,776,623号专利案中有关于光学透明阴极的详细描述;沉积阴极材料的方法可为蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)或化学气相沉积(chemical vapor deposition),而必要时,阴极可被图案化(patterning),经由许多熟知的方式,包含,但不限制于:经由遮罩沉积(through-mask deposition)、如美国第5,276,380号专利案和EP 0732868所描述的整体荫罩技术(integral shadowmasking)、雷射烧蚀(laser ablation)和选择性化学气相沉积。
此外,为了改善有机电激发光装置的发光颜色、发光效率、发光稳定性、元件寿命与元件制作方式等,可参阅已颁予的美国第4,356,429号、第4,539,507号、第4,720,432号、第4,885,211号、第5,151,629号、第5,150,006号、第5,141,671号、第5,073,446号、第5,061,569号、第5,059,862号、第5,059,861号、第5,047,687号、第4,950,950号、第4,769,292号、第5,104,740号、第5,227,252号、第5,256,945号、第5,069,975号、第5,122,711号、第5,366,811号、第5,126,214号、第5,142,343号、第5,389,444号、第5,458,977号等专利案。
于本发明的另一较佳具体例中,该有机电激发光装置为一显示器。一般而言,该显示器可用于电视、行动电话、电脑显示器、监视器、各式个人、家庭、办公室及/或交通工具所使用的装置及/或电器用品或其他可使用显示器的装置及/或电器用品。
实施例
为了进一步说明本发明的方法与优点,以下特举数个合成例与实施例,但本发明的精神与具体内容不以此为限。
以下提供本案实施例会使用到的仪器的介绍:
1.核磁共振光谱仪:为VARIAN Unity 300MHz进行测量以获得核磁共振(NMR)光谱,并以CDCl3为测量标准化合物。
2.质谱仪:是以MICROMASS TRIO-2000GC/MS并使用快速原子撞击(FAB)游离法测量。
3.真空薄膜蒸镀机(coater):是以TRC的18时旋转式蒸镀机,其可放置6个基板,2个机动挡板、8个电热坩埚、5个震荡感应器、IC-5膜厚控制仪及扩散式帮浦。
4.分光光度计(colorimeter):是使用PhotoResearch PR-650仪器进行量测。
5.电源供应器(programmable power supply):是使用KEITHLEY 2400仪器供给电流。
I.化合物的合成
合成比较例一:
方法同合成例一,其中2-methylanthracene改成2-ethylanthracene,得9-bromo-2-ethylanthracene(黄色粉末4g,产率57.8%,HPLC>96%)。
合成比较例二:
方法同合成例一,其中2-methylanthracene改成2-t-butylanthracene,得9-bromo-2-t-butylanthracene(黄色粉末2.5g,产率37.5%,HPLC>96%)。
我们发现2-甲基蒽的溴化,产率特别高,可进一步得到高纯度且可量产化的OLED材料。
合成例一:
取500ml三颈瓶,加入二氯甲烷(30ml),加入2-methylanthrancene(5g,25mmole),再加入NBS(N-Bromosuccinimide,4.8g,28mmole),常温下搅拌。以HPLC检测是否反应完毕,反应完全后,倒入水中析出。过滤后以少量甲醇冲洗,得9-bromo-2-methylanthrancene(深黄色粉末3g,产率70%,HPLC>96%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.53(d,1H);8.27(s,1H);8.21(s,1H);7.87(d,1H);7.75(d,1H);7.58(t,1H);7.45(t,1H);7.24(d,1H);2.60(s,3H)。
合成例二至四可配合参看以下化学反应式:
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合成例二:
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取500ml三颈瓶,加入二氯甲烷(30ml),加入2-methylanthracene(5g,25mmole),再加入NBS(N-Bromosuccinimide,4.8g,28mmole),常温下搅拌。以TLC检测是否反应完毕,反应完全后,倒入水中析出。过滤后以少量甲醇冲洗,得中间体A1(深黄色粉末3g,HPLC>96%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.53(d,1H);8.27(s,1H);8.21(s,1H);7.87(d,1H);7.75(d,1H);7.58(t,1H);7.45(t,1H);7.24(d,1H);2.60(s,3H)。
合成例三:
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取500ml三颈瓶,加入Toluene(100ml)/Ethanol(20ml)/D.I.water(35ml),加入中间体A1(20g,0.074mol),再加1-Naphthaleneboronic acid(14g,0.081mol),接着加入K2CO3(20.6g,0.143mo1)后,马上加入Pd(pph3)4(0.3%×0.074mo1)。加热至100~105℃,回流后2小时检测是否反应完毕。反应完成后,倒入水中后以甲苯萃取,萃取后以硫酸钠除水。过滤,减压浓缩后,得中间体A2(黄褐色浓稠液体20g,产率84%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.52(s,1H);8.02-7.96(m,4H);7.85-7.81(m,1H);7.69-7.63(dd,1H);7.51-6.79(m,8H);2.27(s,3H)。
合成例四:
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取500ml三颈瓶,加入二氯甲烷(40m1)/Acetic acid(150m1),接着加入中间体A2(20g,0.063mol),进行冰浴。待降至0~5℃后,以50ml加料管将Br2(11.2g,0.07mol)缓慢滴入三颈瓶中,滴完后再行移除冰浴。反应完全后,倒入水中,再以Na2SO3(aq)20wt%倒入反应物中,直至水溶液颜色不再改变,搅拌30分钟后。过滤。得中间体A3(黄绿色粉末22g,产率88%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.61(d,1H0;8.53(d,1H);8.06(d,1H);8.01(d,1H),7.71-7.30(m,7H);7.22-7.02(m,3H);2.33(s,3H)。
合成例五:
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方法同合成例三使用中间体A1(16g,0.06mol)与2-Naphthaleneboronic acid(11.2g,0.066mol)进行铃木偶合反应,可得中间体A4,产出20g(黄褐色浓稠液体,产率84%,HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.54(s,1H);8.10-8.06(m,3H);8.01(d,1H);7.97(s,1H);7.96-7.94(m,1H);7.96-7.94(m,1H);7.77(d,1H);7.67-7.62(m,3H);2.44(s,3H)。
合成例六:
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方法同合成例四使用中间体A4(20g,0.06mol)可得中间体A5,产出20g(黄绿色粉末,产率84%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.59(d,1H);8.52(d,1H);7.96(d,1H);7.94(d,1H);7.87(d,1H);7.86(s,1H);7.61-7.48(m,5H);7.47(d,1H);7.42(s,1H);7.30(dt,1H);2.36(s,3H)。
合成例七:
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方法同合成例三使用中间体A1(10g,0.037mol)与4-(2-Naphthalene)bezeneboronic acid(10g,0.041mol)进行铃木偶合反应,可得中间体A6,产出12g(淡黄色粉末,产率84%,HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):δ:8.49(s,1H);8.26(s,1H);8.06(d,1H);8.01-7.93(m,7H);7.77(d,1H);7.59-7.53(m,5H);7.47(dt,1H);7.38(dd,1H);7.37(d,1H);2.57(s,3H)。
合成例八:
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方法同合成例四使用中间体A6(9.2g,0.023mol)可得中间体A7,产出10g(黄绿色粉末,产率84%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.61(d,1H);8.54(d,1H);8.02-7.90(m,7H);7.72(d,1H);7.59-7.50(m,5H);7.44(d,1H);7.38(dt,1H);2.46(s,3H)。
合成例九:B601制备
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取500ml三颈瓶,甲苯(100ml)/乙醇(20ml)/D.I.water(35ml),加入中间体A3(7g,17.6mmol),再加4-(2-Naphthyl)phenylboronic acid(5g,20.1mmol),接着加入K2CO3(5g,35.7mmol)后,马上加入Pd(pph3)4(0.3%×17.6mmol)。加热至回流(约100~105℃),回流后2小时检测是否反应完毕。反应完成后,倒入水中后以甲苯萃取,萃取后以硫酸钠除水。过滤、通层析管柱,再减压浓缩后。过滤,得7.3g淡黄色粉末(产率80%、HPLC>99%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.22(s,1H);8.08-7.83(m,9H);7.72(dt,1H),7.58-7.51(m,3H);7.30-7.19(m,6H);7.08-7.04(m,2H);6.79(d,1H);6.65(s,1H);2.08(s,3H).Td(TGA):421.83℃;Tm(DSC)265.90℃;λabs(nm):358,377,397;λem(nm):425;MF:C41H28;m/e(Mass,M+):520.67。
合成例十:B602制备
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方法同合成例九使用中间体A3(2g,5.03mmol)使用4-(1-Naphthal)phenylboronic acid(1.4g,5.6mmol)进行铃木偶合反应,可得B602,产出1.1g淡黄色粉末(产率42%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.22-8.20(m,1H);8.07(d,1H);8.00(d,1H);7.98-7.87(m,2H);7.85(d,1H);7.82(d,1H);7.78-7.68(m,4H);7.68-7.55(m,10H);7.52-7.51(dt,2H);7.38(d,1H);7.37-7.35(dt,1H);2.30(s,3H)。Td(TGA):407.18℃;Tm(DSC)221.37℃;λabs(nm):358,377,398;λem(nm):423;MF:C41H28;m/e(Mass,M+):520.67。
合成例十一:B603制备
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方法同合成例九使用中间体A3(2g,5.03mmol)使用4-Biphenylboronic acid(1.1g,5.5mmol)进行铃木偶合反应,可得B603,产出1.4g淡黄色末粉末(产率58%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.13(d,1H);8.11(d,1H);7.93(t,2H);7.88-7.82(m,3H);7.81-7.76(m,3H);7.70(m,1H);7.67-7.42(m,8H);7.38(dt,1H);7.28-7.23(m,3H);2.35(s,3H)。Td(TGA):391.70℃;Tm(DSC)239.31℃;λabs(nm):358,377,398;λem(nm):424;MF:C37H26;m/e(Mass,M+):470.61。
合成例十二:B604制备
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方法同合成例九使用中间体A3(2g,5.03mmol)使用2-Naphthaleneboronicacid(1.2g,7.0mmol)进行铃木偶合反应,可得B604,产出1.3g淡黄色粉末(产率58%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.20-8.09(m,6H);8.02(t,1H);7.85-7.63(m,7H);7.57(t,1H);7.46(d,1H);7.37-7.22(m,4H);2.36(s,3H)。Td(TGA):373.70℃;λabs(nm):358,377,397;λem(nm):423;MF:C35H24;m/e(Mass,M+):444.58。
合成例十三:B605制备
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取500ml三颈瓶,加入甲苯(40ml)/乙醇(8ml)/D.I.water(15ml),加入中间体A5(4g,10mmole),再加4-(2-Naphthal)phenylboronic acid(2.8g,11mmole),接着加入K2CO3(2.8g,20mmol)后,马上加入Pd(pph3)4(0.3%×10mmole)。加热至回流温度约100~105℃,回流后2小时检测是否反应完毕。反应完成后,倒入水中后以Toluene 100~150ml萃取,萃取后以Na2SO4除水。过滤、通层析管柱,再减压浓缩后,析出。过滤,得B605,产出3.9g淡黄色粉末(严率74%,HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.25(s,1H);8.10(d,1H);8.06-7.92(m,9H);7.83(d,1H);7.76(d,1H);7.70(d,1H);7.63-7.58(m,5H);7.56-7.52(m,2H);7.48(s,1H);7.36-7.29(m,2H);7.24-7.22(dd,1H);2.37(s,3H)。Td(TGA):460.14℃;Tm(DSC)248.13℃;λabs(nm):358,378,398;λem(nm):431;MF:C41H28;m/e(Mass,M+):520.67。
合成例十四:B606制备
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方法同合成例十三使用中间体A5(4g,10mmol)与4-Biphenylboronic acid(2.2g,11mmol)进行铃木偶合反应,可得B606,产出3.6g淡黄色粉末(产率76%、HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.10-7.89(m,4H);7.86(d,2H);7.76(d,2H);7.71-7.59(m,10H);7.53(s,1H);7.50(t,1H);7.41-7.30(m,2H);7.24(dd,1H);2.36(s,3H)。Td(TGA):434.51℃;Tm(DSC)248.13℃;λabs(nm):359,378,398;λem(nm):429;MF:C37H26;m/e(Mass,M+):470.61。
合成例十五:B607制备
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方法同合成例十三使用中间体A5(4g,10mmol)与4-(1-Naphthal)phenylboronic acid(2.8g,11mmol)进行铃木偶合反应,可得B607,产出3.4g淡黄色粉末(产率65%、HPLC>90%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.19(dd,1H);8.09(d,2H);8.06-8.03(m,2H);8.01(s,1H);7.99-7.97(dd,2H);7.96-7.93(m,3H);7.88-7.86(m,2H);7.84(s,1H);7.83-7.79(m,2H);7.77-7.75(m,3H);7.40-7.37(dt,3H);7.34-7.31(m,2H);7.28(dd,1H);7.23-7.21(m,1H);2.39(s,3H)。Td(TGA):433.41℃;Tm(DSC)385.87℃;λabs(nm):360,378,398;λem(nm):429;MF:C41H28;m/e(Mass,M+):520.67。
合成例十六:B608制备
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取500ml三颈瓶,加入甲苯(40ml)/乙醇(8ml)/D.I.water(15ml),加入中间体A7(4.7g,10mmole),再加1-Naphthaleneboronic acid(2.1g,11mmol),接着加入K2CO3(2.8g,20mmol)后,马上加入Pd(pph3)4(0.3%×10mmole)。加热至回流温度约100~105℃,回流后2小时检测是否反应完毕。反应完成后,倒入水中后以Toluene 100~150ml萃取,萃取后以Na2SO4除水。过滤、通层析管柱,再减压浓缩后,析出。过滤,得B608,产出5.02g淡黄色粉末(产率80%,HPLC>95%)。1H NMR(CDCl3,300MHz,δ):8.29(s,1H);8.04(d,1H);8.01-7.97(m,6H);7.93(d,1H);7.83(d,1H);7.72-7.69(m,2H);7.64(d,1H);7.61-7.47(m,5H);7.45(d,1H);7.39(s,1H);7.33(dt,1H);7.25-2.22(m,3H);7.09(dd,1H);2.42(s,3H)。Td(TGA):442.19℃;Tm(DSC)203.83℃;λabs(nm):359,377,397;λem(nm):426;MF:C41H28;m/e(Mass,M+):520.67。
II.本发明化合物所构成元件的颜色及亮度测定
本发明的有机电激发光装置(OLED,10)的一个具体实施例是以图1的简化截面图为举例说明。OLED 10包括一片透明玻璃或塑胶基材11,将一透明的导电阳极层12沉积在基材11的平面上,将由有机电洞注入材料沉积在阳极层12的表面上,以形成电洞注入层13。再将有机电洞传输层材料沉积在电洞注入层13表面上以形成有机电洞传输层14。将由含有荧光掺杂物的主发光材料所造成一有机发光层15沉积在有机电洞传输层14的表面上。将电子传输材料所造成的一电子传输层16沉积在有机发光层15的表面上。然后将电子注入材料所造成的一电子注入层17沉积在电子传输层16的表面上及将金属导电层18沉积在电子注入层17的表面上而形成阴极层18。
在此具体实施例中,导电阳极层12是p型接触点,而导电阴极层18是n型接触点。将电源19的负极端子连接至导电层18及将正极端子连接至导电层12。当电位藉电源19施加在导电阳极层12与导电阴极层18之间时,则将自n型接触点[导电阴极层18]所注入的电子将通过电子注入层17和有机电子传输层16而进入有机发光层15中以及将自p型接触点[导电阳极层12]所注入的电洞通过有机电洞注入层13和有机电洞传输层14而进入有机发光层15中。在有机发光层15,电子与电洞再结合时,则发射光子。
其制作程序如下:
一、基板的清洗:准备已经蚀刻好的ITO基板(该ITO基板尺寸为40x40mm大小),将该ITO基板以丙酮、甲醇及去离子水清洗后置入烘箱内,以130℃的温度烘烤1小时;
二、基板的前处理:将ITO基板自烘箱中取出后置入电浆处理器中,依既有活化步骤进行活化;
三、蒸镀:将前置处理完成的ITO基板放置于TRC蒸镀机台内的旋转载具上,当蒸镀机腔体的真空度达10-6Torr时,开始加热蒸镀材料,此时的蒸镀速率则是由石英感测器来作监测。发明人以
的速率蒸镀电洞注入层,以
的速率蒸镀NPB,以
的速率蒸镀Alq3,再以
的速率蒸镀LiF,以及以
的速率蒸镀Al。
四、元件封装:封装盖为玻璃素材。将玻璃盖涂上UV胶后,将刚制作好的元件与封装盖一起放入氮气手套箱内,再以重物将ITO基板与封装盖密合起来,并以UV光来进行胶的聚合反应。
五、元件颜色及亮度的测量:将封装好的元件,在LabVIEW程式控制下,以电源供应器供给电流,并以分光光度计量测元件光谱、亮度和发光色度(CIEx,y)等性质。
根据前述颜色及亮度的测定方法,发明人分别测定化合物作为有机发光层所构成元件的颜色及亮度,其结果如下:
实施例1(比较性实例)
ITO(铟锡氧化物)玻璃基板为长40mmx宽40mmx厚0.7mm,在甲醇中经由超音波清洗12分钟,然后再经紫外线(产生臭氧)照射10分钟。将被清洁后的玻璃基板移进真空气相沉积设备。在有透明电极的表面上,形成一层薄膜S707(请参看以下结构式)具有厚度为180nm,使形成的薄膜盖透明电极。S707所形成的薄膜作为第一电洞注入层(电洞传输层)。然后在S707上形成7nm的NPB(请参看以下结构式)。所形成的薄膜为第二电洞注入层(电洞传输层)。将2%式十七的化合物和ADN的化合物混合真空气相沉积,形成厚度30nm作为发光层。再以Alq(请参看以下结构式)形成一厚度为10nm薄膜作为电子注入层。的后,将氟化锂(LiF)0.1nm沉积在Alq上,作为电子注入层(阴极)。最后将铝以气相沉积150nm形成阴极,上述序列完成装置的沉积。接着,将该装置密闭封装于一干燥手套箱中以进行保护。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.69V,发出蓝色光、CIE(0.159,0.251)、亮度为2237cd/m2,发光效率为11.18cd/A。于室温下以20mA/cm2运作所制作的元件以用于运作稳定性测试。运作300小时候亮度下降25%。
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实施例2(比较性实例)
有机电激发光二极体制作,依照实施例一的程序,以化合物MADN取代ADN化合物。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.45V,发出蓝色光、CIE(0.154,0.228)、亮度为1937cd/m2,发光效率为9.68cd/A。运作300小时候亮度下降20%。
实施例3(发明性实例)
有机电激发光二极体制作,依照实施例一的程序,以化合物B601取代ADN化合物。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.46V,发出蓝色光、CIE(0.157,0.242)、亮度为2146cd/m2,发光效率为10.73cd/A。运作300小时候亮度下降18%。
实施例4(发明性实例)
有机电激发光二极体制作,依照实施例一的程序,以具有式B603的化合物取代ADN化合物。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.78V,发出蓝色光、CIE(0.163,0.234)、亮度为1890cd/m2,发光效率为9.45cd/A。运作300小时候亮度下降16%。
实施例5(发明性实例)
有机电激发光二极体制作,依照实施例一的程序,以具有式B605的化合物取代ADN化合物。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.60V,发出蓝色光、CIE(0.155,0.238)、亮度为2043cd/m2,发光效率为10.22cd/A。运作300小时候亮度下降16%。
实施例6(发明性实例)
有机电激发光二极体制作,依照实施例一的程序,以具有式B606的化合物取代AND化合物。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.44V,发出蓝色光、CIE(0.158,0.234)、亮度为2028cd/m2,发光效率为10.14cd/A。运作300小时候亮度下降14%。
实施例7(发明性实例)
与实施例一相同方式的前处理,形成一层薄膜S707具有厚度为90nm,使形成的薄膜盖透明电极。S707所形成的薄膜作为第一电洞注入层(电洞传输层)。然后在S707上形成7nm的NPB。所形成的薄膜为第二电洞注入层(电洞传输层)。将0.5%RD5的化合物、60%红荧烯(rubrene)与40%的B601化合物混合真空气相沉积,形成厚度50nm作为发光层。再以Alq形成一厚度为45nm薄膜作为电子注入层。的后,将氟化锂(LiF)0.1nm沉积在Alq上,作为电子注入层(阴极)。最后将铝以气相沉积150nm形成阴极,上述序列完成装置的沉积;接着,将该装置密闭封装于一干燥手套箱中以进行保护。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为7.56V,发出红色光、CIE(0.642,0.349)、亮度为1257cd/m2,发光效率为6.28cd/A。运作300小时候亮度下降6%。
实施例8(发明性实例)
与实施例一相同方式的前处理,形成一层薄膜S707具有厚度为75nm,使形成的薄膜盖透明电极。S707所形成的薄膜作为第一电洞注入层(电洞传输层)。然后在S707上形成7nm的NPB。所形成的薄膜为第二电洞注入层(电洞传输层)。将5%GD54的化合物与具有式B601的化合物混合真空气相沉积,形成厚度30nm作为发光层。再以Alq形成一厚度为25nm薄膜作为电子注入层。的后,将氟化锂(LiF)0.1nm沉积在Alq上,作为电子注入层(阴极)。最后将铝以气相沉积150nm形成阴极,上述序列完成装置的沉积。接着,将该装置密闭封装于一干燥手套箱中以进行保护。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为5.78V,发出绿色光、CIE(0.329,0.627)、亮度为4445cd/m2,发光效率为22.23cd/A。运作300小时候亮度下降8%。
实施例9(发明性实例)
与实施例一相同方式的前处理,形成一层薄膜S707具有厚度为180nm,使形成的薄膜盖透明电极。S707所形成的薄膜作为第一电洞注入层(电洞传输层)。然后在S707上形成7nm的NPB。所形成的薄膜为第二电洞注入层(电洞传输层)。将3%BD5的化合物与具有式B601的化合物混合真空气相沉积,形成厚度30nm作为发光层。再以Alq形成一厚度为10nm薄膜作为电子注入层。的后,将氟化锂(LiF)0.1nm沉积在Alq上,作为电子注入层(阴极)。最后将铝以气相沉积150nm形成阴极,上述序列完成装置的沉积。接着,将该装置密闭封装于一干燥手套箱中以进行保护。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.34V,发出深蓝色光、CIE(0.142,0.141)、亮度为1131cd/m2,发光效率为5.65cd/A。运作300小时候亮度下降15%。
实施例10(发明性实例)
与实施例一相同方式的前处理,形成一层薄膜S707具有厚度为75nm,使形成的薄膜盖透明电极。S707所形成的薄膜作为第一电洞注入层(电洞传输层)。然后在S707上形成7nm的NPB。所形成的薄膜为第二电洞注入层(电洞传输层)。将3%TBRb的化合物与具有式B601的化合物混合真空气相沉积,形成厚度30nm作为发光层。再以Alq形成一厚度为25nm薄膜作为电子注入层。的后,将氟化锂(LiF)0.1nm沉积在Alq上,作为电子注入层(阴极)。最后将铝以气相沉积150nm形成阴极,上述序列完成装置的沉积。接着,将该装置密闭封装于一干燥手套箱中以进行保护。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为6.56V,发出黄色光、CIE(0.477,0.496)、亮度为2480cd/m2,发光效率为12.40cd/A。运作300小时候亮度下降11%。
实施例11(发明性实例)
与实施例一相同方式的前处理,形成一层薄膜S707具有厚度为75nm,使形成的薄膜盖透明电极。S707所形成的薄膜作为第一电洞注入层(电洞传输层)。然后在S707上将2%TBRb的化合物与NPB形成厚度20nm的薄膜为第二电洞注入层(电洞传输层)。将2%式十七的化合物与具有式B601的化合物混合真空气相沉积,形成厚度40nm作为发光层。再以Alq形成一厚度为10nm薄膜作为电子注入层。的后,将氟化锂(LiF)0.1nm沉积在Alq上,作为电子注入层(阴极)。最后将铝以气相沉积150nm形成阴极,上述序列完成装置的沉积。接着,将该装置密闭封装于一干燥手套箱中以进行保护。
以电流密度20mA/cm2驱动有机电激发光二极体时,驱动电压为7.35V,发出白色光、CIE(0.318,0.317)、亮度为2710cd/m2,发光效率为13.55cd/A。运作300小时候亮度下降14%。
而就上述各实施例与比较例所形成的有机电激发光二极体,就驱动电压、亮度、电流效率、色度值(CIE)作一比较表,请参看以下表一所示:
表一
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从上述表一实施例证实:当发光层的主体经选择以包含不对称三取代蒽的2-甲基蒽化合物为发光层主体时,可达成电压、效率及稳定性的极大改良。另外,如自CIE座标可明显看出,当发光层的主体包括不对称三取代蒽的2-甲基蒽化合物时可保持元件的颜色纯度。图2A、图2B、图2C和图2D,此系列化合物制作成元件后,实施例一与比较例一相比可降低驱动电压0.23V。实施例一与比较例二相比可增加约10%的发光效率。有机电激发光二极体利用本发明的化合物式B601~式B607,本发明具有高效率的发光,并发出蓝色光(如图2C)。并可作为红、蓝、绿、黄光的发光主体(如图2D)。
以有机小分子为材料所制作的有机电激发光二极体,材料本身(以均匀薄膜方式存在)要能在元件操作(电流流通)过程中避免结晶。结晶会造成分子堆迭,无论是荧光或磷光本质的电激发光(electroluminescence)都会骤熄(quenching)使元件亮度大幅下降,终至完全不亮。故制作有机电激发光二极体,其组成材料在分子设计上,力求非结晶性(amorphous)的玻璃态,图3A、图3B、图3C所示分别为ADN未经退火处理,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。而图4A、图4B、图4C所示分别为ADN,在大气、90℃下持温1小时后,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。图5A、图5B、图5C所示分别为MADN,未经退火处理,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。而图6A、图6B、图6C所示分别为MADN,在大气、90℃下持温1小时后,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。图7A、图7B、图7C所示分别为式B601化合物,未经退火处理,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。而图8A、图8B、图8C所示分别为式B601化合物,在大气、90℃下持温1小时后,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。图9A、图9B、图9C所示分别为式B603化合物,未经退火处理,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。而图10A、图10B、图10C所示分别为式B603化合物,在大气、90℃下持温1小时后,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。图11A、图11B、图11C所示分别为式B605化合物,未经退火处理,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。而图12A、图12B、图12C所示分别为式B605化合物,在大气、90℃下持温1小时后,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。图13A、图13B、图13C所示分别为式B606化合物,未经退火处理,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。而图14A、图14B、图14C所示分别为式B606化合物,在大气、90℃下持温1小时后,由扫描式显微镜所测得5,000倍、50,000倍、100,000倍的薄膜表面形态。
其中,如图3A、图3B、图3C所示,未经退火处理时,该薄膜即有明显有结晶性的形态;图4A、图4B、图4C所示,经退火处理后,该薄膜结晶形态更为严重;图5A、图5B、图5C与图6A、图6B、图6C相较下显示,未经退火处理时薄膜表面平滑,但经退火处理后该薄膜有轻微结晶性的形态,MADN仍有轻微缺陷。但图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14的图A、B、C所示,不论有无经过退火处理,该薄膜皆为平滑且具非结晶形态。显示具有式(I)的结构的系列化合物有效改善AND、MADN的结晶性情况,为良好的非结晶性(amorphous)化合物。
表二
MADN(比较性)
□
□
B601(发明性)
○
○
B603(发明性)
○
○
B605(发明性)
○
○
B606(发明性)
○
○
○:非常良好;□:良好;△:恶劣。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,对本发明而言仅仅是说明性的,而非限制性的。本专业技术人员理解,在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变,修改,甚至等效,但都将落入本发明的保护范围内。