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本申请提供一种磁存储装置,通过使存储单元结构最优化来共同确保两条写入布线的可靠性。设位线(10)的布线宽度和厚度分别是W1和T1,数字线(5)的厚度为T2,从数字线(5)的厚度方向中心到MTJ元件(8)的自由层厚度方向中心的距离为L1,设数字线(5)的布线宽度为W2,从位线(10)的厚度方向中心到MTJ元件(8)的自由层厚度方向中心距离为L2,则以在L1/L21的情况下,满足(1/3)(L1/L2。