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1、(10)授权公告号 CN 202519195 U (45)授权公告日 2012.11.07 CN 202519195 U *CN202519195U* (21)申请号 201220049283.5 (22)申请日 2012.02.16 C09K 13/04(2006.01) (73)专利权人 江阴润玛电子材料股份有限公司 地址 214423 江苏省无锡市江阴市周庄镇欧 洲工业园区 (72)发明人 沈翠芬 戈士勇 盛建伟 (74)专利代理机构 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人 唐纫兰 曾丹 (54) 实用新型名称 ITO 蚀刻液制备装置 (57) 摘要 本实用新型涉及一种 ITO 蚀刻液。
2、制备装置， 包括纯水储罐 （1） 、 氮气储罐 （5） 、 混合罐 （6） 、 隔 膜泵 （7） 、 超滤装置 （8） 和成品罐 （9） ； 所述纯水储 罐 （1）出口与加热器 （2）进口相连， 所述加热器 （2） 出口与所述混合罐 （6） 进口相连， 所述氮气储 罐 （5） 的出气管从所述混合罐 （6） 顶端伸入至混 合罐 （6） 内部 ； 所述混合罐 （6） 的出口与隔膜泵 （7） 的进口相连， 所述隔膜泵 （7） 的出口与超滤装 置 （8） 的进口相连， 所述超滤装置 （8） 的出口与成 品罐 （9） 进口相连。本实用新型， 制得的蚀刻液颗 粒度小， 颗粒杂质含量少、 纯度高。 (51)。
3、Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1 页 2 1. 一种 ITO 蚀刻液制备装置， 其特征在于 ： 所述制备装置包括纯水储罐 （1） 、 加热器 （2） 、 硝酸储罐 （3） 、 盐酸储罐 （4） 、 氮气储罐 （5） 、 混合罐 （6） 、 隔膜泵 （7） 、 超滤装置 （8） 和成 品罐 （9） ； 所述纯水储罐 （1） 出口与加热器 （2） 进口相连， 所述加热器 （2） 出口与所述混合罐 （6） 进口相连， 所述混合罐 （6） 进口还与硝酸储。
4、罐 （3） 和盐酸储罐 （4） 的出口相连 ； 所述氮气储罐 （5） 的出气管从所述混合罐 （6） 顶端伸入至混合罐 （6） 内部 ； 所述混合罐 （6） 的出口与隔膜泵 （7） 的进口相连， 所述隔膜泵 （7） 的出口与超滤装置 （8） 的进口相连， 所述超滤装置 （8） 的出口与成品罐 （9） 进口相连。 权 利 要 求 书 CN 202519195 U 2 1/2 页 3 ITO 蚀刻液制备装置 技术领域 0001 本实用新型涉及一种蚀刻液的制备装置， 具体涉及一种 ITO 蚀刻液制备装置， 主 要用于铟锡氧化物半导体透明导电膜的蚀刻。 背景技术 0002 蚀刻是将材料使用化学反应或物理。
5、撞击作用而移除的技术。 蚀刻技术分为湿蚀刻 和干蚀刻， 其中， 湿蚀刻是采用化学试剂， 经由化学反应达到蚀刻的目的。薄膜场效应晶体 管液晶显示器(TFTLCD)、 发光二极管(LED)、 有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程 中铟锡氧化物半导体透明导电膜 (ITO) 的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的 蚀刻液在制备过程中， 由于盐酸和硝酸的腐蚀性较强， 常规的搅拌装置已被腐蚀， 影响蚀刻 液的质量， 后改用聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌， 但其成本高， 且混合的效果不好， 使得蚀刻 液颗粒度大， 在试剂蚀刻过程中， 造成蚀刻液分散不均匀， 从而使得不同金属层的蚀刻量难 以控制， 影。
6、响产品的良率。 0003 近年来， 人们对液晶显示器的需求量不断增加的同时， 对产品的质量和画面精度 也提出了更高的要求， ITO 蚀刻液的组成和颗粒度直接影响了蚀刻效果， 决定了导致电路板 制造工艺的好坏， 从而影响高密度细导线图像的精度和质量。若要满足人们对图像精度和 质量提出的更高要求， 本领域技术人员就有必要对现有的 ITO 蚀刻液的相关技术做出进一 步改进。 发明内容 0004 本实用新型的目的在于克服上述不足， 提供一种混合效果好、 蚀刻液粒度小的 ITO 蚀刻液制备装置。 0005 本实用新型的目的是这样实现的 ： 一种 ITO 蚀刻液制备装置， 所述制备装置包括 纯水储罐、 加。
7、热器、 硝酸储罐、 盐酸储罐、 氮气储罐、 混合罐、 隔膜泵、 超滤装置和成品罐 ； 0006 所述纯水储罐出口与加热器进口相连， 所述加热器出口与所述混合罐进口相连， 0007 所述混合罐进口还与硝酸储罐和盐酸储罐的出口相连 ； 0008 所述氮气储罐的出气管从所述混合罐顶端伸入至混合罐内部 ； 0009 所述混合罐的出口与隔膜泵的进口相连， 所述隔膜泵的出口与超滤装置的进口相 连， 所述超滤装置的出口与成品罐进口相连。 0010 与现有技术相比， 本实用新型的有益效果是 ： 0011 本实用新型， 将纯水加热后再进行混合， 使得各组分混合更均匀， 采用氮气进行搅 拌， 无腐蚀无污染， 易控。
8、制， 成本低， 超滤装置除杂更彻底， 制得的蚀刻液颗粒度小， 颗粒杂 质含量少、 纯度高， 蚀刻铟锡氧化物半导体透明导电膜速率适中， 反应稳定， 无残留。 附图说明 0012 图 1 为本实用新型 ITO 蚀刻液制备装置的结构示意图。 说 明 书 CN 202519195 U 3 2/2 页 4 0013 其中 ： 0014 纯水储罐 1、 加热器 2、 硝酸储罐 3、 盐酸储罐 4、 氮气储罐 5、 混合罐 6、 隔膜泵 7、 超 滤装置 8、 成品罐 9。 具体实施方式 0015 参见图 1， 本实用新型涉及的一种 ITO 蚀刻液制备装置， 所述制备装置包括纯水储 罐 1、 加热器 2、 。
9、硝酸储罐 3、 盐酸储罐 4、 氮气储罐 5、 混合罐 6、 隔膜泵 7、 超滤装置 8 和成品 罐 9 ； 0016 所述纯水储罐 1 出口与加热器 2 进口相连， 所述加热器 2 出口与所述混合罐 6 进 口相连， 0017 所述混合罐 6 进口还与硝酸储罐 3 和盐酸储罐 4 的出口相连 ； 0018 所述氮气储罐 5 的出气管从所述混合罐 6 顶端伸入至混合罐 6 内部 ； 0019 所述混合罐 6 的出口与隔膜泵 7 的进口相连， 所述隔膜泵 7 的出口与超滤装置 8 的进口相连， 所述超滤装置 8 的出口与成品罐 9 进口相连。 0020 本实用新型 ITO 蚀刻液制备装置使用方法。
10、， 包括如下加工步骤 ： 0021 先将纯水加热， 然后输送至混合罐中， 开启氮气储罐的阀门， 使氮气进入混合罐， 在将硝酸和盐酸加入到混合罐中， 通过调节氮气的流量来控制搅拌速度， 充分搅拌， 混合均 匀后通过隔膜泵提升至超滤装置， 超滤后得到纯净度高、 液粒细小的 ITO 蚀刻液成品。 0022 所得 ITO 蚀刻液中每 100kg 颗粒度大于 0.3m 的颗粒不超过 100 个， 杂质阴离子 不超过 30ppb， 杂质阳离子不超过 0.05ppb， 蚀刻铟锡氧化物半导体透明导电膜速率适中， 反应稳定， 无残留。 说 明 书 CN 202519195 U 4 1/1 页 5 图 1 说 明 书 附 图 CN 202519195 U 5 。