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提供一种用于等离子处理室的失效检测方法。该方法包括检测该等离子室内的等离子参数和分析所得到的信息。这种分析使得能够检测如工艺副产物聚集、氦泄漏、匹配重调谐时间、差稳定速率和等离子限制损失的失效。还使得能够在该晶片处理过程中进行失效模式诊断。该方法包括测量该等离子参数与时间的函数和分析得到的数据。可利用如探针的探测器进行监测,该探测器优选地保持在该等离子室内基本上与该室内的表面共面并且直接测量净离子。