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1、(10)授权公告号 CN 101491715 B (45)授权公告日 2012.10.03 CN 101491715 B *CN101491715B* (21)申请号 200910077790.2 (22)申请日 2009.02.19 A61N 1/18(2006.01) A61N 2/04(2006.01) (73)专利权人 梅州康立高科技有限公司 地址 518055 广东省深圳市南山区大磡科技 园 E 栋 6 楼 (72)发明人 徐建兰 刘恩平 侯建凯 侯兴凯 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 祁建国 梁挥 CN 1879906 A,2006.1。
2、2.20, 说明书第 10 页 倒数第 2 段 . CN 1393270 A,2003.01.29, 权利要求 1， 8. (54) 发明名称 一种超低频磁刺激装置及其工作方法 (57) 摘要 本发明提供了一种超低频磁刺激装置及其工 作方法。该装置包括控制模块、 电平平移与变换 电路和输出模块， 其中， 控制模块， 用于生成频率 为 20Hz 以下的直流刺激信号 ； 电平平移与变换电 路， 用于对刺激信号进行电位平移， 使之成为交流 刺激信号 ； 输出模块， 用于对交流刺激信号进行 功率放大， 并产生电流、 电场或磁场。本发明超低 频磁刺激装置的输出电流为非脉冲超低频的电流 (20Hz 以下 。
3、)、 电场或磁场 ； 输出的电流可与电极 连接用于电治疗， 可与线圈连接用于磁治疗， 从而 达到治疗和缓解大脑相关疾病的目的。 (51)Int.Cl. (56)对比文件 审查员 李文 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 5 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 5 页 1/1 页 2 1. 一种超低频磁刺激装置， 其特征在于， 该装置包括控制模块、 电平平移与变换电路、 输出模块， 其中， 该控制模块， 用于生成频率为 20Hz 以下的直流刺激信号 ； 该电平平移与变换电路， 用于对刺激信号进行电位平移， 使之成为交流刺激信。
4、号 ； 该 电平平移与变换电路包括整流桥、 稳压器、 电解电容、 电位器、 电阻、 放大器 NE5532、 反相器 74LS06 以及电源输入、 信号输入和输出三个外接端口 ； 该电源提供两路交流电串接后通过 该整流桥， 产生的正负两路电压， 通过该稳压器输出直流电为该放大器 NE5532 供电 ； 利用 该放大器 NE5532、 该电阻和该电位器搭建加法器电路， 通过调节该电位器进行电平平移 ； 输出模块， 用于对交流刺激信号进行功率放大， 并产生非脉冲超低频的电流、 电场或磁场。 2.如权利要求1所述的超低频磁刺激装置， 其特征在于， 控制模块包括ARM处理器以及 音频芯片， 音频芯片在 。
5、ARM 处理器的控制下产生所述直流刺激信号。 3. 如权利要求 1 所述的超低频磁刺激装置， 其特征在于， 还包括人机界面， 与 ARM 通信 以实现人机界面控制。 4. 如权利要求 2 所述的超低频磁刺激装置， 其特征在于， 控制模块采用型号为 QQ2440V3 的开发板， 所述音频芯片为 UDA1341TS ； UDA1341TS 通过输出口的电容 C45 和电容 C46 短接， 通过输出口的电阻 R4 和电阻 R9 接地。 5. 如权利要求 1 所述的超低频磁刺激装置， 其特征在于， 输出模块包括至少一个功率 放大电路， 功率放大电路的输出端和一个线圈连接。 6. 如权利要求 2 所述的。
6、超低频磁刺激装置， 其特征在于， 输出模块包括至少一个功率 放大电路， 功率放大电路的输出端和一个电极连接。 7. 如权利要求 1 所述的超低频磁刺激装置， 其特征在于， 所述交流刺激信号是以 0V 为 基准的交流刺激信号。 8. 如权利要求 5 所述的超低频磁刺激装置， 其特征在于， 所述功率放大电路为芯片 TDA7294 ； 控制模块还用于输出芯片 TDA7294 所需的静音控制信号。 9. 如权利要求 8 所述的超低频磁刺激装置， 其特征在于， 控制模块为 ARM 处理器 ； 电平 平移与变换电路还用于将静音控制信号的电压变换， 将高电平为 3.3V 的静音控制信号变 换为 5V 的静音。
7、控制信号输出至芯片 TDA7294。 10. 根据权利要求 1-9 任一项所述超低频磁刺激装置， 其特征在于， 输出电流为单一频 率的非脉冲超低频的电流和 / 或多种频率的非脉冲超低频电流的组合输出 ； 单一频率电流 和 / 或多种频率组合电流同时输出或分时输出。 11. 根据权利要求 10 所述超低频磁刺激装置， 其特征在于， 多种频率的组合输出时采 用调制输出或叠加输出。 12. 一种如权利要求 1 所述的超低频磁刺激装置的工作方法， 其特征在于， 包括 ： 步骤 1， 生成频率为 20Hz 以下的直流刺激信号 ； 步骤 2， 对刺激信号进行电位平移， 使之成为交流刺激信号 ； 步骤 3，。
8、 对交流刺激信号进行功率放大， 并产生电流、 电场或磁场。 权 利 要 求 书 CN 101491715 B 2 1/6 页 3 一种超低频磁刺激装置及其工作方法 技术领域 0001 本发明属于医疗器械， 特别涉及一种超低频磁刺激装置及其工作方法。 背景技术 0002 当代医学研究表明， 包括大脑和小脑在内的人脑组织对磁信号非常敏感。磁刺激 能改善大脑局部血液循环， 促进脑细胞修复， 激发脑组织活力。利用大脑对磁场的敏感性， 对大脑进行磁诱导， 可以治疗和预防精神疾病。 而且磁刺激具有无创性和安全性高的特点。 当前应用的磁刺激技术所用的磁场主要是脉冲磁场， 使用频率较高， 主要用于神经科疾病 。
9、的诊断， 对疾病的治疗效果难以让人满意。同时， 科学研究还发现， 不同频段的磁场刺激对 大脑所产生的生物学效应是有所不同的。 0003 现有技术中还没有下述的医疗器械 ： 通过产生超低频的电流， 通过电极或线圈作 用于大脑， 调节脑内的神经递质的功能， 进而调节大脑的功能 ； 而随着社会竞争压力逐渐增 大， 精神和心理疾病已成为人类面临的一项挑战， 因此对大脑的功能进行调解是现代人非 常需要的。 发明内容 0004 为了解决上述的技术问题， 本发明提供了一种超低频磁刺激装置及其工作方法， 用于治疗和缓解大脑相关疾病。 0005 本发明提供了一种超低频磁刺激装置， 该装置包括控制模块、 电平平移。
10、与变换电 路、 输出模块， 其中， 0006 控制模块， 用于生成频率为 20Hz 以下的直流刺激信号 ； 0007 电平平移与变换电路， 用于对刺激信号进行电位平移， 使之成为交流刺激信号 ； 0008 输出模块， 用于对交流刺激信号进行功率放大， 并产生电流、 电场或磁场。 0009 控制模块包括ARM处理器以及音频芯片， 音频芯片在ARM处理器的控 制下产生所 述直流刺激信号。 0010 还包括人机界面， 与 ARM 通信以实现人机界面控制。 0011 控制模块采用型号为 QQ2440V3 的开发板， 所述音频芯片为 UDA1341TS ； UDA1341TS 通过输出口的电容(C45)。
11、和电容(C46)短接， 通过输出口的电阻(R4)和电阻(R9)R9接地。 0012 输出模块包括至少一个功率放大电路， 功率放大电路的输出端和一个线圈连接。 0013 输出模块包括至少一个功率放大电路， 功率放大电路的输出端和一个电极连接。 0014 所述交流刺激信号是以 0V 为基准的交流刺激信号。 0015 所述功率放大电路为芯片 TDA7294 ； 控制模块还用于输出芯片 TDA7294 所需的静 音控制信号。 0016 控制模块为 ARM 处理器 ； 电平平移与变换电路还用于将静音控制信号的电压变 换， 将高电平为 3.3V 的静音控制信号变换为 5V 的静音控制信号输出至芯片 TDA。
12、7294。 0017 输出电流为单一频率的非脉冲超低频的电流和 / 或多种频率的非脉冲超低频电 说 明 书 CN 101491715 B 3 2/6 页 4 流的组合输出 ； 单一频率电流和 / 或多种频率组合电流同时输出或分时输出。 0018 多种频率的组合输出时采用调制输出或叠加输出。 0019 本发明提供了一种超低频磁刺激装置的工作方法， 包括 ： 0020 步骤 1， 生成频率为 20Hz 以下的直流刺激信号 ； 0021 步骤 2， 对刺激信号进行电位平移， 使之成为交流刺激信号 ； 0022 步骤 3， 对交流刺激信号进行功率放大， 并产生电流、 电场或磁场。 0023 本发明超低。
13、频磁刺激装置的输出电流为非脉冲超低频的电流 (20Hz 以下 )、 电场 或磁场 ； 输出的电流可与电极连接用于电治疗， 可与线圈连接用于磁治疗 ； 输出电流为单 一频率的连续非脉冲超低频的电流， 和多种频率的非脉冲连续超低频电流的组合输出， 可 同时输出或分时输出 ； 可多种频率的组合输出治疗， 可采用调制输出或叠加输出 ； 其采用 交变的超低频非脉冲磁场， 对人的大脑进行磁诱导， 从而达到治疗和缓解大脑精神相关疾 病的目的。 附图说明 0024 图 1 为本发明超低频磁刺激装置的电路原理图 ； 0025 图 2 为本发明超低频磁刺激装置中音频输出电路的原理图 ； 0026 图 3 为本发明。
14、超低频磁刺激装置中电平平移与变换电路原理图 ； 0027 图 4 为本发明超低频磁刺激装置中电平平移与变换电路的加法器的电路原理图 ； 0028 图 5 为本发明超低频磁刺激装置中功率放大电路的原理图 ； 0029 图 6 为本发明超低频磁刺激装置中功率放大电路的静音控制电路原理图。 0030 具体实施方式 0031 本发明公开的超低频磁刺激装置如图 1 所示。包括控制模块 10， 电平平移与变换 电路 20 和输出模块 30。控制模块 10 包括 ARM 处理器 103、 触摸式彩色液晶显示屏 101 和 音频芯片 102 ； 输出模块 30 包括四个功率放大电路 301( 该产品的生产者可。
15、以设置功率放 大器的个数 ) 以及相应的四个线圈 303， 每个功率放大电路 301 具有一个通道 302。ARM 处 理器 103 连接触摸式彩色液晶显示屏 101， ARM 处理器 103 的输出端子直接连接电平平移与 变换电路20的同时， 还通过音频芯片连接电平平移与变换电路20， 电平平移与变换电路20 再通过并列的超低频信号输出线和静音控制线连接功率放大电路 301， 四个功率放大电路 301 的输出端各连接一个线圈 303， 刺激频率为 0.001Hz 20Hz ； 功率放大电路输出端还可 以连接有电疗电极 ( 图中未示出 )， 电疗频率为 0.001Hz 20Hz。 0032 输。
16、出电流为非脉冲超低频的 20Hz( 优选 0.2Hz) 以下电流、 电场或磁场 ； 输出的电 流与电极连接用于电治疗， 与线圈 303 连接用于磁治疗 ； 输出端只能连接电极或线圈之一 ； 输出电流为单一频率的非脉冲超低频的电流， 和多种频率的非脉冲超低频电流的组合输 出， 单一频率电流和多种频率组合同时输出或分时输出 ； 或输出电流为多种频率的组合输 出， 组合输出时采用调制输出或叠加输出。 刺激频率0.001Hz20Hz按1毫赫兹连续可调 ； 最大磁场强度为 200 高斯， 连续可调 ； 输出波形为单个正弦波或多个正弦波的叠加。 0033 如此设计， 超低频磁刺激装置的硬件主要由ARM处理。
17、器(含有操作系统)103、 电平 平移与变换电路 20、 和输出模块 30 三部分组成。其中， ARM 处理 器 103 主要负责人机界面 控制， 超低频刺激信号的生成， 静音控制， 治疗方案的设置与存储， 以及磁场标定等功能。 电 说 明 书 CN 101491715 B 4 3/6 页 5 平平移与变换电路 20 负责对 ARM 的输出信号进行电位平移， 使之成为 0 基准的超低频信号 输出给功放电路 ； 同时对 ARM 输出的静音信号进行电平变换， 使之符合后续功放电路的控 制要求。输出模块 30 负责对超低频刺激信号进行功率放大， 并通过线圈输出， 产生交变的 超低频刺激磁场。 本仪器。
18、采用变压器供电， 功率为1500W， 初级输入为220VAC， 次级为28VAC 两路， 12VAC 两路。其中两路 28V 输出串联整流后为功放板供电 ； 两路 12V 输出串联整流后 为电平平移与变换电路和 ARM 控制模块供电。其采用超低频连续磁场， 对人的大脑进行磁 诱导， 从而达到治疗和缓解大脑精神相关疾病的目的。 0034 作为优化， 所述控制模块采用型号为 QQ2440V3 的开发板， 其音频芯片 UDA1341TS 通过输出口的 C45， C46 电容短接， 同时将 R4 和 R9 电阻接地去掉滤波功能。如此设计， 控制 模块的主控板采用广州友善之臂公司生产的QQ2440V3开。
19、发板， 液晶显示采用其配套的7寸 彩色液晶屏。根据需要， 对 ARM 开发板做了少量改动。即将音频芯片 UDA1341TS 输出口的 C45， C46 电容短接， 同时将 R4 和 R9 电阻去掉。原因在于 ： 本设计采用音频芯片进行超低频 刺激信号输出， 而原开发板上音频输出 10HZ 以下被滤波， 所以本设计将滤波器件去掉， 以 产生超低频信号。 0035 针对本仪器的特殊用途， 定制了专用的 WinCE5.0 内核， 该系统启动后可自动加载 SD 卡上的用户程序。 0036 还设计了专用的超低频磁刺激系统应用程序， 该程序可以方便的进行对波形参数 的设置， 磁场定标， 8 种刺激方案的设。
20、定和保存， 刺激计时， 强度在线调整等实用功能。 0037 作为优化， 如图2所示， 所述音频芯片UDA1341TS的1、 5、 11、 27脚直接接地 ； 23、 9、 21、 20 脚分别通过 10K 的 R77、 R78、 R79、 R80 接地 ； 28 脚通过 0.1F 电容 C44 接地 ； 2、 4 脚 串接后通过 10F 电容 C47 并接 MICIN 和 47K 的 R3、 R3 再通过 100K 的 R11 并接 VDD33V 和 通过 10F 电容 C48 接地 ； 26 脚通过 10F 电容 C45 并接 LINEOUT L 和通过 10K 的 R9 接 地 ； 24 。
21、脚通过 10F 电容 C46 并接 LINEOUT B 和通过 10K 的 R4 接地 ； 12、 16、 17、 18、 19、 13、 14、 15 脚分别接 CDCLK、 I2SSCLK、 I2SLRCK、 I2SSDI、 I2SSDO、 L3MODE、 L3CLOCK、 L3DATA ； 3、 7、 25 脚串接后接 AU-AVDD33V， 通过 10F 电容 C71 接地， 通过电感 L4 连接 VDD33V ； 10 脚连 接 VDD33V。如此设计， 结构简单， 性能可靠。 0038 作为优化， 电平平移与变换电路的电平平移是将控制模块 10 输出的超低频基准 为1.75V直流信。
22、号变换为0V为基准的交流信号， 电平变换是采用集电极开路的反相器芯片 实现控制模块输出的静音信号输出高电平 3.3V 到 5V 的电平转化。如此设计， 电平平移与 变换电路 20 是控制模块 10 和输出模块 30 之间的接口电路。其主要作用有二 ： 0039 1) 电平平移。从控制模块 10 输出的超低频信号基准为 1.75V， 是直流信号。电平 平移的目的是将此信号变换为以 0V 为基准的交流信号。这样经过后续功率放大放可产生 交变的超低频磁场。 0040 2) 电平变换。控制模块 10 输出的静音信号输出高电平为 3.3V， 此电压和驱动能 力都不足以完成功放的静音， 因此， 本设计采用。
23、集电极开路的反相器芯片 74LS06 实现 3.3V 与 5V 的电平转化， 并增加驱动能力。 0041 作为优化， 如图 3 所示， 电平平移与变换电路 20 包括整流桥、 稳压器、 电解电容、 电位器、 电阻、 NE5532 放大器、 74LS06 反向器、 以及电源输入、 信号输入和输出三个外接端 口 ； 电源接头 ACINPUT 的 1、 2 接口的两路 12 伏的交流电串接后连接整流桥 J0 的 2、 3 接口， 说 明 书 CN 101491715 B 5 4/6 页 6 整流桥 J0 产生的正负两路电压分别通过其 4、 1 接口连接 7805 正稳压芯片 JI 的 1 接口和 7。
24、905 负稳压芯片 J2 的 2 接口 ； 电源接头 ACINPUT 的负极接口 3 接地、 并连接正稳压芯片 JI 的 2 接口和 7905 负稳压芯片 J2 的 1 接口， 还分别通过 1000F 电容 C1、 1000F 电容 C3、 1000F 电容 C2、 1000F 电容 C4 分别连接正稳压芯片 JI 的 1、 3 接口、 负稳压芯片 J2 的 2、 3 接口 ； 正稳压芯片 JI 的 3 接口连接 NE5532 放大器 JP1 的 8 接口， 放大器 JP1 的 1 接口 连接 INPUT 输出入接头 J5 的 1 接口， 放大器 JP1 的 1 接口和 2 接口通过 6K 电。
25、阻 R4 串连， 负稳压芯片 J2 的 3 接口与放大器 JP1 的 4 接口串接后通过 10K 调节电位器 R1 接地， 放大 器 JP1 的 2 接口通过 6K 电阻 R3 连接 INPUT 输入接头 J4 的 2 接口， 放大器 JP1 的 2 接口还 通过 15K 电阻 R2 连接调节电位器 R1 ； 正稳压芯片 JI 的 3 接口、 电容 C3 和放大器 JP1 的 8 接口串接后连接 74LS06 集电极开路的反向器 JP2 的 14 接口、 还通过 33K 电阻 R5 连接反向 器 JP2 的 2 接口， 反向器 JP2 的 14 接口通过 0.1F 电容 C5 接地， 电容 C。
26、5 接地前还连接 INPUT 输入接头 J4 的 3 接口、 OUTPUT 输出入接头 J5 的 3 接口和反向器 JP2 的 7 接口， 反向 器 JP2 的 1 接口连接 INPUT 输入接头 J4 的 1 接口， 反向器 JP2 的 2 接口连接 OUTPUT 输出 接头 J5 的 1 接口。图 2 中的输出信号 LINEOUT L 与 INPUT 输入接头 J4 的 2 接口连接， 输 出信号 LINEOUT B 悬空。 0042 如此设计， 该电路主要由整流桥、 稳压器、 电解电容、 电位器、 电阻、 NE5532 放大器、 74LS06 反向器、 以及电源输入、 信号输入和输出三个。
27、外接端口组成。工作原理为 ： 电源提供 的两路12伏的交流电串接后通过整流桥， 产生的正负两路电压， 通过正稳压芯片7805和负 稳压芯片 7905， 分别输出正负 5 伏的直流电， 为放大器 NE5532 供电。利用放大器 NE5532、 电阻和电位器搭建加法器电路， 通过调节电位器进行电平平移。 0043 1) 整流桥 ： 采用 3A 排桥， 两路 12 伏交流电从两个输入端进入， 有正负两路整流后 的输出。 0044 2)稳压器 ： 采用7805和7905两稳压块， 整流桥的输出电压， 正向电压经过7805转 化为 5 伏直流正电压， 负向电压经过 7905 转化为 5 伏直流负电压。 。
28、0045 3) 电解电容 ： 稳压器两端的 0.1uF/25 伏的电解电容是旁路电容， 抑制电路中可能 产生的自激振荡， 起到抑制干扰的作用。 0046 4) 运算放大器 ： 采用运算放大器 NE5532， 其为 DIP8 封装的双运放， 内部为 JFET( 结型场效应管结构 )， 驱动力强， 电压适应范围非常宽， 从正负 3V 至正负 20V 都能正 常工作。 0047 加法器 ： 原理图 4 所示， 利用计算公式 ： 0048 0049 R1选择 10K 电位器， R2选择 15K 电阻， R3、 R5选择 6K 电阻， 带入上述公式可得 ： 输 出电压在原信号上加入 0V -2V 的平移。
29、电压。 0050 作为优化， 所述功率放大电路的音频放大芯片为 TDA7294 型， 所述功率放大电路 的其额定输出功率达 100W、 工作电压为 32V。如此设计， 输出模块 30 负责对超低频刺激 信号进行功率放大， 并通过线圈输出， 产生交变的超低频刺激磁场。 0051 作为优化， 如图 5 所示， 所述功率放大电路是音频放大芯片 TDA7294 的 1 接口 STBY-GND 接地， 音频放大芯片 TDA7294 的 8 和 15 接口串接后分别通 过 100nF 的电容 C9 接 说 明 书 CN 101491715 B 6 5/6 页 7 地、 接输入信号 -VS、 通过 1000。
30、nF 的电容 C8 接地 ； 音频放大芯片 TDA7294 的 7 和 13 接口串 接后分别通过 100nF 的电容 C7 接地、 接输入信号 +VS、 通过 1000nF 的电容 C6 接地 ； 音频放 大芯片TDA7294的4接口接地， 音频放大芯片TDA7294的3接口通过22K电阻R1接地， 音频 放大芯片TDA7294的2接口通过680的电阻R2接地， 还通过22K电阻R3连接音频放大芯 片 TDA7294 的 14 接口、 22F 电容 C5 和线圈 303， 电容 C5 再连接音频放大芯片 TDA7294 的 6 接口， 线圈 303 再接地。图 3 中的输出信号 output。
31、1 与作为输入与音频放大芯片 TDA7294 的3接口连接(四个音频放大芯片均接收该输出信号output1)， 图3中的输出信号output2 与音频放大芯片TDA7294的10接口连接(四个音频放大芯片均接收该输出信号output2)。 0052 如此设计， 功率放大电路采用了音频放大芯片 TDA7294， 其额定输出功率可达到 100W( 工作电压为 32V 时 )。各器件的作用如下表所示。 0053 0054 以上电子部件可以大于或小于推荐值， 其中 ： R1 用于输入阻抗、 大于推荐值时用 于提高输入阻抗、 小于推荐值时用于减小输入阻抗 ； R2 用于闭环增益到 30DB， 大于推荐值。
32、 时减小增益、 小于推荐值时增大增益 ； R3 用于闭环增益到 30DB， 大于推荐值时增大增益、 小 于推荐值时减小增益 ； R4 用于 STBY 时间， 大于推荐值时更高待机时间、 小于推荐值时更小 待机时间 ； R5用于MUTE时间， 大于推荐值时更高静音时间、 小于推荐值时更低静音时间 ； C3 用于 MUTE 时间， 大于推荐值时更高静音时间、 小于推荐值时更低静音时间 ； C4 用于 STBY 时 间， 大于推荐值时更高待机时间、 小于推荐值时更小待机时间 ； C5 属于自举电容、 小于推荐 值时低频信号衰减 ； C6， C8 用于电源过滤。C7， C9 用于电源过滤。 0055 。
33、作为优化， 所述功率放大电路的音频放大芯片为 TDA7294 型， 所述功率放大电路 的其额定输出功率达 100W、 工作电压为 32V。如此设计， 匹配性好。 0056 作为优化， 所述功率放大电路还包括静音控制电路， 如图 5 所示， 静音控制电路是 音频放大芯片 TDA7294 的 STBY 端子通过 20K 电阻 R20 连接音频放大芯片 TDA7294 的 4 接 口， 还通过 10F 电容 C20 接地 ； 音频放大芯片 TDA7294 的 MUTE 端子通过 10F 电容 C21 接地， 还依次通过相互并联的 30K 电阻 R21、 IN4148 二极管和 10K 电阻 R22 。
34、串接音频放大芯 片 TDA7294 的 4 接口与电阻 R20 之间的连线。如此设计， 为了使在不需要磁场输出时， 线圈 中没有任何干扰电流， 其的输出为0， 在功放电路中增加了静音控制。 其电路图如图5所示， 当 MUTE 端为高电平 (+5V) 时， TDA7294 芯片正常工作， 对输入信号进行功率放大。当 MUTE 端为低电平 ( 2.5V) 时， TDA7294 芯片静音， 即无论有无输入信号， 输出电流为 0。 说 明 书 CN 101491715 B 7 6/6 页 8 0057 作为优化， 输出电流为非脉冲超低频的 0.2Hz 以下电流、 电场或磁场 ； 输出的电流 与电极连接。
35、用于电治疗， 与线圈连接用于磁治疗 ； 输出电流为单一频率的非脉冲超低频的 电流， 和多种频率的的非脉冲超低频电流的组合输出， 单一频率电流和多种频率组合电流 同时输出或分时输出 ； 或输出电流为多种频率的组合输出， 组合输出时采用调制输出或叠 加输出。 0058 作为优化， 刺激频率 0.001Hz 20Hz 按 1 毫赫兹连续可调， 可以通过调节选择 相应的频率， 例如 0.001Hz， 0.002Hz， 0.003Hz， 0.005Hz， 0.01Hz， 0.1Hz， 0.2Hz， 0.5Hz， 1Hz， 2Hz， 4Hz， 8Hz， 10Hz， 16Hz， 18Hz等不同的频率 ； 最。
36、大磁场强度为200高斯， 连续可调 ； 输出波 形为单个正弦波或多个正弦波的叠加。 如此设计， 其采用交变的超低频连续磁场， 对人的大 脑进行磁诱导， 从而达到治疗和缓解大脑精神相关疾病的目的。 0059 需要说明的是 ： 采用变压器供电， 功率为 1500W， 初级输入为 220VAC， 次级为 28VAC 两路， 12VAC 两路。其中两路 28V 输出串联整流后为功放板供电 ； 两路 12V 输出串联整流后 为电平平移与变换电路和 ARM 控制模块供电。 0060 本发明还提供了一种超低频磁刺激装置的工作方法， 包括 ： 0061 步骤 1， 生成频率为 20Hz 以下的直流刺激信号 ； 0062 步骤 2， 对刺激信号进行电位平移， 使之交流刺激信号 ； 0063 步骤 3， 对交流刺激信号进行功率放大， 并产生电流、 电场或磁场。 说 明 书 CN 101491715 B 8 1/5 页 9 图 1 说 明 书 附 图 CN 101491715 B 9 2/5 页 10 说 明 书 附 图 CN 101491715 B 10 3/5 页 11 说 明 书 附 图 CN 101491715 B 11 4/5 页 12 图 4 图 5 说 明 书 附 图 CN 101491715 B 12 5/5 页 13 图 6 说 明 书 附 图 CN 101491715 B 13 。