加热装置及半导体加工设备.pdf

本发明公开了一种加热装置及半导体加工设备，包括并排布置的多根加热管，每根加热管的上方设有单独的反射罩，反射罩可以为抛物线形、弧线形、三角形或梯形等，加热管可以位于抛物线的焦点处，可以对每根加热管的热量单独进行反射和调整，既能充分利用加热管的辐射能量，又能保证被加热物体受热均匀。可以用于等离子体增强化学气相沉积PECVD的红外预热系统中或其它需要红外加热的系统中，可应用于太阳能电池生产、半导体芯片制造、TFT面板制造等领域。

1.  一种加热装置，包括并排布置的多根加热管，其特征在于，所述的多根加热管中，每根加热管的上方设有单独的反射罩。

2.  根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述的反射罩为抛物线形、弧线形、三角形或梯形。

3.  根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述的加热管位于所述抛物线的焦点处。

4.  根据权利要求1、2或3所述的加热装置，其特征在于，所述多根加热管的反射罩依次相互连接。

5.  根据权利要求1、2或3所述的加热装置，其特征在于，所述加热管为红外线加热管。

6.  一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的加热装置。

7.  根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，该设备为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。

加热装置及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及一种半导体加工器件，尤其涉及一种加热装置及半导体加工设备。
背景技术
在太阳能电池制造领域，或者半导体芯片制造等领域，有时需要对进行加工工艺的器件做加热的预处理。现有技术中，一般采用红外辐射加热、加热器传导加热等形式。
如图1所示，在红外辐射加热中，一般采用并排的红外加热管2，依靠加热管2发出的红外线烘烤被加热物体1。这种加热方法，由于加热管2会向被加热物体1的对面也辐射大量的热能，造成能量的很大浪费。
如图2所示，现有技术一的技术方案：
在加热管2的背面增加一层反射罩31，可以把加热管2向外辐射的能量再反射回被加热体1，充分利用加热管2的辐射能量。
如图3所示，现有技术二的技术方案：
反射罩32成整体弧形，可以将反射回来的能量集中到被加热物体1上。
上述现有技术至少存在以下缺点：
反射罩31、32再次反射的红外光线杂乱无章，被加热物体1的受热均匀性难以保证。
发明内容
本发明的目的是提供一种既能充分利用加热管的辐射能量，又能保证被加热物体受热均匀的加热装置及半导体加工设备。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明的加热装置，包括并排布置的多根加热管，所述的多根加热管中，每根加热管的上方设有单独的反射罩。
本发明的半导体加工设备，包括上述的加热装置。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的加热装置及半导体加工设备，由于每根加热管的上方设有单独的反射罩，可以对每根加热管的热量单独进行反射和调整，既能充分利用加热管的辐射能量，又能保证被加热物体受热均匀。
附图说明
图1为现有技术中的红外辐射加热装置的结构示意图；
图2为现有技术一的加热管反射罩的结构示意图；
图3为现有技术二的加热管反射罩的结构示意图；
图4为本发明的加热装置的具体实施例的结构示意图；
图5a为本发明的加热装置的具体实施例一中反射红外光线的状态示意图；
图5b为本发明的加热装置的具体实施例二的结构示意图；
图5c为本发明的加热装置的具体实施例三的结构示意图。
具体实施方式
本发明的加热装置，其较佳的具体实施方式如图4所示，包括并排布置的多根加热管，多根加热管2中，每根加热管2的上方设有单独的反射罩33。多根加热管2的反射罩33可以依次相互连接成为一个整体，也可以相互独立。
如图5a、5b、5c所示，反射罩33可以为抛物线形、弧线形、三角形或梯形等形状。在一个加热装置的多根加热管2中，反射罩33的形状可以统一，也可以允许多种形状存在。
当反射罩33为抛物线形时，加热管2可以位于抛物线的焦点处，这样从加热管射向反射罩的光被反射时，可以使热量充分反射回被加热物体。同时，光线会平行向下射出，于是被反射光就会比较均匀的射到被加热体上。当然，也可以让加热管2不在抛物线的焦点处，可以上下调节反射罩33使得光线按照想要的方向反射。
本发明的加热装置，加热管2可以为红外线加热管，也可以为可见光加热管或其它的加热管等。结构简单、成本低、易于实现。
本发明的半导体加工设备，其较佳的具体实施方式是，包括上述的加热装置。每根加热管有一个相对独立的空间，根据加热管和反射罩的距离，可以调节反射的方向，可以提高被加热体的受热均匀，从来提高被加热体的工艺均匀性。
本发明的半导体加工设备可以为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，也可以是其它的半导体加工设备。可以用于等离子体增强化学气相沉积PECVD的红外预热系统中或其它需要红外加热的系统，这些系统可应用于太阳能电池生产领域，同时也可用于半导体芯片制造、TFT面板制造领域等。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。