含磷光单元的化合物、含其的发光聚合物及有机发光器件.pdf

本发明提供含磷光单元的化合物、含其的发光聚合物及有机发光器件(OLED)。该OLED可用在其中期望低功耗和低驱动电压的便携式电子设备中。

1.  由式1表示的化合物：
式1

其中Ha₁和Ha₂各自独立地为卤素原子；
X₁为O或S；
Y₁为-(CR₁R₂)_n1-或-(CR₃R₄)_n2-O-，其中R₁～R₄各自独立地选自氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基，以及n1和n2各自独立地为0～20的整数；
M₁为二价至四价金属原子；
L₁和L₂各自独立地为由下式2、3、4和4a之一表示的有机配体，其中如果式2为L₁，则式2的CY1和CY2之一中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式3为L₁，则式3的CY3中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式4为L₁，则式4的CY4中的原子之一经由单键连接到Y₁；和如果式4a为L₁，则A₁₀中的原子之一经由单键连接到Y₁；和
t为1或2；
其中式2、3、4和4a为
式2                式3                   式4

式4a

其中X₂和X₃各自独立地选自C和N；
CY1、CY3和CY4各自独立地为取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环；
CY2选自取代或未取代的C₅-C₃₀芳环、取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代或未取代的C₅-C₃₀脂族环、以及取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环；
A₁₀为-(CR₂₀R₂₁)_n3-，其中n3为1～10的整数，至少一个-CR₂₀R₂₁-任选地被-NR₂₂-、-PR₂₃-或-S-代替，以及R₂₀、R₂₁、R₂₂和R₂₃各自独立地选自氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基；
m为0～10的整数；和
*为与式1的M₁的结合位点。

2.  权利要求1的化合物，其中所述取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环选自取代或未取代的吡咯、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的吡啶、取代或未取代的吡嗪、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的哒嗪、取代或未取代的异吲哚、取代或未取代的吲哚、取代或未取代的吲唑、取代或未取代的嘌呤、取代或未取代的喹啉、取代或未取代的苯并喹啉、取代或未取代的酞嗪、取代或未取代的萘啶、取代或未取代的喹喔啉、取代或未取代的喹唑啉、取代或未取代的肉啉、取代或未取代的咔唑、取代或未取代的菲啶、取代或未取代的吖啶、取代或未取代的菲咯啉、取代或未取代的吩嗪、取代或未取代的苯并噁唑、取代或未取代的苯并咪唑、取代或未取代的呋喃、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的噻吩、取代或未取代的苯并噻吩、取代或未取代的噻唑、取代或未取代的异噻唑、取代或未取代的苯并噻唑、取代或未取代的异噁唑、取代或未取代的噁唑、及取代或未取代的苯并-噁唑。

3.  权利要求1的化合物，其中所述取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环选自取代或未取代的吡咯烷、取代或未取代的吡唑烷、取代或未取代的咪唑烷、取代或未取代的哌啶、取代或未取代的哌嗪、以及取代或未取代的吗啉。

4.  权利要求1的化合物，其中所述取代或未取代的C₅-C₃₀芳环选自取代或未取代的苯、取代或未取代的并环戊二烯、取代或未取代的茚、取代或未取代的萘、取代或未取代的薁、取代或未取代的庚搭烯、取代或未取代的引达省、取代或未取代的苊烯、取代或未取代的芴、取代或未取代的非那烯、取代或未取代的菲、取代或未取代的蒽、取代或未取代的荧蒽、取代或未取代的苯并[9，10]菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的、取代或未取代的并四苯、取代或未取代的苉、取代或未取代的苝、取代或未取代的戊芬、以及取代或未取代的并六苯。

5.  权利要求1的化合物，其中所述取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代的C₃-C₃₀杂脂族环、取代的C₅-C₃₀芳环或取代的C₅-C₃₀脂族环包括选自如下的至少一个取代基：卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₁)(A₂)(A₃)、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₆-C₂₀芳基、C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₂₀芳氧基、羰基以及氨基，其中A₁、A₂和A₃各自独立地选自氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基和C₁-C₂₀烷氧基。

6.  权利要求1的化合物，其中式1的L₁由式5a～5z之一表示：



其中Z₁为S、O或NQ₇；
Q₁、Q₂、Q₃、Q₄、Q₅、Q₆和Q₇各自独立地选自氢原子、卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₁)(A₂)(A₃)、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₆-C₂₀芳基、C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₂₀芳氧基、以及氨基，其中选自Q₁、Q₂、Q₃、Q₄、Q₅、Q₆和Q₇的至少两个任选地稠合以形成5元至7元脂族环或芳环；
其中A₁、A₂和A₃各自独立地选自氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基和C₁-C₂₀烷氧基；
*’为与式1的Y₁的结合位点；和
*为与式1的M₁的结合位点。

7.  权利要求1的化合物，其中L₂由式6a～6z之一表示：



其中Z₂为S、O或NT₈；
T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇和T₈各自独立地选自氢原子、卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₄)(A₅)(A₆)、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₆-C₂₀芳基、C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₂₀芳氧基、以及氨基，其中选自T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇和T₈的至少两个任选地稠合以形成5元至7元脂族环或芳环；
其中A₄、A₅和A₆各自独立地选自氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基和C₁-C₂₀烷氧基；和
*为与式1的M₁的结合位点。

8.  权利要求1的化合物，其中该化合物为化合物1、2或3：
化合物1                            化合物2

化合物3


9.  由式7表示的聚合物：
式7

其中Ar₁和Ar₂各自独立地为取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基或者取代或未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基；
X₁为O或S；
Y₁为-(CR₁R₂)_n1-或-(CR₃R₄)_n2-O-，其中R₁～R₄各自独立地选自氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基，以及n1和n2各自独立地为0～20的整数；
M₁为二价至四价金属原子；
L₁和L₂各自独立地为由式2、3、4和4a之一表示的有机配体，其中如果式2为L₁，则式2的CY1和CY2之一中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式3为L₁，则式3的CY3中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式4为L₁，则式4的CY4中的原子之一经由单键连接到Y₁；和如果式4a为L₁，则式4a的A₁₀中的原子之一经由单键连接到Y₁；
t为1或2；
X₄为O、S、其中Q₁₁、Q₁₂、Q₁₃、Q₁₄、Q₁₅和Q₁₆各自独立地选自氢原子、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；
Y₂为取代或未取代的C₆-C₂₀亚芳基、或者取代或未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基；
R选自氢原子、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₃₀环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、以及取代或未取代的C₆-C₃₀杂芳基；
a为0＜a≤0.99的实数，b为0≤b≤0.99的实数，c为0＜c≤0.99的实数，和d为0≤d≤0.99的实数，其中a+b+c+d＝1；
其中式2、3、4和4a为：
式2                    式3                         式4

式4a

其中X₂和X₃各自独立地为C或N；
CY1、CY3和CY4各自独立地为取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环；
CY2选自取代或未取代的C₅-C₃₀芳环、取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代或未取代的C₅-C₃₀脂族环、以及取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环；
A₁₀为-(CR₂₀R₂₁)_n3-，其中n3为1～10的整数，至少一个-CR₂₀R₂₁-任选地被-NR₂₂-、-PR₂₃-或-S-代替，和R₂₀、R₂₁、R₂₂和R₂₃各自独立地选自氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基；
m为0～10的整数；和
*为与式1的M1的结合位点。

10.  权利要求9的聚合物，其中d为0。

11.  权利要求9的聚合物，其中所述取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环选自取代或未取代的吡咯、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的吡啶、取代或未取代的吡嗪、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的哒嗪、取代或未取代的异吲哚、取代或未取代的吲哚、取代或未取代的吲唑、取代或未取代的嘌呤、取代或未取代的喹啉、取代或未取代的苯并喹啉、取代或未取代的酞嗪、取代或未取代的萘啶、取代或未取代的喹喔啉、取代或未取代的喹唑啉、取代或未取代的肉啉、取代或未取代的咔唑、取代或未取代的菲啶、取代或未取代的吖啶、取代或未取代的菲咯啉、取代或未取代的吩嗪、取代或未取代的苯并噁唑、取代或未取代的苯并咪唑、取代或未取代的呋喃、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的噻吩、取代或未取代的苯并噻吩、取代或未取代的噻唑、取代或未取代的异噻唑、取代或未取代的苯并噻唑、取代或未取代的异噁唑、取代或未取代的噁唑、及取代或未取代的苯并噁唑。

12.  权利要求9的聚合物，其中所述取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环选自取代或未取代的吡咯烷、取代或未取代的吡唑烷、取代或未取代的咪唑烷、取代或未取代的哌啶、取代或未取代的哌嗪、以及取代或未取代的吗啉。

13.  权利要求9的聚合物，其中所述取代或未取代的C₅-C₃₀芳环选自取代或未取代的苯、取代或未取代的并环戊二烯、取代或未取代的茚、取代或未取代的萘、取代或未取代的薁、取代或未取代的庚搭烯、取代或未取代的引达省、取代或未取代的苊烯、取代或未取代的芴、取代或未取代的非那烯、取代或未取代的菲、取代或未取代的蒽、取代或未取代的荧蒽、取代或未取代的苯并[9，10]菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的、取代或未取代的并四苯、取代或未取代的苉、取代或未取代的苝、取代或未取代的戊芬、以及取代或未取代的并六苯。

14.  权利要求9的聚合物，其中所述取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代的C₃-C₃₀杂脂族环、取代的C₅-C₃₀芳环或取代的C₃-C₃₀脂族环包括选自如下的至少一个取代基：卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₁)(A₂)(A₃)、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₆-C₂₀芳基、C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₂₀芳氧基、羰基以及氨基，其中A₁、A₂和A₃各自独立地选自氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基和C₁-C₂₀烷氧基。

15.  权利要求9的聚合物，其中Ar₁和Ar₂各自独立地由式8a～8s之一表示：


其中R₅～R₈各自独立地选自氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基和C₆-C₂₀芳基；和
*为与相邻的重复单元的结合位点。

16.  权利要求9的聚合物，由式7a～7d之一表示：
式7a

式7b

式7c

式7d

其中Y₂为取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、或者取代或未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基；
R选自氢原子、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₃₀环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、以及取代或未取代的C₆-C₃₀杂芳基；
R₅～R₈各自独立地氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、或者C₆-C₃₀芳基，和
a为0＜a≤0.99的实数，b为0≤b≤0.99的实数，c为0＜c≤0.99的实数，和d为0≤d≤0.99的实数，其中a+b+c+d＝1。

17.  权利要求9的聚合物，其中所述聚合物在由下式表示的重复基团中发射红光或绿光之一、或者红光和绿光两者：


18.  权利要求9的聚合物，其中所述聚合物在由下式表示的重复基团中发射蓝光：


19.  权利要求9的聚合物，其中所述聚合物发射白光。

20.  权利要求9的聚合物，其中所述聚合物具有约10,000～约500,000的重均分子量。

21.  有机发光器件(OLED)，包括一对电极以及在该对电极之间的包括权利要求9的聚合物的有机层。

含磷光单元的化合物、含其的发光聚合物及有机发光器件
技术领域
一个或多个实施方式涉及包含磷光单元的化合物、由该化合物形成的发光聚合物以及具有包括该发光聚合物的有机层的有机发光器件。
背景技术
包括一对电极和设置于所述电极之间的有机层的有机发光器件(“OLED”)是在通过电极将电流施加到有机层上时通过在该有机层中经由电极注入的电子和空穴的复合而发光的有源发光显示器件。OLED提供如重量轻、部件简单、制造方法容易、图像质量优异和视角宽的优点。另外，OLED可产生完美的或近乎完美的动态图像和高的色纯度。OLED还具有适于便携式电子设备的电性能如低的功耗和低的驱动电压。
OLED可具有如下形成的结构。阳极形成于基板上。作为有机层的空穴传输层(“HTL”)、发光层(“EML”)和电子传输层(“ETL”)顺次形成于阳极上。在其上形成阴极。
当向阳极和阴极供应电流时，从阳极注入的空穴通过HTL传输到EML，从阴极注入的电子通过ETL传输到EML。传输的空穴和电子在EML中复合产生激子。激子的辐射衰减导致光发射，所述光具有相应于EML中分子的带隙的波长。
根据发光机理，用于形成OLED的EML的材料可分为利用单线态激子的荧光材料或利用三线态激子的磷光材料。可使用荧光材料或磷光材料、或者使用掺杂有荧光材料或磷光材料的主体材料形成EML。如果使用主体材料形成EML，则由于电子激发而在主体材料中形成单线态激子和三线态激子。在这种情况下，单线态激子和三线态激子以1∶3的体积比形成。
在使用荧光材料形成EML的OLED中，在主体中产生的三线态激子未被利用。然而，在使用磷光材料形成EML的OLED中，不仅单线态激子被利用，而且三线态激子也被利用，由此使内量子效率提高至100％。
然而，仍需要开发可适合用于高效率全色显示器或低功耗白光发射器件的利用磷光的高效发光材料。
发明内容
一个或多个实施方式包括包含磷光单元的化合物。
一个或多个实施方式包括发光聚合物。
一个或多个实施方式包括具有包括该发光聚合物的有机层的有机发光器件(“OLED”)。
下面描述该公开内容的另外实施方式。
一个或多个实施方式包括由下式1表示的化合物：
式1

其中Ha₁和Ha₂各自独立地为卤素原子；
X₁为O或S；
Y₁为-(CR₁R₂)_n1-或-(CR₃R₄)_n2-O-，其中R₁～R₄各自独立地选自氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基，以及n1和n2各自独立地为0～20的整数；
M₁为二价至四价金属原子；
L₁和L₂各自独立地为由下式2、3、4和4a之一表示的有机配体，其中如果式2为L₁，则式2的CY1和CY2之一中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式3为L₁，则式3的CY3中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式4为L₁，则式4的CY4中的原子之一经由单键连接到Y₁；和如果式4a为L₁，则A₁₀中的原子之一经由单键连接到Y₁；
t为1或2；
式2    式3    式4

式4a

其中X₂和X₃各自独立地选自C和N；
CY1、CY3和CY4各自独立地为取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环；
CY2选自取代或未取代的C₅-C₃₀芳环、取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代或未取代的C₅-C₃₀脂族环、以及取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环；
A₁₀为-(CR₂₀R₂₁)_n3-，其中n3为1～10的整数，至少一个-CR₂₀R₂₁-可任选地被-NR₂₂-、-PR₂₃-或-S-代替，和R₂₀、R₂₁、R₂₂及R₂₃各自独立地选自氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基；
m为0～10的整数；和
*为与式1的M₁的结合位点。
为了实现以上和/或其它方面，一个或多个实施方式包括由下式7表示的发光聚合物：
式7

其中Ar₁和Ar₂各自独立地为取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、或者取代或未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基；
X₁为O或S；
Y₁为-(CR₁R₂)_n1-或-(CR₃R₄)_n2-O-，其中R₁～R₄各自独立地选自氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基，以及n1和n2各自独立地为0～20的整数；
M₁为二价至四价金属原子；
L₁和L₂各自独立地为由式2、3、4和4a之一表示的有机配体，其中如果式2为L₁，则式2的CY1和CY2之一中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式3为_L1，则式3的CY3中的原子之一经由单键连接到Y₁；如果式4为L₁，则式4的CY4中的原子之一经由单键连接到Y₁；和如果式4a为L₁，则式4a的A₁₀中的原子之一经由单键连接到Y₁；
t为1或2；
X₄为O、S、其中Q₁₁、Q₁₂、Q₁₃、Q₁₄、Q₁₅和Q₁₆各自独立地选自氢原子、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；
Y₂为取代或未取代的C₆-C₂₀亚芳基、或者取代或未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基；
R选自氢原子、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₃₀环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、以及取代或未取代的C₆-C₃₀杂芳基；
a为0＜a≤0.99的实数，b为0≤b≤0.99的实数，c为0＜c≤0.99的实数，和d为0≤d≤0.99的实数，其中a+b+c+d＝1。
为了实现以上和/或其它方面，一个或多个实施方式包括具有包括式7的发光聚合物的有机层的OLED。
附图说明
从结合附图考虑的实施方式的以下描述，这些和/或其它方面将变得明晰和更易理解，在附图中：
图1是根据示例性实施方式的OLED的示意性截面图；
图2是根据示例性实施方式的OLED的色纯度的图；
图3是根据示例性实施方式的OLED的CIE色坐标的图；和
图4是根据示例性实施方式的OLED的电流密度-电压-亮度的图。
具体实施方式
现在详细介绍实施方式，其实例说明于附图中，其中相同的附图标记始终是指相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文中所阐明的说明内容。因此，下面通过参考附图描述实施方式仅用于解释本公开内容的各方面。
应理解，当一元件或层被称为“在”另一元件或层“上”或者与另一元件或层“连接”时，该元件或层可直接在另一元件或层上或与另一元件或层直接连接，或者可存在中间元件或层。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件或层“上”或者与另一元件或层“直接连接”时，则不存在中间元件或层。在本文中参照作为理想化实施方式(和中间结构)的示意图的横截面图描述实施方式。照此，将预计到由于例如制造技术和/或公差而引起的所述图的形状变化。因而，本文中公开的实施方式不应解释为限于所图示的区域的具体形状，而是包括由例如制造所造成的形状上的偏差。
应理解，尽管术语第一、第二、第三等可在本文中用来描述不同的元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语仅用来使一个元件、组分、区域、层或部分区别于另一元件、层或部分。因此，在不背离本发明示例性实施方式的教导的情况下，可将以下讨论的第一元件、组分、区域、层或部分称为第二元件、组分、区域、层或部分。
除非上下文清楚地另作说明，本文中所使用的单数形式“一种”、“一个”和“该”也意图包括复数实施方式。本文中所使用的术语“和/或”包括一个或多个关联的列举项的任何和全部组合。还应理解，当用在本说明书中时，术语“包含”和/或“包括”表示存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组分，但不排除存在或添加一种或多种其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其集合。
例如，图示为长方形的植入区域通常具有圆形或曲线特征和/或具有在其边缘处的植入浓度梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样，由植入形成的掩埋区可在介于掩埋区和穿过其发生植入的表面之间的区域中引起某些植入。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图图示设备的区域的实际形状，并且不意图限制本发明的范围。
除非另外定义，在本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应理解，术语，例如在常用字典中定义的那些，应被理解为其含义与它们在相关领域背景中的含义一致，并且将不对所述术语作理想化或过于形式的解释，除非在本文中清楚地如此定义。
本文中描述的所有方法均可以合适的顺序进行，除非本文中另有说明或与上下文明显矛盾。任何和所有实施例、或示例性语言(例如，“如”)的使用仅用来更好地说明本发明，而不是对本发明的范围加以限制，除非另有说明。说明书中的语言都不应被理解为是在将任何非要求保护的要素指明为对于本文中所使用的实施方式的实践是必须的。
提供由下式1表示的化合物。
式1

由式1表示的化合物可用作用于下述由式7表示的聚合物的合成的单体。式1的化合物包括基于磷光机理发光的由-L₁-M₁-(L₂)_t-表示的磷光单元。
在式1中，Ha₁和Ha₂可各自独立地为卤素原子。例如，Ha₁和Ha₂各自独立地为Cl、Br或I。
在式1中，X₁可为O或S。例如，X₁可为O，但不限于此。
在式1中，Y₁可为-(CR₁R₂)_n1-或-(CR₃R₄)_n2-O-。这里，R₁～R₄可各自独立地为氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基或C₂-C₂₀链烯基，但不限于此。例如，R₁～R₄可各自独立地为氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₁₀烷基或C₂-C₁₀链烯基。在这点上，n1和n2可各自独立地为0～20的整数，例如，0～10的整数。
在式1中，M₁可为通过由重原子效应产生的自旋-轨道耦合而同时具有三线和单线态的金属。例如，M₁可为二价至四价金属原子。M₁可为Ir、Pt、Rh、Pd、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb或Tm，但不限于此。
在式1中，L₁和L₂可各自独立地为由下式2、3、4和4a之一表示的有机配体。
式2    式3    式4

式4a

在这点上，如果式2为L₁，则式2的CY1和CY2之一中包含的原子之一经由单键连接到Y₁。如果式3为L₁，则式3的CY3中包含的原子之一经由单键连接到Y₁。如果式4为L₁，则式4的CY4中包含的原子之一经由单键连接到Y₁。如果式4a为L₁，则A₁₀中包含的原子之一经由单键连接到Y₁。下式5a～5z说明由式1表示的化合物中L₁的所选实施方式。在式2～4中，X₂和X₃各自独立地为C或N。在式3和4中，C＝C双键和C＝N双键的位置可如本领域普通技术人员容易理解的根据CY3和CY4的结构变化。
在式2～4中，CY1、CY3和CY4各自独立地为取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环，和CY2为取代或未取代的C₅-C₃₀芳环、取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代或未取代的C₅-C₃₀脂族环、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环。
例如，所述取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环可选自取代或未取代的吡咯、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的吡啶、取代或未取代的吡嗪、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的哒嗪、取代或未取代的异吲哚、取代或未取代的吲哚、取代或未取代的吲唑、取代或未取代的嘌呤、取代或未取代的喹啉、取代或未取代的苯并喹啉、取代或未取代的酞嗪、取代或未取代的萘啶、取代或未取代的喹喔啉、取代或未取代的喹唑啉、取代或未取代的肉啉、取代或未取代的咔唑、取代或未取代的菲啶、取代或未取代的吖啶、取代或未取代的菲咯啉、取代或未取代的吩嗪、取代或未取代的苯并噁唑、取代或未取代的苯并咪唑、取代或未取代的呋喃、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的噻吩、取代或未取代的苯并噻吩、取代或未取代的噻唑、取代或未取代的异噻唑、取代或未取代的苯并噻唑、取代或未取代的异噁唑、取代或未取代的噁唑、及取代或未取代的苯并噁唑，但不限于此。
例如，所述取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环可选自取代或未取代的吡咯烷、取代或未取代的吡唑烷、取代或未取代的咪唑烷、取代或未取代的哌啶、取代或未取代的哌嗪、以及取代或未取代的吗啉，但不限于此。
例如，所述取代或未取代的C₅-C₃₀芳环可选自取代或未取代的苯、取代或未取代的并环戊二烯、取代或未取代的茚、取代或未取代的萘、取代或未取代的薁、取代或未取代的庚搭烯、取代或未取代的引达省(二环戊二烯并苯，indacene)、取代或未取代的苊烯、取代或未取代的芴、取代或未取代的非那烯、取代或未取代的菲、取代或未取代的蒽、取代或未取代的荧蒽、取代或未取代的苯并[9，10]菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的、取代或未取代的并四苯、取代或未取代的苉、取代或未取代的苝、取代或未取代的戊芬、以及取代或未取代的并六苯，但不限于此。
例如，所述取代或未取代的C₅-C₃₀脂族环可选自取代或未取代的环己烷以及取代或未取代的环庚烷，但不限于此。
在所述取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代或未取代的C₃-C₃₀杂脂族环、取代或未取代的C₅-C₃₀芳环、或者取代或未取代的C₅-C₃₀脂族环中，所述取代的C₃-C₃₀杂芳环、取代的C₃-C₃₀杂脂族环、取代的C₅-C₃₀芳环或取代的C₅-C₃₀脂族环可包括选自如下的至少一个取代基：卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₁)(A₂)(A₃)、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₆-C₂₀芳基、C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₂₀芳氧基、羰基以及氨基。在这点上，A₁、A₂和A₃可各自独立地为氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基或C₁-C₂₀烷氧基。所述取代基可为卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₁)(A₂)(A₃)、C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀链烯基、C₆-C₁₄芳基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₁₄芳氧基、或氨基，但不限于此。
在式2～4中，m可为0～10的整数。例如，m可为0～5的整数。
在式2～4中，*为与式1的M₁的结合位点。
在式4a中，A₁₀可由-(CR₂₀R₂₁)_n3-表示。在这点上，n3可为1～10的整数。例如，n3可为1～5的整数，但不限于此。至少一个-CR₂₀R₂₁-可任选地被-NR₂₂-、-PR₂₃-或-S-代替。R₂₀、R₂₁、R₂₂和R₂₃各自独立地为氢原子、羟基、氨基、氰基、羧酸基团、C₁-C₂₀烷基(例如，甲基、乙基、丙基和丁基)或C₂-C₂₀链烯基，但不限于此。
在式4a中，*为与式1的M₁的结合位点。
式1的L₁可由式5a～5z之一表示，但不限于此。



在式5a～5z中，Z₁可为S、O或NQ₇。在式5a～5z中，Q₁、Q₂、Q₃、Q₄、Q₅、Q₆和Q₇可各自独立地为氢原子、卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₁)(A₂)(A₃)、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₆-C₂₀芳基、C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₂₀芳氧基、或氨基。例如，Q₁、Q₂、Q₃、Q₄、Q₅、Q₆和Q₇可各自独立地为氢原子、卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₁)(A₂)(A₃)、C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀链烯基、C₆-C₁₄芳基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₁₄芳氧基、或氨基，但不限于此。
Q₁、Q₂、Q₃、Q₄、Q₅、Q₆和Q₇中的至少两个可稠合以形成5元至7元脂族环或芳环。同时，A₁、A₂和A₃各自独立地为氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基或C₁-C₂₀烷氧基，例如，氢原子、C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀链烯基或C₁-C₁₀烷氧基，但不限于此。
在式5a～5z中，*’为与式1的Y₁的结合位点。
在式5a～5z中，*为与式1的M₁的结合位点。
在式1中，L₂可由式6a～6z之一表示，但不限于此。




在式6a～6z中，Z₂为S、O或NT₈。
在式6a～6z中，T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇和T₈各自独立地为氢原子、卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₄)(A₅)(A₆)、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₆-C₂₀芳基、C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₂₀芳氧基、或氨基。例如，T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇和T₈可各自独立地为氢原子、卤素原子、-CF₃、-CN、-Si(A₄)(A₅)(A₆)、C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀链烯基、C₆-C₁₀芳基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₁₀芳氧基、或氨基。
T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇和T₈中的至少两个可稠合以形成5元至7元脂族环或芳环。同时，A₄、A₅和A₆各自独立地为氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基或C₁-C₂₀烷氧基，例如，氢原子、C₁-C₁₂烷基、C₂-C₁₂链烯基或C₁-C₁₂烷氧基。
在式6a～6z中，*为与式1的M₁的结合位点。
式1的化合物可为化合物1、2或3，但不限于此。
化合物1        化合物2

化合物3

根据另一实施方式，提供由式7表示的聚合物。
式7

式7的聚合物可基于磷光机理和/或荧光机理发射一种或至少两种有色光。通过使用该聚合物，可制造高质量的有机发光器件(OLED)。
式7的聚合物可基于磷光机理在由式U1表示的重复单元中发光或者基于荧光机理在由-(Ar₁)-、-(Ar₂)-表示的重复单元和/或由式U2表示的单元中发光。由此，可获得高的内量子效率。由于在式7的聚合物中，-(L₁)-M₁-(L₂)_t-磷光单元与吩噁嗪部分或吩噻嗪部分组合，因此不仅在式7的聚合物的主链中，而且在磷光单元中，可观察到电致发光性质。
式U1

式U2

式7的聚合物可同时发射至少两种有色光。例如，式7的聚合物可在由式U3表示的重复单元中发射红光和/或绿光，以及在由-(Ar₁)-、-(Ar₂)-和/或式U4表示的重复单元中发射蓝光。
式U3

式U4

因此，可根据重复单元的结构和摩尔比组合多种颜色。例如，式7的聚合物可发射白光。
在式7中，Ar₁和Ar₂可各自独立地为取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、
或者取代或未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基。
A₁和Ar₂可由下式8a～8s之一表示，但不限于此。


在式8a～8s中，R₅～R₈可各自独立地为氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基或C₆-C₂₀芳基。例如，R₅～R₈可各自独立地为氢原子、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基或C₆-C₁₀芳基。
在式8a～8s中，*为与相邻重复单元的结合位点。
在式7中，X₁、Y₁、M₁、L₁、L₂和t如以上对于式1所描述的。
在式7中，X₄可为O、S、例如，X₄可为O或S。Q₁₁、Q₁₂、Q₁₃、Q₁₄、Q₁₅和Q₁₆可各自独立地为氢原子、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基。例如，Q₁₁、Q₁₂、Q₁₃、Q₁₄、Q₁₅和Q₁₆可各自独立地为氢原子、C₁-C₁₀烷基或C₁-C₁₀烷氧基。
在式7中，Y₂可为取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、或者取代或未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基。例如，Y₂可为取代或未取代的C₆-C₁₄亚芳基。Y₂可为亚苯基、亚萘基或亚蒽基。所述取代的亚芳基和杂亚芳基的取代基可为氰基、羟基、巯基、硝基、卤素原子、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₂-C₁₀链烯基或C₆-C₁₄芳基，但不限于此。
在式7中，R可为氢原子、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基(例如，C₁-C₁₂烷基)、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基(例如，C₁-C₁₂烷氧基)、取代或未取代的C₃-C₃₀环烷基(例如，C₃-C₁₂环烷基)、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基(例如，C₆-C₁₄芳基)、或者取代或未取代的C₆-C₃₀杂芳基(例如，C₆-C₁₄杂芳基)。在这点上，所述芳基或杂芳基的至少一个氢原子可为未代替的或者可被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基或-N(Z₁)(Z₂)代替，其中Z₁和Z₂各自独立地为氢原子或C₁-C₁₂烷基。
在式7中，a可为0＜a≤0.99的实数，b可为0≤b≤0.99的实数，c可为0＜c≤0.99的实数，和d可为0≤d≤0.99的实数，其中a+b+c+d＝1。即，b和/或d可为0，a和c不可为0。例如，a可为0.5＜a≤0.95的实数，b可为0≤b≤0.95的实数，c可为0.5＜c≤0.95的实数，和d可为0≤d≤0.95的实数，其中a+b+c+d＝1。
式7的聚合物可具有约10,000～约500,000，例如，约200,000～约400,000的重均分子量。如果式7的聚合物具有上述重均分子量，则该聚合物可用在提供优异寿命、高亮度等的OLED的有机层中。
式7的聚合物的分子量分布(即多分散指数(“PDI”))可为约1.5～约5，例如约2～约3。如果式7的聚合物具有上述分子量分布(多分散性)，则该聚合物可用在提供优异寿命、高亮度等的OLED的有机层中。
式7的聚合物可由下式7a～7d之一表示，但不限于此。
式7a

式7b

式7c

式7d

在式7a～7d中，R₅～R₈可各自独立地为氢原子、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基或C₆-C₃₀芳基，a为0＜a≤0.99的实数，b为0≤b≤0.99的实数，c为0＜c≤0.99的实数，和d为0≤d≤0.99的实数，其中a+b+c+d＝1。
在式7c和7d中，Y₂和R如上所述。
所述未取代的C₁-C₂₀烷基可为甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基和己基。所述烷基的至少一个氢原子可被例如如下的取代基代替：卤素原子、C₁-C₃₀烷基、C₁-C₃₀烷氧基、低级烷基氨基、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基、磺酰基和磷酸酯基。
所述未取代的C₂-C₂₀链烯基可为乙烯基。所述链烯基中的至少一个氢原子可被以上对于C₁-C₂₀烷基所描述的取代基代替。
所述未取代的C₁-C₂₀烷氧基可为甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、戊氧基、异戊氧基和己氧基。所述烷氧基中的至少一个氢原子可被以上对于C₁-C₂₀烷基所描述的取代基代替。
所述C₆-C₃₀芳基表示含有一个或多个环的碳环芳族体系，其中这样的环可以悬垂方式结合在一起或者可稠合。术语“芳基”可包括例如苯基、萘基和四氢萘基的芳族体系。所述芳基中的至少一个氢原子可被以上对于C₁-C₂₀烷基所描述的取代基代替。
所述C₄-C₃₀杂芳基表示具有包括C和1～3个选自N、O、P和S的杂原子的2～30元环的单价单环的环化合物，其中这样的环可以悬垂方式结合在一起或者可稠合。杂芳基的实例可包括吡啶基、噻吩基和呋喃基。所述杂芳基中的至少一个氢原子可被以上对于C₁-C₂₀烷基所描述的取代基代替。
所述C₅-C₃₀环烷基为环状烷基，例如环己基，并且所述环烷基中的至少一个氢原子可被以上对于C₁-C₂₀烷基所描述的取代基代替。
所述C₅-C₃₀杂环烷基为其中所述环烷基的C的至少一个被选自N、O、P和S的至少一个杂原子代替的基团，且可为吡咯烷基和咪唑烷基。所述杂环烷基中的至少一个氢原子可被以上对于C₁-C₂₀烷基所描述的取代基代替。
可使用公知的聚合物合成方法如Suzuki偶联或Yamamoto偶联合成式7的聚合物。
例如，式7的聚合物可通过如下合成：合成由式9表示的化合物，和将-M₁-(L₂)_t结合到式9的化合物的L₁的末端。
式9

在式9中，Ar₁、Ar₂、X₁、Y₁、L₁、X₄、Y₂、R以及a～d如上所述。
或者，可使用作为共聚单体的由式1表示的化合物以及提供-(Ar₁)-重复单元、-(Ar₂)-重复单元和/或式U2的重复单元的单体通过Suzuki偶联合成式7的聚合物。
式U2

如果使用式1的化合物合成式7的聚合物，则可容易地控制式7中-L₁-M₁-(L₂)_t磷光单元的结合位点和结合摩尔比。
根据另一实施方式，提供包含包括由式7表示的聚合物的有机层的OLED。该OLED可包括一对电极以及设置于所述电极之间的有机层，其中所述有机层可包括由式7表示的聚合物。所述包括发光聚合物的有机层可为发光层(“EML”)。
式7的聚合物可单独使用或者与已知的主体材料一起使用。所述主体材料的实例为Alq₃、4，4′-N，N′-二咔唑-联苯(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)和3-叔丁基-9，10-二-2-萘基蒽(TBADN)，但不限于此。
如果式7的聚合物与主体材料一起使用，则主体材料的浓度可为约10～约30重量份，基于100重量份的该聚合物，但不受限制。
包含包括该发光聚合物的有机层的OLED可具有优异的寿命、亮度、效率、色纯度等。此外，由于该发光聚合物可发射至少两种有色光，因此可通过将有色光组合而实现白光发射。
图1是根据实施方式的OLED的示意性截面图。参照图1，OLED包括基板、第一电极、包括由式7表示的聚合物的EML、以及第二电极。下面参照图解于图1中的OLED描述制造根据实施方式的OLED的方法。
首先，通过在基板上沉积或溅射高功函材料而形成第一电极。第一电极可为阳极。基板可为用在有机发光器件中的任何基板，其可为具有优异的机械强度、热稳定性、透明性和表面光洁度、易于处理且防水的玻璃基板或透明塑料基板。第一电极可由ITO、IZO、SnO₂、ZnO或任何具有高电导率的透明材料形成。
然后，如果需要，可在第一电极上形成空穴注入层(“HIL”)和空穴传输层(“HTL”)中的至少一种，尽管未在图1中示出。
HIL可通过真空沉积、旋涂、流延或朗缪尔-布罗杰特法(“LB”)等形成。
当通过真空沉积形成HIL时，真空沉积条件可根据用于形成HIL的化合物、以及要形成的HIL的所需结构和热性质而变化。然而，通常，真空沉积可在约100～约500℃的沉积温度、约10^-8～约10^-3托的压力和约0.01～约/秒的沉积速度下进行。
当通过旋涂形成HIL时，涂布条件可根据用于形成HIL的化合物、以及要形成的HIL的所需结构和热性质而变化。然而，通常，涂布速度可为约2000～约5000rpm，并且在涂布后为了除去溶剂而进行的热处理的温度可为约80～约200℃。
HIL可由已知材料形成。该材料可为例如：酞菁化合物如铜酞菁、4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-磺苯乙烯)(PANI/PSS)等，但不限于此。

HIL的厚度可为约100～约例如，约100～约当HIL的厚度小于约时，HIL的空穴注入能力可降低。另一方面，当HIL的厚度大于约时，器件的驱动电压可增加。
然后，可使用真空沉积、旋涂、流延、LB等在HIL上形成空穴传输层(“HTL”)。当通过真空沉积或旋涂形成HTL时，沉积和涂布条件与用于形成HIL的那些类似，尽管沉积和涂布条件可根据用于形成HTL的材料变化。
HTL可由已知材料形成。该材料可为例如：咔唑衍生物如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑；具有芳族缩合环的胺衍生物如N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)和N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)；或三苯胺如4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)。TCTA除了传输空穴之外还可阻止激子从EML扩散。

HTL的厚度可为约50～约例如，约100～约当HTL的厚度小于时，HTL的空穴传输能力可降低。另一方面，当HTL的厚度大于约时，器件的驱动电压可增加。
然后，可通过旋涂、流延、LB等在HTL上形成EML。当通过旋涂形成EML时，涂布条件与用于形成HIL的那些类似，尽管涂布条件可根据用于形成EML的材料而变化。
EML包括式7的聚合物并且可进一步包括如上所述的主体材料。
EML的厚度可为约100～约例如，约200～约当EML的厚度小于约时，EML的发光能力可降低。另一方面，当EML的厚度大于约时，器件的驱动电压可增加。
尽管未在图1中示出，但可在EML和第二电极之间进一步形成空穴阻挡层(“HBL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)的至少一层。
HBL可阻止三线态激子或空穴从EML向第二电极的扩散。可使用真空沉积、旋涂、流延、LB等形成HBL。当通过真空沉积或旋涂形成HBL时，沉积和涂布条件与用于形成HIL的那些类似，尽管沉积和涂布条件可根据用于形成HBL的材料而变化。HBL可由已知材料例如噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物或BCP形成。
HBL的厚度可为约50～约1000埃例如，约100～约当HBL的厚度小于时，HBL的空穴阻挡能力可降低。另一方面，当HBL的厚度大于约时，器件的驱动电压可增加。
然后，可通过真空沉积、旋涂、流延等在HBL或EML上形成ETL。当通过真空沉积或旋涂形成ETL时，沉积和涂布条件通常与用于形成HIL的那些类似，尽管沉积和涂布条件可根据用于形成ETL的材料而变化。ETL可由稳定地传输从阴极注入的电子的喹啉衍生物特别是喹啉衍生物4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(Bphen)等形成。
ETL的厚度可为约100～约例如，约200～约当ETL的厚度小于约时，ETL的电子传输能力可降低。另一方面，当ETL的厚度大于约时，器件的驱动电压可增加。
然后，可在ETL上形成由容许从阴极容易地注入电子的材料形成的EIL。对用于形成EIL的材料没有限制。
EIL可由已知材料如LiF、NaCl、CsF、Li₂O和BaO形成。EIL的沉积条件通常与用于形成HIL的条件类似，尽管它们可根据用于形成EIL的材料而变化。
EIL的厚度可为约1～约例如，约5～约当EIL的厚度小于约时，EIL的电子注入能力可降低。另一方面，当EIL的厚度大于约时，器件的驱动电压可增加。
最后，可通过真空沉积、溅射等在EIL上形成第二电极。第二电极可用作阴极。第二电极可由低功函金属、合金、导电化合物、或这些的组合形成。特别地，第二电极可由Ba、Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag等形成。第二电极可由使用至少两种材料具有至少两层的多层形成。或者，由ITO或IZO形成的透明阴极可用于制造正面发光器件。
通过以下非限制性实施例进一步举例说明本公开内容。
实施例
合成实施例1：化合物1的合成
通过以下反应方案1合成化合物1：
反应方案1

化合物A的合成
将2.43g(12.9mmoL)吩噁嗪、31mL(257mmoL)1，4-二溴丁烷、14.4g(360mmoL)NaOH、两滴336和44mL水混合，并使该混合物在油浴中沸腾。当停止反应时，将有机层用一氯甲烷(MC)萃取并通过MgSO₄干燥。然后，旋转式地除去溶剂，并且通过使用Kugel Rohr在真空下蒸馏除去残留的1，4-二溴丁烷。然后，使所得物经历柱色谱法以获得化合物A(产率：98％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)6.87-6.81(m，2H)，6.72-6.66(t，4H)，6.53-6.50(d，2H)，3.57-3.47(m，4H)，2.04-1.98(m，2H)，1.91-1.84(m，2H)。
¹³C-NMR(75MHz，CDCl₃)δ(ppm)162.33，145.04，133.20，123.72，120.97，115.50，111.32，43.13，33.07，29.99，23.78。
化合物B的合成
将2.23g(7.01mmoL)化合物A溶解在100mL MC中，并且在0℃下将3.2g(17.5mmoL)NBS逐滴加入到其中。然后，将该混合物加热至室温。当停止反应时，使所得物经历整理(work-up)程序和柱色谱法以获得化合物B(产率：76％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)6.88-6.84(dd，2H)，6.72-6.69(d，2H)，6.28-6.25(d，2H)，3.45-3.37(m，2H)，1.96-1.91(m，2H)，1.79-1.71(m，2H)。
¹³C-NMR(75MHz，CDCl₃)δ(ppm)145.06，131.81，126.52，118.61，112.39，112.32，43.22，32.76，30.27，29.60，23.32。
化合物C的合成
在0℃下将1.2mL(11.4mmoL)乙酰丙酮添加到包含720mg(28.5mmoL)NaH和60mL THF的反应烧瓶中，并将该混合物搅拌10分钟。然后，将14.4mL(22.7mmoL)n-BuLi(1.6M，在己烷中)添加到其中，并将该混合物搅拌30分钟。将如上所述合成的双阴离子逐滴加入到包含溶解在60mL THF中的1.81g(3.80mmoL)化合物B的烧瓶中。当停止反应时，向其中加入HCl(含水的)，并使所得物经历整理程序和柱色谱法以获得化合物C(产率：52％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)6.89-6.85(dd，2H)，6.70(d，2H)，6.27-6.25(d，2H)，5.49(s，1H)，3.40-3.34(m，2H)，2.32-2.24(m，2H)，3.06(s，3H)，1.70-1.60(m，4H)，1.43-1.41(m，2H)。
¹³C-NMR(75MHz，CDCl₃)δ(ppm)193.87，191.16，145.13，132.03，126.54，118.57，112.40，112.25，99.93，43.97，38.07，26.35，25.25，24.88，24.64，24.53。
化合物1的合成
将127mg(0.257mmoL)化合物C、138mg(0.128mmoL)[Ir(ppy)₂(μ-Cl)]₂、54mg(0.514mmoL)Na₂CO₃、15mL CH₃CN混合，并使该混合物沸腾24小时以形成络合物。由此合成化合物1(65％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)8.55-8.50(t，2H)，7.88-7.66(m，4H)，7.58-7.49(dd，2H)，7.14-7.10(t，2H)，6.87-6.67(m，8H)，6.34-6.27(m，2H)，6.15-6.12(d，2H)，5.22(s，1H)，3.11-3.06(m，2H)，2.08-2.02(m，2H)，2.82(s，3H)，1.43-1.26(m，4H)，1.14-1.02(m，2H)。
合成实施例2：化合物2的合成
通过以下反应方案2合成化合物2：
反应方案2

化合物D的合成
将28.9g(155mmoL)4-溴苯甲醚与n-BuLi和硼酸三甲酯在-78℃下混合，并用酸处理该混合物以获得水层。使该水层经历用MC进行的萃取以及柱色谱法以获得化合物D(产率：60％)。
化合物E的合成
将14.1g(92.7mmoL)化合物D、THF、Na₂CO₃、5.4g(4.7mmoL)Pd(PPh₃)₄、14.7g(93.3mmoL)2-溴吡啶混合以获得水层。用MC对该水层进行萃取，并对有机层进行无水处理以获得化合物E(产率：70％)。
化合物G的合成
在-10℃下将65.3g BBr₃添加到12.1g(65.3mmoL)化合物E中，并将该混合物在室温下搅拌2小时。向所得混合物中添加水以形成水层。对该水层进行萃取以获得化合物F。然后，在80℃下在K₂CO₃的存在下将7.8g(46mmoL)化合物F与在DMF中的14.8g 1，4-二溴丁烷混合2小时。将所得物过滤、浓缩并使其经历柱色谱法以获得化合物G(产率：40％)。
化合物H的合成
将10.4g(18.4mmoL)化合物G与6.85g(20.1mmoL)2，6-二溴吩噁嗪混合以获得化合物H(产率：30％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)8.69(d，1H)，7.99-7.96(d，2H)，7.78-7.69(m，2H)，7.23-7.19(t，1H)，7.03-7.00(d，2H)，6.92-6.88(dd，2H)，6.77(d，2H)，6.39-6.32(d，2H)，4.16(t，2H)，3.63(t，2H)，1.96-1.76(m，4H)。
化合物2的合成
将113mg(0.20mmoL)化合物H、127mg(0.10mmoL)[Ir(piq)₂(μ-Cl)]₂和35mg(0.127mmoL)AgCF₃SO₃溶解在3mL乙氧基乙醇中，并对该混合物进行氮气冲洗且在油浴中沸腾24小时。当停止反应时，将所得物冷却至室温，并除去溶剂。然后，使所得物经历柱色谱法以获得化合物2(产率：30％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)8.56-8.40(m，3H)，8.12(d，2H)，7.98(d，3H)，7.7(d，2H)，7.54-7.50(m，6H)，7.32-7.28(m，6H)，7.1(d，2H)，7.93-6.87(m，7H)，6.23(d，2H)，3.93(t，4H)，1.71-1.52(m，4H)。
合成实施例3：化合物3的合成
通过以下反应方案3合成化合物3：
反应方案3

化合物I的合成
将245mg(0.30mmoL)PdCl₂(dppf)₂和3g(30mmoL)KOAc加入到烧瓶中，并对该混合物进行氮气冲洗。除去烧瓶中的空气，并将2.9g(10mmoL)1-溴-4-碘苯和60mL DMSO添加到烧瓶中。将该烧瓶置于油浴中并加热至100℃。在停止反应后，将所得物用MC萃取并用H₂O洗涤。使所得物经历柱色谱法以获得化合物I(产率：78％)。
化合物J的合成
将522微升(“μL”)(5.30mmoL)2-溴吡啶和18mg(0.159mmoL)Pd(PPh₃)₄溶解在15mL DME中，并对该混合物进行氮气冲洗。将1.5g(5.3mmoL)化合物I和15mL乙醇(EtOH)添加到该混合物中，并向其中加入Na₂CO₃(2.0M，在H₂O中，8.0mL)。用N_2(气体)对该混合物进行鼓泡20分钟并将其加热。当停止反应时，使所得物经历整理程序和柱色谱法以获得化合物J(产率：78％)。
化合物K的合成
将967mg(4.10mmoL)化合物J、759mg(4.14mmoL)吩噁嗪、28mg(0.123mmoL)Pd(OAc)₂、99mg(0.492mmoL)P(t-Bu)₃和569mg(5.92mmoL)NaOt-Bu溶解在40mL甲苯中，并将该混合物加热至110℃，保持该温度直至停止反应。当停止反应时，使所得物经历整理程序和柱色谱法以获得化合物K(产率：80％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)8.78-8.75(m，1H)，8.27-8.24(d，2H)，7.81-7.79(m，2H)，7.48-7.45(d，2H)，7.32-7.27(m，1H)，6.77-6.60(m，7H)，6.07-6.04(dd，2H)。
¹³C-NMR(75MHz，CDCl₃)δ(ppm)156.41，149.88，143.99，139.65，139.60，137.02，134.28，131.16，129.66，123.35，122.77，122.60，121.47，120.72，115.84，115.53，113.40。
化合物L的合成
将772mg(2.29mmoL)化合物K溶解在20mL DMF中，并将该混合物冷却至0℃。向其中加入823mg(4.58mmoL)NBS，并在室温下进行反应。当停止反应时，使所得物经历整理程序和柱色谱法以获得化合物L(产率：79％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)8.75-8.73(dd，1H)，8.25-8.20(d，2H)，7.83-7.80(m，2H)，7.42-7.38(d，2H)，7.33-7.28(m，1H)，6.83(d，2H)，6.73-6.70(dd，2H)，5.88-5.85(d，2H)。
¹³C-NMR(75MHz，CDCl₃)δ(ppm)156.09，149.86，144.04，140.04，138.60，136.95，133.02，130.61，129.81，126.23，122.65，120.65，118.61，114.41，112.90。
化合物3的合成
将108.7mg(0.22mmoL)化合物L、118mg(0.11mmoL)[Ir(ppy)₂(μ-Cl)]₂和38mg(0.148mmoL)AgCF₃SO₃溶解在3mL乙氧基乙醇中，并对该混合物进行氮气冲洗且在油浴中沸腾24小时。当停止反应时，将所得物冷却至室温并使其经历柱色谱法以获得化合物3(产率：27％)。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)8.56(d，3H)，8.0-7.9(d，2H)，7.54-7.47(m，6H)，7.40-7.37(m，6H)，6.98-6.90(m，7H)，6.6(t，2H)，6.31(d，2H)。
合成实施例4：聚合物1的合成
聚合物A的合成
将240mg Ni(cod)₂、134mg 2，2-联吡啶和106μL 1，5-环辛二烯溶解在20mLTHF中，并对该混合物进行氮气冲洗且加热30分钟以获得活化催化剂络合物。将540mg(0.5mmoL)2，7-二溴-(2’，3’，6’，7’-四辛氧基)螺芴、293mg(0.4mmoL)2，7-二溴-9，9-二辛氧基苯基芴和56mg(0.1mmoL)化合物H溶解在10mL THF中，并将该混合物添加到活化催化剂络合物中。然后，使所得混合物在60℃下反应3天。当停止反应时，在甲苯中对所得物进行再沉淀以获得聚合物A。使用索氏(Soxhelt)仪器从聚合物A中除去杂质，并将所得物在真空烘箱中干燥24小时。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ(ppm)7.87-7.82(t，1H)，7.79-7.62(d，1H)，7.51-7.48(br，2H)，7.35-7.28(m，2H)，7.25-7.18(d，2H)，7.13-7，10(br，2H)，6.73-6.23(d，2H)，6.23-6.19(br，1H)，4.13(t，2H)，3.89-3.85(t，2H)，3.70(br，2H)，1.91(m，2H)，1.86-1.71(m，2H)，1.70-1.63(m，6H)，1.31-1.21(m，30H)，0.90-0.89(m，9H)。
GPC分析：Mn＝7929，PDI＝2.33。
聚合物A

聚合物1的合成
在氮气气氛中将200mg聚合物A溶解在具有温度计、机械搅拌器和回流冷凝器的250mL 2颈烧瓶中的30mL甲苯中，并向其中加入19mgAgCF₃SO₃。将30mL包含50mg[Ir(piq)₂(μ-Cl)]₂的2-甲氧基乙醇浆料添加到该混合物中，并将所得物在110℃下搅拌24小时。当停止反应时，将所得物冷却至室温，并通过减压蒸馏除去溶剂。重复将所得物溶解在甲苯中并将所得物在甲醇中沉淀的过程两次以获得160mg聚合物1。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ7.65-7.62(m，1H)，7.57-7.51(d，1H)，7.48(br，2H)，7.28(d，1H)，7.23(d，1H)，7.18-7.13(d，2H)，7.06-6.85(m，2H)，6.78-6.73(d，2H)，6.37(br，1H)，4.14(t，2H)，3.89-3.85(t，2H)，3.70(t，2H)，1.91(m，2H)，1.74(m，2H)，1.73-1.54(m，6H)，1.32-1.21(m，29H)，0.97(m，9H)。
GPC分析：Mn＝8565，PDI＝1.88。
聚合物1

合成实施例5：聚合物2的合成
Yamamoto聚合：
将240mg Ni(cod)₂、134mg 2，2-联吡啶和106微升1，5-环辛二烯溶解在20mL THF中，并对该混合物进行氮气冲洗且加热30分钟以获得活化催化剂络合物。将278mg(0.28mmoL)2，7-二溴-(2’，3’，6’，7’-四辛氧基)螺芴、167mg(0.224mmoL)2，7-二溴-9，9-二辛氧基苯基芴和55mg(0.05mmoL)化合物1溶解在10mL THF中，并将该混合物添加到活化催化剂络合物中。然后，使所得混合物在60℃下反应3天。当停止反应时，对所得物在甲苯中进行再沉淀以获得聚合物2。使用索氏仪器从聚合物2中除去杂质，并将所得物在真空烘箱中干燥24小时。
¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ7.72(m，2H)，7.57(br，2H)，7.41(m，3H)，7.24-7.19(m，3H)，7.27(d，2H)，6.79(m，3H)，4.06(t，4H)，3.94(br，7H)，1.74-1.71(m，10H)，1.03(m，48H)，0.86(t，18H)。
聚合物2

合成实施例6：聚合物3的合成
将240mg Ni(cod)₂、134mg 2，2-联吡啶和106μL 1，5-环辛二烯溶解在20mL THF中，并对该混合物进行氮气冲洗且加热30分钟以获得活化催化剂络合物。将278mg(0.28mmoL)2，7-二溴-(2’，3’，6’，7’-四辛氧基)螺芴、84mg(0.112mmoL)2，7-二溴-9，9-二辛氧基苯基芴、66mg(0.112mmoL)3，7-二溴-10-(4′-庚基联苯-4-基)-10H-吩噁嗪和55mg(0.05mmoL)化合物1溶解在10mL THF中，并将该混合物添加到活化催化剂络合物中。然后，使所得混合物在60℃下反应3天。当停止反应时，对所得物在甲苯中进行再沉淀以获得聚合物3。使用索氏仪器从聚合物3除去杂质，并将所得物在真空烘箱中干燥24小时。
聚合物3

实施例1
洗涤通过用氧化铟锡(ITO)涂布玻璃基板而制备的透明电极基板，并使
用光敏树脂和蚀刻剂将ITO图案化，且洗涤该基板。将PEDOT(Bayer，BatronP 4083)涂布在ITO上至约的厚度，并将所得物在180℃下烘烤约1小时以形成HIL。将包括99重量份甲苯和1重量份聚合物1的EML组合物旋涂在HIL上，并对所得物进行烘烤。在真空烘箱中完全除去溶剂以形成EML。在这点上，在旋涂之前使用0.2mm过滤器将EML组合物过滤。EML的厚度为约80nm，其是通过控制EML组合物的浓度和旋涂速度而获得的。
然后，在保持4×10^-6托的同时使用真空蒸发器在EML上顺次沉积Ba和Al以形成第二电极。使用晶体传感器控制该层的厚度和该层的生长速度。
评价实施例1
使用PR650(Spectroscan)Source Measurement Unit评价根据实施例1制造的OLED的色纯度。结果，根据实施例1制造的OLED发射白光。图2、3和4为色纯度、CIE色坐标和电流密度-电压-亮度的图。
由于所述发光聚合物可发射荧光和磷光两者，因此可使用该发光聚合物制造高质量的OLED。
应理解，本文中所述的示例性实施方式应仅在描述性的意义上考虑并且不用于限制的目的。各实施方式中的特征或方面的描述通常应认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。