CN87104730
1987.07.17
CN87104730A
1988.03.30
终止
无权
|||授权|||审定||||||公开
C23C14/32
北京工业学院
王殿儒; 田大准
北京市海淀区白石桥路7号
北京工业学院专利代理事务所
付雷杰
本发明的名称是等离子体加速器法离子镀膜装置,属于物理汽相沉积技术。同类技术存在液滴微团多、加速和镀膜效果较低。本发明注重霍耳加速效应的使用,加速器中带有圆柱状永久磁铁,永久磁铁与屏蔽相匹配,因此产生的电离蒸汽质量高、加速合理、镀膜效果好。可用于仿金装饰、工模具硬化等领域。
1: 一种离子镀膜装置,其特征在于:它使用带有圆柱状永久磁铁3的霍耳型等离子体加速器11作为蒸发离化源。加速器11的阴极底座4中放入永久磁铁3,把永久磁铁3与筒屏蔽8和平面屏蔽9相匹配产生稳定运行所需的磁场分布和镀膜所要求的粒子的加速度以及粒子分布效果。2: 按权利要求1所述的离子镀膜装置,其特征在于:加速器11使用电压继电器12自动引弧和维持电弧。3: 按权利要求1所述的离子镀膜装置,其特征在于:加速器11中的镀膜材料1取一定初始凹形。
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本发明的名称是等离子体加速器法离子镀膜装置,属于物理汽相沉积技术。同类技术存在液滴微团多、加速和镀膜效果较低。本发明注重霍耳加速效应的使用,加速器中带有圆柱状永久磁铁,永久磁铁与屏蔽相匹配,因此产生的电离蒸汽质量高、加速合理、镀膜效果好。可用于仿金装饰、工模具硬化等领域。 。
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