CN200780031899.1
2007.10.26
CN101511598A
2009.08.19
授权
有权
授权|||实质审查的生效|||公开
B41M5/26; C23C14/08; G11B7/24; G11B7/243
B41M5/26
松下电器产业株式会社
土生田晴比古; 山田升
日本大阪府
2006.11.1 JP 297386/2006
中科专利商标代理有限责任公司
汪惠民
本发明提供一种可确保高记录灵敏度和相对长期保存的可靠性的单写多读型信息记录介质。是在基板上具有记录层且通过向记录层照射激光或施加电能而能够进行信息的记录及再生的信息记录介质，记录层含有TeO2和材料A作为主成分，材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。
1、 一种信息记录介质，在基板上具有记录层，通过向所述记录层照射激光或施加电能，能够进行信息的记录及再生，其特征在于，所述记录层含有TeO2和材料A作为主成分，所述材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。2、 根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，材料A含有氧化物。3、 根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，材料A含有在Ag—O、Al—O、B—O、Bi—O、Ce—O、Cu—O、Ga—O、In—O、Mo—O、Nb—O、V—O中的至少任意一个。4、 根据权利要求3所述的信息记录介质，其特征在于，材料A含有在Al—O、Bi—O、Ga—O、In—O、Mo—O、Nb—O、V—O中的至少任意一个。5、 一种信息记录介质，在基板上具有记录层，通过向所述记录层照射激光或施加电能，能够进行信息的记录及再生，其特征在于，所述记录层含有Te、M、TeO2、材料A作为主成分，其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素，Te原子的含有比率为0mol％以上40mol％以下、M原子的含有比率为0mol％以上40mol％以下、TeO2+材料A的含有比率为40mol％以上85mol％以下。6、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为Ag2O、且Ag2O/TeO2比为0.18以上1.00以下。7、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为Al2O3、且Al2O3/TeO2比为0.10以上0.50以下。8、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为B2O3、且B2O3/TeO2比为0.18以上0.33以下。9、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为Bi2O3、且Bi2O3/TeO2比为0.04以上0.30以下。10、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为CeO2、且CeO2/TeO2比为0.05以上0.14以下。11、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为CuO、且CuO/TeO2比为0.10以上1.00以下。12、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为Cu2O、且Cu2O/TeO2比为0.05以上1.00以下。13、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为Ga2O3、且Ga2O3/TeO2比为0.05以上0.18以下。14、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为In2O3、且In2O3/TeO2比为0.02以上0.08以下。15、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为MoO3、且MoO3/TeO2比为0.25以上1.50以下。16、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为Nb2O5、且Nb2O5/TeO2比为0.05以上0.12以下。17、 根据权利要求1～5中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，材料A为VO2、且VO2/TeO2比为0.10以上0.33以下。18、 根据权利要求1～17中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，所述记录层的膜厚为2nm以上且小于30nm。19、 根据权利要求1～18中任意一项所述的信息记录介质，其特征在于，在所述基板上将n层信息层以隔着分离层的方式层叠，且至少任意一个信息层具有所述记录层，其中，n是2以上的整数。20、 一种信息记录介质的制造方法，是权利要求1～19中任意一项所述的信息记录介质的制造方法，具有在基板上制作记录层的工序，通过向所述记录层照射激光或施加电能，能够进行信息的记录及再生，该信息记录介质的制造方法的特征在于，通过溅射法制作所述记录层，所述记录层的制作工序中使用的靶材料以Te—O—M与材料A的混合物为主成分，其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素，材料A是与Te—O显现共晶反应的材料。21、 一种信息记录介质的制造方法，是权利要求1～19中任意一项所述的信息记录介质的制造方法，具有在基板上制作记录层的工序，通过向所述记录层照射激光或施加电能，能够进行信息的记录及再生，该信息记录介质的制造方法的特征在于，通过溅射法制作所述记录层，所述记录层的制作工序中使用的靶材料以Te—M与材料B的混合物为主成分，其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素，作为材料B的氧化物的材料A是与Te—O显现共晶反应的材料，成膜气体以稀有气体与氧的混合气体为主成分，进行反应性溅射。22、 一种信息记录介质的制造方法，是权利要求1～19中任意一项所述的信息记录介质的制造方法，具有在基板上制作记录层的工序，通过向所述记录层照射激光或施加电能，能够进行信息的记录及再生，该信息记录介质的制造方法的特征在于，通过溅射法制作所述记录层，在所述记录层的制作工序中，将Te—M、Te—O和材料A的化合物从不同的靶同时溅射，其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素，材料A是与Te—O显现共晶反应的材料。23、 一种溅射靶，是形成权利要求1～19中任意一项所述的信息记录介质的记录层时所使用的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有TeO2和材料A作为主成分，所述材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。24、 一种溅射靶，是形成权利要求1～19中任意一项所述的信息记录介质的记录层时所使用的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有TeO2和材料B作为主成分，所述材料B的氧化物是与TeO2显现共晶反应的材料。
信息记录介质及其制造方法、和用于形成信息记录介质的溅射靶 技术领域 本发明涉及能够以光学方式记录、再生信息的信息记录介质及其制造方法。 背景技术 作为能够大容量、高速度记录再生信息的介质，公知有光信息记录介质。光信息记录的技术将通过向记录材料照射激光时所产生的热而使记录材料向以光学方式能够区别的不同状态变化的情况进行记录而利用。由于该记录介质具有能够根据需要而随机访问、且可搬送性也出色的巨大优点，所以，近年来其重要性越来越高。作为以往提出的光信息记录介质的种类，可举出能够多次重写的重写型介质、和只能一次写入的单写多读型介质。 由于和重写型介质相比，一般单写多读型介质能够减少层数的情况较多，所以，能够实现制造容易、低成本的介质。而且，由于单写多读型介质不能重写，所以，优选在用户写入不想被破坏的数据时使用。根据该情况，保存寿命长、可靠性高的单写多读型介质作为归档用途而具有很大的需要。例如，通过计算机进行个人数据和影像信息等的记录、保存、或医疗领域、学术领域、或者家庭用录像机的调换等各种领域中的单写多读型介质的需要正在增高。目前，伴随着应用程序的高功能化和图像信息的高功能化，对该记录介质进一步要求达到大容量化、高速化。 目前，为了提高使用光信息记录介质的消费者的便利性，尤其需要以高速写入信息。与之对应，信息的记录所使用的激光的功率也需要更高。但是，为了更稳定、高寿命地使用激光，目前的状况是可投入的功率受到限制。 而且，如果以高功率向光信息记录介质记录信息，则由于向与记录层相接的电介质层等的热负载增大，所以，还存在着记录介质的可靠性降低的问题。即、从记录介质的可靠性这一观点出发，也优选高灵敏度。 为了提高记录密度，需要在多层中记录信息的多层介质。在具有2层以上信息层的多层光学信息记录介质中，需要透过接近光入射面一侧的信息层，向远离光入射面一侧的信息层记录数据，要求更高的记录灵敏度。相反，在接近光入射面一侧的信息层中，为了实现高透过率，需要使记录层薄膜化，要求更高灵敏度的记录层。根据该情况，在以大容量化为目标的多层记录介质中，更高灵敏度化的需求增高。 根据以上的背景可知，作为光信息记录介质，需要具有更高灵敏度(即、能够以更低的激光功率记录)的记录介质。 以往，作为单写多读型的记录材料，提出了几种氧化物材料。例如，公知有以作为Te的低氧化物的TeOx为主成分的记录材料。其中，公知以在TeOx中分散了Pd(也能够適当应用Au、Pt)的材料为主成分的Te—O—Pd记录材料，可得到大的信号振幅、可靠性也非常高(参照专利文献1)。但是，Te—O—Pd记录材料存在着下述课题：无法得到满足今后高速化与大容量化的需求程度的记录灵敏度。 作为为了改善记录特性而向以TeOx为主成分的材料中添加其他材料的例子如下所述。 在专利文献2中，当利用了蓝紫色波长激光和物镜0.80以上的NA时，为了通过防止记录膜面内的热扩散而得到更高的信号品质，提出了向TeOx中添加从La—F、Mg—F、Ca—F、稀土类元素的氟化物、Si—O、Cr—O、Ge—O、Hf—O、Mo—O、Ti—O、W—O、Zn—O及Zr—O中选择的至少一个的方案。该情况下，虽然能够得到信号品质的改善效果，但对于记录灵敏度的提高没有阐述。 另外，在专利文献3中，虽然叙述了通过添加作为融点低的材料的T lOx而提高了记录灵敏度的情况，但在这些现有技术中，向光信息记录介质记录信息时的高灵敏度化的效果不充分。而且，在同专利文献中，还提出了通过添加BiOx或InOx来增大折射率变化，从而增大光学变化的方案，但对此时的记录灵敏度的效果没有叙述。 发明内容 本发明为了解决上述现有课题而提出，其目的在于，提供一种能够确保高记录灵敏度和相对长期保存的高可靠性的信息记录介质。 本发明的一个观点涉及的信息记录介质是在基板上具有记录层，通过向记录层照射激光或施加电能而能够进行信息的记录及再生的信息记录介质。记录层含有TeO2和材料A为主成分，材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。由此，可使记录信息时的激光功率高灵敏度化，能够实现相对长期保存的可靠性高的信息记录介质。 而且，材料A含有氧化物容易使记录信息时的激光功率高灵敏度化，因此优选。 并且，通过材料A含有在Ag—O、Al—O、B—O、Bi—O、Ce—O、Cu—O、Ga—O、In—O、Mo—O、Nb—O、V—O中的至少任意一个，可使记录灵敏度提高的效果增大，因此优选。 另外，由于Al—O、Bi—O、Ga—O、In—O、Mo—O、Nb—O、V—O与Te—O的相性良好，所以，通过材料A含有其中的至少任意一种，尤其容易兼顾高灵敏度化和可靠性的提高，因此优选。 本发明其他观点涉及的信息记录介质是在基板上具有记录层，通过向记录层照射激光或施加电能能够进行信息的记录及再生的信息记录介质。记录层含有Te、M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)、TeO2、材料A为主成分，Te原子的含有比率为0mol％以上40mol％以下，M原子的含有比率为0mol％以上40mol％以下，TeO2+材料A的含有比率为40mol％以上85mol％以下。该介质中，容易确保跳动、记录灵敏度等记录特性和可靠性。 而且，通过使材料A为Ag2O、且Ag2O/TeO2比为0.18以上1.00以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而提高可靠性，因此优选。 并且，通过使材料A为Al2O3、且Al2O3/TeO2比为0.10以上0.50以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 另外，通过使材料A为B2O3、且B2O3/TeO2比为0.18以上0.33以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而可提高可靠性，因此优选。 此外，通过使材料A为Bi2O3、且Bi2O3/TeO2比为0.04以上0.30以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 而且，通过使材料A为CeO2、且CeO2/TeO2比为0.05以上0.14以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 并且，通过使材料A为CuO、且CuO/TeO2比为0.10以上1.00以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 另外，通过使材料A为Cu2O、且Cu2O/TeO2比为0.05以上1.00以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 此外，通过使材料A为Ga2O3、且Ga2O3/TeO2比为0.05以上0.18以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而可提高可靠性，因此优选。 而且，通过使材料A为In2O3、且In2O3/TeO2比为0.02以上0.08以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性为，因此优选。 并且，通过使材料A为MoO3、且MoO3/TeO2比为0.25以上1.50以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 另外，通过使材料A为Nb2O5、且Nb2O5/TeO2比为0.05以上0.12以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 此外，通过使材料A为VO2、且VO2/TeO2比为0.10以上0.33以下，可降低记录层的融点、提高记录灵敏度，从而能够提高可靠性，因此优选。 本发明涉及一种在基板上将n层(其中，n是2以上的整数)信息层以隔着分离层的方式层叠的信息记录介质，且至少任意一个信息层具有记录层，由此提高记录灵敏度的效果增大，因此优选。 而且，通过使信息层所具有的记录层的膜厚为2nm以上30nm以下，可得到足够的光学变化，能够确保良好的记录特性，因此优选。 本发明的其他观点涉及的信息记录介质的制造方法，是具有在基板上制成记录层的工序，通过对记录层照射激光或施加电能能够进行信息的记录及再生的信息记录介质的制造方法。该制造法中，通过溅射法制作记录层，记录层的制作工序中使用的靶材料以Te—O—M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)和材料A(其中，材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)的混合物为主成分。 本发明的又一观点所涉及的信息记录介质的制造方法，是具有在基板上制作记录层的工序，通过向记录层照射激光或施加电能，能够进行信息的记录及再生的信息记录介质的制造方法。该制造方法中，通过溅射法制作记录层，记录层的制作工序中使用的靶材料以Te—M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)和材料B(其中，作为材料B的氧化物的材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)的混合物为主成分，成膜气体以稀有气体与氧的混合气体为主成分，由此进行反应性溅射。 本发明的另一观点涉及的信息记录介质的制造方法，是具有基板上制作记录层的工序，通过向记录层照射激光或施加电能，能够进行信息的记录及再生的信息记录介质的制造方法。该制造法中，通过溅射法制作记录层，在记录层的制作工序中，将Te—M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)、Te—O和材料A的化合物(其中，材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)从不同的靶同时溅射。 本发明的溅射靶含有TeO2和材料A为主成分，材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。 本发明的溅射靶含有Te和材料B为主成分，材料B的氧化物是与TeO2显现共晶反应的材料。 在本发明的信息记录介质中，记录层在至少405nm附近的蓝色波长域具有适度的光吸收性。而且，由于该记录层含有与TeO2显现共晶反应的材料，所以，与TeO2基底的记录层相比，能够以低的温度记录信息，可降低对位于记录层两侧的电介质层的热损伤。因此，如果应用该记录层材料，则具有良好的记录灵敏度，且相对长期保存，可实现能够确保高的可靠性的信息记录介质。另外，根据本发明的信息记录介质的制造方法，可制作具有上述效果的信息记录介质。 [专利文献1]国际公开第98/09823号公开文献 [专利文献2]特开2005—22409号公报 [专利文献3]特开昭55—38616号公报 附图说明 图1是本发明的光学信息记录介质的一个构成例的剖面图。 图2是本发明的光学信息记录介质的一个构成例的剖面图。 图3是本发明的光学信息记录介质的一个构成例的剖面图。 图4是针对本发明的光学信息记录介质的记录再生中所使用的记录再生装置，示意地表示构成的一部分的图。 图5是一般的共晶系材料的相图。 图6是TeO2—Bi2O3系的相图。 图中：1、9、24、44—信息记录介质，2、10、25—基板，4、12、18、27、32、37—第1电介质层，5、13、19、28、33、38—记录层，7、22、41—光透明层，8、23、42、45—激光，3、11、17、26—反射层，6、14、20、29、34、39—第2电介质层，15、30—第1信息层，16、31、36—中间层，21、35—第2信息层，40—第n信息层，43—记录再生装置，46—物镜，47—激光器，48—光检测器，49—主轴马达。 具体实施方式 下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，以下的实施方式只是一个例子，本发明不限定于以下的实施方式。而且，在以下的实施方式中，有时对同一部分赋予同一符号来省略重复的说明。 图1、图2及图3是本发明的信息记录介质的一个构成例。 (图1所示的信息记录介质) 如图1所示，本发明的信息记录介质1具有：基板2、和设于其上的信息层。信息层包含：反射层3、第1电介质层4、记录层5、和第2电介质层6。并且，在信息层上形成有光透明层7。如果对记录特性等没有不造成影响，则也可以从成本的角度出发而适当除去反射层3、第1电介质层4、第2电介质层6。对该信息记录介质，从光透明层7一侧照射激光8来进行记录再生。 (图2所示的信息记录介质) 而且，如图2所示，本发明的信息记录介质9具有基板10、和按顺序设于其上的第1信息层15及第2信息层21。通过在2个信息层之间夹设中间层16，可将各信息层光学分离，排除不必要的光学干涉。并且，在第2信息层21上形成有光透明层22。对该信息记录介质从光透明层22一侧照射激光23来进行记录再生。第1信息层15为了兼顾高反射率和高信号品质，而成为依次层叠了反射层11、第1电介质层12、记录层13、第2电介质层14的结构。第2信息层21与第1信息层同样，由反射层17、第1电介质层18、记录层19、第2电介质层20构成。不过，第2信息层21为了兼顾高透过率和高信号品质，与第1信息层相比可减少记录层和反射层的膜厚。如果不对记录特性等造成影响，则从成本方面考虑，可适当除去第1信息层及第2信息层中的反射层、第1电介质层、第2电介质层。 (图3所示的信息记录介质) 并且，如图3所示，本发明的信息记录介质24按顺序在基板25上设置第1信息层30、第2信息层35、…、第n信息层40(n≧3)而构成。在各信息层之间夹设中间层，使各信息层光学分离，排除不必要的光学干涉。对该光学信息记录介质24从光透明层41一侧照射激光42来进行记录再生。第1信息层30为了兼顾高反射率和高信号品质，而成为依次层叠了反射层26、第1电介质层27、记录层28、第2电介质层29的结构。为了兼顾高透过率和高信号品质，第2信息层35到第n信息层40由第1电介质层、记录层、第2电介质层构成。在第1电介质层与中间层之间，为了提高信号品质可适当插入反射层。如果对记录特性等不造成影响，则从成本方面考虑，可适当除去各信息层中的反射层、第1电介质层、第2电介质层。 (各信息记录介质公共的内容) 由于由本发明的记录层构成的信息层主要以提高记录灵敏度为目的，所以，优选应用到图1～3的所有记录层中，但当在多层介质中相互调整各层的记录灵敏度时等，还有可能混合存在应用本发明的层和未应用的层。 作为基板2、10、25的材料，可以使用透明的圆盘状聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、紫外线固化性树脂、玻璃、或者将它们适当组合的材料等。而且，基板2、10、25的厚度没有特别地限定，可以使用0.01～1.5mm左右的厚度。 作为光透明层7、22、41的材料，优选相对所使用的激光8、23、42的波长而光吸收小、短波长区域中光学复折射率小，可使用透明的圆盘状聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、紫外线固化性树脂、玻璃、或者将它们适当组合的材料等。而且，光透明层7、22、41的厚度没有特别限定，可使用0.01～1.5mm左右的厚度。 优选当物镜的数值孔径为0.75～0.95时，为了保持盘制造時的强度，基板2、10、25的厚度为1.00～1.20mm的范围，为了减小相对倾斜的容许幅度，光透明层7、22、41的厚度为0.03mm～0.20mm的范围。 另一方面，优选当物镜的数值孔径为0.55～0.75时，基板2、10、25的厚度为0.50～0.70mm的范围，光透明层7、22、41的厚度为0.50mm～0.70mm的范围。 作为中间层16、31、36的材料，可与光透明层同样使用透明的圆盘状聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、紫外线固化性树脂、玻璃、或者将它们适当组合的材料等。为了在对第1信息层、第2信息层及第n信息层中的任意一方进行再生时减小来自他方的串扰，需要中间层16、31、36的厚度是至少由物镜的数值孔径NA和激光的波长λ决定的焦点深度以上的厚度，而且，还需要是收敛为所有的信息层能够聚光的范围的厚度。当层叠3层以上的信息层时，优选各自的中间层的厚度不同。其原因在于，在中间层为相同厚度的情况下，信息层的位置成为等间隔，当对某一内层进行记录再生时，由于在2个位于靠前的层中激光能够连接焦点，所以，有串扰增大的可能性。 优选基板2、10、25、光透明层7、22、41、中间层16、31、36の至少任意一个中，在信息层位于的一侧形成有用于引导激光的引导槽或凹坑。 记录层5、13、19、28、33、38由光学特性不同的能够在2个以上状态间取得的材料构成。记录层的材料优选采用能够在该不同的状态间非可逆变化的材料，具体而言，由Te—O—M(其中，M为从Au、Pd、Pt中选择的1个或多个元素)与材料A的混合物构成。 根据本方式中的记录层5、13、19、28、33、38，与以往相比，由于用于使记录层的材料结晶化而需要的能量可以减少，所以，可使记录信息时的激光功率高灵敏度化，能够实现相对长期保存可靠性高的信息记录介质。 Te—O—M是在成膜之后均匀地向TeO2中分散了Te、Te—M及M的微粒的复合材料，通过激光的照射，增大了Te及Te—M的结晶粒径。由于可将此时的光学状态差异作为信号而检测，所以，由此可实现只能够一次写入的所谓一次写入型记录介质。 元素M是为了促进Te的结晶化而添加的元素，如果是Au、Pd、Pt等能够与Te形成键合的元素，则可得到该效果。由于Au、Pd、Pt等元素是贵金属、难以与氧键合，所以，优选是容易与Te键合的元素。 对于元素M而言，如果在Te—O—M中设元素M的含有量为xat％、Te的含有量为yat％，则优选按照x与y满足0.005y≦x≦y的关系的方式进行添加。其原因在于，通过x≦y，可得到光学特性的充分变化量，通过0.05y≦x，可有效得到结晶化速度提高的效果。 材料A是以降低记录层5、13、19、28、33、38的融点为主要目的而添加的材料，材料A是与Te—O显现共晶反应的材料。其中，优选材料A是含有氧化物的材料。 共晶反应是指：一个液相在冷却中分离成为不同的2个固相的反应。以图5为例，表示了2种成分A、B在液体中溶解而结晶下没有混合时的状态图。如果对与融点的极小值Te相当的组成的溶液进行冷却，则在Te下宛如纯液体那样，直到溶液整体全都结晶化为止，温度一致保持为恒定。表示了2种结晶A、B的机械混合物、且在溶解时也保持恒定温度、类似纯粹结晶的溶解举动。 当为了降低某种材料的融点而进行添加材料施加时，可考虑以下的方法。 (1)添加融点更低的添加材料。 (2)添加与原来的材料显现共晶反应的添加材料。 对于前者而言，由于融点的低下效果与添加量成比例，所以，为了得到融点的充分低下效果，添加量增多，由此使得原来材料的特性大幅变化。但是，由于后者具有局部将融点降低的组成区域，所以，即使添加量减少，也能观察到融点充分降低的效果。因此，(2)能够在不使原来材料的特性大幅变化的情况下，只降低融点。 如先前上述，一次写入型记录材料Te—O—M是在成膜之后向TeO2中均匀地分散了Te、Te—M及M的微粒的复合材料，根据本发明者们的实验可知，通过向其添加材料A，可降低成膜之后的记录层5、13、19、28、33、38的融点。这可以推测为：相对TeO2的融点为730℃附近，如果添加与TeO2显现共晶反应的材料，则融点降低。 作为材料A，参照氧化物的二维系状态图而决定。作为氧化物的二维系状态图，可举出“Phase Diagrams for Ceramists”(The American Ceramic Society)作为具有权威的出版物。 表1 添加材料共晶组成(1) 共晶组成(1)中的融点 共晶组成(2) 共晶组成(2)中的融点 上限添加量Ag2O30.0％437℃－－50.0％Ag2O315.0％675℃31.3％650℃34.0％B2O325.5％680℃－－26.0％Bi2O313.0％575℃－－24.0％CeO29.0％689℃－－13.0％CuO18.5％600℃45.0％615℃50％Cu2O18.0％550℃35.0％577℃50％Ga2O310.0％630℃－－18.0％In2O35.0％610℃－－9.0％MoO332.5％543℃44.5％526℃77.0％Nb2O58.0％690℃－－15.0％VO218.0％615℃－－47.0％表1中表示了向TeO2添加时显现共晶反应的材料。如表1所示，根据材料，存在具有两种共晶组成的材料。表1中针对各个材料总结了共晶组成中的(相对TeO2)添加材料的比率、共晶组成中的融点、上限添加量(相对TeO2的融点732℃，通过添加材料而降低融点的限界的量)。另外，图6表示了TeO2—Bi2O3的相图。由该图可知，TeO2—Bi2O3系中Bi2O3在13.0％处具有共晶点，共晶组成下的融点为575℃。表1对其他材料也总结了这些信息。 作为材料A，可举出Ag—O、Al—O、B—O、Bi—O、Ce—O、Cu—O、Ga—O、Ge—O、In—O、Mo—O、Nb—O、V—O等。其中，尤其从容易兼顾高灵敏度化和可靠性的提高方面出发，优选使用Al—O、Bi—O、Ga—O、In—O、Mo—O、Nb—OV—O。 在记录层由Te、M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)、TeO2、材料A的混合物构成时，优选组成如下所述。 Te原子的含有比率为0mol％以上40mol％以下、M原子的含有比率为0mol％以上40mol％以下、TeO2+材料A的含有比率为40mol％以上85mol％以下。 尤其在材料A为Ag2O的情况下，优选Ag2O/TeO2比为0.18以上1.00以下，在材料A为Al2O3的情况下，优选Al2O3/TeO2比为0.10以上0.50以下，在材料A为B2O3的情况下，优选B2O3/TeO2比为0.18以上0.33以下，在为Bi2O3的情况下，优选Bi2O3/TeO2比为0.04以上0.30以下，在材料A为CeO2的情况下，优选CeO2/TeO2比为0.05以上0.14以下，在材料A为CuO的情况下，优选CuO/TeO2比为0.10以上1.00以下，在材料A为Cu2O的情况下，优选Cu2O/TeO2比为0.05以上1.00以下，在材料A为Ga2O3的情况下，优选Ga2O3/TeO2比が0.05以上0.18以下，在材料A为In2O3的情况下，优选In2O3/TeO2比为0.02以上0.08以下，在材料AがMoO3的情况下，优选MoO3/TeO2比为0.25以上1.50以下，在材料A为Nb2O5的情况下，优选Nb2O5/TeO2比为0.05以上0.12以下，在材料A为VO2的情况下，优选VO2/TeO2比为0.10以上0.33以下。 对于该范围外的组成而言，由于TeO2+材料A的融点上升，所以，不能得到记录灵敏度的改善效果。 记录层5、13、19、28、33、38的膜厚优选为2nm以上且小于30nm。其原因在于，通过使膜厚为2nm以上，记录材料容易成为层状、可得到良好的信号。另外，在膜厚比30nm厚的情况下，由于信息层的透过率降低，所以难以应用于多层介质，因此不优选。并且，通过使膜厚小于30nm，可得到充分的记录灵敏度的改善效果。 另外，记录层5、13、19、28、33、38还可以是将以Te—O—M为主成分的膜和以材料A为主成分的膜交替层叠的构成。该情况下，虽然用于制作的工序数增加，但由于通过对各膜厚进行微调整，能够容易地调整Te—O—M与材料X的混合比，所以，可根据情况而适当应用。 记录层5、13、19、28、33、38中也可以含有除Te、O、M、材料A外的元素。例如，为了调整热传导率与光学常数、或提高耐热性/環境可靠性等，可以添加从S、N、F、B及C中选择的至少1种元素。优选这些添加元素为记录层全体的20原子％以内。 记录层更优选被应用到图2与图3所示的由多层构成的信息记录介质的任意一层。其原因在于，在多层信息记录介质中，由于需要通过透过位于激光入射侧的信息层来记录再生信息，所以，需要记录灵敏度更高的记录层。 第1电介质层4、12、18、27、32、37与第2电介质层6、14、20、29、34、39以记录材料的保护、信息层中能有效进行光吸收等光学特性的调节为主要目的而设置。作为材料，可使用ZnS等硫化物、ZnSe等硒化物、Si—O、Al—O、Ti—O、Ta—O、Zr—O、Cr—O等氧化物、Ge—N、Cr—N、Si—N、Al—N、Nb—N、Mo—N、Ti—N、Zr—N、Ta—N等氮化物、Ge—O—N、Cr—O—N、Si—O—N、Al—O—N、Nb—O—N、Mo—O—N、Ti—O—N、Zr—O—N、Ta—O—N等氮氧化物、Ge—C、Cr—C、Si—C、Al—C、Ti—C、Zr—C、Ta—C等碳化物、Si—F、Al—F、Ca—F、La—F等氟化物、及上述材料的适当组合(例如ZnS—SiO2等)等。 优选第1电介质层的膜厚及第2电介质层的膜厚为1nm以上60nm以下。其原因在于，在记录再生特性中易于得到足够的C/N比。 反射层3、11、17、26为了得到散热效果和记录层中有效的光吸收等光学效果而设置。作为材料，可使用Au、Ag、Cu、Al、Ni、Cr、Ti等金属、或适当选择的金属合金等，优选使用Ag合金或Al合金。尤其从散热性、耐湿性的观点出发，优选使用Ag—Pd—Cu合金或Ag—Ga—Cu合金作为材料。优选反射层3、11、17、26的膜厚为1nm以上。其原因在于，在反射层的膜厚为1nm以下的情况下，膜难以成为均匀的层状，导致热的、光学性的效果降低。 图2中，第1信息层15和第2信息层21都是具有反射层的构成，但从成本方面考虑，为了提高透过率，也可以是不具有反射层的构成。图3中，只有第1信息层30是具有反射层26的构成，但第2信息层35～第n信息层40也可以具有反射层，或第1信息层30是不具有反射层26的构成。一般而言，如果设置反射层，则信息层的透过率降低，但基于上述的散热效果与光学效果，可容易地得到高的信号品质。因此，针对位于激光的入射侧的图2中的第2信息层21、及图3中的第2信息层35～第n信息层40，需要适当涉及是否设置反射层。在设置了反射层的情况下，需要想办法通过采用使其厚度例如为10nm以下非常薄的膜厚，来保持信息层的高透过率。n及k的更优选范围分别是小于2.0及2.0以上。 上述的各薄膜例如可通过真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等气相薄膜堆积法而形成。 针对各层的制作顺序进行说明。在图1所示的信息记录介质的情况下，在基板2上依次成膜反射层3、第1电介质层4、记录层5、第2电介质层6，然后在其上形成光透明层7。光透明层7的形成方法可以采用以下3种中的任意一种。 ·将制作到第2电介质层6的介质、与单面具有粘接树脂的基材(光透明层7)贴合。 ·将制作到第2电介质层6的介质、与片状的基材(光透明层7)通过UV树脂粘合。 ·在制作到第2电介质层6的介质上通过紫外线固化树脂形成光透明层7。 对于图2、图3所示的信息记录介质，也可以通过同样地设置成膜工序和中间层及光透明层的形成工序来制作。 尤其对于上述记录层的成膜，可使用以下任意一种方法。 记录层通过溅射法制作，优选记录层的制作工序中所使用的靶材料以Te—O—M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)与材料A(其中，材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)的混合物为主成分。另外，也可以是靶材料以Te—M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)与材料B(其中，作为材料B的氧化物的材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)的混合物为主成分、成膜气体以稀有气体与氧的混合气体为主成分来进行反应性溅射。此外，还可以将Te—M(其中，M是从Au、Pd、Pt中选择的一个或多个元素)、Te—O和材料A的化合物(其中，材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)从不同的靶同时溅射。通过以这些方法中的任意一种方法进行成膜，由于TeO2与材料A显现共晶反应，所以，能够以高灵敏度进行记录，因此优选。 接着，对本发明的信息记录介质的记录再生方法的一个例子进行叙述。 图4表示当信息记录介质是光盘时，记录再生中使用的装置的一例的概略。为了信号的记录再生，使用搭载了激光器47和物镜46的光学头(省略图示)、用于将照射激光的位置向规定的位置引导的驱动装置(省略图示)、用于对磁道方向及与膜面垂直方向的位置进行控制的跟踪控制装置及聚焦控制装置(省略图示)、用于调制激光功率的激光驱动装置(省略图示)、和用于使介质旋转的主轴马达49。 信号的记录、再生首先通过由主轴马达49使介质旋转，由光学系统将激光汇聚成微小斑点、向介质照射激光来进行。再生信号时，比进行信号记录的功率等级低，通过该功率等级下的激光照射，记录标记的光学状态不受影响、且基于该照射将用于从介质再生记录标记能够得到充分光量的功率的激光束照射，通过由光检测器48读取所得到的来自介质的信号，可进行信号的再生。 实施例 接着，利用实施例对本发明进行详细说明。 (实施例1) 实施例1中，调查了向Te—O—Pd记录材料中添加与TeO2显现共晶反应的材料时的记录灵敏度及对可靠性的影响、及其组成依存性。制作添加了各材料的信息记录介质、并进行了评价，其详细内容如下所述。 首先，对具有图1所示的层构成的信息记录介质1的制作方法进行叙述。 作为基板，使用了聚碳酸酯树脂。基板的直径为12cm、厚度为1.1mm、槽距为0.32μm、槽深为20nm。在基板的形成有槽的一侧的表面上，通过溅射法按以下的顺序层叠了各层。使用AgPdCu(重量比98.1：0.9：1.0)靶，形成膜厚为40nm的AgPdCu反射层；使用ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3(分子数比23：23：31：23)靶，形成膜厚为20nm的ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3电介质层；使用由Te—O—Pd、或Te—O—Pd+添加材料构成的靶，形成膜厚为24nm的由Te—O—Pd或Te—O—Pd+添加材料构成的记录层；使用ZnS—SiO2(分子数比80：20)靶，形成膜厚为10nm的ZnS—SiO2电介质层。各层的成膜都使用直径100mm、厚度6mm左右的靶，反射层以DC电源200W成膜，电介质层以RF电源300W成膜，记录层以RF电源100W成膜。而且，反射层在将Ar(25sccm)气体保持成气压约为0.13Pa的气氛中成膜，记录层在将Ar(25sccm)及适量的氧的混合气体保持成气压约为0.13Pa的气氛中成膜，电介质层在将Ar(25sccm)保持成气压约为0.13Pa的气氛中成膜。在其表面上，通过相对激光透明的紫外线固化树脂形成了厚度为100μm的光透明层。并且，针对含有各添加材料的信息记录介质，按每种添加材料(按组成)利用不同的溅射靶，形成了记录层。由此，完成了信息记录介质1的制作。 接着，对信息记录介质的评价方法进行说明。信息记录介质1的记录灵敏度由随机信号的跳动(jitter)值表示最佳值的记录功率来评价。为了向信息记录介质1记录信息，使用了具备下述部件的一般构成的信息记录系统，所述部件包括：使信息记录介质1旋转的主轴马达49、具备发出激光45的半导体激光器的光学头、和使激光45聚焦到信息记录介质1的记录层上的物镜。在信息记录介质1的评价中，使用波长为405nm的半导体激光器和数值孔径为0.85的物镜，进行了相当25GB容量的记录。使信息记录介质旋转的线速度为4.92m/s(36Mbps)、9.84m/s(72Mbps)、19.68m/s(144Mbps)。而且，跳动值的测定中使用了时间间隔分析器。 记录灵敏度通过以下的步骤进行评价。利用上述的系统，一边在高功率等级的峰值功率与低功率等级的偏压功率之间对激光进行功率调制，一边向信息记录介质1进行照射，在对记录层的槽表面记录了一次标记长从2T～8T的随机信号之后，测定了平均跳动。首先，将偏压功率与峰值功率之比固定为一定值，针对使峰值功率发生种种变化的各记录条件，测定平均跳动值，然后求出平均跳动值成为最小值的峰值功率。接着，使偏压功率与峰值功率之比发生各种变化，进行同样的测定，将跳动值为最小的峰值功率值决定为记录灵敏度。如果考虑BD规格，则优选所得到的记录灵敏度在1倍速(36Mbps)中满足6mW、在2倍速(72Mbps)中满足7mW，在4倍速(144Mbps)中满足10mW以下。 可靠性通过以下的步骤进行了评价。利用上述系统，与上述同样地决定记录灵敏度。以对未记录的磁道决定的记录功率(Pp1)进行5个磁道连续的记录，进而还以记录功率Pp1的1.15倍(Pp2)进行了记录。利用时间间隔分析器测定了两者的中心磁道的跳动。接着，通过在温度85度、相对湿度85％的环境下，将记录了数据的盘保持200小时，实施了加速试验。加速试验后，对以记录功率Pp1和Pp2记录的磁道进行再生，并测定了跳动。这里，将跳动的劣化小于1％的情况判定为○、1％以上小于2％的情况判定为△、2％以上的情况判定为×。记录以4倍速(144Mbps)进行。接着，对记录层中的元素比率的测定方法进行说明。信息记录介质的记录层中的元素的比率通过制作组成分析用的样品而测定。具体而言，通过溅射装置在厚度为1mm的Si基板上按厚度为500nm的方式形成了各记录材料。 接着，利用X线显微分析仪对各样品实施组成分析。在实施例中的材料组成中表示了由本方法分析的结果。 而且，为了得到表2～表13所示的记录材料的组成，对成膜所使用的靶的组成及成膜時的氧量进行了适当调整。例如，当成膜由表5中的以下组成(Te：Pd：TeO2：Bi2O3＝23.0：24.0：47.1：5.9[mol％])构成的记录材料时，利用由以下的组成(Te：Pd：Bi＝66.2：22.7：11.1[mol％])构成的靶实施了成膜。 实施例1中，制作表2～表13所示的仅由Te—O—Pd构成的记录层和向Te—O—Pd添加各添加材料(Ag2O、Al2O3、B2O3、Bi2O3、CeO2、CuO、Cu2O、Ga2O3、In2O3、MoO3、Nb2O5、VO2)的记录层所构成的信息记录介质，进行了上述的评价。 表2 表3 表4 表5 表6 表7 表8 表9 表10 表11 表12 表13 如表2所示，在具有仅由Te—O—Pd构成的记录的信息记录介质中，记录灵敏度与可靠性的结果因组成而不同。可知在Te：Pd：TeO2＝23.0：24.0：53.0[mol％]的组成中，记录灵敏度为1x、2x、4x都达到了目标值，但可靠性还存在着问题。以+15％功率记录的记录标记在加速试验后跳动为1％以上且小于2％、发生了劣化。接着，在Te：Pd：TeO2＝11.0：23.0：66.0[mol％]的组成中，虽然记录灵敏度一些达到了目标值，但可靠性在Pp1中跳动为+1％以上且小于2％、在Pp2中可看到2％以上的劣化。尤其在后者的组成中，由于TeO2量增多，所以灵敏度恶化，还认为可靠性也出现问题。 对此，为了改善记录灵敏度，表2～表13表示添加了各种添加材料的结果。 由于按各材料添加时的融点的变化不同，所以，最佳添加量和记录灵敏度、对可靠性的影响不同，但通过满足下述的添加材料与TeO2的组成比(在为Ag2O的情况下，Ag2O/TeO2比为0.18以上1.00以下，在材料A为Al2O3的情况下，Al2O3/TeO2比为0.10以上0.50以下，在材料A为B2O3的情况下，B2O3/TeO2比为0.18以上0.33以下，在为Bi2O3的情况下，Bi2O3/TeO2比为0.04以上0.30以下，在材料A为CeO2的情况下，CeO2/TeO2比为0.05以上0.14以下，在材料A为CuO的情况下，CuO/TeO2比为0.10以上1.00以下，在材料A为Cu2O的情况下，Cu2O/TeO2比为0.05以上1.00以下，在材料A为Ga2O3的情况下，Ga2O3/TeO2比为0.05以上0.18以下，在材料A为In2O3的情况下，In2O3/TeO2比为0.02以上0.08以下，在材料A为MoO3的情况下，MoO3/TeO2比为0.25以上1.50以下，在材料A为Nb2O5的情况下，Nb2O5/TeO2比为0.05以上0.12以下，在材料A为VO2的情况下，VO2/TeO2比为0.10以上0.33以下)，可提高记录灵敏度(1倍速和2倍速)和可靠性。另外，与不添加添加物的情况相比，可得到同等以上的良好跳动值。 (实施例2) 这里，将本发明的记录层材料(其中，作为代表例为Te—Pd—TeO2—Bi2O3)应用到由2层构成的信息记录介质中，调查对记录灵敏度、可靠性造成的影响。 制作具有图2所示的层构成的信息记录介质。作为基板，使用了聚碳酸酯树脂。基板的直径为12cm、厚度为1.1mm、槽距为0.32μm、槽深为20nm。 在基板的形成有槽的一侧的表面上，作为第1信息层，利用AgPdCu(重量比98.1：0.9：1.0)靶，形成了膜厚为40nm的AgPdCu反射层；利用ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3(分子数比23：23：31：23)靶，形成了膜厚为20nm的ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3电介质层；利用由Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3构成的靶，形成膜厚为20nm的Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3记录层；利用ZnS—SiO2(分子数比80：20)靶，形成膜厚为20nm的ZnS—SiO2电介质层，通过溅射法按该顺序层叠了上述各层。在该第1信息层的表面上利用紫外线固化性树脂，转印与基板相同的槽图案，形成了厚度约为25μm的中间层。 在该中间层的表面上，作为第2信息层，利用AgPdCu(重量比98.1：0.9：1.0)靶形成膜厚为10nm的AgPdCu反射层、利用ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3(分子数比23：23：31：23)靶形成膜厚为13nm的ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3电介质层、利用Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3(原子数比37：53：10)靶形成膜厚为10nm的Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3记录层、利用ZnS—SiO2(分子数比80∶20)靶形成膜厚为25nm的ZnS—SiO2电介质层，通过溅射法按该顺序层叠了上述各层。在该第1信息层的表面上，利用紫外线固化性树脂转印与基板相同的槽图案，形成了厚度约为25μm的中间层。 各层的成膜都使用直径100mm、厚度6mm左右的靶，反射层以DC电源200W成膜，电介质层以RF电源300W成膜，记录层以RF电源100W成膜。而且，反射层在将Ar(25sccm)气体保持成压约为0.13Pa的气氛中成膜，记录层在将Ar(25sccm)及适量的氧的混合气体保持成压约为0.13Pa的气氛中成膜，电介质层在将Ar(25sccm)气体保持成压约为0.13Pa的气氛中成膜。 记录层组成的分析方法、记录灵敏度及可靠性的评价方法与实施例1同样地进行。另外，在由2层构成的信息记录介质的情况下，如果考虑BD规格，则优选所得到的记录灵敏度在1倍速(36Mbps)中满足12mW、在2倍速(72Mbps)中满足14mW、在4倍速(144Mbps)中满足18mW以下。 实施例2中，制作了表14所示的具有仅由Te—O—Pd构成的记录层的信息记录介质、和具有向Te—O—Pd添加了Bi2O3的记录层的信息记录介质，进行上述的评价。 表14 如表14所示，在具有仅由Te—O—Pd构成的记录层的信息记录介质中，可得到以下的结果。在第1信息层中记录灵敏度以1倍速、2倍速达到了目标值，在4倍速下低于目标，记录灵敏度存在课题。关于可靠性，由于以+15％功率记录的记录标记在加速试验后跳动为1％以上且小于2％、发生了劣化，所以，这些也存在课题。关于第2信息层，记录灵敏度以1倍速、2倍速、4倍速达到了目标值。但是，关于可靠性，由于以+15％功率记录的记录标记在加速试验后跳动为1％以上且小于2％、发生了劣化，所以，这些也存在课题。 对此，在为了提高记录灵敏度而添加了Bi2O3的情况下，第1信息层、第2信息层都是记录灵敏度以1倍速、2倍速、4倍速超过了目标值，并且关于可靠性也在Pp1、Pp2中都良好。而且，与不添加添加物的情况相比，所有的信息层中得到了同等以上的良好跳动值。并且，关于实施例1中举出的Bi2O3以外的添加材料，也确认了可得到同样的效果。 综上所述，通过将TeOPd+材料A(材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)应用到由2层构成的信息记录介质的记录层中，可提高记录灵敏度和可靠性。 (实施例3) 这里，将本发明的记录层材料(其中，代表例是Te—O—Pd—Bi2O3)应用到由4层构成的信息记录介质中，调查了对记录灵敏度、可靠性造成的影响。 制作了具有图3所示的层构成的信息记录介质(n为4时)。作为基板，使用了聚碳酸酯树脂。基板的直径为12cm、厚度为1.1mm、槽距为0.32μm、槽深为20nm。 在基板的形成有槽的一侧的表面上，作为第1信息层，利用AgPdCu(重量比98.1：0.9：1.0)靶形成膜厚为80nm的AgPdCu反射层、利用ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3(分子数比23：23：31：23)靶形成膜厚为20nm的ZrO2—SiO2—Cr2O3—LaF3电介质层、利用由Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3构成的靶形成膜厚为20nm的Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3记录层、利用ZnS—SiO2(分子数比80：20)靶形成膜厚为30nm的ZnS—SiO2电介质层，通过溅射法按该顺序层叠了上述各层。在该第1信息层的表面上利用紫外线固化性树脂转印与基板相同的槽图案，形成了厚度约为13.5μm的中间层。 在该中间层的表面上，作为第2信息层，使用AlN靶形成膜厚为8nm的AlN电介质层、使用Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3一靶形成膜厚为6nm的Te—O—Pd或Te—O—Pd—、使用ZnS靶形成膜厚为27nm的ZnS电介质层，通过溅射法按该顺序层叠了上述各层。在该表面上利用紫外线固化性树脂转印与基板相同的槽图案，形成了厚度为17.5μm的中间层。 在该中间层的表面上，作为第3的信息层，使用AlN靶形成膜厚为12nm的AlN电介质层、使用由Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3构成的靶形成膜厚为6nm的Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3记录层、使用ZnS—SiO2(分子数比80：20)靶形成膜厚为38nm的ZnS—SiO2电介质层，通过溅射法按该顺序层叠了上述各层。在该表面上利用紫外线固化性树脂转印与基板相同的槽图案，形成为厚度为9.5μm的中间层。 在该中间层的表面上，作为第4的信息层，使用AlN靶形成膜厚为15nm的AlN电介质层、使用由Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3构成的靶形成膜厚为6nm的Te—O—Pd或Te—O—Pd—Bi2O3记录层、使用ZnS—SiO2(分子数比80：20)靶形成膜厚为46nm的ZnS—SiO2电介质层，通过溅射法按该顺序层叠了上述各层。在该表面上利用紫外线固化性树脂形成了厚度为59.5μm的光透明层。 各层的成膜都使用直径100mm、厚度6mm左右的靶，反射层以DC电源200W成膜、电介质层以RF电源300W成膜、记录层以RF电源100W成膜。而且，反射层在将Ar(25sccm)气体保持成气压约为0.13Pa的气氛中成膜，记录层在将Ar(25sccm)及适量的氧的混合气体保持成气压约为0.13Pa的气氛中成膜，电介质层在将Ar(25sccm)保持成气压约为0.13Pa的气氛中成膜。 记录层组成的分析方法、记录灵敏度及可靠性的评价方法与实施例1同样地进行。 另外，在由4层构成的信息记录介质的情况下，优选所得到的记录灵敏度在1倍速(36Mbps)下满足13mW以下、在2倍速(72M bps)下满足17mW以下。 实施例3中，制作了表15所示的仅由Te—O—Pd构成的记录层、和向Te—O—Pd中添加了Bi2O3的记录层所构成信息记录介质，并进行了上述的评价。 表15 如表15所示，在具有仅由Te—O—Pd构成的记录的信息记录介质中，得到了以下的结果。关于1倍速，仅第1信息层降低了目标值，关于2倍速，第1信息层和第3信息层没有达到目标值。关于可靠性，由于所有的信息层中以+15％功率记录的记录标记在加速试验后跳动为1％以上且小于2％、发生了劣化，所以，这些也存在课题。 对此，在为了提高记录灵敏度而添加了Bi2O3的情况下，记录灵敏度为1倍速、2倍速都在所有的信息层中高于目标值。并且，关于可靠性在Pp1、Pp2中也都良好。而且，与不添加添加物的情况相比，在所有的信息层中得到了同等以上的良好跳动值。另外，关于实施例1中举出的Bi2O3以外的添加材料，也确认了可获得同样的效果。 综上所述，通过将TeOPd+材料A(材料A是与Te—O显现共晶反应的材料)应用到由4层构成的信息记录介质的记录层中，可提高记录灵敏度和可靠性。 工业上的可利用性 本发明的信息记录介质和其制造方法在作为单写多读型大容量光学信息记录介质的DVD—R盘、BD—R等中有用。
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本发明提供一种可确保高记录灵敏度和相对长期保存的可靠性的单写多读型信息记录介质。是在基板上具有记录层且通过向记录层照射激光或施加电能而能够进行信息的记录及再生的信息记录介质，记录层含有TeO2和材料A作为主成分，材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。 。
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