氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极及其制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN200910156958.9

申请日:

2009.12.24

公开号:

CN101721987A

公开日:

2010.06.09

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):B01J 21/06公开日:20100609|||实质审查的生效IPC(主分类):B01J 21/06申请日:20091224|||公开

IPC分类号:

B01J21/06; B01J37/03; B01J35/02

主分类号:

B01J21/06

申请人:

浙江大学

发明人:

雷乐成; 张兴旺; 高文立

地址:

310027 浙江省杭州市浙大路38号

优先权:

专利代理机构:

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人:

韩介梅

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内容摘要

本发明公开的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极,包括钛片基底和原位生长在钛片基底上的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜层。其制备包括采用阳极氧化法在钛片基底上生长二氧化钛纳米管,然后以化学气相沉积的方法将氟、硼共掺杂到二氧化钛纳米管层中去。本发明的硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极与常规的二氧化钛膜相比,具有更大的比表面积和更强的吸附能力,大大提高了二氧化钛薄膜电极的光催化性能及光电转换效率。氟、硼共掺杂产生了一定的协同作用,能显著提高TiO2的可见光催化活性。本发明的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极可以用于太阳能利用、光电转化以及环境领域的有机污染物的降解。

权利要求书

1: 氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极,其特征是包括钛片基底(2)和原位生长在钛片基底上的硼掺杂二氧化钛纳米管薄膜层(1)。
2: 制备权利要求1所述的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极的方法,其特征在于包括以下步骤: 1)将纯钛片磨抛至表面无划痕,用丙酮和去离子水超声清洗,干燥; 2)将NH4F、草酸和水以质量比1∶2∶200配制成电解液,调节pH值为2.7~4.9,以步骤1)的钛片为阳极,镍板作阴极,在15V~25V稳压直流电源下,搅拌氧化30~120分钟,得到无定型二氧化钛纳米管; 3)将无定型二氧化钛纳米管放入化学气相沉积装置的沉积室内,以25g/L的NaF溶液和25g/L的H 3 BO 3 溶液为前驱体,氮气为载气,流速0.002m/s~0.02m/s,在400℃下沉积100-150分钟,沉积结束后继续通氮气以除去沉积室内残留的前驱物,然后在氮气保护下,于400℃煅烧60-180分钟,自然冷却。

说明书


氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极及其制备方法

    【技术领域】

    本发明涉及氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极及其制备方法,属于半导体光电催化技术领域。

    背景技术

    近年来,半导体纳米材料光催化的研究得到了广泛的关注。尤其在环境污染控制领域,由于纳米二氧化钛对诸多环境污染物有显著地光催化降解作用,光催化已发展成为新型的环境污染治理技术。而作为光催化技术的核心,二氧化钛具有催化活性高、性质稳定耐腐蚀和无毒等优点;但在应用中也存在着一些问题,比如其只能吸收波长小于387纳米的光,无法利用占太阳光主要能量的可见光部分;光电转化效率不高;以及催化剂使用中的固定化问题。如何在催化剂固定化的同时,尽可能的提高其光催化活性,以及将其光响应拓展到可见光范围以期更加充分的利用太阳能,一直是光电催化领域的重要研究内容。

    研究表明,二氧化钛纳米管具有较高的活性比表面积,从而具有较高的光催化活性;而F、B共掺杂产生了一定的协同作用,能显著提高TiO2的可见光催化活性。

    【发明内容】

    本发明的目的是提出一种具有高可见光响应的,性质稳定的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极及其制备方法。

    本发明的硼掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极,包括钛片基底和原位生长在钛片基底上的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜层。

    氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极的制备方法,包括以下步骤:

    1)将纯钛片磨抛至表面无划痕,用丙酮和去离子水超声清洗,干燥;

    2)将NH4F、草酸和水以质量比1∶2∶200配制成电解液,调节pH值为2.7~4.9,以步骤1)的钛片为阳极,镍板作阴极,在15V~25V稳压直流电源下,搅拌氧化30~120分钟,得到无定型二氧化钛纳米管;

    3)将无定型二氧化钛纳米管放入化学气相沉积装置的沉积室内,以25g/L的NaF溶液和25g/L的H3BO3溶液为前驱体,氮气为载气,流速0.002m/s~0.02m/s,在400℃下沉积100-150分钟,沉积结束后继续通氮气以除去沉积室内残留的前驱物,然后在氮气保护下,于400℃煅烧60-180分钟,自然冷却。

    本发明制备方法中,通过改变阳极氧化的电压和电解液的pH值可以控制纳米管的管径;通过改变氧化时间可以控制纳米管的管长;改变化学气相沉积中的氮气流速、沉积时间可以得到不同的氟、硼掺杂浓度。

    本发明的优点:

    1、采用阳极氧化法制备二氧化钛纳米管薄膜,工艺简单,成本低,易于控制;

    2、纳米管的结构具有较高的活性比表面积,能够有效的提高光电转化效率;

    3、采用化学气相沉积方法共掺杂非金属氟、硼,掺杂浓度易于控制;

    4、化学气相沉积方法使硼掺杂更为均匀,而共掺杂了非金属氟、硼的样品具有很高的可见光活性。

    5、本发明的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极可以用于太阳能利用、光电转化以及环境领域的有机污染物的降解。

    【附图说明】

    图1是本发明的结构剖面示意图;

    图2是氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极的表面扫描电镜照片。

    【具体实施方式】

    下面通过附图和实例进一步说明本发明。

    参照图1,氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极,包括钛片基底2和原位生长在钛片基底上的硼掺杂二氧化钛纳米管薄膜层1。

    实例:

    取NH4F 2.5克,草酸5克,溶于500毫升水中,pH值调至3.7,得到电解液;将处理过的钛片作为阳极,阴极为镍板,在20V电压下进行阳极氧化120分钟,得到无定形的二氧化钛纳米管结构;然后采用化学气相沉积方法对其进行氟、硼掺杂,其中前驱液为温度50℃的25g/L的NaF溶液和25g/L的H3BO3溶液;氮气为载气,流速0.015m/s;在400℃下沉积2小时;沉积结束后继续通氮气以除去沉积室内残留的前驱物,然后在氮气保护下,400℃煅烧1小时,自然冷却,得到氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极,其表面扫描电镜照片如图2所示,由图可见,制得的二氧化钛纳米管薄膜光电极具有明显的管状结构。

    将本例制得的光电极进行光电流测量和光电催化降解甲基橙实验,光电测量在三电极体系中(制备所得薄膜电极为阳极工作电极,镍板为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,0.5M的Na2SO4为支持电解质)进行。光源选择波长大于460纳米的可见光。外加阳极偏压0V~1.6V,记录光电流的变化。结果表明,制备的光电极具有更高的光电流密度,能够有效的提高光电转化效率。

    在上述光电测量在三电极体系中加入10ppm的甲基橙光照120分钟,分析甲基橙的浓度变化。结果表明,本发明的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜电极降解甲基橙溶液,初始浓度为10mg/L时,MO的降解效率为90.4%。

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本发明公开的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极,包括钛片基底和原位生长在钛片基底上的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜层。其制备包括采用阳极氧化法在钛片基底上生长二氧化钛纳米管,然后以化学气相沉积的方法将氟、硼共掺杂到二氧化钛纳米管层中去。本发明的硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极与常规的二氧化钛膜相比,具有更大的比表面积和更强的吸附能力,大大提高了二氧化钛薄膜电极的光催化性能及光电转换效率。氟、硼共。

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