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1、10申请公布号CN101981504A43申请公布日20110223CN101981504ACN101981504A21申请号200980110569022申请日2009032761/064,88920080401USG03F7/20200601G01N21/00200601G01B11/0020060171申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温72发明人AJA布鲁恩斯莫JHJ莫尔斯LHJ斯蒂文斯A维夫凯德PGW布辛克EAM布鲁沃尔74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人王波波54发明名称光刻设备和污染物检测方法57摘要一种光刻设备1，所述光刻设备包括容器5，所述容器封。
2、闭具有用于被探测用于污染物控制的测试表面4的部件40；和光学探针，所述光学探针被配置成发射和接收光学探测束2。所述容器5包括第一光学端口8和第二光学端口9，所述第一光学端口被配置成朝向所述测试表面4传输所述光学探测束2，所述第二光学端口被配置成接收反射的光学探测束3。所述光学探针包括光源10、偏振调节器11和光谱分析器12，所述光源被配置以提供所述光学探测束2，所述偏振调节器11被配置以提供预定的偏振状态给所述探测束2。所述偏振调节器11被预先设定以为最小透射波长提供最小透射，所述光谱分析器12被布置以响应于由于污染物的出现导致的偏振变化来探测所述最小透射波长的波长偏移。30优先权数据85PC。
3、T申请进入国家阶段日2010092586PCT申请的申请数据PCT/NL2009/0501512009032787PCT申请的公布数据WO2009/123446EN2009100851INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书8页附图4页CN101981513A1/2页21一种光刻设备，所述光刻设备包括容器，所述容器封闭具有用于被探测用于污染物控制的测试表面的部件；和光学探针，所述光学探针被配置成发射和接收光学探测束，所述容器包括第一光学端口和第二光学端口，所述第一光学端口被配置成朝向所述测试表面传输所述光学探测束，所述第二光学端口被配置成接收反射的光学探测。
4、束，所述光学探针包括光源、偏振调节器和光谱分析器，所述光源被配置以提供所述光学探测束，所述偏振调节器被配置以提供预定的偏振状态给所述探测束，所述偏振调节器被预先设定，以为最小透射波长提供最小透射，所述光谱分析器被布置以响应于由于污染物的出现导致的偏振变化来探测所述最小透射波长的波长偏移。2根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述容器是真空容器，且其中所述部件是投射反射镜光学装置或照射反射镜光学装置。3根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中所述容器包括单个光学端口和逆向反射元件，所述逆向反射元件布置在所述探测束的束路径中，所述逆向反射元件被定位以经由所述测试表面引导来自所述单个光学端口的所述反射探。
5、测束和将所述反射探测束引导至所述单个光学端口。4根据权利要求1、2或3所述的光刻设备，其中所述逆向反射元件包括准直透镜、微透镜阵列和反射镜。5根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述测试表面设置在所述准直透镜的焦平面上或其附近，使得在所述准直透镜之后所述探测束是平行的。6根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述光谱分析器布置有最小值识别电路，所述最小值识别电路被配置以在所述接收的波长光谱中识别局部最小值；和存储器，所述存储器被配置以使得局部最小偏移与污染物水平相关联。7根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述偏振调节器包括偏振器和推迟器。8根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，。
6、其中所述偏振调节器设置成在来自所述宽带光源的光路中具有偏振器和推迟器，且其中在来自所述测试表面的光路中，偏振滤光片布置在所述光谱分析器的前面。9根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述偏振调节器设置在所述容器中。10一种容器，所述容器封闭具有用于被探测用于材料沉积控制的测试表面的部件；和光学探针，所述光学探针被配置成发射和接收光学探测束，所述容器包括第一光学端口和第二光学端口，所述第一光学端口被配置成朝向所述测试表面传输所述探测束，所述第二光学端口被配置以接收反射的探测束，且所述光学探针包括宽带光源、偏振调节器、偏振滤光片和光谱分析器，所述宽带光源被配置以提供所述探测束，所述偏振调节器。
7、用于提供预定的偏振状态给所述探测束，所述偏振调节器和偏振滤光片被预先设定成为预定的最小透射波长提供零透射，所述光谱分析器被布置以响应于由于污染物的出现导致的偏振变化来探测所述最小透射波长的波长偏移。11根据权利要求10所述的容器，其中所述容器包括单个光学端口，且其中所述容器包括逆向反射元件，所述逆向反射元件被配置以放置在所述探测束的束路径中，所述逆向权利要求书CN101981504ACN101981513A2/2页3反射元件被对准，以经由所述测试表面引导来自所述光学端口的所述反射探测束和将所述反射探测束引导到所述光学端口。12一种污染物监控方法，用于监控封闭在容器中的测试表面的污染物，所述方法。
8、包括步骤将光学探测束发射到所述容器中；调节所述光学探测束，以在反射之后在所述测试表面上为预定的最小透射波长和偏振状态提供最小透射；接收从所述容器进入到光谱分析器中的反射光学探测束；和用所述光谱分析器响应于由于污染物的出现造成的偏振变化来探测所述最小透射波长的波长偏移。13根据权利要求12的污染物监控方法，其中所述容器是包括单个光学端口的真空容器，其中所述方法还包括逆向反射所述探测束，以经由所述测试表面引导来自所述光学端口的所述反射探测束和将所述反射探测束引导到所述光学端口。14根据权利要求12所述的污染物监控方法，其中所述光学探测束是宽带光束。权利要求书CN101981504ACN101981。
9、513A1/8页4光刻设备和污染物检测方法0001相关申请的交叉引用0002本申请要求于2008年4月1日申请的美国临时申请61/064,889的权益，通过引用将其全部内容并入本文中。技术领域0003本发明涉及一种光刻设备和一种用于在光刻设备内检测污染物的方法。背景技术0004光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上通常应用到所述衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路IC的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底例如，硅晶片上的目标部分例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯上。典型地，经由成像。
10、将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料抗蚀剂层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向“扫描”方向扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。0005虽然污染控制是任何光刻设备的问题，该光刻设备包括传统的基于透射透镜的系统，尤其是通常被称为EUV极紫外系统的系统，其在低于20NM的更短的。
11、波长上操作，由于所述源的污染控制具有挑战性，所以期望对反射镜系统进行污染控制。EUV辐射的反射使用先进材料的特定的反射镜设计。这些反射镜的反射率影响这一成像系统的EUV透射。EUV光与CXHY分子在这些反射镜的表面处或附近的相互作用使得碳沉积到反射镜表面上。沉积到反射镜表面上的碳显著地影响了反射镜的反射性质，因此它影响成像光学系统的EUV透射。发明内容0006虽然已知监控系统用于观察EUV系统中的污染物生长，但是仍然期望提供一种监控工具，其在操作条件下具有强大的服务水平，尤其是在真空封闭限制中。0007根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括容器，所述容器封闭具有用于被探测用。
12、于污染物控制的测试表面的部件；和光学探针，所述光学探针被配置成发射和接收光学探测束。所述容器包括第一光学端口和第二光学端口，所述第一光学端口被配置成朝向所述测试表面传输所述光学探测束，所述第二光学端口被配置成接收反射的光学探测束。所述光学探针包括光源、偏振调节器和光谱分析器，所述光源被配置以提供所述光学探测束，所述偏振调节器被配置以提供预定的偏振状态给所述探测束。所述说明书CN101981504ACN101981513A2/8页5偏振调节器被预先设定，以为最小透射波长提供最小透射。所述光谱分析器被布置以响应于由于污染物的出现导致的偏振变化来探测所述最小透射波长的波长偏移。0008根据本发明的一。
13、个方面，提供了一种容器，所述容器封闭具有用于被探测用于材料沉积控制的测试表面的部件；和光学探针，所述光学探针被配置成发射和接收光学探测束。所述容器包括第一光学端口和第二光学端口，所述第一光学端口被配置成朝向所述测试表面传输所述探测束，所述第二光学端口被配置以接收反射探测束。所述光学探针包括宽带光源、偏振调节器、偏振滤光片和光谱分析器，所述宽带光源被配置以提供所述探测束，所述偏振调节器用于提供预定的偏振状态给所述探测束。所述偏振调节器和偏振滤光片被预先设定，以为预定的最小透射波长提供零透射，所述光谱分析器被布置以响应于由于污染物的出现导致的偏振变化来探测所述最小透射波长的波长偏移。0009根据本。
14、发明的一个方面，提供了一种污染物监控方法，用于监控封闭在容器中的测试表面的污染物。所述方法包括将光学探测束发射到所述容器中；调节所述光学探测束，以在反射之后在所述测试表面上为预定的最小透射波长和偏振状态提供最小透射；接收从所述容器进入到光谱分析器中的反射光学探测束；和用所述光谱分析器响应于由于污染物的出现造成的偏振变化来探测所述最小透射波长的波长偏移。附图说明0010现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中0011图1显示根据本发明的实施例的光刻设备；0012图2显示图1的光刻设备的监控装置的一示意性实施例；0013图3显。
15、示对于不同的碳层厚度的光谱响应；0014图4显示作为碳层厚度的函数的最小透射波长的波长偏移；0015图5显示监控装置的一实施例；0016图6显示图5的监控装置的逆向反射元件的一实施例；0017图7显示用于监控装置的椭偏机构的一实施例的侧面示意图；和0018图8显示图7的实施例的俯视图。具体实施方式0019图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括照射系统照射器IL，配置用于调节辐射束B例如，紫外UV辐射或极紫外EUV辐射；支撑结构例如掩模台MT，构造用于支撑图案形成装置例如掩模MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台例如晶片台WT，。
16、构造用于保持衬底例如涂覆有抗蚀剂的晶片W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统例如折射式投影透镜系统PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C例如包括一根或多根管芯上。0020所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。说明书CN101981504ACN101981513A3/8页60021所述支撑结构支撑图案形成装置，即承载图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形。
17、成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上例如相对于投影系统。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。0022这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符例如如果该图案包括相。
18、移特征或所谓辅助特征。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。0023图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。0024这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射。
19、型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。0025如这里所示的，所述设备是反射型的例如，采用反射式掩模。替代地，所述设备可以是透射型的例如，或采用透射式掩模。0026所述光刻设备可以是具有两个双台或更多衬底台和/或两个或更多的掩模台的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。0027光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被相对高折射率的。
20、液体例如水覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。在本领域中公知浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中，而是仅仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。0028参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体例如当该源为准分子激光器时。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述。
21、源可以是所述光刻设备的组成部分例如当所述源是汞灯时。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统一起称作辐射系统。0029所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，说明书CN101981504ACN101981513A4/8页7可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围一般分别称为外部和内部进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。0030所述辐射束B入射到保持在支撑结构例如，掩模台MT上的所述图案形成装置。
22、例如，掩模MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块粗定位和短行程模块精定位的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地。
23、，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下与扫描器相反，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间这些公知为划线对齐标记中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。0031可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中00321在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次。
24、投影到目标部分C上即，单一的静态曝光。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。00332在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上即，单一的动态曝光。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的缩小放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度沿非扫描方向，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度沿所述扫描方向。00343在另一种模式中，将用于保持可。
25、编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列的无掩模光刻术中。0035也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。0036已知椭偏法ELLIPSOMETRICMETHOD用于基于表面4的变化的反射性质参见图2检测材料的薄层。通常，探测束2的偏振状态在反射之后被改变。已知对于。
26、不同的偏振，反射系数是不同的。可以使用菲涅耳公式计算这些系数。如果光被用垂直于上图的图说明书CN101981504ACN101981513A5/8页8平面的光的电场偏振S偏振，那么由下述公式给出反射系数00370038其中T反射角可以通过斯涅耳定律SNELLSLAW由I入射角推出。0039如果入射光被在图平面中偏振P偏振，那么由下述公式给出反射系数00400041由式1和2的比获得椭偏法的基本方程00420043因此，TAN是反射时的振幅比，是相移差。0044通过提供预定的椭圆偏振状态的输入束，依赖于反射器的反射性质可以对反射束进行线性化处理。归零式椭圆仪因此被用于调节探测束，使得反射光被线性。
27、地偏振，从而椭圆仪的透射率对于预定的波长变成零。0045为了提供了预定的偏振状态和分析反射束，传统的椭圆仪是使用移动的且旋转的部件的大型的系统。因此，这些系统在真空或高清洁区域以及在被限制的区域诸如容器的应用中是不适合的。0046图2显示光刻设备1中的监控装置的一个实施例，其中基于已知的归零式椭偏仪的概念提供了小型的被动式椭圆仪6。因此，在光刻设备1中提供了容器5。典型地，容器5可以是真空容器，但是本方法的实施例在任何限制的区域中，不论其是难以到达的区域，或是优选地始终保持在操作条件下，都是可应用的。一个例子是透射式的透镜系统外壳。另一例子是EUV光刻系统的投影系统，其容纳了多个投射光学装置，。
28、尤其是使EUV图像成像的反射式元件。这一外壳还被称为投影光学装置盒。另一例子是将EUV辐射传输至图案形成装置或掩模版的照射系统。典型地，因此部件40被限制在容器5中，其由于操作条件而具有测试表面4，该测试表面4被探测用于污染控制。因此，这一部件40典型地是投影光学装置诸如反射式反射镜，为了优化的成像条件，其被保持成清洁的。污染物的例子是碳、锌、氧化锡和锡液滴。0047光学探测系统或光学探针是由源10、偏振调节系统或偏振调节器11、偏振滤光片13以及光谱分析器12形成。源10经由光学端口8将光学探测束2发射到容器5中。光学端口8朝向测试表面4传输探测束2。在反射之后，另一光学端口9接收反射的探测。
29、束3。0048源10可以是宽带光源，在特定的例子中，这可以是可调谐的波长源。虽然在通常的归零式椭圆仪中，可以使用单一波长，但是根据所述方法的实施例，通过使用宽带光，可以探测零透射率的波长的波长偏移。这可以具有优点不需要光学调节，而是可以使用预设的光学偏振。为此目的，提供了偏振调节系统11。偏振调节系统11给所有波长的探测束提供了预定的偏振状态，所述光被调节以具有预设的预定的复杂的偏振矢量，以在测试表面4处反射之后提供线性偏振状态，因此对预定的波长提供通过偏振滤光片13的零透射，该波长被称为最小透射波长。由于在容器5中设置成真空，所以可以在容器中设置偏振调说明书CN101981504ACN101。
30、981513A6/8页9节系统11，以防止在光学端口8、9的真空界面处的光学畸变。因此，宽带光源是经由光学端口例如通过光纤被引入到容器中的光，且反射光束在穿过偏振滤光片13之后，被朝向光谱分析器12引导，其可以设置在容器5的外面。0049被分析器12探测的光的光谱测量提供了具有明显不同的最小值的光谱响应曲线。在总的测量光谱范围中的这些最小值的位置可以通过调节偏振调节系统11的光学元件和偏振滤光片13的方向来调节。0050在反射之后，在使用偏振滤光片13和光谱分析器12的同时，可以响应于由于污染物的出现而造成的偏振变化来探测所述最小值的波长偏移。0051图3显示在测试反射镜的表面4处的碳层厚度的。
31、变化导致最小值的位置沿测量的光谱范围的偏移。可以通过布置在光谱分析器12中的信号处理软件，来评估所述最小值的位置。因此，光谱分析器或与之连接的计算机布置有用于识别接收的波长光谱中的局部最小值的最小值识别电路和用于将局部的最小偏移与污染物水平相关联的存储器。最小值识别电路使用公知的计算方法，诸如NEWTONRAPSON牛顿莱普森方法或类似的方法。原理上，提出的测量概念可以在反射镜的表面处的碳生长和其它积聚的分子之间由于这些材料的不同的光谱特征对它们进行区分。例子是ZN、氧化锡和锡分子。0052图4显示作为碳层厚度的函数的波长偏移在04NM的层厚度范围内是接近线性的。0053所述概念的各种实际的实。
32、施方式是可以的，其能够使用紧凑的传感器且显著地简化在投影光学装置盒EUV光学成像系统或EUV照射系统的复杂的机械结构中的传感器的集成度。在图5中提供了这样的实施方式的另一例子。0054由于提供了布置在探测束2、3的束路径中的逆向反射元件或逆向反射器15，所以这一紧凑的实施例仅使用单个光学端口8。逆向反射元件15被定位，以经由测试表面4引导来自光学端口8的反射探测束和将反射探测束引导至光学端口8。此外，通过用测试表面反射两次，可以增强灵敏度。被动式的归零式椭圆仪6比公知的椭圆仪小很多且较便宜。另外，可以显著地简化在光学成像系统中的集成度。0055图5的实施例进一步显示偏振调节系统11可以包括偏振。
33、器13偏振滤光片和推迟器RETARDER14，诸如四分之一波片。0056典型地，偏振调节系统11在从宽带光源10起的光学路径上设置有偏振器13和推迟器14。偏振滤光片13布置在光谱分析器12前面的光学端口之间的光学路径中。偏振滤光片13可以对该束归零。因此，对于最小的透射波长，可以将偏振条件提供给探测束，以将线性偏振赋予反射束3，这可以实现归零。在反射测试表面4的反射条件在污染物生长的影响下变化时，由于上文讨论的基本公式3的和值，线性偏振将变成另一偏振条件。0057图6显示逆向反射器15的实施例。根据图6的实施例，探测光束3从测试表面4行进至逆向反射器15，并返回来。逆向反射器15包括准直透镜。
34、18、微透镜阵列19和反射镜20。0058如图6所示，测试表面4设置在准直透镜18的焦平面上或其附近，使得在透镜18之后束3是平行的。因此，微透镜阵列19聚焦到反射镜20上。反射镜20将反射光反射回它所来自的方向。逆向反射器15的潜在优势，尤其是对于所显示的类型，在于它使得所述结构对小的位置变化是能够容忍的，特别是在出现了弯曲的测试表面4的情况下。另外，例说明书CN101981504ACN101981513A7/8页10如与角隅逆向反射器相比，光的偏振状态基本上未受影响，这可以对于指定的最小透射波长的辐射束来改善传感器的性能。此外，与其它的单个逆向反射器类型相比，图6的实施例可以具有更好的光输。
35、出。图7显示用于EUV光刻设备中的可替代的椭圆仪结构，图8显示图7的实施例的俯视图。光源10安装在真空中，或光可以经由光纤在真空腔中被耦合。所述束进入到偏振状态发生器PSG16中，在此处它被偏振45且被光弹性调制器PEM调制。之后辐射束2撞击测试表面4，测试表面4在这一实施例中是光学元件在布鲁斯特角周围最敏感，且在光椭圆变化的情况下被反射，由反射束3表示。经由偏振状态探测器传感器PSDS17探测光，所述偏振状态探测器传感器PSDS包括偏振状态探测器PSD、探测器和放大器。信号被传输至真空腔的外面，其中光椭圆的变化可以通过处理器22图8中显示的用、进行计算。如图8所示，对于每一光学反射镜上的空间。
36、信息来说，可以有多个偏振状态探测器传感器17。在有偏移时，可以在亚埃SUBANGSTROM水平上测量和重建EUV生长碳的估计，甚至通过使用单一波长的探测束2、3来实现。0059尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器LCD、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道一种典型地将抗蚀剂层涂。
37、到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处公的开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。0060尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情形中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组。
38、合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。0061在此处使用的术语“辐射”和“束”包括全部类型的电磁辐射，包括紫外UV辐射例如具有365、355、248、193、157或126NM或者约365、355、248、193、157或126NM的波长和极紫外EUV辐射例如具有在520NM范围内的波长以及粒子束诸如离子束或电子束。0062在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式光学部件。0063尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发。
39、明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明的实施例可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式例如，半导体存储器、磁盘或光盘。0064另外，在使用“最小透射”的应用中，这意味着包括在零附近的一定范围的透射，尤其是零透射波长，其中零值或接近零值的光透射通过偏振调节系统。此外，在图2中光源说明书CN101981504ACN101981513A8/8页1110和光谱分析器12被示出在容器的外面，本发明的意思是包括测试表面部分地或全部地设置在容器中，尤其是真空环境中，的全部实施例。另外，在说明书中无论何处。
40、提及“测试表面”，其可以是不主动地用作系统中的反射表面的额外的表面。另一方面，测试表面可以是系统的主动反射表面的一部分。宽带光源例如由同时发射多个波长的多光谱光源形成，在其它例子中，它可以是发射可能变化的单一波长的光源，也被称为可调谐波长源。在可调谐波长源的情形中，可以由光电探测器形成光谱分析器12。另外，可以由在本领域中已知的任何光学偏振滤光片系统形成偏振滤光片，诸如格兰汤普森GLANTHOMPSON滤光片、布儒斯特BREWSTER滤光片、栅格偏振器等。偏振滤光片可以被包含在光谱分析器中。0065以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。说明书CN101981504ACN101981513A1/4页12图1图2说明书附图CN101981504ACN101981513A2/4页13图3图4说明书附图CN101981504ACN101981513A3/4页14图5图6图7说明书附图CN101981504ACN101981513A4/4页15图8说明书附图CN101981504A。