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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201620103894.1 (22)申请日 2016.02.02 (73)专利权人 广东天际电器股份有限公司 地址 515000 广东省汕头市潮汕路金园工 业城12-12片区 (72)发明人 陈运阶 (74)专利代理机构 汕头市南粤专利商标事务所 (特殊普通合伙) 44301 代理人 余飞峰 (51)Int.Cl. A47J 36/24(2006.01) (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (54)实用新型名称 一种防干烧电路 (57)摘要 本实用新型涉及防干烧技术领域。
2、， 尤其涉及 一种防干烧电路， 本实用新型采用如下技术方 案： 一种防干烧电路， 包括由第一电源端依次连 接的温控器常闭接点、 发热器、 继电器常开接点、 第二电源端、 单片机， 温控器常闭接点位于发热 器的一端还依次连接第一分压电阻、 第二分压电 阻、 接地端， 单片机的IO检测线连接在位于第一 分压电阻与第二分压电阻之间， 本实用新型的优 点在于： 相对于传统的防干烧电路， 结构更为简 单， 且无须增加过多的电子器件， 可靠性高， 易于 维护， 也进一步的减少生产成本。 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 CN 205649394 U 2016.10.19 CN 205649394 U 。
3、1.一种防干烧电路， 包括由第一电源端依次连接的温控器常闭接点、 发热器、 继电器常 开接点、 第二电源端、 单片机， 其特征在于： 温控器常闭接点位于发热器的一端还依次连接 第一分压电阻、 第二分压电阻、 接地端， 单片机的IO检测线连接在位于第一分压电阻与第二 分压电阻之间。 2.根据权利要求1所述的一种防干烧电路， 其特征在于： 所述的单片机每1ms去判断对 应的IO口检测线的电平状态， X*10ms为一个周期， X为整数且大于3， 当检测到大于X/10+1次 左右的低电平， 则判断为失压状态， 此时属于干烧状态。 3.根据权利要求2所述的一种防干烧电路， 其特征在于： 所述的单片机IO。
4、检测线检测到 的持续低电平值大于10ms的时候判断为失压状态,此时属于干烧状态 4.根据权利要求1或2或3所述的一种防干烧电路， 其特征在于： 所述的第一电源端与第 二电源端之间的电压为交流220V， 第一分压电阻阻值为1M， 第二分压电阻阻值为100k 5.根据权利要求1或2或3所述的一种防干烧电路， 其特征在于： 在位于第一分压电阻与 第二分压电阻之间还串接由熔断器 6.根据权利要求1或2或3所述的一种防干烧电路， 其特征在于： 所述的单片机设置有显 示模块， 用于显示此前是否处于干烧状态。 权 利 要 求 书 1/1 页 2 CN 205649394 U 2 一种防干烧电路 0001 技。
5、术领域： 0002 本发明涉及防干烧技术领域， 尤其涉及一种防干烧电路。 0003 背景技术： 0004 防干烧技术电路在家用的厨房烹饪电器中是较为常见的电路， 传统的有通过感温 磁铁和永久磁铁配合的， 也有通过热敏电阻配合单片机的电路， 然而， 上述的实施方式往往 结构复杂， 可往往复杂的结构可能因为个别部件的失灵则导致保护效果失灵， 且生产成本 较高， 不适合推广应用。 0005 发明内容： 0006 本发明的目的在于提供一种防干烧电路， 具体目的在于提供一种结构简单且易于 维护的防干烧技术电路。 0007 为达到上述目的， 本发明采用如下技术方案： 一种防干烧电路， 包括由第一电源端 依。
6、次连接的温控器常闭接点、 发热器、 继电器常开接点、 第二电源端、 单片机， 其特征在于： 温控器常闭接点位于发热器的一端还依次连接第一分压电阻、 第二分压电阻、 接地端， 单片 机的IO检测线连接在位于第一分压电阻与第二分压电阻之间。 0008 进一步的， 所述的单片机每1ms去判断对应的IO口检测线的电平状态， X*10ms为一 个周期， X为整数且大于3， 当检测到大于X/10+1次左右的低电平， 则判断为失压状态， 此时 属于干烧状态。 0009 进一步的， 所述的单片机IO检测线检测到的持续低电平值大于10ms的时候判断为 失压状态,此时属于干烧状态。 0010 进一步的， 所述的第。
7、一电源端与第二电源端之间的电压为交流220V， 第一分压电 阻阻值为1M， 第二分压电阻阻值为100k。 0011 进一步的， 在位于第一分压电阻与第二分压电阻之间还串接由熔断器。 0012 进一步的， 所述的单片机设置有显示模块， 用于显示此前是否处于干烧状态。 0013 本发明的优点在于： 相对于传统的防干烧电路， 结构更为简单， 且无须增加过多的 电子器件， 可靠性高， 易于维护， 也进一步的减少生产成本。 0014 附图说明： 0015 附图1为实施例1的一种防干烧电路的连接结构图。 0016 具体实施方式： 0017 实施例1： 参照图1， 一种防干烧电路， 包括由第一电源端N依次连。
8、接的温控器WKQ常 闭接点WKQ-1、 发热器EH、 继电器KM常开接点KM-1、 第二电源端L、 单片机MCU， 温控器WKQ常闭 接点WKQ-1位于发热器EH的一端还依次连接第一分压电阻R3、 第二分压电阻R4、 接地端GND， 单片机MCU的IO检测线连接在位于第一分压电阻R3与第二分压电阻R4之间。 0018 具体的， 第一电源端N与第二电源端L之间的电压为交流220V， 第一分压电阻R3阻 值为1M， 第二分压电阻R4阻值为100k。 0019 本实施例中， 由第一分压电阻R3及第二分压电阻R4的配合将单片机MCU的IO检测 线的电压降低到5V以下为单片机MCU可以检测到的电压， 也。
9、不会损坏到单片机MCU。 说 明 书 1/2 页 3 CN 205649394 U 3 0020 具体的， 当非干烧的状态下， 温控器WKQ的常闭接点WKQ-1为闭合状态， 此时由于单 片机MCU的IO检测线检测到的电压为高电平， 单片机MCU则判断非干烧状态， 而当为干烧状 态时， 温控器WKQ的常闭接点WKQ-1断开， 此时单片机MCU的IO检测线检测到的电压为低电 平， 单片机MCU则判断为干烧状态。 0021 为了克服由于检测过程中由于交流电压会处于零点时也为低电平问题， 单片机 MCU每1ms去判断对应的IO口检测线的电平状态， X*10ms为一个周期， 当检测到大于X/10+1 次。
10、左右的低电平， 则判断为失压状态， 此时属于干烧状态， 具体的X为整数且大于3。 0022 优选的， 当单片机MCU的IO检测线检测到的持续低电平值大于10ms的时候判断为 失压状态,此时属于干烧状态。 0023 为了进一步的保护单片机MCU不会由于电阻损坏而导致单片机MCU击穿， 进一步 的， 在位于第一分压电阻R3与第二分压电阻R4之间还串接由熔断器。 0024 为了进一步的提醒用户注意干烧的状态， 单片机MCU设置有显示模块， 用于显示此 前是否处于干烧状态。 0025 当然， 以上仅为本发明较佳实施方式， 并非以此限定本发明的使用范围， 故， 凡是 在本发明原理上做等效改变均应包含在本发明的保护范围内。 说 明 书 2/2 页 4 CN 205649394 U 4 图1 说 明 书 附 图 1/1 页 5 CN 205649394 U 5 。