光盘装置及其聚焦偏置设定方法.pdf

本发明提供一种光盘装置及其聚焦偏置设定方法，根据本发明，在多个记录层的聚焦偏置处理时，能够实现处理时间的缩短和确保处理精度。对于相互邻接的记录层的各层，根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习光学单元相对于该引导槽的聚焦偏置，根据该学习到的各记录层的聚焦偏置，运算且设定记录或再现时用的聚焦偏置。在三层以上的记录层时，将与所述学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与光学单元的特性对应的值的聚焦偏置作为各记录层的或各记录层共同的聚焦偏置进行设定，或，将与该学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置的平均值作为一个记录层的聚焦偏置进行设定。

1.  一种光盘装置，对于具有三层以上的多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在于，包括：
光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；和
控制部，对于所述光盘的相互邻接的记录层即从所述光学单元侧以第一记录层、第二记录层、第三记录层的顺序配置的各记录层，从根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，所述第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，从所述学习的第一、第二记录层的聚焦偏置运算与该学习的第一记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，所述第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，从所述学习的第二、第三记录层的聚焦偏置运算与该学习的第三记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，所述第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，运算所述学习的第一、第二及第三记录层的聚焦偏置的平均值或从所述学习的第二、第三记录层的聚焦偏置运算与该学习的第二记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，设定各运算结果。

2.  一种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在于，包括：
光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；
第一控制模块，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置；和
第二控制模块，根据所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置，运算并设定记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置，
所述第二控制模块中，
在所述多个记录层从所述光学单元侧以第一记录层、第二记录层、第三记录层的顺序配置时，
从学习的所述第一记录层的聚焦偏置和学习的所述第二记录层的聚焦偏置，运算与该第一记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第一聚焦偏置、和与该第二记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第二聚焦偏置，
并且，从所述学习的所述第二记录层的所述聚焦偏置和所述学习的所述第三记录层的聚焦偏置，运算与该第二记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第三聚焦偏置、和与该第三记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第四聚焦偏置，
进而，从所述运算的第二聚焦偏置和第三聚焦偏置，运算该两个聚焦偏置的平均值即第五聚焦偏置或与该两个聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第六聚焦偏置，
作为记录或再现时的聚焦偏置，对于所述第一记录层设定所述第一聚焦偏置，对于所述第二记录层设定所述第五聚焦偏置或所述第六聚焦偏置，对于所述第三记录层设定所述第四聚焦偏置。

3.  一种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在于，包括：
光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；
第一控制模块，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置；
第二控制模块，根据所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置，运算并设定记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置，
在所述光盘内，多个记录层从所述光学单元侧以第一记录层、第二记录层、第三记录层的顺序进行配置时，
所述第二控制模块中，
从学习的所述第一记录层的聚焦偏置和学习的所述第二记录层的聚焦偏置，运算与所述学习的第一记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第一聚焦偏置，将该运算的第一聚焦偏置设定为第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，
并且，从学习的所述第二记录层的聚焦偏置和学习的所述第三记录层的聚焦偏置，运算与所述学习的第二记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第二聚焦偏置、和与所述学习的第三记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第三聚焦偏置，将该运算的第二聚焦偏置设定为第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，将该运算的第三聚焦偏置设定为第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置。

4.  如权利要求2所述的光盘装置，其特征在于，
将所述第一控制模块学习的所述邻接的记录层中的第一记录层的聚焦偏置设为F_A0、将第二记录层的聚焦偏置设为F_A1、将第三记录层的聚焦偏置设为F_A2、将所述第二控制模块的作为所述第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F_Q0、同样将作为所述第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F_Q1c、同样将作为所述第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算且设定的聚焦偏置设为F_Q2时，
所述第二控制模块通过
F_Q0＝(3×F_A0+F_A1)/4
F_Q1c＝{(F_A0+3×F_A1)/4+(3×F_A1+F_A2)/4}/2
F_Q2＝(F_A1+3×F_A2)/4
运算并设定F_Q0、F_Q1c、F_Q2。

5.  如权利要求3所述的光盘装置，其特征在于，
将所述第一控制模块学习的所述邻接的记录层中的第一记录层的聚焦偏置设为F_A0、将第二记录层的聚焦偏置设为F_A1、将第三记录层的聚焦偏置设为F_A2、将所述第二控制模块的作为所述第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F_Q0、同样将作为所述第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F_Q1b、同样将作为所述第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F_Q2时，
所述第二控制模块通过
F_Q0＝(3×F_A0+F_A1)/4
F_Q1b＝(3×F_A1+F_A2)/4
F_Q2＝(F_A1+3×F_A2)/4
运算并设定F_Q0、F_Q1b、F_Q2。

6.  一种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在于，包括：
光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；
温度检测模块，检测该光盘装置内的温度；
控制部，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，根据该学习的各记录层的聚焦偏置和所述温度检测模块检测出的温度信息，运算并设定记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置。

7.  一种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在于，包括：
光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；
温度检测模块，检测该光盘装置内的温度；
第一控制模块，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置；
第二控制模块，根据所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置和所述温度检测模块检测出的温度信息，运算并设定记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置。

8.  如权利要求7所述的光盘装置，其特征在于：
所述第一控制模块使用推挽信号或摆频信号作为基于所述反射光的信号，作为对于所述各引导槽的各聚焦偏置，学习所述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大范围的振幅的聚焦偏置。

9.  如权利要求7所述的光盘装置，其特征在于：
在所述温度检测模块检测出的温度为相对低温的第一温度时，所述第二控制模块运算所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置的平均值，在所述温度检测模块检测出的温度为相对高温的第二温度时，所述第二控制模块运算与所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置的差不同的聚焦偏置，并将该运算的聚焦偏置作为该两个记录层共同的记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置而设定，或，运算与所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，将该运算的聚焦偏置作为所述各记录层的记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置而设定。

10.  如权利要求9所述的光盘装置，其特征在于：
将所述第一控制模块学习的所述邻接的记录层中的第一记录层的聚焦偏置设为F_A0、将第二记录层的聚焦偏置设为F_A1、将所述第二控制模块的作为所述第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F_Q0、同样将作为所述第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F_Q1时，
在所述第一温度为0℃～25℃范围的温度时，所述第二控制模块通过
F_Q0＝F_Q1＝(F_A0+F_A1)/2
运算F_Q0、F_Q1，
在所述第二温度为50℃～65℃范围的温度时，所述第二控制模块通过
F_Q0＝(3×F_A0+F_A1)/4
F_Q1＝(F_A0+3×F_A1)/4
运算并设定F_Q0、F_Q1。

11.  一种光盘装置的聚焦偏置设定方法，对于具有多个记录层的光盘通过光学单元将激光聚光并照射在所述记录层而能够进行信息的记录或再现，该方法的特征在于，包括：
第一步骤，对于所述光盘的相互邻接的各记录层，从根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，并且检测该光盘装置内的温度；
第二步骤，根据所述学习的各聚焦偏置和所述检测出的温度信息，运算并设定记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置。

12.  如权利要求11所述的光盘装置的聚焦偏置设定方法，其特征在于：
在所述检测出的温度为相对低温的第一温度时，在所述第二步骤中，运算在所述第一步骤中学习的各记录层的聚焦偏置的平均值，将该平均值作为记录或再现时用的该两个记录层共同的聚焦偏置而设定。

13.  如权利要求11所述的光盘装置的聚焦偏置设定方法，其特征在于：
在所述检测出的装置内的温度为相对高温的第二温度时，在所述第二步骤中，运算与在所述第一步骤中学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，将该运算的聚焦偏置作为所述各记录层的记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置而设定。

光盘装置及其聚焦偏置设定方法
优先权主张
本申请主张2008年11月27日提交的日本在先专利申请JP2008-302616号的优先权，并在此引入其全部内容以作参照。
技术领域
本发明涉及光盘装置的聚焦偏置处理，尤其是涉及对于光盘具有多个记录层时的该多个记录层的聚焦偏置的设定。
背景技术
作为与本发明有关的现有技术，例如有记载于日本专利第3465413号说明书(专利文献1)、日本特开2003-217140号公报(专利文献2)、日本特开2003-248940号公报(专利文献3)中的技术。在日本专利第3465413号说明书中，记载有利用跟踪误差信号的振幅、抖晃、RF信号振幅等设定聚焦偏置(Focus Offset：聚焦偏移、偏焦)值的技术，在日本特开2003-217140号公报中记载有对于各记录层独立地设定聚焦偏置的技术，在日本特开2003-248940号公报中记载有在装置内设置温度检测器，在装置内温度变化规定值以上且结束聚焦跳跃和寻道时进行偏移再调整的技术。
在上述的现有技术中，分别独立地求取各记录层的聚焦偏置量，根据记录层切换前后的跟踪误差信号的振幅、抖晃、RF信号振幅等的差值，求该切换后的记录层的聚焦偏置量，因此，偏移处理的所需要时间容易变长，另外，在未记录状态的记录层的情况下恐怕不能确保处理精度。
专利文献1：日本专利第3465413号说明书
专利文献2：日本特开2003-217140号公报
专利文献3：日本特开2003-248940号公报
发明内容
本发明的课题是鉴于上述现有技术的状况而提出的，在光盘装置中，在多个记录层的聚焦偏置处理时，能够实现该处理时间的缩短、并且能够确保对于记录结束状态的记录层(也包括再现专用盘)及未记录状态的记录层的聚焦偏置处理精度。另外，也能够与装置内的温度变化对应而确保聚焦偏置处理精度。
本发明的目的在于，解决上述课题，提供一种能够在光盘装置中提高使用便利性的技术。
为解决上述课题点，本发明提供一种光盘装置，其中，对于光盘具有的多个记录层中的相互邻接的记录层的各层，根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习光学单元对于该引导槽的聚焦偏置，根据该学习的各记录层的聚焦偏置，运算且设定记录或再现时用的聚焦偏置。作为记录或再现时用的光学单元的聚焦偏置，将所述学习的各记录层的聚焦偏置的平均值设定为该各记录层共同的聚焦偏置，或者，将与所述学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，设定为各记录层或各记录层共同的聚焦偏置，或者，将与该学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置的平均值作为一个记录层的聚焦偏置进行设定。另外，根据装置内的温度变化，将所述学习的各记录层的聚焦偏置的平均值或与该学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置设定为记录或再现时用的光学单元的聚焦偏置。
另外，在本发明中，通过所述学习求取的聚焦偏置意味着是满足有效地构成本发明的适当范围的聚焦偏置。另外，本发明的“记录层”是指将记录信息的层(记录层)，即也包括记录有信息的记录层(也包括再现专用盘的记录层、可记录盘即可改写的盘和可追记的盘的记录层)、另外，还有虽然尚未记录信息但能够记录信息的记录层(该情况下为可记录盘的记录层)。
根据本发明，在光盘装置中，能够在短时间内进行多个记录层的聚焦偏置处理，信息的记录或再现动作可迅速的开始。另外，对于记录结束状态的记录层(也包括再现专用光盘)及未记录状态的记录层也能够确保聚焦偏置的处理精度。另外，也能够与装置内的温度变化相对应而确保聚焦偏置处理精度。
通过以下的附图及说明将明了以上所说明的功能、对象及本发明的优点。
附图说明
图1是作为本发明的第一实施例的光盘装置的构成图；
图2是图1的光盘装置中的光盘的多个记录层的基准面位置和光拾取器的光学单元的位置的说明图；
图3是图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图；
图4是基于实测数据的图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图；
图5是基于另一实测数据的图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图；
图6是图1的光盘装置的、对于光盘中的邻接的记录层的聚焦偏置处理的动作流程图；
图7是图1的光盘装置的、对于记录层为3层以上的光盘的聚焦偏置处理的说明图；
图8是图7的聚焦偏置处理的动作流程图；
图9是图1的光盘装置的、对于记录层为3层以上的光盘的另一聚焦偏置处理的说明图；
图10是图9的聚焦偏置处理的动作流程图；
图11是作为本发明的第二实施例的光盘装置的构成图；
图12是表示光学单元的聚焦偏置的温度特性例的图；
图13是表示通过图11的光盘装置改善了图12的温度特性时的状态的图。
具体实施方式
下面，应用附图对本发明的实施例进行说明。
图1～图10是作为本发明的第一实施例的光盘装置的说明图。图1是作为本发明的第一实施例的光盘装置的构成图，图2是图1的光盘装置的光盘的多个记录层的基准面位置和光拾取器的光学单元的位置的说明图，图3是图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图，图4是基于实测数据的图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图，图5是基于另一实测数据的图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图，图6是图1的光盘装置的、对于光盘中的邻接的记录层的聚焦偏置处理的动作流程图，图7是在图1的光盘装置中，对于具有3层以上的记录层的光盘的聚焦偏置处理的说明图，图8是图7的聚焦偏置处理的动作流程图，图9是在图1的光盘装置中，对于具有3层以上记录层的光盘的另一聚焦偏置处理的说明图，图10是图9的聚焦偏置处理的动作流程图。
另外，在以下的说明中使用的“记录层”是指记录信息的层(记录层)，即也包括记录有信息的记录层(也包括再现专用盘的记录层、可记录盘的记录层)、另外，还有虽然尚未记录信息但是能够记录信息的记录层(该情况下为可记录盘的记录层)。
在图1中，1a是作为本发明的实施例的光盘装置；2是具有多个记录层的DVD+/-R DL等的光盘；3是旋转驱动光盘2的盘电动机；4是光拾取器，5在光拾取器4内，是含有物镜(未图示)而构成，将激光聚光，使该聚光了的激光向光盘2的记录面照射的光学单元；6在光拾取器4内，是为了记录或再现而产生规定的强度的激光的激光二极管；7在光拾取器4内，是驱动激光二极管6的激光驱动电路；8在光拾取器4内，是经由光学单元5接受来自光盘2的记录面(盘面)的反射光并切换为电信号(再现信号)而输出的受光部；9是改变光学单元5中的物镜(未图示)的位置及姿势的致动器；10是将从受光部8输出的再现信号作为RF信号进行增幅和解调等而进行信号处理的再现信号处理部；11是具备直线状的引导部件(未图示)及导向螺杆部件(未图示)等而构成，使光拾取器4向光盘2的大致半径方向移动的移动·引导机构部；12在该移动·引导机构部11内，是旋转驱动导向螺杆部件(未图示)的滑动电动机；14是生成驱动致动器9的驱动信号的聚焦/跟踪控制部；15是旋转驱动盘电动机3和滑动电动机12的电动机驱动电路；30是控制该光盘装置1a整体的作为控制部的系统控制器；31在系统控制器30内，是控制电动机驱动电路15的电动机控制部；32是系统控制器30内的微机；321是构成在微机32内、作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元，上述第一控制模块由自再现信号处理部10输出的信号学习(检测)上述光学单元5的最佳聚焦偏置(在最适合范围的聚焦偏置即在满足有效构成本发明的适当范围内的聚焦偏置的意思。以下的说明中的“最佳聚焦偏置”全部是该意思)；322是构成在微机32内、作为第二控制模块的聚焦偏置运算·设定单元，上述第二控制模块根据上述聚焦偏置学习单元321学习了的最佳聚焦偏置，运算且设定记录或再现时用的上述光学单元5的聚焦偏置。作为上述第一控制模块的聚焦偏置学习单元321在上述最佳聚焦偏置的学习时，根据自再现信号处理部10输出的信号即来自形成于光盘2的多个记录层中、相互邻接的记录层的各记录面的引导槽的反射光的信号，学习(检测)光学单元5对于各该引导槽的最佳聚焦偏置。
另外，在图1中，33是生成并输出用于驱动激光二极管6的记录用信号的记录用信号生成部；40是存储器，其存储光学单元5的特性信息、聚焦偏置学习单元321学习的邻接的各记录层的最佳聚焦偏置的信息、聚焦偏置运算·设定单元322运算·设定的记录或再现时用的上述光学单元5的聚焦偏置的信息、在聚焦偏置学习单元321中执行上述学习动作的一系列顺序的程序、在聚焦偏置运算·设定单元322中执行上述运算·设定动作的一系列步骤的程序等。光学单元5的特性信息、上述学习动作执行用的程序、上述运算·设定动作执行用的程序在聚焦偏置学习单元321的最佳聚焦偏置的学习动作前，预先存储于存储器40。
在上述最佳聚焦偏置的学习时，作为基于来自形成于相互邻接的多个记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，从再现信号处理部10输出推挽信号或摆频信号。
作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元321具有的构成为，在最佳聚焦偏置的学习时，应用从上述再现信号处理部10输出的推挽信号或摆频信号，作为相对于相互邻接的多个记录层的各引导槽的各最佳聚焦偏置，学习(检测)上述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大(处于实际的最大范围内的值的意思，含有真正的最大值，例如，意思是成为真正的最大值95％以上范围的值。以下，推挽信号或摆频信号的振幅的“最大”或“最大值”为该意思)的聚焦偏置。利用推挽信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为关(OFF)状态，利用摆频信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为开(ON)状态。聚焦偏置学习单元321根据从存储器40读出的程序，执行最佳聚焦偏置学习动作中的规定的步骤。
作为第二控制模块的聚焦偏置运算·设定单元322，运算·设定用于在相互邻接的多个记录层记录或再现信息时的聚焦偏置时，运算上述聚焦偏置学习单元321学习的、该邻接的多个记录层的各最佳聚焦偏置即上述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置的平均值(平均的聚焦偏置)，将该运算的平均值作为记录或再现时的该两个记录层共同的聚焦偏置进行设定，或，运算与聚焦偏置学习单元321学习的各记录层的最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置即与光学单元5的特性对应在每一个记录层加权(重み付け)后的聚焦偏置，将该运算的聚焦偏置作为上述相互邻接的多个记录层的各个的记录或再现时用的聚焦偏置对每个该记录层分别进行设定。
应用聚焦偏置学习单元321得到的学习结果运算且设定记录或再现时用的上述平均的聚焦偏置时，聚焦偏置运算·设定单元322如下进行该聚焦偏置的设定。即，例如，在从激光入射侧(配置有光学单元5的侧)配置有第一记录层(L0层)、第二记录层(L1层)时，通过聚焦偏置学习单元321对于该第一记录层(L0层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A0，另外，通过相对于该第二记录层(L1层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A1，此时，作为第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_QC，例如，将通过
F_QC＝(F_A0+F_A1)/2(数学式1)
运算得到的值设定为该第一记录层(L0层)及该第二记录层(L1层)共同的聚焦偏置(记录或再现时用的聚焦偏置)。
另外，在利用聚焦偏置学习单元321的学习结果且对应光学单元5的特性对每一个邻接记录层分别运算各记录或再现时用的聚焦偏置并进行设定时，聚焦偏置运算·设定单元322如下进行该记录或再现时用的聚焦偏置的设定。即，例如，在从激光入射侧以第一记录层(L0层)、第二记录层(L1层)的顺序配置有记录层时，通过聚焦偏置学习单元321对于该第一记录层(L0层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A0，另外，通过相对于该第二记录层(L1层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A1，此时，例如，将通过
F_Q0＝(3×F_A0+F_A1)/4(数学式2)
运算得到的值设定为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0。
另外，例如，将通过
F_Q1＝(F_A0+3×F_A1)/4(数学式3)
运算得到的值设定为第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1。
聚焦偏置运算·设定单元322根据从存储器40读出的程序，执行对记录或再现动作用的上述光学单元5的上述聚焦偏置进行运算·设定的动作顺序。
另外，上述数学式1～数学式3为发明者在研究本发明的过程中，从应用多个光盘进行实验而得到的数学式，是解决本发明的课题且能够得到显著的效果的实用的数学式。
在上述构成的光盘装置1a中，在对于具有多个记录层的光盘2进行信息的记录或再现时，例如，在光盘2装入装置内，且以规定的速度旋转的状态下，光拾取器4内的激光二极管6产生的激光通过光学单元5向光盘2的多个记录层的记录面照射，进行相对于多个记录层的聚焦偏置处理。对于相互邻接的记录层的各层，利用形成于该各记录层的引导槽的槽信息(表示槽的构造或状态的信息)来进行聚焦偏置处理。即，对于相互邻接的记录层的各层，用受光部8接受来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光并切换为电信号(再现信号)，作为推挽信号或摆频信号从再现信号处理部10输出。聚焦偏置处理时，在形成从再现信号处理部10输出推挽信号的构成的情况下，在光盘装置1a中，不进行跟踪控制，而从聚焦/跟踪控制部14只输出聚焦控制信号。另一方面，在形成从再现信号处理部10输出摆频信号的结构的情况下，进行跟踪控制，从聚焦/跟踪控制部14输出聚焦控制信号和跟踪控制信号。作为相互邻接的各记录层的引导槽的槽信息，从再现信号处理部10输出的该推挽信号或摆频信号被输入微机32内的聚焦偏置学习单元321内。聚焦偏置学习单元321对于相互邻接的记录层的各层，将该输入的推挽信号或摆频信号的振幅成为最大时的聚焦偏置作为最佳聚焦偏置来进行学习(检测)。微机32内的聚焦偏置运算·设定单元322如上所述，运算聚焦偏置学习单元321学习的相互邻接的记录层各层的最佳聚焦偏置的平均值或与该学习的各最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置，作为记录或再现时用的上述光学单元的聚焦偏置来进行设定。
下面，对于说明中使用的图1的光盘装置1a的构成要素标记与图1的情况相同的符号。
图2是在图1的光盘装置1a中，光盘2的多个记录层的基准面(聚焦偏置成为0(零)的面)的位置和与此相对的光拾取器4的光学单元5的位置的说明图。(a)表示用光学单元5聚光的激光向第一记录层(L0层)照射，由以来自该第一记录层(L0层)的记录面的引导槽的反射光为依据的推挽信号或摆频信号，进行对于第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置的学习时的状态，(b)表示用光学单元5聚光的激光向与上述第一记录层(L0层)邻接的第二记录层(L1层)照射，由以来自该第二记录层(L1层)的记录面的引导槽的反射光为依据的推挽信号或摆频信号，进行对于第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置的学习时的状态。5a为光学单元5中的物镜，h为第一记录层(L0层)的基准面和第二记录层(L1层)的基准面之间的距离。在最佳聚焦偏置的学习时，物镜5a根据来自聚焦/跟踪控制部14的聚焦控制信号，通过致动器9控制聚焦方向(±Z轴方向)的位置。进行对于第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置的学习时，在包括第一记录层(L0层)的基准面位置的该第一记录层(L0层)的基准面的附近，物镜5a的聚焦方向位置通过致动器9被改变，推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的物镜5a的聚焦方向位置的聚焦偏置通过聚焦偏置学习单元321被学习为对于第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置。同样，进行对于第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置的学习时，在包括该第二记录层(L1层)的基准面位置的该第二记录层(L1层)的基准面的附近，物镜5a的聚焦方向位置通过致动器9被改变，推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的物镜5a的聚焦方向位置的聚焦偏置通过聚焦偏置学习单元321被学习为对于第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置。进行对于第三记录层(L2层)(未图示)的最佳聚焦偏置的学习时也同样。
在以下的说明中，第一记录层(L0层)和第二记录层(L1层)也设为相对于激光入射方向(配置着物镜5a的方向)处于上述图2所示的位置关系。另外，图7～图10中说明的记录层为3层以上的光盘时，第三记录层(L2层)(未图示)配置于比第二记录层(L1层)更靠Z轴方向侧的位置。
图3是对于图1的光盘装置1a的光盘2的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图。在本图3中，聚焦偏置学习用推挽信号进行。在图3中，横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A和分辨率D。
在图3中，A₀是利用来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线的模型，A_0max是振幅特性曲线A₀上的最大值即第一记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值，F_A0是在振幅特性曲线A₀上推挽信号振幅成为最大值A_0max时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置，A₁是利用来自第二记录层(L1层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线的模型，A_1max是振幅特性曲线A₁上的最大值即第二记录层(L1层)的推挽信号振幅的最大值，F_A1是在振幅特性曲线A₁上推挽信号振幅成为最大值A_1max时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置，D₀是基于来自第一记录层(L0层)的反射光的分辨率特性曲线的模型，F_D0是该分辨率特性曲线D₀成为最大值时的聚焦偏置，D₁是基于来自第二记录层(L1层)的反射光的分辨率特性曲线的模型，F_D1是该分辨率特性曲线D₁成为最大值时的聚焦偏置。上述推挽信号振幅的最大值A_0max和那时的聚焦偏置F_A0(最佳聚焦偏置)及上述推挽信号振幅的最大值A_1max和那时的聚焦偏置F_A1(最佳聚焦偏置)通过作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元321进行学习(检测)。另外，上述分辨率D，由以来自光盘2的各记录层的引导槽中的最短标记(マ一ク)(在DVD中为3T标记)的反射光为依据的信号的振幅相对于以来自最长标记(在DVD中为11T标记)的反射光为依据的信号的振幅的比定义。
另外，在图3中，Q₀为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦偏置)F_A0、F_A1，按照与聚焦偏置F_A0的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应且在聚焦偏置F_A0侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差，与聚焦偏置F_A0的差被减小)的聚焦偏置的位置，F_Q0为与该位置Q₀对应的聚焦偏置，Q₁为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦偏置)F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应且在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差，与聚焦偏置F_A1的差被减小)的聚焦偏置的位置，F_Q1为与该位置Q₁对应的聚焦偏置，Q_C为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_A0、F_A1运算并设定的聚焦偏置，是该两个聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值的聚焦偏置的位置；F_QC是与该位置Q_C对应的聚焦偏置。图3表示在聚焦偏置运算·设定单元322的聚焦偏置的运算中使用的数学式的精度高，且聚焦偏置运算·设定单元322运算并设定的聚焦偏置F_Q0、和分辨率特性曲线D₀成为最大值时的聚焦偏置F_D0成为同值，且聚焦偏置运算·设定单元322运算并设定的聚焦偏置F_Q1、和分辨率特性曲线D₁成为最大值时的聚焦偏置F_D1成为同值的情况。聚焦偏置F_QC被使用例如数学式1运算，聚焦偏置F_Q0被使用例如数学式2运算，聚焦偏置F_Q1被使用例如数学式3运算，该聚焦偏置F_QC、F_Q0、F_Q1的各个不是分别求分辨率特性曲线D₀、D₁或聚焦偏置F_D0、F_D1，而是作为信息记录或再现时用的聚焦偏置被设定。
另外，在图3的横轴上将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F＝0的位置和第二记录层(L1层)的聚焦偏置F＝0的位置重合。即，图3为将图2的距离h作为0(零)使上述两位置重合的状态。
图4是基于实测数据的图1的光盘装置1a的聚焦偏置学习、信息的记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图。横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A、基于3T标记的信号的振幅B。在图4中记述下述内容，应用聚焦偏置学习单元321的推挽信号的学习结果，聚焦偏置运算·设定单元322运算在该学习中求取的最佳聚焦偏置(意味着最适合范围内的聚焦偏置，即，满足有效构成本发明并在适当范围内的聚焦偏置)的平均值，将该运算的聚焦偏置作为记录或再现用的聚焦偏置进行设定的情况；运算并求取与上述学习中求取的最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置即与光学单元5的特性对应并加权的聚焦偏置，将该求出的聚焦偏置作为记录或再现用的聚焦偏置进行设定的情况。
在图4中，A₀为根据来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的实测振幅特性曲线，A_0max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，实测振幅特性曲线A₀上的最大值即第一记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值(使用实测数据经由多项式近似求出的最大值)，F_A0是通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，即，在实测振幅特性曲线A₀上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置。另外，A₁是根据来自第二记录层(L1层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的实测振幅特性曲线，A_1max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即，实测振幅特性曲线A₁上的最大值即第二记录层(L1层)的推挽信号振幅的最大值(使用实测数据经由多项式近似求出的最大值)，F_A1为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即，在实测振幅特性曲线A₁上推挽信号振幅成为最大值时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置。
另外，在图4中，B₀是利用来自第一记录层(L0层)的引导槽中的3T标记的反射光从再现信号处理部10输出的信号的实测振幅特性曲线，F_B0是实测振幅特性曲线B₀取最大值B_0max(使用实测数据通过多项式近似求出的最大值)时的聚焦偏置。另外，B₁是利用来自第二记录层(L1层)的引导槽中的3T标记的反射光从再现信号处理部10输出的信号的实测振幅特性曲线，F_B1是实测振幅特性曲线B₁取最大值B_1max(使用实测数据通过多项式近似求出的最大值)时的聚焦偏置。
另外，在图4中，Q₀为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦偏置)F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A0的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置F_A0侧与光学单元5的特性对应并加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)的聚焦偏置的位置，F_Q0为与该位置Q₀对应的聚焦偏置。另外，Q₁为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述学习的两个最佳聚焦偏置F_A0、F_A1按照与最佳聚焦偏置F_A1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式3运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置F_A1侧与光学单元5的特性对应并加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)的聚焦偏置的位置，F_Q1为与该位置Q₁对应的聚焦偏置。另外，Q_C为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述学习的聚焦偏置F_A0、F_A1用上述数学式1运算并设定的聚焦偏置，该两个聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值的聚焦偏置的位置，F_QC是与该位置Q_C对应的聚焦偏置。
另外，在图4中，在横轴上将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F＝0的位置和第二记录层(L1层)的聚焦偏置F＝0的位置设定为重合。即，将图2的距离h作为0(零)成为使上述两位置重合的状态。
具体而言，在图4中，通过聚焦偏置学习单元321学习的第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置F_A0约为7×0.05μm，同样，第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置F_A1约为0×0.05μm。另外，实测振幅特性曲线B₀成为最大值B_0max时的聚焦偏置F_B0约3×0.05μm，实测振幅特性曲线B₁成为最大值B_1max时的聚焦偏置F_B1约2×0.05μm。另外，聚焦偏置运算·设定单元322基于上述学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1且与光学单元5的特性对应作为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的聚焦偏置F_Q0约为5×0.05μm，作为第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的聚焦偏置F_Q1约为2×0.05μm，作为第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)共同的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的该两个聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值的聚焦偏置F_QC约为3.5×0.05μm。
由上述可知，作为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置而设定的聚焦偏置F_Q0(约为5×0.05μm)与该第一记录层(L0层)的实测振幅特性曲线B₀成为最大值B_0max时的聚焦偏置F_B0(约3×0.05μm)是近似值，另外，作为第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置而设定的聚焦偏置F_Q1(约为2×0.05μm)与该第二记录层(L1层)的实测振幅特性曲线B₁成为最大值B_1max时的聚焦偏置F_B1(约2×0.05μm)一致，另外，作为第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)的记录或再现时用共同的聚焦偏置而设定的平均值的聚焦偏置F_QC(约为3.5×0.05μm)与上述实测聚焦偏置F_B0(约3×0.05μm)和上述实测的聚焦偏置F_B1(约2×0.05μm)是相接近的值。其结果是，相互邻接的记录层的各层在具有图4的推挽信号振幅特性及3T标记的信号振幅特性的光盘的情况下，在光盘装置1a中，作为记录或再现时用的聚焦偏置，也可以根据数学式1运算并设定第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)共同的上述学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值的聚焦偏置，另外，也可以利用数学式2和数学式3运算并设定与第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)的各个分别对应的聚焦偏置。
图5是在图1的光盘装置1a中，相互邻接的记录层的各层，对于和图4的情况不同的光盘2，根据和图4不同的推挽信号振幅特性的实测数据，进行聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定时的说明图。图5也和图4时同样，横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A、基于3T标记的信号的振幅B。在图5中记述了下述内容，应用聚焦偏置学习单元321的推挽信号的学习结果，聚焦偏置运算·设定单元322运算在该学习中求取的最佳聚焦偏置的平均值，将该运算的聚焦偏置作为信息的记录或再现用的聚焦偏置进行设定的情况；运算并求取与上述学习中求取的最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置，即与光学单元5的特性对应并加权了的聚焦偏置，将该求取的聚焦偏置作为信息的记录或再现用的聚焦偏置进行设定的情况。
在图5中，A₀为利用来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的实测振幅特性曲线，A_0max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即，实测振幅特性曲线A₀上的最大值即第一记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值(使用实测数据经由多项式近似求出的最大值)，F_A0是通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，即，在实测振幅特性曲线A₀上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置。另外，A₁是利用来自第二记录层(L1层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的实测振幅特性曲线，A_1max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即，实测振幅特性曲线A₁上的最大值即第二记录层(L1层)的推挽信号振幅的最大值(使用实测数据经由多项式近似求出的最大值)，F_A1为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即，在实测振幅特性曲线A₁上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置。
另外，在图5中，B₀是利用来自第一记录层(L0层)的引导槽中的3T标记的反射光从再现信号处理部10输出的信号的实测振幅特性曲线，F_B0是实测振幅特性曲线B₀取最大值B_0max(使用实测数据通过多项式近似求出的最大值)时的聚焦偏置。另外，B₁是利用来自第二记录层(L1层)的引导槽中的3T标记的反射光从再现信号处理部10输出的相互的实测振幅特性曲线，F_B1是实测振幅特性曲线B₁取最大值B_1max(使用实测数据通过多项式近似求出的最大值)时的聚焦偏置。
另外，在图5中，Q₀为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦偏置)F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A0的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置F_A0侧与光学单元5的特性对应并加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)了的聚焦偏置的位置，F_Q0为与该位置Q₀对应的聚焦偏置。另外，Q₁为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式3运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置F_A1侧与光学单元5的特性对应并加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)了的聚焦偏置的位置，F_Q1为与该位置Q₁对应的聚焦偏置。另外，Q_C为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_A0、F_A1用上述数学式1运算并设定的聚焦偏置，该两个聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值的聚焦偏置的位置，F_QC是与该位置Q_C对应的聚焦偏置。
另外，在图5中也和上述图4同样，在横轴上将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F＝0的位置和第二记录层(L1层)的聚焦偏置F＝0的位置重合。即，图5也将图2的距离h作为0(零)设定上述两位置。
具体而言，在图5中，通过聚焦偏置学习单元321学习的第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置F_A0约为3×0.05μm，同样，第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置F_A1约为-8×0.05μm。另外，实测振幅特性曲线B₀成为最大值B_0max时的聚焦偏置F_B0约0×0.05μm，实测振幅特性曲线B₁成为最大值B_1max时的聚焦偏置F_B1约-4×0.05μm。另外，聚焦偏置运算·设定单元322基于上述学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1且与光学单元5的特性对应，作为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的聚焦偏置F_Q0约为0×0.05μm，作为第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的聚焦偏置F_Q1约为-5×0.05μm，作为第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)共同的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的该两个聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值的聚焦偏置F_QC约为-2.5×0.05μm。
由上述可知，作为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置而设定的聚焦偏置F_Q0(约为0×0.05μm)与该第一记录层(L0层)的实测振幅特性曲线B₀成为最大值B_0max时的聚焦偏置F_B0(约0×0.05μm)大体一致，另外，作为第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置而设定的聚焦偏置F_Q1(约为-5×0.05μm)与该第二记录层(L1层)的实测振幅特性曲线B₁成为最大值B_1max时的聚焦偏置F_B1(约-4×0.05μm)成为近似值。但是，作为第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)的记录或再现时用的共同的聚焦偏置而设定的平均值的聚焦偏置F_QC(约为-2.5×0.05μm)与上述实测聚焦偏置F_B0(约0×0.05μm)和上述实测的聚焦偏置F_B1(约-4×0.05μm)的差值大。其结果是，相互邻接的记录层的各层在具有图5的推挽信号振幅特性及3T标记的信号振幅特性的光盘的情况下，光盘装置1a中，作为记录或再现时用的聚焦偏置，也可以利用数学式2和数学式3运算并分别设定与第一记录层(L0层)和第二记录层(L1层)分别对应的聚焦偏置，由此，能够进行适当的聚焦偏置处理。
图6是图1的光盘装置1a对于光盘2中的邻接的记录层即第一记录层(L0层)和第二记录层(L1层)进行的聚焦偏置处理的动作流程图。在该聚焦偏置处理中，和图4、图5同样，聚焦偏置学习单元321通过推挽信号学习最佳聚焦偏置。
光盘装置1a对于具有多个记录层的光盘2进行聚焦偏置处理时，在图6中，在成为a、c间被连接的状态时，
(1)首先，作为控制部的系统控制器30将光盘装置1a设定为跟踪控制关(OFF)、聚焦控制开(ON)的状态。即，系统控制器30控制聚焦/跟踪控制部14，该聚焦/跟踪控制部14成为不输出跟踪控制信号，只输出聚焦控制信号的状态(步骤S601)。
(2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(L0层)照射激光，在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A0作为第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S602)。该所学习的最佳聚焦偏置F_A0被存储于存储器40。
(3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(L1层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A1作为第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S603)。该学习的最佳聚焦偏置F_A1被存储于存储器40。
(4)在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1运算并设定对于第一记录层(L0层)的信息的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0(步骤S606)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A0加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)了的聚焦偏置而运算并设定该聚焦偏置F_Q0。所设定的该聚焦偏置F_Q0被存储于存储器40。
(5)聚焦偏置运算·设定单元322根据所学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1运算并设定第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1(步骤S607)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)了的聚焦偏置而运算并设定该聚焦偏置F_Q1。设定的该聚焦偏置F_Q1被存储于存储器40。
(6)光盘装置1a中，系统控制器30开始上述设定的聚焦偏置F_Q0、F_Q1的对于光盘2的记录或再现动作(步骤S608)。光盘装置1a利用设定的聚焦偏置F_Q0进行第一记录层(L0层)的记录或再现，利用设定的聚焦偏置F_Q1进行第二记录层(L1层)的记录或再现。
另外，在上述聚焦偏置的学习及运算·设定中，所有的对第一记录层(L0层)的处理都比对第二记录层(L1层)的处理先进行，但是，也可以对第二记录层(L1层)的处理先进行。
聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算·设定单元322分别根据存储于存储器的程序通过执行上述一系列动作步骤来进行对于光盘2的上述聚焦偏置处理。
另外，光盘装置1a对于具有多个记录层的光盘2进行聚焦偏置处理时，在图6中，在成为a、b间被连接的状态的情况时，
(1)首先，作为控制部的系统控制器30将光盘装置1a设定为跟踪控制关(OFF)、聚焦控制开(ON)的状态。即，系统控制器30控制聚焦/跟踪控制部14，该聚焦/跟踪控制部14成为不输出跟踪控制信号，而只输出聚焦控制信号的状态(步骤S601)。
(2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(L0层)照射激光，在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A0作为第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S602)。该学习的最佳聚焦偏置F_A0被存储于存储器40。
(3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(L1层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A1作为第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S603)。该学习的最佳聚焦偏置F_A1被存储于存储器40。
(4)在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1运算并设定第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)共同的聚焦偏置作为记录或再现时用的聚焦偏置(步骤S604)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式1，运算该聚焦偏置F_QC，作为该两个聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值。所设定的该聚焦偏置F_QC被存储于存储器40。
(5)在光盘装置1a中，系统控制器30开始上述设定的聚焦偏置F_QC的对于光盘2的记录或再现动作(步骤S605)。光盘装置1a利用聚焦偏置F_QC进行第一记录层(L0层)的记录或再现，并且，第二记录层(L1层)的记录或再现也按照该聚焦偏置F_QC进行。
另外，在上述聚焦偏置的学习中，对第一记录层(L0层)的学习比对第二记录层(L1层)的学习先进行，但是，也可以先进行对第二记录层(L1层)的学习。
对于光盘2的上述聚焦偏置处理，聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算·设定单元322分别根据存储于存储器40的程序通过执行上述一系列动作步骤来进行。
图7是光盘2具有3层以上的记录层，光盘装置1a对于该光盘2进行聚焦偏置处理时的说明图。聚焦偏置学习单元321的聚焦偏置的学习仍然用推挽信号进行。在图7中，横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A。
在图7中，A₀为利用来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A_0max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即，振幅特性曲线A₀上的最大值即第一记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值，F_A0是通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，即，在振幅特性曲线A₀上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置，A₁是利用来自第二记录层(L1层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A_1max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，振幅特性曲线A₁上的最大值即第二记录层(L1层)的推挽信号振幅的最大值，F_A1为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A₁上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置，A₂是利用来自第三记录层(L2层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A_2max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，振幅特性曲线A₂上的最大值即第三记录层(L2层)的推挽信号振幅的最大值，F_A2为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A₂上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第三记录层(L2层)的最佳聚焦偏置。
另外，在图7中，Q₀为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦偏置)F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A0的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A0侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)了的聚焦偏置的位置，F_Q0为与该位置Q₀对应的聚焦偏置，Q_1a为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式3运算的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)了的聚焦偏置的位置，F_Q1a为与该位置Q_1a对应的聚焦偏置，Q_1b为聚焦偏置运算·设定单元322根据聚焦偏置F_A1、F_A2按照与聚焦偏置F_A1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式2运算的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A2的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)了的聚焦偏置的位置，F_Q1b为与该位置Q_1b对应的聚焦偏置，Q₂为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_A1、F_A2按照与聚焦偏置F_A2的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式3运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A2侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A2的差)了的聚焦偏置的位置，F_Q2为与该位置Q₂对应的聚焦偏置，Q_1c为聚焦偏置运算·设定单元322运算并设定的上述聚焦偏置F_Q1a、F_Q1b的平均值的聚焦偏置的位置，F_Q1c为与该位置Q_1c对应的聚焦偏置。另外，在图7中，在横轴上设定为将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F＝0的位置、第二记录层(L1层)的聚焦偏置F＝0的位置、第三记录层(L2层)的聚焦偏置F＝0的位置重合的状态。
图8是图7的聚焦偏置处理的动作流程图。
在图8中，
(1)首先，作为控制部的系统控制器30将光盘装置1a设定为跟踪控制关闭(OFF)、聚焦控制开启(ON)的状态(步骤S801)。
(2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(L0层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A0作为第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S802)。该学习的最佳聚焦偏置F_A0被存储于存储器40。
(3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(L1层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A1作为第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S803)。该所学习的最佳聚焦偏置F_A1被存储于存储器40。
(4)从光学单元5向光盘2内的第三记录层(L2层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A2作为第三记录层(L2层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S804)。该学习的最佳聚焦偏置F_A2被存储于存储器40。
(5)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1运算并设定第一记录层(L0层)的信息的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0(步骤S805)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A0侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)了的聚焦偏置而运算该聚焦偏置F_Q0。所设定的该聚焦偏置F_Q0被存储于存储器40。
(6)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1运算第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1a(步骤S806)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)了的聚焦偏置而运算该聚焦偏置F_Q1a。所运算的该聚焦偏置F_Q1a被存储于存储器40。
(7)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置F_A1、F_A2运算第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1b(步骤S807)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A2的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)的聚焦偏置而运算该聚焦偏置F_Q1b。但是，在该运算中，在数学式2中，“F_A0”被置换成“F_A1”，“F_A1”置换成“F_A2”来进行运算。所运算的该聚焦偏置F_Q1b被存储于存储器40。
(8)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置F_A1、F_A2运算第三记录层(L2层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q2(步骤S808)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A2侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A2的差)的聚焦偏置而运算该聚焦偏置F_Q2。但是，在该运算中，在数学式3中，“F_A0”被置换成“F_A1”，“F_A1”被置换成“F_A2”来进行运算。所设定的该聚焦偏置F_Q2被存储于存储器40。
(9)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_Q1a、F_Q1b将第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1c作为聚焦偏置F_Q1a、F_Q1b的平均值进行运算并设定(步骤S809)。所设定的该聚焦偏置F_Q1c被存储于存储器40。
(10)在光盘装置1a中，系统控制器30利用上述设定的聚焦偏置F_Q0、F_Q1c、F_Q2使对于光盘2的信息的记录或再现动作开始(步骤S810)。光盘装置1a按照所设定的聚焦偏置F_Q0进行相对于第一记录层(L0层)的信息的记录或再现，按照所设定的聚焦偏置F_Q1c进行相对于第二记录层(L1层)的信息的记录或再现，按照所设定的聚焦偏置F_Q2进行相对于第三记录层(L2层)的信息的记录或再现。
另外，在上述图7、图8的聚焦偏置的学习及运算·设定中，聚焦偏置运算·设定单元322相对于第二记录层(L1层)，运算且设定作为聚焦偏置F_Q1a、F_Q1b的平均值的聚焦偏置F_Q1c，但是，除此之外，也可以运算且设定与这些聚焦偏置F_Q1a、F_Q1b的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置。另外，在上述图7、图8的聚焦偏置的学习及运算·设定中，将处理顺序设定为对第一记录层(L0层)进行的处理，对第二记录层(L1层)进行的处理，对第三记录层(L₂层)进行的处理，但是，处理顺序不仅限于此。
对于光盘2的上述聚焦偏置处理，聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算·设定单元322分别按照存储于存储器40的程序通过执行上述步骤S801～步骤S809的一连串动作步骤来进行。
图9是光盘装置1a相对于光盘2具有三层以上的记录层的该光盘2进行和上述图7、图8的情况不同的聚焦偏置处理时的说明图。聚焦偏置学习单元321的聚焦偏置的学习仍然用推挽信号进行。在图9中，横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A。
在图9中，A₀为通过来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A_0max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，振幅特性曲线A₀上的最大值即第一记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值，F_A0是通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A₀上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置，A₁是利用来自第二记录层(L₁层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A_1max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，振幅特性曲线A₁上的最大值即第二记录层(L1层)的推挽信号振幅的最大值，F_A1为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A₁上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置，A₂是利用来自第三记录层(L2层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A_2max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，振幅特性曲线A₂上的最大值即第三记录层(L2层)的推挽信号振幅的最大值，F_A2为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A₂上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第三记录层(L2层)的最佳聚焦偏置。
另外，在图9中，Q₀为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦偏置)F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A0的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A0侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)的聚焦偏置的位置，F_Q0为与该位置Q₀对应的聚焦偏置，Q_1a为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_A0、F_A1按照与聚焦偏置F_A1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式3运算的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)的聚焦偏置的位置，F_Q1a为与该位置Q_1a对应的聚焦偏置，Q_1b为聚焦偏置运算·设定单元322根据聚焦偏置F_A1、F_A2按照与聚焦偏置F_A1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A2的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)的聚焦偏置的位置，F_Q1b为与该位置Q_1b对应的聚焦偏置，Q₂为聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置F_A1、F_A2按照与聚焦偏置F_A2的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式3运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A2侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A2的差)的聚焦偏置的位置，F_Q2为与该位置Q₂对应的聚焦偏置。另外，在图9中也和图7时同样，在横轴上将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F＝0的位置、第二记录层(L1层)的聚焦偏置F＝0的位置、第三记录层(L2层)的聚焦偏置F＝0的位置重合。
图10是图9的聚焦偏置处理的动作流程图。
在图10中，
(1)作为控制部的系统控制器30将光盘装置1a设定为跟踪控制关闭(OFF)、聚焦控制开启(ON)的状态(步骤S1001)。
(2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(L0层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A0作为第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S1002)。该学习的最佳聚焦偏置F_A0被存储于存储器40。
(3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(L1层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A1作为第二记录层(L1层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S1003)。该学习的最佳聚焦偏置F_A1被存储于存储器40。
(4)从光学单元5向光盘2内的第三记录层(L2层)照射激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置F_A2作为第三记录层(L2层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S1004)。该学习的最佳聚焦偏置F_A2被存储于存储器40。
(5)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1运算并设定第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0(步骤S1005)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A0侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)的聚焦偏置而运算并设定该聚焦偏置F_Q0。所设定的该聚焦偏置F_Q0被存储于存储器40。
(6)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1，利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)聚焦偏置来运算聚焦偏置F_Q1a，并且，根据上述所学习的最佳聚焦偏置F_A1、F_A2运算并设定第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1b(步骤S1006)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A2的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)的聚焦偏置来运算该聚焦偏置F_Q1b。但是，在该运算中，在数学式2中，“F_A0”被置换成“F_A1”，“F_A1”被置换成“F_A2”来进行运算。所运算的该聚焦偏置F_Q1b被存储于存储器40。另外，上述运算的聚焦偏置F_Q1a比聚焦偏置F_Q1b更位于激光入射侧(配置物镜5a的侧)，因此，作为第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置不被采用。因此，该聚焦偏置F_Q1a不存储于存储器40。
(7)聚焦偏置运算·设定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置F_A1、F_A2运算第三记录层(L2层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q2(步骤S1007)。聚焦偏置运算·设定单元322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F_A2侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A2的差)的聚焦偏置来运算该聚焦偏置F_Q2。但是，在该运算中，在数学式3中，“F_A0”被置换成“F_A1”，“F_A1”被置换成“F_A2”来进行运算。所设定的该聚焦偏置F_Q2被存储于存储器40。
(8)在光盘装置1a中，系统控制器30按照上述设定的聚焦偏置F_Q0、F_Q1b、F_Q2使对于光盘2的记录或再现动作开始(步骤S1008)。光盘装置1a按照设定的聚焦偏置F_Q0进行第一记录层(L0层)的记录或再现，按照设定的聚焦偏置F_Q1b进行第二记录层(L1层)的记录或再现，按照设定的聚焦偏置F_Q2进行第三记录层(L2层)的记录或再现。
另外，在上述图9、图10的聚焦偏置的学习及运算·设定中，处理顺序被设定为对第一记录层(L0层)进行的处理，对第二记录层(L1层)进行的处理，对第三记录层(L2层)进行的处理，但是，处理顺序不仅限于此。
对于光盘2的上述聚焦偏置处理，聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算·设定单元322分别按照存储于存储器40的程序通过执行上述步骤S1001～步骤S1007的一系列动作步骤来进行。
根据作为本发明的第一实施例的光盘装置1a，能够从推挽信号或摆频信号的最大振幅的学习结果直接运算·设定相互邻接的记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，因此，能够缩短对于光盘2的多个记录层的聚焦偏置处理时间，能够在短时间内开始记录或再现动作。另外，利用推挽信号和摆频信号等记录面的引导槽的槽信息进行聚焦偏置的学习，因此，在记录结束状态的记录层(包括再现专用光盘)和未记录状态的记录层中也能够进行聚焦偏置的学习，能够实现聚焦偏置处理精度的提高。
另外，在上述实施例中，聚焦偏置运算·设定单元322在将对于在光盘2内相互邻接的第一记录层(L0层)、第二记录层(L1层)共同的聚焦偏置作为记录或再现时用的聚焦偏置而运算·设定时，聚焦偏置学习单元321利用数学式1运算且设定学习的聚焦偏置F_A0、F_A1的平均值(F_A0+F_A1)/2，但是，除此之外，也可以例如与光学单元5的特性对应，利用(m×F_A0+n×F_A1)/(m+n)运算且设定该平均值以外的聚焦偏置即与各记录层的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1的差不同的共同的聚焦偏置。但是，m、n分别为与光学单元5的特性对应而确定的系数。另外，在图7所示的实施例中，将第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1c作为聚焦偏置F_Q1a、F_Q1b的平均值进行了运算并设定(步骤S809)，但是，除此之外，也可以例如与光学单元5的特性对应，作为与聚焦偏置F_Q1a、F_Q1b的差不同的共同的聚焦偏置运算并设定该聚焦偏置F_Q1c。
另外，在上述实施例中叙述了下述的例子，光盘2具有3层以上的记录层的情况下，光盘装置1a对于该光盘2的至少第一、第二、第三记录层实施的聚焦偏置处理，但是，光盘装置1a还对光盘2的除此以外的记录层进行基本和这些同样的聚焦偏置处理。即，对于相互邻接的记录层，从基于来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习光学单元相对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，根据该学习结果，演算且设定记录或再现时用的聚焦偏置。
图11～图13是作为本发明的第二实施例的光盘装置的说明图。本第二实施例为根据装置内的温度变化运算·设定记录或再现时用的光学单元的聚焦偏置的构成的情况。图11是作为本发明的第二实施例的光盘装置的构成图，图12是表示光盘装置的光学单元的聚焦偏置的温度特性例的图，图13是表示通过图11的光盘装置改善了图12的温度特性时的状态的图。
另外，在以下的说明中应用的“记录层”和上述第一实施例时同样，为信息被记录的层(记录层)，即意味着是包括记录有信息的记录层(也包括再现专用盘的记录层、可记录盘的记录层)，另外，还有尚未记录信息但是能够记录信息的记录层(该情况为可记录盘的记录层)。
在图11中，1b是作为本发明实施例的光盘装置；2是具有多个记录层的DVD+/-R DL等光盘；3是旋转驱动光盘2的盘电动机；4是光拾取器；5在光拾取器4内，是含有物镜(未图示)而构成，将激光聚光，使该聚光了的激光向光盘2的记录面照射的光学单元；6在光拾取器4内，是为了记录或再现而产生规定的强度的激光的激光二极管；7在光拾取器4内，是驱动激光二极管6的激光驱动电路；8在光拾取器4内，是经由光学单元5接受来自光盘2的记录面(盘面)的反射光并切换为电信号(再现信号)而输出的受光部；9是改变光学单元5中的物镜(未图示)的位置及姿势的致动器；20是作为检测光盘装置1b内的温度的温度检测模块的温度传感器；10是将从受光部8输出的再现信号作为RF信号进行增幅或解调等而进行信号处理的再现信号处理部；11是具备直线状的引导部件(未图示)和导向螺杆部件(未图示)等而构成，使光拾取器4向光盘2的大致半径方向移动的移动·引导机构部12是在移动·引导机构部11内旋转驱动导向螺杆部件(未图示)的滑动电动机；14是生成驱动致动器9的驱动信号的聚焦/跟踪控制部；15是旋转驱动盘电动机3和滑动电动机12的电动机驱动电路；30是控制该光盘装置1a整体的作为控制部的系统控制器；31是在系统控制器30内控制电动机驱动电路15的电动机控制部；32是系统控制器30内的微机；321是构成在微机32内，作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元，上述第一控制模块由自再现信号处理部10输出的信号学习(检测)上述光学单元5的最佳聚焦偏置(在最适合范围的聚焦偏置即在满足有效构成本发明的适当范围内的聚焦偏置的意思。以下的说明中的“最佳聚焦偏置”全部是该意思)；322构成在微机32内，是作为第二控制模块的聚焦偏置运算·设定单元，上述第二控制模块根据上述聚焦偏置学习单元321学习了的最佳聚焦偏置和上述温度传感器20检测出的温度信息，运算并设定记录或再现时用的上述光学单元5的聚焦偏置。作为上述第一控制模块的聚焦偏置学习单元321在上述最佳聚焦偏置的学习时，根据自再现信号处理部10输出的信号即来自形成于光盘2的多个记录层中、相互邻接的记录层的各记录面的引导槽的反射光的信号，学习(检测)光学单元5对于各个该引导槽的最佳聚焦偏置。温度传感器20在光拾取器4内配置于激光二极管6的附近，将激光二极管6的周边的温度作为光盘装置1b内的温度进行检测。
另外，在图11中，33是生成并输出用于驱动激光二极管6的记录用信号的记录用信号生成部；40是存储器，其存储：光学单元5的特性信息、聚焦偏置学习单元321学习了的邻接的各记录层的最佳聚焦偏置的信息、聚焦偏置运算·设定单元322运算·设定的记录或再现时用的上述光学单元5的聚焦偏置的信息、在聚焦偏置学习单元321上执行上述学习动作的一系列步骤的程序、在上述聚焦偏置运算·设定单元322上执行上述运算·设定动作的一系列步骤的程序等。光学单元5的特性信息、上述学习动作执行用的程序、上述运算·设定动作执行用的程序在聚焦偏置学习单元321进行的最佳聚焦偏置的学习动作前，预先存储于存储器40。
在进行聚焦偏置处理时，再现信号处理部10在上述最佳聚焦偏置的学习时，作为基于来自形成于相互邻接的多个记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，输出推挽信号或摆频信号。
作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元321构成为，在最佳聚焦偏置的学习时，应用从上述再现信号处理部10输出的推挽信号或摆频信号，作为相对于相互邻接的多个记录层的各引导槽的各最佳聚焦偏置，学习(检测)上述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大(意味着处于实际的最大范围内的值的意思，含有真正的最大值，例如，意思是处于真正的最大值95％以上的范围的值。以下，推挽信号或摆频信号的振幅的“最大”或“最大值”就是该意思)的聚焦偏置。利用推挽信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为关闭(OFF)状态，利用摆频信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为开启(ON)状态。聚焦偏置学习单元321根据从存储器40读出的程序，执行最佳聚焦偏置学习动作中的规定的步骤。
作为第二控制模块的聚焦偏置运算·设定单元322，运算·设定用于在相互邻接的多个记录层上记录或再现信息时的聚焦偏置时，根据上述温度传感器20检测出的温度，运算该多个记录层的各最佳聚焦偏置即上述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置的平均值(平均的聚焦偏置)，并将该计算到的平均值作为记录或再现时的该两个记录层共同的聚焦偏置进行设定，或，运算与聚焦偏置学习单元321学习到的各记录层的最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置即与光学单元5的特性对应且在每一个记录层加权的聚焦偏置，并将该运算的聚焦偏置作为上述相互邻接的多个记录层的各层的记录或再现时用的聚焦偏置对每个该记录层分别设定。
应用聚焦偏置学习单元321的学习结果运算且设定记录或再现时用的上述平均的聚焦偏置时，聚焦偏置运算·设定单元322如下进行该聚焦偏置的设定。即，例如，在从激光入射侧(配置着光学单元5的侧)配置有第一记录层(L0层)、第二记录层(L1层)时，上述温度传感器20检测出的温度为相对的低温(＝第一温度)时，例如，该温度(第一温度)为0℃～25℃的范围内的温度时，通过对于该第一记录层(L0层)的聚焦偏置学习单元的321的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A0，另外，通过对于该第二记录层(L1层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A1时，对第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0及第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1，将按照
F_Q0＝F_Q1＝(F_A0+F_A1)/2(数学式4)
进行运算后的值作为该第一记录层(L0层)及该第二记录层(L1层)共同的聚焦偏置(记录或再现时用的聚焦偏置)F_QC(图3)进行设定。
另外，在上述温度传感器20检测出的温度为相对高温(＝第二温度)时，例如，该温度为50℃～65℃范围内的温度时，聚焦偏置运算·设定单元322应用由聚焦偏置学习单元321得到的学习结果且对应于光学单元5的特性按照每一个邻接记录层的各个运算并设定记录或再现时用的聚焦偏置。即，例如，在从激光入射侧以第一记录层(L0层)、第二记录层(L1层)的顺序配置记录层时，通过对于该第一记录层(L0层)的聚焦偏置学习单元321的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A0，另外，通过对于该第二记录层(L1层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F_A1时，作为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0，设定由
F_Q0＝(3×F_A0+F_A1)/4(数学式2)
运算的值，另外，作为第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1，设定由
F_Q1＝(F_A0+3×F_A1)/4(数学式3)
运算的值。
聚焦偏置运算·设定单元322根据从存储器40读出的程序，执行运算·设定记录或再现动作用的上述光学单元5的上述聚焦偏置的动作步骤。
在上述结构的光盘装置1b中，在对于具有多个记录层的光盘2进行信息的记录或再现时，例如在光盘2被装入装置内且以规定的速度旋转的状态下，光拾取器4内的激光二极管6产生的激光通过光学单元5向光盘2的多个记录层的记录面照射，进行相对于多个记录层的聚焦偏置处理。相互邻接的记录层的各层，利用形成于该各记录层的引导槽的槽信息(表示槽的构造和状态的信息)来进行聚焦偏置处理在。即，对于相互邻接的记录层的各层，用受光部8接受来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光并切换为电信号(再现信号)，作为推挽信号或摆频信号从再现信号处理部10输出。聚焦偏置处理时，在形成从再现信号处理部10输出推挽信号的构成的情况下，在光盘装置1b中，不进行跟踪控制，而从聚焦/跟踪控制部14只输出聚焦控制信号。另一方面，在形成从再现信号处理部10输出摆频信号的构成的情况下，也进行跟踪控制，从聚焦/跟踪控制部14输出聚焦控制信号和跟踪控制信号。作为相互邻接的各记录层的引导槽的槽信息，从再现信号处理部10输出的该推挽信号或摆频信号被输入微机32内的聚焦偏置学习单元321内。聚焦偏置学习单元321在相互邻接的记录层的各层中，将该输入的推挽信号或摆频信号的振幅成为最大时的聚焦偏置作为最佳聚焦偏置进行学习(检测)。微机32内的聚焦偏置运算·设定单元322，根据来自温度传感器20的温度信息，如上所述，运算聚焦偏置学习单元321学习到的相互邻接的记录层的各层的最佳聚焦偏置的平均值或与该学习到的各最佳聚焦偏置的差，成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置，作为记录或再现时用的上述光学单元的聚焦偏置而设定。
在上述第二实施例中，在上述温度传感器20检测出的温度为相对高温(＝第二温度)时，聚焦偏置运算·设定单元322，通过数学式2，运算且设定光盘2内的第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0作为在聚焦偏置F_A0侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A1的差减小了与聚焦偏置F_A0的差)的聚焦偏置，通过数学3，运算且设定第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1作为在聚焦偏置F_A1侧加权(＝相比于与聚焦偏置F_A0的差减小了与聚焦偏置F_A1的差)的聚焦偏置，但是，除此之外，也可以例如与光学单元5的特性对应，利用(m×F_A0+n×F_A1)/(m+n)运算且设定与各记录层的最佳聚焦偏置F_A0、F_A1的差不同的共同的聚焦偏置。其中，m、n分别为与光学单元5的特性相对应而确定的系数。
下面，对于说明中使用的图11的光盘装置1b的构成要素标记和图11的情况同样的符号。
图12是表示光盘装置1b的光学单元5的聚焦偏置的温度特性的实验结果的图，为聚焦偏置运算·设定单元322未进行基于来自温度传感器20的温度信息的处理动作的情况(对温度非对应的情况)。
在图12中，横轴是在传感器20的位置测定的光盘装置1b的装置内温度t(℃)，纵轴是记录或再现时用的光学单元5的聚焦偏置F(×0.05μm)。在图12中，F_Q0为对温度非对应时的光盘2的第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置，F_Q1为对温度非对应时的光盘2的第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置，F_Q0为常温(25℃)时，根据聚焦偏置学习单元321学习到的最佳聚焦偏置，聚焦偏置运算·设定单元322利用数学式2进行运算·设定的聚焦偏置，F_Q1为常温(25℃)时，根据聚焦偏置学习单元321学习到的最佳聚焦偏置，聚焦偏置运算·设定单元322利用数学式3进行运算·设定的聚焦偏置。其结果是，在装置内温度t从常温(25℃)降低且成为0℃时，聚焦偏置F中F_Q0、F_Q1都增大，尤其是F_Q0，与基准值(F＝0)的偏差量大，约为4×0.05μm。另外，装置内温度t从常温(25℃)上升且成为55℃时，聚焦偏置F中F_Q0减少，F_Q1增大，F_Q0、F_Q1都与基准值(F＝0)进一步接近，F_Q0、F_Q1间的差也缩小。
图13是表示光盘装置1b的光学单元5的聚焦偏置的温度特性的实验结果的图，为聚焦偏置运算·设定单元322基于来自温度传感器20的温度信息进行处理动作的情况(对温度非对应的情况)。
在图13中，横轴及纵轴与图12的情况同样。在图13中，F_Q0为对温度对应时的光盘2的第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置，F_Q1为对温度对应时的光盘2的第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置。聚焦偏置运算·设定单元322作为基于来自温度传感器20的温度信息的处理动作，在装置内温度为包括常温的相对的低温(＝第一温度)时，例如在0℃～25℃时，聚焦偏置运算·设定单元322利用数学式4运算光盘2内的第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0和第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1，将该计算到的值作为第一记录层(L0层)及第二记录层(L1层)的共同的聚焦偏置(记录或再现时用的聚焦偏置)F_QC(图3)进行设定。另外，在装置内温度为相对的高温(＝第二温度)时，例如在55℃时，聚焦偏置运算·设定单元322利用数学式2运算光盘2内的第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q0，作为在聚焦偏置F_A0侧加权了的聚焦偏置进行运算且设定，利用数学式3运算第二记录层(L1层)的记录或再现时用的聚焦偏置F_Q1，作为在聚焦偏置F_A1侧加权了的聚焦偏置进行运算且设定。其结果是，在装置内温度t从常温(25℃)降低且成为0℃时，聚焦偏置F中F_Q0、F_Q1都增大，但是，与基准值(F＝0)的偏差的量小，约为2×0.05μm。另外，装置内温度t从常温(25℃)上升且成为55℃时，聚焦偏置F与常温(25℃)时相比，F_Q0增大，F_Q1不变，F_Q0、F_Q1与基准值(F＝0)的偏差量都小，约为0～1×0.05μm。因此，装置内温度t向低温侧变化时，或，向高温侧变化时，F_Q0、F_Q1也都能够将与基准值(F＝0)的偏差量设定为约2×0.05μm以内，能够抑制装置内温度t对聚焦偏置F的影响。另外，作为光学单元5的聚焦偏置的温度特性的主要原因，可以考虑光学单元5自身的温度特性、光学单元5的支承部的温度特性、光盘2的温度特性、光盘2的支承部的温度特性等，但尚未确认。
另外，在上述说明中，将上述第一温度范围设为0℃～25℃，将上述第二温度范围设为50℃～65℃，但是，在上述光盘装置1b中，该第一温度的温度范围和该第二温度的温度范围对应于光学单元5的聚焦偏置的温度特性进行预先设定。
根据作为本发明的第二实施例的光盘装置1b，从推挽信号或摆频信号的最大振幅的学习结果能够直接地运算·设定相互邻接的记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，因此，能够缩短对光盘2的多个记录层的聚焦偏置的处理时间，能够在短时间内开始记录或再现动作。另外，能够抑制装置内温度对聚焦偏置的影响。另外，利用推挽信号和摆频信号等记录面的引导槽的槽信息进行聚焦偏置的学习，因此，在记录结束状态的记录层(包括再现专用光盘)和未记录状态的记录层中也能够进行聚焦偏置的学习，能够实现聚焦偏置处理精度的提高。
以上，对本发明的几个实施方式进行了列举和说明，但是需要理解的是，对上述实施方式进行允许的变更和改进将不会脱离本发明的范围。因此，本发明并不局限于上述实施方式，所有落入附属权利要求书的范围内的变更和改进均将被本发明所覆盖。