单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物.pdf

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1、10申请公布号CN104231635A43申请公布日20141224CN104231635A21申请号201410159124422申请日20140418102013207077220130419DEC08L83/07200601C08L83/05200601C08L83/06200601C08K13/02200601C08K5/05200601C08K3/36200601C09D183/07200601C09D183/05200601C09D183/06200601C09D7/12200601B05D7/24200601H05K3/2820060171申请人艾伦塔斯有限公司地址德国韦赛尔72。

2、发明人金巴斯蒂安贝本罗斯安德烈亚斯施泰因曼格罗尔德施密特74专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200代理人楼高潮54发明名称单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物57摘要一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物包括A1098WT的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷作为组分A；B0130WT的含有至少3个SIH基团的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷作为组分B；C00000011WT的至少一种氢化硅烷化催化剂作为组分C；D0000015WT的至少一种通式I的炔醇作为组分D，其中R1，R2，R3相互独立地选自H、C1C6烷基及取代或未取代的C3C6烷基；或R1选自H、C1C6烷基及。

3、取代或未取代的C3C6环烷基，且R2，R3结合在一起形成38元环，其可由一个或多个C1C3烷基取代；E0110WT的至少一种锻制二氧化硅作为组分E；及F089799989WT的一种或多种选自F、G、H和I的其他组分；其中组分A至I的总和为100WT。30优先权数据51INTCL权利要求书2页说明书11页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书11页10申请公布号CN104231635ACN104231635A1/2页21一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，其包括A重量百分比10至98的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷，作为组分A；B重量百分比。

4、01至30的含有至少3个SIH基团的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷，作为组分B；C重量百分比0000001至1的至少一种氢化硅烷化催化剂，作为组分C；D重量百分比000001至5的至少一种通式I的炔醇，作为组分D，其中R1,R2,R3相互独立地选自H、C1C6烷基及取代或未取代的C3C6环烷基；或R1选自H、C1C6烷基及取代或未取代的C3C6环烷基，且R2,R3结合在一起形成3元至8元环，其可由一个或多个C1C3烷基取代；E重量百分比01至10的至少一种锻制二氧化硅，作为组分E；F重量百分比0至89799989的含有两个SIH端基或一个SIH端基与一个烯基端基的一种或多种聚有机硅氧烷，作为组。

5、分F；G重量百分比0至20的一种或多种聚环氧有机硅氧烷，作为组分G；H重量百分比0至30的不同于组分A的一种或多种无环或环状有机硅氧烷，其具有1至5个硅原子并含有至少两个烯基，作为组分H；以及I重量百分比0至10的一种或多种添加剂，作为组分I；其中组分A至I的总和为100（重量百分比）。2根据权利要求1所述的有机硅氧烷组合物，其特征在于，所述有机硅氧烷组合物的粘度在剪切速率1000S1时不大于120MPAS，在剪切速率001S1时至少5000MPAS。3根据权利要求1所述的有机硅氧烷组合物，其特征在于，所述有机硅氧烷组合物包括重量百分比00001至89799989的组分F。4根据权利要求1所述。

6、的有机硅氧烷组合物，其特征在于，组分F包括通式II的聚有机硅氧烷，其中R4独立的选自C1C6烷基，R5选自H和C2C6烯基，以及M是2至400的数。5根据权利要求1所述的有机硅氧烷组合物，其特征在于，所述有机硅氧烷组合物包权利要求书CN104231635A2/2页3括重量百分比00001至20的组分G。6根据权利要求1所述的有机硅氧烷组合物，其特征在于，组分G包括通式III的聚环氧有机硅氧烷，其中R6独立地选自C1C6烷基及取代或未取代的C6C12芳基，R7选自取代或未取代的缩水甘油氧基C1C6烷基及取代或未取代的缩水甘油氧基C6C12芳基；以及P是2至2000的数。7根据权利要求1所述的有机。

7、硅氧烷组合物，其特征在于，所述有机硅氧烷组合物包括重量百分比00001至30的组分H。8根据权利要求1所述的有机硅氧烷组合物，其特征在于，组分H包括一种或多种有机硅氧烷，其选由1,2二乙烯基四甲基二硅氧烷和1,2,3,4四甲基1,2,3,4四乙烯基二甲基三环硅氧烷所组成的组。9一种将有机硅氧烷保护涂层涂覆到电气或电子组件的方法，其包括以下步骤A提供根据权利要求1至8任一项所述的有机硅氧烷组合物，B通过交叉切割喷嘴将有机硅氧烷组合物涂覆到电气或电子组件，以及C加热涂覆有有机硅氧烷组合物的电气或电子组件到50至110的温度，由此通过氢化硅烷化反应在电气或电子组件上形成有机硅氧烷保护涂层。10根据权。

8、利要求9所述的方法，其特征在于，所述有机硅氧烷组合物以这样的方式涂覆，其中形成的有机硅氧烷保护涂层的层厚度为01至250M。11根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述有机硅氧烷组合物在步骤B中涂覆至印刷电路板。12根据权利要求1至8任一项所述的有机硅氧烷组合物的用途，其用于通过交叉切割喷嘴将有机硅氧烷保护涂层涂覆至电气或电子组件。13根据权利要求12所述的用途，其特征在于，所述电气或电子组件是印刷电路板。14通过根据权利要求9至11任一项所述的方法获得的有机硅氧烷保护涂层。15根据权利要求14所述的有机硅氧烷保护涂层，其特征在于，所述保护涂层的层厚度为01至250M。16具有根据权利要求1。

9、4或15所述的具有涂覆的有机硅氧烷保护涂层的电气或电子组件。权利要求书CN104231635A1/11页4单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物技术领域0001本发明涉及包括锻制二氧化硅和炔醇的单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，及使用所述组合物通过交叉切割喷嘴将有机硅氧烷保护涂层涂覆于印刷电路板，以及这样的有机硅氧烷保护涂层。背景技术0002电气和电子组件，特别是印刷电路板，近年来越来越小，以允许更高的封装密度。由于湿气、灰尘及热和机械应力产生的这种组件的过早失效可通过保护漆或涂层防止。对涂漆或涂层工艺提出了更高的要求。在许多情况下，除了允许均匀的层厚度及可重复的涂层效果，它们必须还允许选择性漆涂覆。

10、。0003接触区域、插头连接器、机械组件等不能被保护涂层润湿，因为这将不利地影响其功能。此外，不均匀地涂覆的保护涂层，特别是在组件转角和边缘的涂层材料的积聚，将使后续组装困难很多。常规的涂漆或涂层工艺通常不能充分地满足这个要求。0004除了常规的涂层或涂漆工艺，最近建立了在无压缩空气“无空气”条件下涂覆保护涂层的涂层工艺，特别是在印刷电路板的涂层中。这种涂漆或涂层工艺（下文中称为无空气工艺）的不同之处特别在于下列事实漆的涂敷可无喷雾并具有精确的边缘限定。不像常规的涂层工艺，其中通过压缩空气雾化涂层材料，并且喷雾不可避免地形成，在无空气工艺中通过使用特定涂头防止喷雾的产生。0005涂头具有喷嘴，。

11、其开口形状是交叉切割的。由于其形状，所述喷嘴经常被称为交叉切割喷嘴。当通过交叉切割喷嘴挤压涂层材料时，产生几毫米至几厘米宽的涂层幕（至少在一定压力限制内），而不形成喷雾。这使得涂层材料能够精确地涂覆到组件表面的限定点。此外，无空气工艺确保涂敷均匀的层厚度。而且，该工艺还具有经济优势。例如，其可以提高材料利用率，因为没有通过喷雾损失任何东西。0006然而，本发明的先决条件是，所述工艺中使用的涂层材料具有合适的粘度特性。重要的是涂层材料的粘度在其通过交叉切割喷嘴时，其剪切粘度不大于120MPAS。剪切粘度较高时，涂层幕经常不打开或不能保持稳定。结果是涂层材料以不确定的射流或液滴形式离开交叉切割喷嘴。

12、。这两种形式都不适用于多数电气和电子组件、特别是印刷电路板的涂层。0007如果涂层材料的粘度太低，存在这样的风险，即涂层材料在其涂覆到电气或电子组件后流动，其可能导致层厚度变得不均匀厚或不打算涂覆的组件区域被覆盖有涂层材料。为了防止这种情况，涂层团应该具有高粘度。此外，涂层团在涂覆后不能延伸且广泛地分布在组件表面。通常可以使用高粘度的涂层团防止这些问题。在有机硅氧烷组合物的情况下，粘度应该至少为5000MPAS。0008在CROSSCUTAIRLESSSPRAYGUNNOZZLES,2011,NORDSONCORPORATION中发现了使用交叉切割喷嘴的无空气工艺的更全面的描述。原则上单组分、。

13、无溶剂的有机硅氧烷组合物是已知的。其将保护涂层涂覆于电子和电气组件的用途也是已知的。通过通常已知说明书CN104231635A2/11页5的常规方法，有机硅氧烷组合物首先被涂覆到无油脂和污垢的电子和电气组件，且随后在温度为100至150时固化，然后形成有机硅氧烷保护涂层。0009EP0510608A描述了与电气和电子组件具有良好粘附的单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物。所述组合物包括聚二乙烯有机硅氧烷A、具有至少3个硅键合的氢原子的有机硅氧烷B、铂基氢化硅烷化催化剂C、具有硅键合的羟基取代基和硅键合的乙烯基取代基的聚有机硅氧烷D、增粘剂E，以及炔醇F，其保证单组分的组合物经过数月仍然能稳定保存。。

14、0010US5082894A公开了一种具有良好粘附性的单组分、无溶剂的有机硅氧烷混合物，其包括具有至少2个硅键合的烯基的液态聚二有机硅氧烷A、每个分子平均具有至少3个硅键合的氢原子的有机氢硅氧烷B、铂基氢化硅烷化催化剂C、作为催化抑制剂具有至少8个碳原子的炔醇D，以及增粘剂混合物E。这种单组分、无溶剂的有机硅氧烷混合物的粘度为300至500MPAS。有机硅氧烷混合物的固化发生在低于150的温度下。0011US5270425A同样描述了一种具有良好粘附性的单组分、无溶剂的有机硅氧烷混合物，其包括具有至少两个硅键合的烯基的液态聚二有机硅氧烷A、每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的聚有机硅氧烷B、铂。

15、基氢化硅烷化催化剂C、包括螯合铝络合物的增粘剂混合物D，以及具有不超过6个碳原子的炔醇E。0012由于其不超过500MPAS的低粘度，这些有机硅氧烷混合物不适用于上述方法，其中通过交叉切割喷嘴将涂层材料涂覆于电气和电子组件。由于其结构粘度不足，它们将在涂覆于组件后流动。此外，这些有机硅氧烷混合物的固化通常在超过100时发生和/或固化时间多于10分钟。然而，因为电子组件通常对温度非常敏感，所述有机硅氧烷混合物应该在不超过100时在10分种后完成固化。发明内容0013因此，本发明的目的是提供一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，其适合通过交叉切割喷嘴涂覆于电气或电子组件，特别是印刷电路板。所述单组。

16、分、无溶剂的有机硅氧烷组合物在涂覆后不流动。同时，所述单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物具有至少4个月的储存稳定性及在100下10分钟内固化为薄膜。0014该目的通过单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物实现，其包括0015A重量百分比10至98的含有至少两个烯基或炔基的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷，作为组分A；0016B重量百分比01至30的含有至少3个SIH基团的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷，作为组分B；0017C重量百分比0000001至1的至少一种氢化硅烷化催化剂，作为组分C；0018D重量百分比000001至5的至少一种通式I的炔醇，作为组分D0019说明书CN104231635A3/1。

17、1页60020其中0021R1,R2,R3相互独立地选自H、C1C6烷基及取代或未经取代的C3C6环烷基；或0022R1选自H、C1C6烷基及取代或未经取代的C3C6环烷基，且R2,R3结合在一起形成3元至8元环，其可由一种或多种C1C3烷基取代；0023E重量百分比01至10的至少一种锻制二氧化硅，作为组分E；0024F重量百分比0至89799989的含有两个SIH端基或一个SIH端基与一个烯基端基的一种或多种聚有机硅氧烷，作为组分F；0025G重量百分比0至20的一种或多种聚环氧有机硅氧烷，作为组分G；0026H重量百分比0至30的组分A之外的一种或多种无环或环状有机硅氧烷，其具有1至5个。

18、硅原子并含有至少两个烯基，作为组分H；以及0027I重量百分比0至10的一种或多种添加剂，作为组分I；0028其中组分A至I的总和为100（重量百分比）。0029令人惊讶地，已发现，如果，除了包括锻制二氧化硅，其还包括通式I的炔醇，所述有机硅氧烷组合物在通过交叉切割喷嘴涂覆于电气或电子组件后不流动。0030尽管包括组分A、B和C的有机硅氧烷组合物可通过选择合适的混合比调整，以使剪切粘度足够低以通过交叉切割喷嘴将所述组合物涂覆于电气或电子组件，但由于其低粘度，所述组合物在涂覆后流动。在有机硅氧烷组合物的情况下，特别是由于硅氧烷的良好湿润特性，涂覆后流动特别突出。通过添加已知的流变添加剂，诸如，例。

19、如，锻制二氧化硅，原则上还可能增加粘度以使流动被抑制，但是由于其高粘度不再能够通过交叉切割喷嘴涂覆有机硅氧烷组合物。因此，在这些组合物的情况下，已知流变添加剂的数量只能够添加至有限的程度。因此单独添加已知流变添加剂不能实现根据本发明的目的。0031令人惊讶地，添加少量通式I的炔醇的结果是，有机硅氧烷组合物的结构粘度关于其通过交叉切割喷嘴涂覆于电气或电子组件的适用性受到积极地影响。0032在本发明的上下文中，结构粘度是指在高剪切力下显示出降低的粘度的流体性质。也就是说，剪切速率越高，粘度越低。粘度的降低可以归因于流体中的结构变化，其允许流体的单独组分，诸如，例如，聚合物，在较低的摩擦力下相互滑过。

20、。0033通过添加少量通式I的炔醇，可以实现在剪切速率1000S1时粘度为120MPAS或更低。该粘度足够低，从而允许在合适的喷嘴压力下通过交叉切割喷嘴涂覆有机硅氧烷组合物。此外，低剪切速率下的粘度足够高以抑制涂覆于电气或电子组件后的流动。剪切速率为001S1或更低时，粘度通常至少为5000MPAS。0034根据本发明的单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物可通过在温度50或更高时加热固化。在温度100时，组合物的薄膜在10分钟内固化以形成接触干燥保护涂层。0035在本发明的上下文中，薄膜理解为层厚度为01至250M的流体层。0036单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物的固化由温度50或更高时氢化硅烷化。

21、催化剂的释放及抑制剂的同时蒸发而启动，该抑制剂通过氢化硅烷化影响硅氧烷的交联。0037所述单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物通常是稳定的，可以存储至少4个月的时间，优选至少6个月。这意味着有机硅氧烷的过早交联及氢化硅烷化催化剂的催化活性的降低在这段时间内观察不到。0038所述单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物的剪切粘度通常在剪切速率1000S1时说明书CN104231635A4/11页7不大于120MPAS，在剪切速率001S1时至少5000MPAS。优选地，有机硅氧烷组合物的剪切粘度在剪切速率600S1时不大于120MPAS，在剪切速率001S1时至少8000MPAS。0039在本发明的上下文中。

22、，术语“粘度”一直理解为意指动态粘度，其单位为NSM2PAS或MNSM2MPAS。0040术语“剪切粘度”是术语“粘度”的同义词。当所述粘度涉及特定剪切速率时，术语“剪切粘度”用于替代术语“粘度”。这简单地阐明粘度根据剪切速率变化。0041可通过大量本领域技术人员已知的方法测定粘度。例如，可在毛细管粘度计、落体粘度计或旋转流变仪的帮助下测定动态粘度。在MEICHSNER,G/MEZGER,TG/J1997LACKEIGENSCHAFTENMESSENUNDSTEUERNINZORLL,UED,RHEOMETRIEP5081HANOVERVINCENZ中发现了粘度测定的全面描述。本发明提到的粘度。

23、都可使用振动/旋转流变仪型号ANTONPAAR的MCR302测定。0042本申请中列举的所有粘度与室温23有关，除非另有说明。0043所述单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物下文中称为根据本发明的组合物包括作为组分A的优选含有至少两个烯基的至少一种线性聚有机硅氧烷。所述烯基优选为乙烯基，特别优选乙烯基端基。0044在一优选的实施方案中，根据本发明的组合物包括作为组分A的至少一种通式IV的线性聚有机硅氧烷00450046其中0047R8独立的选自C1C6烷基；以及0048N是6至1000的数。0049在一特别优选的实施方案中，根据本发明的组合物包括作为组分A的至少一种通式IV的线性聚有机硅氧烷，其中。

24、R8是甲基。0050在本发明的上下文中，表述“C1C6烷基”是指以下烷基甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、3甲基丁基、2甲基丁基、1甲基丁基、1乙基丙基、正己基、4甲基戊基、3甲基戊基、2甲基戊基、1甲基戊基、2乙基丁基、1乙基丁基、1,1二甲基丁基、1,2二甲基丁基、1,3二甲基丁基、2,2二甲基丁基、2,3二甲基丁基、3,3二甲基丁基、1,1,2三甲基丙基、1,2,2三甲基丙基、1乙基1甲基丙基、1乙基2甲基丙基。0051根据本发明的组合物包括优选重量百分比10至98，特别优选重量百分比20至98，最优选重量百分比30至98的组分A。0052根据组分A的聚。

25、有机硅氧烷的粘度通常为1至10,000MPAS。所述粘度优选为1至1000MPAS，特别优选为1至200MPAS。0053根据本发明的组合物包括作为组分B的优选含有至少3个SIH基团的至少一种线性或支链聚有机硅氧烷。优选地，根据本发明的组合物包括作为组分B的含有至少3个说明书CN104231635A5/11页8SIH基团的至少一种线性聚二甲基硅氧烷。0054根据本发明的组合物包括优选重量百分比01至30，特别优选重量百分比02至15，特别优选重量百分比1至15的组分B。0055根据组分B的聚有机硅氧烷的粘度通常为1至1000MPAS，优选1至100MPAS，且特别优选5至50MPAS。0056。

26、根据本发明的组合物包括作为组分C的优选基于铂族金属的氢化硅烷化催化剂。在本发明的上下文中，术语“铂族金属”应理解为意指金属钌、铑、钯、锇、铱和铂。优选铂基氢化硅烷化催化剂。更优选的氢化硅烷化催化剂为铂烯基硅氧烷催化剂。特别优选地，所述氢化硅烷化催化剂选自由铂1,3二乙烯基1,1,3,3四甲基二硅氧烷络合物KARSTEDT络合物、铂1,3二丙烯基1,1,3,3四甲基二硅氧烷络合物、铂1,3二乙烯基1,3二甲基1,3二苯基二硅氧烷络合物、铂1,1,3,3四苯基二硅氧烷络合物和铂1,3,5,7四甲基1,3,5,7四环乙烯基环四硅氧烷络合物所组成的组。所述氢化硅烷化催化剂最优选铂1,3二乙烯基1,1,。

27、3,3四甲基二硅氧烷络合物KARSTEDT络合物。0057根据本发明的组合物包括优选重量百分比0000001至1，特别优选重量百分比00005至1，最优选重量百分比0001至05的组分C。0058根据本发明的组合物包括作为组分D的优选至少一种通式I的炔醇，其中R1,R2,R3相互独立地选自H、C1C6烷基及取代或未经取代的C3C6环烷基。0059在本发明的上下文中，表述“C3C6环烷基”是指以下环烷基环丙基、环丁基、环戊基、环己基。0060根据本发明的组合物包括作为组分D的特别优选至少一种通式I的炔醇，其中R1H，R2甲基且R3选自C1C6烷基。最特别优选地，根据本发明的组合物包括作为组分D的。

28、至少一个选自2甲基3丁炔2醇和3,5二甲基1己炔3醇的炔醇。0061根据本发明的组合物包括优选重量百分比000001至5，特别优选重量百分比0001至3，最优选重量百分比001至2的组分D。0062根据本发明的组合物包括作为组分E的优选的疏水锻制二氧化硅。0063在本发明的上下文中，表述“疏水锻制二氧化硅”应理解为意指用有机硅烷处理的锻制二氧化硅，其与未处理的锻制二氧化硅相比，在表面具有更少数量的硅烷醇基团。这种疏水锻制二氧化硅对于本领域技术人员是已知的，且例如，在DE69922557及其中引用的文献中进行了描述。0064根据本发明的组合物包括优选重量百分比01至10，特别优选重量百分比01至。

29、5，最优选重量百分比01至4的组分E。0065还已发现根据本发明的组合物的结构粘度可通过添加根据组分F的聚有机硅氧烷影响，所述聚有机硅氧烷含有两个SIH端基或一个SIH端基和一个烯基端基。同样地，所述结构粘度还可通过添加根据组分G的聚环氧有机硅氧烷影响。0066因此，根据本发明的组合物的优选的实施方案包括重量百分比00001至89799989的组分F。0067根据本发明的组合物包括重量百分比优选10至796985，最优选20至68889的组分F。0068特别优选地，根据本发明的组合物包括作为组分F的一种或多种通式II的聚有说明书CN104231635A6/11页9机硅氧烷00690070其中0。

30、071R4独立的选自C1C6烷基,0072R5选自H和C2C6烯基，和0073M是1至400中的数。0074R4优选是甲基。0075R5优选是H或乙烯基。0076M优选是2至400中的数。0077在本发明的上下文中，表述“C2C6烯基”是指以下烯基乙烯基、丙烯基、甲基丙烯基,1甲基丙烯基、高丙烯基、顺丁2烯基、反丁2烯基、顺戊1烯基、反戊1烯基、顺戊2烯基、反戊2烯基、顺戊3烯基、反戊3烯基、顺1甲基丁1烯基、反1甲基丁1烯基、顺2甲基丁1烯基、反2甲基丁1烯基、顺3甲基丁1烯基、反3甲基丁1烯基、顺1甲基丁2烯基、反1甲基丁2烯基、顺2甲基丁2烯基、反2甲基丁2烯基、3甲基丁2烯基、1甲基丁。

31、3烯基、2甲基丁3烯基、3甲基丁3烯基、顺1乙基丙1烯基、反1乙基丙1烯基、1乙基丙2烯基、顺己1烯基、反己1烯基、顺己2烯基、反己2烯基、顺己3烯基、反己3烯基、顺己4烯基、反己4烯基、己5烯基、顺1甲基戊1烯基、反1甲基戊1烯基、顺2甲基戊1烯基、反2甲基戊1烯基、顺3甲基戊1烯基、反3甲基戊1烯基、顺4甲基戊1烯基、反4甲基戊1烯基、顺1甲基戊2烯基、反1甲基戊2烯基、顺2甲基戊2烯基、反2甲基戊2烯基、顺3甲基戊2烯基、反3甲基戊2烯基、顺4甲基戊2烯基、反4甲基戊2烯基、顺1甲基戊3烯基、反1甲基戊3烯基、顺2甲基戊3烯基、反2甲基戊3烯基、顺3甲基戊3烯基、反3甲基戊3烯基、4甲基。

32、戊3烯基、1甲基戊4烯基、2甲基戊4烯基、3甲基戊4烯基、4甲基戊4烯基、顺1,2二甲基丁1烯基、反1,2二甲基丁1烯基、顺1,3二甲基丁1烯基、反1,3二甲基丁1烯基、顺3,3二甲基丁1烯基、反3,3二甲基丁1烯基、顺1,1二甲基丁2烯基、反1,1二甲基丁2烯基、顺1,2二甲基丁2烯基、反1,2二甲基丁2烯基、顺1,3二甲基丁2烯基、反1,3二甲基丁2烯基、顺2,3二甲基丁2烯基、反2,3二甲基丁2烯基、1,1二甲基丁3烯基、1,2二甲基丁3烯基、1,3二甲基丁3烯基、2,2二甲基丁3烯基、2,3二甲基丁3烯基。0078根据组分F的聚有机硅氧烷的粘度通常为1至10000MPAS，优选10至1。

33、000MPAS，特别优选10至50MPAS。0079本发明进一步优选的实施方案是一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，包括说明书CN104231635A7/11页100080A重量百分比10至98的组分A；0081B重量百分比01至30的组分B；0082C重量百分比0000001至1的组分C；0083D重量百分比000001至5的组分D；0084E重量百分比01至10的组分E；0085F重量百分比00001至89799989的组分F；以及0086I重量百分比0至10的一种或多种作为组分I的添加剂；0087其中组分A至F和I的总和为100（重量百分比）。0088根据本发明组合物的另一个优选的实施。

34、方案包括重量百分比00001至20的组分G。0089特别优选地，根据本发明的组合物包括作为组分G的一种或多种通式III的聚环氧有机硅氧烷00900091其中0092R6独立的选自C1C6烷基及取代或未经取代的C6C12芳基，0093R7选自取代或未经取代的缩水甘油氧基C1C20烷基以及取代或未取代的缩水甘油氧基C6C12芳基；并且0094P是1至2000中的数。0095R6优选是甲基。0096R7优选是缩水甘油氧基丙基。0097P优选是2至2000中的数。0098根据本发明的组合物包括重量百分比优选为00001至20，特别优选为0005至10，最优选001至5的组分G。0099根据组分G的聚环。

35、氧有机硅氧烷的粘度通常在1至100000MPAS之间。0100本发明的另一个优选的实施方案是一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，包括0101A重量百分比10至98的组分A；0102B重量百分比01至30的组分B；0103C重量百分比0000001至1的组分C；0104D重量百分比000001至5的组分D；0105E重量百分比01至10的组分E；0106F重量百分比00001至20的组分G；以及0107I重量百分比0至10的一种或多种作为组分I的添加剂；0108其中组分A至E、G和I的总和为100（重量百分比）。0109在根据本发明的组合物的特别优选的实施方式中，该实施方式包括重量百分比说明书。

36、CN104231635A108/11页1100001至88799789的组分F和重量百分比00001至20的组分G。0110本发明的另一个特别优选的实施方案是一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，包括0111A重量百分比10至98的组分A；0112B重量百分比01至30的组分B；0113C重量百分比0000001至1的组分C；0114D重量百分比000001至5的组分D；0115E重量百分比01至10的组分E；0116F重量百分比00001至89799989的组分F；以及0117G重量百分比00001至20的组分G；以及0118I重量百分比0至10的一种或多种作为组分I的添加剂；0119其中组。

37、分A至G和I的总和为100（重量百分比）。0120还已经发现的是根据本发明的组合物的结构粘度能够进一步地被影响，如果，除了组分F和/或组分G之外，还添加有重量百分比00001至30的一种或多种不同于组分A的无环或环状有机硅氧烷，该有机硅氧烷具有1至5个硅原子并含有至少两个烯基。0121因此，根据本发明的组合物的特别优选的实施方案包括重量百分比00001至30的一种或多种不同于组分A的无环或环状有机硅氧烷，该有机硅氧烷具有1至5个硅原子并含有至少两个烯基，作为组分H。0122特别优选地，根据本发明的组合物包括作为组分H的一种或多种硅氧烷，其选自由1,2二乙烯基四甲基二硅氧烷和1,2,3,4四甲基。

38、1,2,3,4四乙烯基二甲基三环硅氧烷组成的组。0123根据本发明的组合物包括优选重量百分比00001至30，特别优选0001至3，最优选001至1的组分H。0124在根据本发明的组合物中，SIH基团与SI烯基基团的摩尔比为03至5，优选05至2，特别优选08至15。0125本发明的另一个特别优选的实施方案是一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，包括0126A重量百分比10至98的组分A；0127B重量百分比01至30的组分B；0128C重量百分比0000001至1的组分C；0129D重量百分比000001至5的组分D；0130E重量百分比01至10的组分E；0131G重量百分比00001至2。

39、0的组分G；以及0132H重量百分比00001至30的组分H；以及0133I重量百分比0至10的一种或多种作为组分I的添加剂；0134其中组分A至E、G、H和I的总和为100（重量百分比）。0135本发明的另一个特别优选的实施方案是一种单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，包括0136A重量百分比10至98的组分A；说明书CN104231635A119/11页120137B重量百分比01至30的组分B；0138C重量百分比0000001至1的组分C；0139D重量百分比000001至5的组分D；0140E重量百分比01至10的组分E；0141F重量百分比00001至89799989的组分F；014。

40、2H重量百分比00001至30的组分H；以及0143I重量百分比0至10的一种或多种作为组分I的添加剂；0144其中组分A至F、H和I的总和为100（重量百分比）。0145除了组分A至H，根据本发明的组合物可包括作为组分I的一种或多种添加剂。在这方面，特别值得一提的是可以使用常规添加剂，例如色素、着色剂、增粘剂、阻燃剂、UV稳定剂、UV荧光标记物。0146根据本发明的组合物包括优选地重量百分比为0至10，特别优选0至10，最优选0至8的组分I。0147本发明还提供了一种将有机硅氧烷保护涂层涂覆到电气或电子组件的方法，包括以下步骤0148A提供如上所述的单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物，0149。

41、B通过交叉切割喷嘴将有机硅氧烷组合物涂覆到电气或电子组件，以及0150C加热涂覆有有机硅氧烷组合物的电气或电子组件到50至110的温度，由此通过氢化硅烷化反应在电气或电子组件上形成有机硅氧烷保护涂层。0151优选地，在步骤B通过交叉切割喷嘴涂覆单组分、无溶剂的有机硅氧烷组分时，喷嘴压力在07至42巴之间。特别优选地，涂覆时的喷嘴压力在10至30巴之间，最优选15至25巴之间。0152在根据本发明的方法中，该单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物优选以这种方式涂覆，即形成的有机硅氧烷保护涂层的层厚度为01至250M。0153根据本发明的方法特别适用于将有机硅氧烷保护涂层涂覆到印刷电路板上。在根据本发明。

42、方法的优选的实施方案中，该单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物在步骤B中涂覆到印刷电路板上。0154本发明还提供了如上所述的单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物的应用，该组合物用于通过交叉切割喷嘴将有机硅氧烷保护涂层涂覆到电气或电子组件，优选印刷电路板上。0155本发明还提供了一种通过根据本发明的方法获得的有机硅氧烷保护涂层。0156优选地，该有机硅氧烷保护涂层的层厚度为01至250M。0157本发明额外提供了一种具有涂覆有如上所述的有机硅氧烷保护涂层的电气或电子组件。0158本发明将通过下列实施例进行更详细的说明。具体实施方式0159使用来自PVA，型号为PVA350的涂覆机，通过具有XAE型号的交。

43、叉切割喷嘴的阀门涂覆单组分、无溶剂的有机硅氧烷组合物。该涂覆在室温下进行，并且喷嘴压力在07至说明书CN104231635A1210/11页1342巴之间。涂覆速率为300至450MMS1。0160使用来自ANTONPAAR的MCR302测定流变参数，例如粘度和剪切速率。0161实施例10162充分混合300重量份的粘度为50MPAS的聚二乙烯基二甲基硅氧烷组分A、30重量份的具有7MMOL/G含量SIH的聚二甲基硅氧烷组分B、5重量份的3,5二甲基1己炔3醇组分D、05重量份的1的KARSTEDT的1,2二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组分C，和170重量份的具有末端乙烯基和末端SIH单元的线性聚。

44、二甲基硅氧烷组分F的基础混合物。在25下，混合物的粘度为40MPAS。0163然后，向96重量份的混合物中加入01重量份的粘度为10MPAS的二环氧聚硅氧烷组分G和3重量份的涂覆有二甲基硅烷的锻制二氧化硅组分E。0164在25下，在001S1的剪切速率测得的粘度为430000MPAS，在500S1的剪切速率测得的粘度为120MPAS。0165根据上述方法涂覆，获得了均匀的涂层幕，并且在涂覆后，印刷电路板上的涂层不再流动。0166实施例20167向来自实施例1的98重量份的基础混合物添加粘度为10MPAS的01重量份的二环氧聚硅氧烷组分G和部分地涂覆有二甲基硅烷的锻制二氧化硅组分E。0168在2。

45、5下，在001S1的剪切速率测得的粘度为8000MPAS，在11S1的剪切速率测得的粘度为120MPAS。0169根据上述方法涂覆，获得了均匀的涂层幕，并且在涂覆后，印刷电路板上的涂层不再流动。0170实施例30171向来自实施例1的97重量份的基础混合物添加粘度为10MPAS的1重量份的二环氧聚硅氧烷组分G和2重量份的未涂覆的锻制二氧化硅组分E。0172在25下，在001S1的剪切速率测得的粘度为390000MPAS，在400S1的剪切速率测得的粘度为120MPAS。0173根据上述方法涂覆，获得了均匀的涂层幕，并且在涂覆后，印刷电路板上的涂层不再流动。0174实施例40175向46重量份的。

46、粘度为50MPAS的聚二乙烯二甲基硅氧烷、46重量份的粘度为100MPAS的聚二乙烯二甲基硅氧烷组分A、12重量份的具有7MMOL/G含量的SIH的聚二甲基硅氧烷组分B、1重量份的3甲基丁1炔3醇组分D、02重量份的1的KARSTEDT的1,2二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组分C和68重量份的具有乙烯基端基和末端SIH单元的线性聚二甲基硅氧烷组分F的混合物，添加了3重量份的部分地涂覆有二甲基硅烷的锻制二氧化硅组分E。0176在25下，在001S1的剪切速率测得的粘度为50000MPAS，在110S1的剪切速率测得的粘度为120MPAS。0177根据上述方法涂覆，获得了均匀的涂层幕，并且在涂覆后，印。

47、刷电路板上的涂层不再流动。说明书CN104231635A1311/11页140178比较实施例10179充分混合由300重量份的粘度为50MPAS的聚二乙烯二甲基硅氧烷组分A、30重量份的具有7MMOL/G含量SIH的聚二甲基硅氧烷组分B、066重量份的20的三有机亚磷酸盐的二甲苯溶液组分“、01重量份的1的KARSTEDT络合物的1,2二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组分C组成的涂料。0180在25下，在001S1的剪切速率测得的粘度为3000MPAS，在100S1的剪切速率测得的粘度为120MPAS。0181根据上述方法用交叉切割喷嘴进行涂覆是可能的，但是因为流量异常地太小，所以涂料在印刷电路板上大面积延伸和流动。0182比较实施例20183一种涂料，由比较实施例1的组分和额外的35重量份部分地涂覆有二甲基硅烷的锻制二氧化硅组分E组成，从而增加其流量，在25下，剪切速率为001S1时测得的粘度为不寻常的200000MPAS，并且剪切速率大于1000S1时，测得的粘度也超过120MPAS。例如，在1000S1的剪切速率下，粘度是195MPAS。通过交叉切割喷嘴的通道上没有涂层幕开放。说明书CN104231635A14。