密闭式强电场介质阻挡DBD辐射仪.pdf

上传人:a3 文档编号:7143455 上传时间:2019-09-27 格式:PDF 页数:8 大小:478.32KB
返回 下载 相关 举报
摘要
申请专利号:

CN201310018384.5

申请日:

20130118

公开号:

CN103168682A

公开日:

20130626

当前法律状态:

有效性:

失效

法律详情:

IPC分类号:

A01H1/06,A01C1/00

主分类号:

A01H1/06,A01C1/00

申请人:

广东石油化工学院,熊建平

发明人:

王德明,熊建平

地址:

525000 广东省茂名市茂南区官渡二路139号

优先权:

CN201310018384A

专利代理机构:

代理人:

PDF下载: PDF下载
内容摘要

一种诱导植物种子变异的技术,特别是一种常压下强电场电离辐射诱导植物种子变异的密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪,该辐射仪可用于在不同环境下进行诱导植物种子的变异处理。

权利要求书

1.一种密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪,由强电场介质阻挡(DBD)辐射仪和一个封闭的圆柱形金属容器构成,其特征是:强电场介质阻挡(DBD)辐射仪由带散热片的上极板、带散热片的下极板、电介质片一、电介质片二、极板支撑条一和极板支撑条二构成,电介质片一安装在上极板的下表面上,电介质片二安装在下极板的上表面上,两根电绝缘的极板支撑条一和极板支撑条二被安装在下极板和上极板之间,使得在极板支撑条一、极板支撑条二、下极板和上极板之间形成一个可放植物种子的腔体,圆柱形金属容器由容器壳体、容器上盖、密封胶圈、紧固组件构成,密封胶圈安装在容器壳体边缘的圆周上面,紧固组件(螺杆、螺母轴承支架、容器上盖紧固件)安装在容器上盖边缘及容器壳体上边外边缘上,共六组,按圆周对称分布,在容器壳体内安装了一个环形支撑架,环形支撑架位于容器壳体的中部,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪被安装在环形支撑架上,高压电极穿过容器上盖电绝缘的安装在容器上盖上,形成内、外两个接线端,接地电极一端被安装在容器壳体上,与容器壳体形成良好的电连接,另一端在容器壳体的外面,真空表的下端插管穿过容器上盖被安装在容器上盖上,温度/湿度计的下端插管穿过容器上盖被安装在容器上盖上,抽空换气三通接头的下端插管穿过容器上盖被安装在容器上盖上,在容器上盖上安装了一个上盖把手,当将容器上盖盖在容器壳体上时,在容器上盖和容器壳体内形成一个密闭的空腔,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪被封闭在该空腔内,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的上极板通过高压绝缘软导线与高压电极的内接线端良好的电连接,高压电极的外接线端连接外接电源,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的下极板与容器壳体良好的电连接,接地电极的外接线端连接外接电源。

说明书

所属技术领域:

本发明是一种诱导植物种子变异的技术,特别是一种常压下强电场电离辐 射诱导植物种子变异的密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪,该辐射仪可用于 在不同环境下进行诱导植物种子的变异处理。

背景技术:

突变是遗传变异的源泉,它为植物育种提供了必要的基础材料。人类所拥 有的自然基因库是有限的,自然突变率只有10-7左右,是相当低的,急需人工 诱变新的遗传变异(余增亮,1998)《国家“十一五“科学发展技术规划》指出: “重点开发种质资源发觉、保存和创新与新品种定向培育”,当前现有种质资源 库极为缺乏新基因的种子资源。可见,诱导种子基因突变、培育优质新种质成 为亟待解决的科学问题。为此,近二十年多年来,国内、外科学家在诱导种子 变异方面开展了大量工作,包括:太空育种、离子束介导法、应用强电场电离 辐射、静电(磁)场辐射、脉冲电(磁)场辐射、重离子辐射和光辐射的技术, 诱导植物种子变异。

随着分子生物学和细胞遗传学研究的深入发展,生物细胞的电磁特性及电 磁效应逐渐明确,环境物理因素特别是外界电磁场对生物体的影响越来越受到 重视。近年来电磁辐射诱导种子变异的领域,取得了一些成绩,但是在作物响 应或诱变机理、提高突变预见性和选择效率等方面还有待进一步深入研究。强 电场诱导植物种子变异是现代农业生产中的新技术和新方法,这对于开发自然 界中新的种质资源具有很重要的现实意义。

近来,我们在进行国家自然科学基金项目中发现,常压下介质阻挡(DBD)辐 射能诱导种子变异,提高种子活力和酶活性,使DNA突变,但在介质阻挡(DBD) 辐射中,究竟是什么因素起主导作用,一直迷惑不解。而这种辐射一般都是在 常压下空气中这种单一环境下进行,常压下,DBD放电中能产生数十种活性物质, 很难鉴别或区分是谁在起主导作用,也就很难有目的,有针对性地对种子进行 辐射,获得最佳辐射方案,实际应用受到限制。

发明的内容:

为了克服空气中常压下介质阻挡(DBD)辐射处理植物种子环境的局限性, 本发明针对介质阻挡(DBD)辐射处理植物种子技术存在的不足,对介质阻挡 (DBD)辐射处理植物种子技术进行了改进,提出了一种密闭式强电场介质阻挡 (DBD)辐射植物种子处理装置,该装置不仅能在空气中对植物种子进行介质阻 挡(DBD)辐射处理,而且还能有针对性的在不同压力、不同的气体和不同比例的 混合气体环境下对植物种子进行介质阻挡(DBD)辐射处理,为强电场电离辐射诱 导植物种子变异的研究开辟了一条新的研究途径。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:密闭式强电场介质阻挡(DBD) 辐射仪,由强电场介质阻挡(DBD)辐射仪和一个封闭的圆柱形金属容器构成。 强电场介质阻挡(DBD)辐射仪,由带散热片的上极板、带散热片的下极板、电 介质片一、电介质片二、极板支撑条一和极板支撑条二构成。电介质片一安装 在上极板的下表面上,电介质片二安装在下极板的上表面上。两根电绝缘的极 板支撑条一和极板支撑条二被安装在下极板和上极板之间,使得在极板支撑条 一、极板支撑条二、下极板和上极板之间形成一个可放植物种子的腔体,作为 植物种子处理室。

圆柱形金属容器由容器壳体、容器上盖、密封胶圈、紧固组件构成。密封 胶圈安装在容器壳体边缘的圆周上面,紧固组件(螺杆、螺母轴承支架、容器 上盖紧固件)安装在容器上盖边缘及容器壳体上边外边缘上,共六组,按圆周 对称分布。在容器壳体内安装了一个环形支撑架,环形支撑架位于容器壳体的 中部,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪被安装在环形支撑架上。高压电极穿过容 器上盖电绝缘的安装在容器上盖上,形成内、外两个接线端。接地电极一端被 安装在容器壳体上,与容器壳体形成良好的电连接,另一端在容器壳体的外面。 真空表的下端插管穿过容器上盖被安装在容器上盖上,温度/湿度计的下端插管 穿过容器上盖被安装在容器上盖上,抽空换气三通接头的下端插管穿过容器上 盖被安装在容器上盖上。在容器上盖上安装了一个上盖把手,当将容器上盖盖 在容器壳体上时,在容器上盖和容器壳体内形成一个密闭的空腔,强电场介质 阻挡(DBD)辐射仪被封闭在该空腔内。

强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的上极板通过高压绝缘软导线与高压电极的 内接线端良好的电连接,高压电极的外接线端连接外接电源,强电场介质阻挡 (DBD)辐射仪的下极板与容器壳体良好的电连接,接地电极的外接线端连接外 接电源。

本发明有益效果是,密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪不仅能在空气中 对植物种子进行介质阻挡(DBD)辐射处理,而且还能有针对性的在不同压力、不 同的气体和不同比例的混合气体环境下对植物种子进行介质阻挡(DBD)辐射处 理。为“常压下强电场电离辐射诱导植物种子变异的机理研究”这一国家自然 科学基金项目的研究,提供了一种新型“介质阻挡(DBD)辐射”实验仪,结构简 单实用。

附图说明

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1是密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的整体结构图。

图2是密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的整体结构图的俯视图。

图3是密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的内部结构图。

图4是密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的内部结构图的俯视图。

图1中,1.容器壳体,2.紧固螺杆轴承支架,3.紧固螺杆,4.紧固件,5. 紧固螺母,6.抽真空换气三通接头,7.容器上盖,8.高压电极,9.上盖把手, 10.真空表,11.温度/湿度计,12.密封胶圈,13.强电场介质阻挡(DBD)辐射 仪,14.接地电极,15.环形支撑架。

图1中的13.强电场介质阻挡(DBD)辐射仪,由图3所示,13-1.带散热片 的下极板,13-2.电介质片,13-3.极板支撑条,13-4.电介质片,13-5.带散热 片的上极板,13-6.极板支撑条,13-7.植物种子处理室。

具体实施方式

图1中,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪(13),由图2中,带散热片的上 极板(13-5)、带散热片的下极板(13-1)、电介质片(13-4)、(13-2)、极板支 撑条(13-3)、(13-6)构成。电介质片(13-4)安装在上极板(13-5)的下表 面上,电介质片(13-2)安装在下极板(13-1)的上表面上。两根电绝缘的极 板支撑条(13-3)、(13-6)被安装在下极板(13-1)和上极板(13-5)之间, 使得在极板支撑条(13-3)、极板支撑条(13-6)、下极板(13-1)和上极板(13-5) 之间形成一个植物种子处理室(13-7)。

图1中,圆柱形金属容器由容器壳体(1)、容器上盖(7)、密封胶圈(12)、 紧固组件(螺母轴承支架(2)、螺杆(3)、容器上盖紧固件(4)、螺母(5)) 构成。密封胶圈安装在容器壳体边缘的圆周上面,紧固组件((2)、(3)、(4)、 (5)),安装在容器上盖边缘及容器壳体上边外边缘上,共六组,按圆周对称分 布。在容器壳体(1)内,中部安装了一个环形支撑架(15),强电场介质阻挡 (DBD)辐射仪(13)被安装在环形支撑架(15)上。高压电极(8)穿过容器 上盖(7),电绝缘的安装在容器上盖(7)上,形成内、外两个接线端。接地电 极(14),一端被安装在容器壳体(1)上,与容器壳体形成良好的电连接,另 一端在容器壳体(1)的外面。真空表(10)的下端插管穿过容器上盖(7)被 安装在容器上盖(7)上,温度/湿度计(11)的下端插管穿过容器上盖(7)被 安装在容器上盖(7)上,抽空换气三通接头(6)的下端插管穿过容器上盖(7) 被安装在容器上盖(7)上。在容器上盖(7)上安装了一个上盖把手(9),当 将容器上盖(7)盖在容器壳体(1)上时,在容器上盖(7)和容器壳体(1) 内形成一个密闭的空腔,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪被封闭在该空腔内。

在图1、图2中,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪(13)的上极板(13-5) 通过高压绝缘软导线与高压电极(8)的内接线端良好的电连接,高压电极(8) 的外接线端连接外接电源,强电场介质阻挡(DBD)辐射仪(13)的下极板(13-1) 与容器壳体(1)良好的电连接,接地电极(14)的外接线端连接外接电源。

在使用中,密闭式强电场介质阻挡(DBD)辐射仪的两个外接电极——高压 电极(8)、接地电极(14)用高压绝缘软导线与高频高压电源发生器的两个相 应的高压输出端良好的电连接,高频高压电源发生器输出的高频高压信号被加 到强电场介质阻挡(DBD)辐射仪(13)上,在强电场介质阻挡(DBD)辐射仪 (13)的上极板(13-5)和下极板(13-1)之间形成高频交变强电场,对位于 植物种子处理室(13-7)施加高频交变强电场作用,诱导植物种子处理室(13-7) 中的植物种子在高频交变强电场作用下发生基因突变。

密闭式强电场介质阻挡DBD辐射仪.pdf_第1页
第1页 / 共8页
密闭式强电场介质阻挡DBD辐射仪.pdf_第2页
第2页 / 共8页
密闭式强电场介质阻挡DBD辐射仪.pdf_第3页
第3页 / 共8页
点击查看更多>>
资源描述

《密闭式强电场介质阻挡DBD辐射仪.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《密闭式强电场介质阻挡DBD辐射仪.pdf(8页珍藏版)》请在专利查询网上搜索。

1、(10)申请公布号 CN 103168682 A (43)申请公布日 2013.06.26 CN 103168682 A *CN103168682A* (21)申请号 201310018384.5 (22)申请日 2013.01.18 A01H 1/06(2006.01) A01C 1/00(2006.01) (71)申请人 广东石油化工学院 地址 525000 广东省茂名市茂南区官渡二路 139 号 申请人 熊建平 (72)发明人 王德明 熊建平 (54) 发明名称 密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪 (57) 摘要 一种诱导植物种子变异的技术, 特别是一种 常压下强电场电离辐射诱导植。

2、物种子变异的密闭 式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪, 该辐射仪可用 于在不同环境下进行诱导植物种子的变异处理。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (10)申请公布号 CN 103168682 A CN 103168682 A *CN103168682A* 1/1 页 2 1. 一种密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪, 由强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪和一个 封闭的圆柱形金属容器构成, 其特征是 : 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪由带散热片的。

3、上极 板、 带散热片的下极板、 电介质片一、 电介质片二、 极板支撑条一和极板支撑条二构成, 电介 质片一安装在上极板的下表面上, 电介质片二安装在下极板的上表面上, 两根电绝缘的极 板支撑条一和极板支撑条二被安装在下极板和上极板之间, 使得在极板支撑条一、 极板支 撑条二、 下极板和上极板之间形成一个可放植物种子的腔体, 圆柱形金属容器由容器壳体、 容器上盖、 密封胶圈、 紧固组件构成, 密封胶圈安装在容 器壳体边缘的圆周上面, 紧固组件 ( 螺杆、 螺母轴承支架、 容器上盖紧固件 ) 安装在容器上 盖边缘及容器壳体上边外边缘上, 共六组, 按圆周对称分布, 在容器壳体内安装了一个环形 支撑。

4、架, 环形支撑架位于容器壳体的中部, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪被安装在环形支 撑架上, 高压电极穿过容器上盖电绝缘的安装在容器上盖上, 形成内、 外两个接线端, 接地 电极一端被安装在容器壳体上, 与容器壳体形成良好的电连接, 另一端在容器壳体的外面, 真空表的下端插管穿过容器上盖被安装在容器上盖上, 温度 / 湿度计的下端插管穿过容器 上盖被安装在容器上盖上, 抽空换气三通接头的下端插管穿过容器上盖被安装在容器上盖 上, 在容器上盖上安装了一个上盖把手, 当将容器上盖盖在容器壳体上时, 在容器上盖和容 器壳体内形成一个密闭的空腔, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪被封闭在该空腔内。

5、, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的上极板通过高压绝缘软导线与高压电极的内接线端 良好的电连接, 高压电极的外接线端连接外接电源, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的下极 板与容器壳体良好的电连接, 接地电极的外接线端连接外接电源。 权 利 要 求 书 CN 103168682 A 2 1/3 页 3 密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪 所属技术领域 : 0001 本发明是一种诱导植物种子变异的技术, 特别是一种常压下强电场电离辐射诱导 植物种子变异的密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪, 该辐射仪可用于在不同环境下进行 诱导植物种子的变异处理。 背景技术 : 0002 突变是。

6、遗传变异的源泉, 它为植物育种提供了必要的基础材料。人类所拥有的自 然基因库是有限的, 自然突变率只有 10-7 左右, 是相当低的, 急需人工诱变新的遗传变异 ( 余增亮, 1998)国家 “十一五 “科学发展技术规划 指出 :“重点开发种质资源发觉、 保存 和创新与新品种定向培育” , 当前现有种质资源库极为缺乏新基因的种子资源。可见, 诱导 种子基因突变、 培育优质新种质成为亟待解决的科学问题。 为此, 近二十年多年来, 国内、 外 科学家在诱导种子变异方面开展了大量工作, 包括 : 太空育种、 离子束介导法、 应用强电场 电离辐射、 静电 ( 磁 ) 场辐射、 脉冲电 ( 磁 ) 场辐。

7、射、 重离子辐射和光辐射的技术, 诱导植物 种子变异。 0003 随着分子生物学和细胞遗传学研究的深入发展, 生物细胞的电磁特性及电磁效应 逐渐明确, 环境物理因素特别是外界电磁场对生物体的影响越来越受到重视。近年来电磁 辐射诱导种子变异的领域, 取得了一些成绩, 但是在作物响应或诱变机理、 提高突变预见性 和选择效率等方面还有待进一步深入研究。 强电场诱导植物种子变异是现代农业生产中的 新技术和新方法, 这对于开发自然界中新的种质资源具有很重要的现实意义。 0004 近来, 我们在进行国家自然科学基金项目中发现, 常压下介质阻挡 (DBD) 辐射能 诱导种子变异, 提高种子活力和酶活性, 使。

8、DNA突变, 但在介质阻挡(DBD)辐射中, 究竟是什 么因素起主导作用, 一直迷惑不解。而这种辐射一般都是在常压下空气中这种单一环境下 进行, 常压下, DBD 放电中能产生数十种活性物质, 很难鉴别或区分是谁在起主导作用, 也就 很难有目的, 有针对性地对种子进行辐射, 获得最佳辐射方案, 实际应用受到限制。 0005 发明的内容 : 0006 为了克服空气中常压下介质阻挡 (DBD) 辐射处理植物种子环境的局限性, 本发明 针对介质阻挡 (DBD) 辐射处理植物种子技术存在的不足, 对介质阻挡 (DBD) 辐射处理植物 种子技术进行了改进, 提出了一种密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐。

9、射植物种子处理装置, 该装置不仅能在空气中对植物种子进行介质阻挡 (DBD) 辐射处理, 而且还能有针对性的在 不同压力、 不同的气体和不同比例的混合气体环境下对植物种子进行介质阻挡 (DBD) 辐射 处理, 为强电场电离辐射诱导植物种子变异的研究开辟了一条新的研究途径。 0007 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是 : 密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射 仪, 由强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪和一个封闭的圆柱形金属容器构成。强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪, 由带散热片的上极板、 带散热片的下极板、 电介质片一、 电介质片二、 极板支 撑条一和极板支撑条二构成。电介质片一安装在。

10、上极板的下表面上, 电介质片二安装在下 极板的上表面上。 两根电绝缘的极板支撑条一和极板支撑条二被安装在下极板和上极板之 说 明 书 CN 103168682 A 3 2/3 页 4 间, 使得在极板支撑条一、 极板支撑条二、 下极板和上极板之间形成一个可放植物种子的腔 体, 作为植物种子处理室。 0008 圆柱形金属容器由容器壳体、 容器上盖、 密封胶圈、 紧固组件构成。密封胶圈安装 在容器壳体边缘的圆周上面, 紧固组件 ( 螺杆、 螺母轴承支架、 容器上盖紧固件 ) 安装在容 器上盖边缘及容器壳体上边外边缘上, 共六组, 按圆周对称分布。 在容器壳体内安装了一个 环形支撑架, 环形支撑架位。

11、于容器壳体的中部, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪被安装在环 形支撑架上。高压电极穿过容器上盖电绝缘的安装在容器上盖上, 形成内、 外两个接线端。 接地电极一端被安装在容器壳体上, 与容器壳体形成良好的电连接, 另一端在容器壳体的 外面。真空表的下端插管穿过容器上盖被安装在容器上盖上, 温度 / 湿度计的下端插管穿 过容器上盖被安装在容器上盖上, 抽空换气三通接头的下端插管穿过容器上盖被安装在容 器上盖上。 在容器上盖上安装了一个上盖把手, 当将容器上盖盖在容器壳体上时, 在容器上 盖和容器壳体内形成一个密闭的空腔, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪被封闭在该空腔内。 0009 强电场介。

12、质阻挡 (DBD) 辐射仪的上极板通过高压绝缘软导线与高压电极的内接 线端良好的电连接, 高压电极的外接线端连接外接电源, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的 下极板与容器壳体良好的电连接, 接地电极的外接线端连接外接电源。 0010 本发明有益效果是, 密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪不仅能在空气中对植物 种子进行介质阻挡 (DBD) 辐射处理, 而且还能有针对性的在不同压力、 不同的气体和不同 比例的混合气体环境下对植物种子进行介质阻挡 (DBD) 辐射处理。为 “常压下强电场电离 辐射诱导植物种子变异的机理研究” 这一国家自然科学基金项目的研究, 提供了一种新型 “介质阻挡 (。

13、DBD) 辐射” 实验仪, 结构简单实用。 附图说明 0011 下面结合附图对本发明进一步说明。 0012 图 1 是密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的整体结构图。 0013 图 2 是密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的整体结构图的俯视图。 0014 图 3 是密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的内部结构图。 0015 图 4 是密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的内部结构图的俯视图。 0016 图1中, 1.容器壳体, 2.紧固螺杆轴承支架, 3.紧固螺杆, 4.紧固件, 5.紧固螺母, 6. 抽真空换气三通接头, 7. 容器上盖, 8. 高压电极, 9. 上盖把。

14、手, 10. 真空表, 11. 温度 / 湿 度计, 12. 密封胶圈, 13. 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪, 14. 接地电极, 15. 环形支撑架。 0017 图 1 中的 13. 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪, 由图 3 所示, 13-1. 带散热片的下极 板, 13-2.电介质片, 13-3.极板支撑条, 13-4.电介质片, 13-5.带散热片的上极板, 13-6.极 板支撑条, 13-7. 植物种子处理室。 具体实施方式 0018 图1中, 强电场介质阻挡(DBD)辐射仪(13), 由图2中, 带散热片的上极板(13-5)、 带散热片的下极板 (13-1)、 电介质片。

15、 (13-4)、 (13-2)、 极板支撑条 (13-3)、 (13-6) 构成。电 介质片 (13-4) 安装在上极板 (13-5) 的下表面上, 电介质片 (13-2) 安装在下极板 (13-1) 的上表面上。两根电绝缘的极板支撑条 (13-3)、 (13-6) 被安装在下极板 (13-1) 和上极 说 明 书 CN 103168682 A 4 3/3 页 5 板 (13-5) 之间, 使得在极板支撑条 (13-3)、 极板支撑条 (13-6)、 下极板 (13-1) 和上极板 (13-5) 之间形成一个植物种子处理室 (13-7)。 0019 图 1 中, 圆柱形金属容器由容器壳体 (1。

16、)、 容器上盖 (7)、 密封胶圈 (12)、 紧固组件 ( 螺母轴承支架 (2)、 螺杆 (3)、 容器上盖紧固件 (4)、 螺母 (5) 构成。密封胶圈安装在容器 壳体边缘的圆周上面, 紧固组件 (2)、 (3)、 (4)、 (5), 安装在容器上盖边缘及容器壳体上边 外边缘上, 共六组, 按圆周对称分布。 在容器壳体(1)内, 中部安装了一个环形支撑架(15), 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪 (13) 被安装在环形支撑架 (15) 上。高压电极 (8) 穿过容器 上盖 (7), 电绝缘的安装在容器上盖 (7) 上, 形成内、 外两个接线端。接地电极 (14), 一端被 安装在容器壳。

17、体 (1) 上, 与容器壳体形成良好的电连接, 另一端在容器壳体 (1) 的外面。真 空表 (10) 的下端插管穿过容器上盖 (7) 被安装在容器上盖 (7) 上, 温度 / 湿度计 (11) 的 下端插管穿过容器上盖 (7) 被安装在容器上盖 (7) 上, 抽空换气三通接头 (6) 的下端插管 穿过容器上盖 (7) 被安装在容器上盖 (7) 上。在容器上盖 (7) 上安装了一个上盖把手 (9), 当将容器上盖 (7) 盖在容器壳体 (1) 上时, 在容器上盖 (7) 和容器壳体 (1) 内形成一个密 闭的空腔, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪被封闭在该空腔内。 0020 在图 1、 图 。

18、2 中, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪 (13) 的上极板 (13-5) 通过高压绝 缘软导线与高压电极 (8) 的内接线端良好的电连接, 高压电极 (8) 的外接线端连接外接电 源, 强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪 (13) 的下极板 (13-1) 与容器壳体 (1) 良好的电连接, 接 地电极 (14) 的外接线端连接外接电源。 0021 在使用中, 密闭式强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪的两个外接电极高压电极 (8)、 接地电极 (14) 用高压绝缘软导线与高频高压电源发生器的两个相应的高压输出端良 好的电连接, 高频高压电源发生器输出的高频高压信号被加到强电场介质阻挡 (DBD) 辐射 仪 (13) 上, 在强电场介质阻挡 (DBD) 辐射仪 (13) 的上极板 (13-5) 和下极板 (13-1) 之间 形成高频交变强电场, 对位于植物种子处理室 (13-7) 施加高频交变强电场作用, 诱导植物 种子处理室 (13-7) 中的植物种子在高频交变强电场作用下发生基因突变。 说 明 书 CN 103168682 A 5 1/3 页 6 图 1 说 明 书 附 图 CN 103168682 A 6 2/3 页 7 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103168682 A 7 3/3 页 8 图 4 说 明 书 附 图 CN 103168682 A 8 。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 >


copyright@ 2017-2020 zhuanlichaxun.net网站版权所有
经营许可证编号:粤ICP备2021068784号-1