表面波元件的制造方法 本发明涉及一种表面波元件的制造方法，在该表面波元件基片上覆盖的铝电极膜上形成氮化膜或氧化膜，表面波元件用于像滤波器、谐振器或类以的电子器件。
传统的密封型表面波元件出现的问题是：1)金属粉末的涂层从放置表面波元件的金属罩背面剥落造成不良的绝缘电阻；2)金属罩与基座焊接时产生的飞扬金属颗粒造成不良的绝缘电阻；3)AI-IDT(铝-叉指变换器)电极在切割过程中会被腐蚀掉，尤其发生在基片由LiTaO3或LiNbO3构成的情况。
解决上述问题的传统作法是：针对上述问题1)在金属罩背面加入树脂以防止金属粉末剥落；针对上述问题2)采用SiO2或类似材料在表面波元件上形成保护膜；针对上述问题3)在切割基片过程中把NO3或类似的材料掺入纯水中以防止IDT电极的腐蚀。
这些传统作法在经济上是很不合算的，因为防范上述问题1)，2)，3)的对策分别需要施加树脂设备和工艺，SiO2保护膜形成设备和工艺的NO3混合设备和工艺。
因此，本发明的目的是提供一种表面波元件的制造方法，它能够在芯片切割过程中防止AI-IDT电极腐蚀，并能在不需要对金属罩背面施加树脂工艺以及在不需要保护膜形成工艺和NO3形成工艺的情况下防止出现不良绝缘电阻。
为实现这一目地，本发明的表面波元件的制造方法包括以下步骤：在钟形罩内的表面波元件基片上形成铝电极膜；把氮气和氧气中的一种气体充入钟形罩；用充入的氮气和氧气之一种气体在已经形成的铝电极上形成氮化膜和氧化膜之一种膜。
也就是说，根据本发明，在作用在表面波基片上的铝电极膜形成后把氮气或氧气充入钟形罩内，以便在铝电极膜上产生像氮化膜(铝氮化膜)或氧化膜(铝氧化膜)那样的绝缘膜，接着，复合IDT电极由附加绝缘膜的铝电极膜制成并为制造表面波元件而切割表面波元件基片。此时，绝缘膜就作为了防止IDT电极受到腐蚀的保护膜。另一方面，保护膜可以消除在金属罩背面上的涂层剥落和把金属罩焊接到基座上的过程中产生的金属颗粒的有害影响。这样就减少了绝缘电阻的损失。
本发明的上述内容和其它的目的、特点和优点从下面结合附图的说明将会清楚的理解。
图1是在本发明实施例中用于表面波元件制造方法的溅射装置示意图；
图2是显示具有复合IDT电极的表面波元件基片的透视图，该复合IDT电极在具有采用图1方式形成的绝缘膜的铝电极膜上制造；
图3是含有放置表面波元件成品品种的金属罩的电子器件分解透视图。
本发明的实施例将参照图1进行说明，图1示出了本发明实施例中用于表面波元件制造方法的溅射装置。
图1所示的溅射装置具有与传统的溅射装置相同的外形，图1中的钟形罩1内设有由LiNbO3或LiNbO3制作的表面波元件基片2和由铝制作的靶极3，在给定的真空压力下的氩气体中，铝电极膜在表面波元件基片2上形成，此后，氮气从进气口4充入，以便为在铝电极膜的表面附加形成氮化膜(铝氮化膜)持续进行膜的形成工序。尽管在这个实施例中，铝电极膜在表面波元件基片2上形成，并通过氮气的充入涂覆氮化膜(铝氮化膜)，但也可以充入替换氮气的氧气，以便氧化膜在铝电极膜表面上形成。在上述任一种情况中，膜的形成工序持续进行直到膜的厚度达到0.2μm-1.5μm。
由于铝电极膜上具有作为绝缘膜的氮化膜(铝氮化膜)或氧化膜(氧化铝膜)，复合IDT电极5如图2所示采用光刻技术制成，随后，具有已形成电极5的表面波元件基片2沿着图2中的虚线切割，这样就产生了表面波元件。绝缘膜覆盖的AI-IDT电极5制有令人满意的连接引线已经证明是能够实现的。
图3示出了含有放置表面波元件成品品种的金属罩的电子器件。表面波元件成品品种2a放置在基座6上，绝缘膜覆盖的AI-IDT电极5制有连接引线，金属罩7与基座6焊接。
根据本发明，除了在表面波元件基片2上形成铝电极膜5外，氮气或氧气也被充入钟形罩内以便在铝电极5上形成像氮化膜(氮化铝膜)或氧化膜(氧化铝膜)那样的绝缘膜，因而当IDT电极在铝电极膜5内制成时，绝缘膜作为保护膜，以防止在为生产表面波元件而进行切割的过程中，AI-IDT电极受到腐蚀。此外保护膜还可以消除由于金属罩背面涂层剥落和金属罩与基座焊接而产生的金属颗粒的有害影响，这样就减小了绝缘膜电阻的损失。另外，根据本发明的制造方法，不需要像现有技术那样为金属罩背面进行SiO2膜形成工艺和树脂应用工艺，因而降低了制造成本。
应该理解的是，尽管上述内容只涉及本发明的一个最佳实施例，但本发明的范围包括用于公开目的的本发明实施例的一切变化和变形，而偏离本发明精神和范围的内容则不包括在内。