CN89102921.4
1989.04.29
CN1046815A
1990.11.07
终止
无权
|||授权||||||公开
H01L49/00; G01N27/12
中国科学院长春应用化学研究所
李文范; 刘秀英
吉林省长春市斯大林大街109号
中国科学院长春专利事务所
曹桂珍;宋天平
本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。该元件在常温下使用,检测烟雾和可燃性气体,其结构和工艺简单,成本低,灵敏度高,响应和恢复时间快。其配方组成为:以SnO2量为基准,SnCl4量为SnO2的0.5-1.5倍,贵金属量为SnO2的0.02-0.06倍,还可用稀土氧化物代替贵金属,其配比不变。
1: 1、一种常温半导体气体敏感元件的制备,其特征是该元件由如下配方组成:以SnO 2 量为基准,SnCl 4 量为SnO 2 的0.5-2: 5倍,贵金属量为SnO 2 的0.02-0.06倍,最佳贵金属为Pb,Pt,贵金属可用稀土氧化物代替,最佳稀土氧化物为CeO 2 ,LaO 2 其配比不变。
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本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。该元件在常温下使用,检测烟雾和可燃性气体,其结构和工艺简单,成本低,灵敏度高,响应和恢复时间快。其配方组成为:以SnO2量为基准,SnCl4量为SnO2的0.5-1.5倍,贵金属量为SnO2的0.02-0.06倍,还可用稀土氧化物代替贵金属,其配比不变。。
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