阴极射线管带的加热方法及装置 本发明涉及阴极射线管带的加热方法及装置，具体讲，涉及箍紧CRT时对防压爆带加热的方法和装置。
制造CRT的箍紧过程包括将具有预定张力的防压爆带附到CRT外表面的步骤，从而防止因CRT的碎裂而引起的压爆以及提高防压爆的效果。总的说，在各种真空外壳中，外部的外壳是最适于防止压爆的。但是，当CRT不是最外的外壳时，为了防止压爆，就还需箍紧处理。也就是说，由于CRT的外表面具有拉应力且其内表面具有抗压应力，通过箍紧处理施加与拉应力对应的抗压应力而提高防压爆的效果。通常，包括加热步骤和焊接步骤的焊接箍紧方法已经被广泛采用。在此，通过附加的加热器使防压爆带热膨胀以增加张力来执行加热步骤。热膨胀后的防压爆带附到CRT的外表面并且随后冷却下来，这样防压爆带会收缩而与CRT的外表面结合起来。
按常规，防压爆带是用气体或电来加热防压爆带使其膨胀的。此处，气体加热方法是通过用气体来产生热的装置，例如煤气炉，加热防压爆带的。另外，通电方法是将低压大电流加到防压爆带并且在防压爆带接触两个电极端子时产生地电阻而发出的热来加热的。但是，在传统的加热方法中，由于其特性，不能对防压爆带一致的和连续的加热，这样就产生以下问题。第一，由于防压爆带不能均匀膨胀，防压爆的效果相对降低。第二，由于防压爆带不能完全膨胀，因而，在下一个焊接步骤中，它不能很好地插入CRT的外壁中。第三，由于防压爆带的表面的恶化，防压爆带的氧化可能极大。
为了解决上述问题，本发明的一个目的在于提供一种CRT带的加热方法，它可以均匀和完全地使防压爆带热膨胀，并且可以防止防压爆带表面的恶化。
本发明的另一目的在于提供一种CRT带的加热装置，它可以有效地执行该方法。
为了达到第一目的，提供一种对阴极射线管CRT带加热的方法，其中防压爆带在附到CRT的外表面之前被加热膨胀，该方法包括步骤：(S1)产生预定的高频脉冲；(S2)用所述高频脉冲产生磁场；以及(S3)通过将防压爆带置于磁场中而使防压爆带产生摩擦热。
最好，所述步骤(S1)是通过以下步骤实现：通过从电源中接收交流而产生预定的第一脉冲；通过接收第一脉冲而产生高频第二脉冲；以及将所述第二脉冲的电平整流。另外，所述步骤(S2)是通过将所述高频脉冲加到其中高频电容与磁场发生线圈彼此并联的并联电路中而实现的。同时，最好使第二脉冲的频率是高频电容与磁场发生线圈的并联谐振频率。
为了实现第二目的，提供一种对阴极射线管CRT带加热的装置，其中防压爆带在附到CRT的外表面之前被加热膨胀，其特征在于该装置包括：用于产生预定的高频脉冲的第一装置；用所述高频脉冲产生磁场的第二装置，以使所述防压爆带置于所述第二装置周围，从而产生摩擦热。
最好，该第一装置包括：通过从电源中接收交流而产生预定的第一脉冲的第一脉冲发生装置；通过接收所述第一脉冲而产生高频第二脉冲的第二脉冲发生装置；以及将所述第二脉冲的电平整流的脉冲电平变换装置。另外，该第二装置最好包括彼此并联的高频电容与磁场发生线圈。与此同时，第二脉冲的频率最好是高频电容与磁场发生线圈的并联谐振频率。
图1为根据本发明的实施例的带加热装置的方框图；
图2为图1的第一脉冲发生器的内部电路图；
图3为图1的第二脉冲发生器和脉冲电平变换部分的内部电路图。
根据本发明的带加热方法包括：通过从电源中接收交流电而产生预定的第一脉冲；通过接收第一脉冲产生第二高频脉冲；将第二脉冲的电平整流；将其电平被整流后的第二脉冲加到其中高频电容与磁场发生线圈并联的并联电路中；以及，通过将防压爆带置于磁场发生线圈外由磁场使防压爆带产生摩擦热。此处，磁场是由第二脉冲加到其高频电容与磁场发生线圈并联的并联电路中而在线圈周围产生的。另外，通过将防压爆带置于磁场发生线圈中而由磁场在防压爆带中产生摩擦热。因此，热膨胀后的防压爆带就附到CRT的外表面上，随后冷却下来，这样防压爆带收缩后就与CRT的外表面结合起来。用高频磁场效应的摩擦热其优点在于防压爆带是均匀和完全热膨胀的，从而也防止了防压爆带表面的恶化。高频脉冲的频率被整流成高频电容和磁场发生线圈的并联谐振频率。于是，高频电容与磁场发生线圈的合成阻抗增加，两端电压提高，从而使能量效率增加。
在图1中，从电源101产生的正弦交流通过第一脉冲发生器102被转换成脉冲信号。单相和三相电源都可以用作交流电源101。内电路部分不同于所用的电源。在本发明的实施例中，采用三相的440V的电源。第一脉冲发生器102可以包括可控硅SCR模块和相控电路。与电源的频率相同的第一脉冲可以按照电源的相位控制SCR模块的栅极来得到。第二脉冲发生器103可以包括场效应管FET模块和FET控制电路。也就是说，高频的第二脉冲可以通过将第一脉冲加到FET的漏极和源极并由FET控制电路控制栅极来产生。上述第二脉冲发生器103可以由特定可编程逻辑控制器PLC控制。另外，脉冲电平变换部分104可以由预定的标准变压器来代替。具有由脉冲电平变换部分104变换的电平的高频脉冲加到彼此并联的高频电容105和磁场发生线圈106上。于是，由并联谐振频率的脉冲在线圈106周围产生磁场B。另外，磁场B的摩擦热是通过将防压爆带107置于磁场发生线圈106周围而在防压爆带107中产生的。因此，热膨胀后的防压爆带107就附到CRT的外表面上，随后冷却下来，这样防压爆带107收缩后就与CRT的外表面结合起来。用高频磁场B效应的摩擦热其优点在于防压爆带107是均匀和完全热膨胀的，从而也防止了防压爆带107表面的恶化。
如图2，当使用三相电源时，图1的第一脉冲发生器102的SCR模块将包括三个部分201，202和203，每个中都具有彼此串联的第一和第二SCR。也就是说，第一SCR的阳极与第二SCR的阴极相连。此处，第一和第二SCR间的连接点分别为R、S和T。每个栅极都受到相控电路204的控制，这样，可以在第一SCR的阴极和第二SCR的阳极之间产生第一脉冲。图2的三相电源是其电平已经过预定的变压器(未示出)整流的电源。三相电源同时加到SCR模块201、202和203上以及相控电路204上。相控电路204通过相控总线将每个相差的控制信号连续加到对应的栅极上，这样可以在SCR模块中产生第一脉冲。如图1所示，所产生的第一脉冲输入到第二脉冲发生器103上。
如图3所示，图1的第二脉冲发生器103的FET模块包括四部分301、302、303和304，每个具有彼此串联的上和下FET。也就是说，上FET的源与下FET的漏极相连。输入的第一脉冲通常加在FET模块301、302、303和304的每个的上FET的漏极与其下FET的源极之间。每个FET的栅极驱动信号被通过栅极控制总线从FET控制电路加到每个对应的FET的栅极。例如，在第一部分301的上FET导通且下FET断开、第二部分302的上FET断开且下FET导通后，所有的FET的状态则移位，这样脉冲电平变换部分104的初级线圈中的电流方向可被移位。这样，FET模块301、302、303和304的状态将由FET控制电路305连续移位，这样，第二脉冲将加到脉冲电平变换部分104的初级线圈上，并且对其次级线圈感应出高频输出脉冲。脉冲电平变换部分104的次级感应的输出脉冲的电平可由选择开关S来整流。此处，FET控制电路305为了使输出脉冲的频率等于图1的高频电容105与图1的磁场发生线圈106的并联谐振频率，而控制每个栅极驱动信号的状态移位期。并联谐振频率的脉冲在磁场发生线圈106周围产生图1的磁场B。另外，磁场B引起的摩擦热是通过将图1的防压爆带107置于磁场发生线圈106周围而在热膨胀后的防压爆带107中产生的。随后，热膨胀后的防压爆带107就附到CRT的外表面并冷却下来，这样，防压爆带107收缩后就与CRT的外表面结合起来。
本发明并不限于上述实施例。如上所述，在根据本发明的CRT带的加热方法中，采用高频磁场产生的摩擦热，这样，防压爆带的热膨胀均匀并且完全，从而防止其表面的恶化。此外，根据本发明的CRT带的加热装置可以有效地执行该方法。