偏转线圈的失聚以及几何学失真的校正装置 本发明涉及偏转线圈，特别是涉及偏转线圈的失聚以及几何学失真的校正装置。
通常，如图1所示的那样，偏转线圈10设置在阴极射线管100的管颈部上，按照线圈的绕线构造，大致分为图2a和图2b那样的鞍型-鞍型偏转线圈和图3a和图3b那样的鞍型-喇叭口型。偏转线圈起到这样的作用：使从设置在上述阴极射线管100的管颈部110内的BGR电子枪120所发射的电子束向左右侧和上下侧方向偏转，而撞击到该阴极射线管的荧光面上的正确位置上。
图2a和图2b表示了现有的鞍型-鞍型偏转线圈，在略呈圆锥形的线圈隔离器11的屏蔽部内周面的上/下侧设置鞍型的水平偏转线圈12，在外周面的左/右侧设置鞍型的垂直偏转线圈13，为了补强相应的垂直偏转线圈13的磁场，在上述线圈隔离器11地屏蔽部的外周面上具有略圆筒形的铁氧体芯14。在上述线圈隔离器11的管颈部外周缘周边设置用于校正由上述垂直偏转线圈13所产生的慧形象差的去慧形象差线圈15。
图3a和图3b表示了现有的鞍型-喇叭口型偏转线圈，在略呈圆锥形的线圈隔离器11的屏蔽部内周面的上/下侧设置水平偏转线圈12，在外周面上具有略圆筒形的铁氧体芯14，在上述铁氧体芯14的上下侧绕制喇叭口型的垂直偏转线圈16。在上述线圈隔离器11的管颈部外周缘周边追加设置用于校正由上述垂直偏转线圈16所产生的慧形象差的去慧形象差线圈15。上述垂直偏转线圈16结构上绕制在上述铁氧体芯14的上部和下部上，电气上如图3c所示的那样，按左上侧16a-1、左下侧16a-2、右上侧16b-1和右下侧16b-2的顺序相互串联连接。
如图2a和图2b所示的那样，在鞍型-鞍型偏转线圈中，按照上述左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b的相对分布和/或相对的电流量的大小，在左侧和右侧的磁场中产生差分，由此，在画面上产生失聚和几何学失真(以下称为「G/D」。
与此相同，如图3a和图3b所示的那样，在鞍型-喇叭口型偏转线圈中，对于X-Y轴，按照绕制在上左和下左侧的垂直偏转线圈16a和绕制在上右和下右侧的垂直偏转线圈16b的相对分布和/或相对的电流量的大小，在左侧和右侧的磁场中产生差分，由此，在画面上产生失聚和G/D。
上述失聚大致分为YV失聚和YHC失聚。上述YV失聚为图4a和图4b所示的那样，为在画面Y轴的上部和下部处红色R的横线偏离蓝色B的横线的垂直失聚。另一方面，YHC失聚如图5所示的那样为纵线R和纵线B交叉的水平失聚。上述G/D如图6a和图6c所示的那样为画面不正常的毁掉了的状态，特别是，图6a和图6c呈现梯形失真。
图7是图2a和图2b中的现有鞍型-鞍型偏转线圈的YV失聚校正电路图。如该图所示的那样，左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b相互电气串联连接，相对于该左右侧的偏转线圈13a、13b，并联连接由两个固定电阻21a、21b和可变电阻22所构成的差动形式的分流电路。
图7那样的现有YV失聚校正电路，可变调整上述可变电阻22的电阻值，通过分别在上述左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b中流过的相对电流量的调节来调节磁场，由此，把图4a或者图4c这样的YV失聚按图4b那样调节成R线和B线相一致。
图8是图3a和图3b中的现有鞍型-喇叭口型偏转线圈的YV失聚校正电路图。如该图所示的那样，左上侧垂直偏转线圈16a-1、左下侧垂直偏转线圈16a-2、右上侧垂直偏转线圈16b-1和右下侧垂直偏转线圈16b-2依次串联连接。相对于绕制在上述上左-下左侧的垂直偏转线圈16a和绕制在上右-下右侧的垂直偏转线圈16b，并联连接由两个固定电阻21a、21b和可变电阻22所构成的差动形式的分流电路。
图8中的现有YV失聚校正电路，与图7的YV失聚校正电路相同，可变调整上述可变电阻22的电阻值，通过分别在上述绕制在上左和下左侧的垂直偏转线圈16a和绕制在上右和下右侧的垂直偏转线圈16b中流过的相对电流量的调节来调节磁场，由此，把图4a或者图4c这样的YV失聚按图4b那样调节成R线和B线相一致。
但是，在鞍型-鞍型或鞍型-喇叭口型中，当利用上述可变电阻22来校正YV失聚时，按照由分别流过位于左侧的垂直偏转线圈13a、16a和位于右侧的垂直偏转线圈13b、16b的电流量的相对变化所引起的左/右侧磁场的变化，聚焦图形当然存在这样的问题：由于G/D图形同时变化，即使YV失聚得到校正，还会发生新的G/D。而且，也存在这样的问题：即使不改变上述可变电阻22，由于在偏转线圈绕制时产生的左侧和右侧垂直偏转线圈的分布差，G/D产生。即，由于上述线圈的绕线不均衡和机械装配所引起的分布差，绕制在X-Y轴的1至4象限的线圈实际上是难于形成完全的对称磁场的，因此，即使通过不均衡的分布而按图3b那样完全校正了失聚，还会如图5a或图5b那样产生G/D。即使按图5b那样完全校正了G/D，还会如图3a和图3c那样在现有的YV失聚校正电路中存在这样的问题：不能象图3b和图5b那样同时校正失聚和G/D。
作为电视机使用的现有的偏转线圈，在呈现运动图象的画面的电视画面的特性上，G/D不会成为大问题，因此可以利用图7和图8那样的电路，优先于G/D来调整聚焦，但是，最近，在个人计算机的监视器上，必须显示精密的静止图象，因此，要求提供能够进一步校正精密的聚焦特性和G/D特性的偏转线圈。
为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的是提供偏转线圈的失聚和G/D校正装置，能够同时精密地校正YV失聚和G/D。
为了实现上述目的，本发明能够调整去慧形象差线圈的磁场来校正失聚，调整垂直偏转线圈的磁场来校正G/D，由此，呈现接近于对称磁场的特性。
即，如图9所示的那样，当调整设置在偏转线圈10的屏蔽部的垂直偏转线圈的磁场强度时，由于Z轴上的偏转距离z1较大，会对G/D特性产生很大的影响，由于电子束的轨道是大致抛物线函数的形态，则随着电子束从管颈部行进到屏蔽部，偏转量变大，而对G/D特性产生很大的影响。当调整设置在上述偏转线圈10的管颈部的去慧形象差线圈15的磁场强度时，由该去慧形象差线圈15所产生的Z轴上的偏转距离z2与由设置在上述屏蔽部的垂直偏转线圈13、16所产生的偏转距离z1相比非常小，因此几乎不会对G/D特性产生影响，但是，由于上述去慧形象差线圈15处于距屏蔽部较远的距离上，并且，位于接近BGR电子枪120的位置上，因此，在电子束的特性上，由较小的磁场变化对聚焦特性产生很大的影响。
这样，本发明的目的是提供一种偏转线圈的失聚和G/D校正装置，鉴于上述那样的偏转线圈所引起的G/D和聚焦特性的变化，调整去慧形象差线圈的磁场，来校正失聚，调整垂直偏转线圈的磁场来校正G/D。
为了实现上述目的，本发明的偏转线圈的失聚和G/D校正电路，包括：具有管颈部和屏蔽部的圆锥形的线圈隔离器；设置在上述线圈隔离器的屏蔽部内表面的上侧和下侧的上侧垂直偏转线圈和下侧水平偏转线圈；设置在上述线圈隔离器的屏蔽部外表面的左侧和右侧的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；用于补强上述垂直偏转线圈的磁场而设置在上述线圈隔离器的屏蔽部外周面上的大致圆筒形的铁氧体芯；去慧形象差线圈，用于通过设置在上述线圈隔离器的管颈部来与上述垂直偏转线圈电气连接而生成枕形磁场，以抵消由上述左侧和右侧垂直偏转线圈产生的桶形磁场；第一失聚调整部，用于在上述去慧形象差线圈中，相对地控制在位于左侧的去慧形象差线圈和位于右侧的去慧形象差线圈中流过的电流量，相对地调整左侧和右侧的磁场，由此，来调整画面上的垂直失聚；失真调整部，用于相对地控制在上述左侧和右侧垂直偏转线圈中流过的电流量，来相对地调整左侧和右侧的磁场，由此，来调整画面上的G/D。
上述去慧形象差线圈由以一对铁片为媒介所绕制的左侧的上、中和下部去慧形象差线圈和右侧的上、中和下部去慧形象差线圈所构成，二者相互电气连接，上部、中部和下部一体形成的上述一对铁片互相相对地设置在上述线圈隔离器的管颈部的外周缘左/右侧。上述铁片构成为E字形铁片。
可以追加第二失聚调整部，用于在上述去慧形象差线圈中，相对地控制在位于上侧的去慧形象差线圈和位于下侧的去慧形象差线圈中流过的电流量，来相对地调整上侧和下侧的磁场，由此，来调整画面上的水平失聚。
上述第一失聚调整部相对地调整在左中侧的去慧形象差线圈和右中侧的去慧形象差线圈中流过的电流量，来调整左侧和右侧的磁场。
上述第二失聚调整部相对地调整在左/右侧的上部去慧形象差线圈和左/右侧的下部去慧形象差线圈中流过的电流量，来调整上侧和下侧的磁场。
为了实现上述目的，按照本发明的另一个偏转线圈的失聚和G/D校正电路，包括：具有管颈部和屏蔽部的圆锥形的线圈隔离器；设置在上述线圈隔离器的屏蔽部内表面的上侧和下侧而用于形成上侧和下侧偏转磁场的上侧垂直偏转线圈和下侧水平偏转线圈；设置在上述线圈隔离器的屏蔽部外周面上的大致圆筒形的铁氧体芯；绕制在上述铁氧体芯上而用于形成左侧和右侧的偏转磁场的左侧上/下垂直偏转线圈和右侧上/下垂直偏转线圈；去慧形象差线圈，用于通过设置在上述线圈隔离器的管颈部来与上述垂直偏转线圈电气连接而生成枕形磁场，以抵消由上述垂直偏转线圈产生的桶形磁场；第一失聚调整部，用于在上述去慧形象差线圈中，相对地控制在位于左侧的去慧形象差线圈和位于右侧的去慧形象差线圈中流过的电流量，相对地调整左侧和右侧的磁场，由此，来调整画面上的垂直失聚；失真调整部，用于相对地控制在上述左侧的上下垂直偏转线圈和右侧的上/下垂直偏转线圈中流过的电流量，来相对地调整左侧和右侧的磁场，由此，来调整画面上的G/D。
上述去慧形象差线圈由以一对铁片为媒介所绕制的左侧的上、中和下部去慧形象差线圈和右侧的上、中和下部去慧形象差线圈所构成，上部、中部和下部一体形成的上述一对铁片互相相对地设置在上述线圈隔离器的管颈部的外周缘左侧和右侧。上述铁片构成为E字形铁片。
可以追加第二失聚调整部，用于在上述去慧形象差线圈中，相对地控制在位于上侧的去慧形象差线圈和位于下侧的去慧形象差线圈中流过的电流量，来相对地调整上侧和下侧的磁场，由此，来调整画面上的水平失聚。
上述第一失聚调整部相对地调整在左中侧的去慧形象差线圈和右中侧的去慧形象差线圈中流过的电流量，来调整左侧和右侧的磁场。
上述第二失聚调整部相对地调整在位于左侧和右侧的上部的去慧形象差线圈和位于左侧和右侧的下部去慧形象差线圈中流过的电流量，来调整上侧和下侧的磁场。
本发明的这些和其他的目的、优点及特征将通过结合附图对本发明的实施例的描述而得到进一步说明。在这些附图中：
图1表示现有的装在阴极射线管上的偏转线圈的状况的示意图；
图2a是现有的鞍型-鞍型偏转线圈的纵截面图，图2b是图2a的横截面图；
图3a是现有的鞍型-喇叭口型偏转线圈的纵截面图，图3b是图3a的横截面图，图3c是表示图3a和图3b的垂直偏转线圈的电气连接关系的电路图；
图4a～c是用于说明画面上的YV失聚图形的示意图；
图5表示画面上的YHC失聚图形的示意图；
图6a～c是用于说明画面上的YHC失聚图形的示意图；
图7现有的鞍型-鞍型偏转线圈的YV失聚校正电路图；
图8现有的鞍型-喇叭口型偏转线圈的YV失聚校正电路图；
图9用于说明偏转线圈所产生的电子束轨道和偏转量的关系的曲线图；
图10按照本发明的实施例的鞍型-鞍型偏转线圈的失聚和几何学失真的校正装置的电路图；
图11a和b是按照本发明的去慧形象差线圈的构成图；
图12垂直偏转线圈的筒形磁场所产生的画面的图形图；
图13按照本发明的另一个实施例的鞍型-鞍型偏转线圈的失聚和几何学失真的校正装置的电路图。
图10是按照本发明的一个实施例的鞍型-鞍型偏转线圈的失聚和G/D校正装置的电路图。
如图10所示的那样，左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b相互电气串联连接，这些左侧和右侧垂直偏转线圈13a、13b分别设置在线圈隔离器的屏蔽部外部表面的左侧和右侧上。差动形式的分流电路部(40)相对于上述左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b并联连接。上述差动形式的分流电路部(40)这样构成：第一固定电阻R1、第一可变电阻VR1和第二固定电阻R2依次串联连接，把上述第一可变电阻VR1的可动电极端与上述第一和第二垂直偏转线圈的共同连接点相连接。上述差动形式的分流电路部(40)是用于相对地控制在上述左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b中流过的电流量来调整画面的G/D的G/D调整部40。
第一至第六去慧形象差线圈51～56相对于上述左侧和右侧垂直偏转线圈13a、13b串联连接。上述去慧形象差线圈51～56相互电气串联连接，同时，如图11a和图11b所示的那样，把E字形铁片58作为媒介而在上述线圈隔离器的管颈部外部表面的左上侧、右上侧、左下侧、右下侧、左中侧和右中侧设置依次电气连接的线圈，来得到用于校正慧形象差的6极磁场。由于由上述垂直偏转线圈13a、13b所产生的磁场如图26中用箭头表示的那样为桶形形状，则在上侧和下侧偏转时，相对于R电子束和B电子束，远离磁场的G电子束的灵敏度变低，由此，如图12所示的那样，产生使G电子束从R、G电子束失聚的慧形象差。这样，为了提供G电子束的灵敏度来与R、B电子束聚焦，而使用图11a和图11b所示的去慧形象差线圈51～56，来产生由虚线箭头表示的枕形磁场，由此，来抵消上述垂直偏转线圈13a、13b所产生的桶形磁场，而提高G电子束的灵敏度。上述去慧形象差线圈51～56最好都以相同的方向绕制，但是，也可以是，上侧去慧形象差线圈51、52和下侧去慧形象差线圈53、54的绕线方向是相同的，而中侧去慧形象差线圈55、56的绕线方向相反。前者的绕线方法能够起到这样的作用：当中侧去慧形象差线圈55、56的磁场变强时，抵消上侧去慧形象差线圈51、52和下侧去慧形象差线圈53、54的磁场来使之相对地弱化。例如，能够得到这样的效果：当强化左中侧去慧形象差线圈55的磁场时，使左上侧和左下侧去慧形象差线圈51、53的磁场弱化，来相对地强化右上侧和右下侧去慧形象差线圈52、54的磁场。后者的绕线方法与由上述绕线方法所产生的磁场形成相反。图11a作为参考来表示下侧偏转时的去慧形象差线圈的电流方向和磁场方向，图11b表示上侧偏转时的去慧形象差线圈的电流方向和磁场方向。即，上侧偏转时与下侧偏转时的电流和磁场方向相互相反。
如图10所示的那样，YHC失聚调整部60相对于上述第一至第四去慧形象差线圈51～54并联连接。该YHC失聚调整部60用于相对地控制在上述第一和第二去慧形象差线圈51、52侧以及在上述第三和第四去慧形象差线圈53、54侧流过的电流量，来调整画面上的失聚，该YHC失聚调整部60由相对于上述第一至第四去慧形象差线圈51～54并联连接的第二可变电阻VR2和第三固定电阻R3所构成，该第三固定电阻R3连接在上述第二去慧形象差线圈52与第三去慧形象差线圈53的共同连接点和上述第二可变电阻VR2的可动电极间。
YV失聚调整部70相对于上述第五和第六去慧形象差线圈55、56并联连接。该YV失聚调整部70用于相对地控制在上述第五去慧形象差线圈55和第六去慧形象差线圈56中流过的电流量，来调整画面上的垂直失聚，该YV失聚调整部70由相对于上述第五和第六去慧形象差线圈55、56并联连接的第三可变电阻VR3和第四固定电阻R4所构成，该第四固定电阻R4连接在上述第五去慧形象差线圈55与第六去慧形象差线圈56的共同连接点和上述第三可变电阻VR3的可动电极间。
而且，包括相互并联连接的上侧水平偏转线圈12a和下侧水平偏转线圈12b，包括用于相对地改变上述上侧水平偏转线圈12a和下侧水平偏转线圈12b的磁场的平衡线圈。
与上述本发明的实施例相对应的各构成部件的具体实施形态为以下这样：
上述电阻R1、R2为约80～120(Ohm)，上述电阻R3为约2.0～2.4(Ohm)，上述电阻R4为约0.3～0.7(Ohm)，上述第一可变电阻VR1为约80～120(Ohm)，上述第二可变电阻VR2为约18～22(Ohm)，上述第三可变电阻VR3为约18～22(Ohm)。
伴随这样上述这样各构成部件的具体实施形态，在本发明中，在图6a和图6c中，当使用于校正由上述G/D调整部40所产生的G/D的最大可变可能值为(a+b)/2时，则(a+b)/2=约1mm。这是现有的最大可变可能值的约2倍。当使用于校正由上述YV失聚调整部70所产生的YV失聚的最大可变可能值为图4a和图4c的(c+d)/2时，(c+d)/2=约0.8mm，此时G/D的变化几乎没有。
下面对按照本发明的实施例的偏转线圈的失聚和G/D校正装置的动作进行说明。
首先，在右侧垂直偏转线圈13b的右侧磁场强于由左侧垂直偏转线圈13a所产生的左侧磁场，而象图6a所示的那样产生G/D的情况下，当改变第一可变电阻VR1的电阻值来补强在左侧垂直偏转线圈13a中流过的电流时，左侧偏转磁场相对地被补强，由此使由上述右侧垂直偏转线圈13b所产生的右侧磁场与由左侧垂直偏转线圈13a所产生的左侧磁场成为相同的，而如图6b那样使G/D被校正。
在由左侧垂直偏转线圈13a所产生的左侧磁场强于右侧垂直偏转线圈13b的右侧磁场，而象图6c所示的那样产生G/D的情况下，当改变第一可变电阻VR1的电阻值来补强在右侧垂直偏转线圈13b中流过的电流时，右侧偏转磁场相对地被补强，由此，使由上述左侧垂直偏转线圈13a所产生的左侧磁场与由右侧垂直偏转线圈13b所产生的右侧磁场成为相同的，而如图6b那样使G/D被校正。
通过利用上述那样的第一可变电阻VR1来校正G/D，利用第二可变电阻VR2相对地改变在第一和第二去慧形象差线圈51、52侧流过的电流量和在第三和第四去慧形象差线圈53、54侧流过的电流量，由此，如图5所示的那样，可以校正YHC失聚。图5是在第一和第二去慧形象差线圈51、52侧流过的电流量相对地较多而使上侧偏转磁场较强的情况，因此，当改变上述第二可变电阻VR2来补强在上述第三和第四去慧形象差线圈53、54侧流过的电流量时，上侧偏转磁场和下侧偏转磁场的强度成为相同的，YHC失聚被校正。并且，下侧偏转磁场较强时的YHC失聚可以与上述上侧偏转磁场较强时相反地调整上述第二可变电阻VR2。
利用上述那样的第一可变电阻VR1和第二可变电阻VR2来校正G/D和YHC失聚，接着利用第三可变电阻VR3来相对地改变在第五去慧形象差线圈55侧流过的电流量和在第六去慧形象差线圈56侧流过的电流量，由此，如图4a和图4c所示的那样，能够按下述那样来校正YV失聚。
首先，如图4a所示的那样，YV失聚是在右侧磁场较强时产生的，可以相对地补强左侧磁场。这样，改变第三可变电阻VR3来补强在第六去慧形象差线圈56中流过的电流量，而增强磁场。此时，如果上述去慧形象差线圈51～56都以相同方向绕制，上述第六去慧形象差线圈56的变强的磁场抵消了右侧上部的第二去慧形象差线圈52和右侧下部的第四去慧形象差线圈54的磁场。由此，右侧磁场变弱，左侧磁场相对地变强，因此，左侧磁场与右侧磁场成为相同的，如图4b那样，YV失聚被校正。
如图4c所示的那样，YV失聚是当左侧磁场较强时产生的，可以相对地补强右侧磁场。这样，改变第三可变电阻VR3来补强在第五去慧形象差线圈55中流过的电流量，而相对地增强磁场。此时，如果上述去慧形象差线圈51～56都以相同方向绕制，如图11a和图11b所示的那样，由于在E字形铁片上形成了六极磁场，上述第五去慧形象差线圈55的变强的磁场抵消了左侧上部的第一去慧形象差线圈51和左侧下部的第三去慧形象差线圈53的磁场。由此，左侧磁场变得弱于校正之前，右侧磁场相对地变强，因此，右侧磁场与左侧磁场成为相同的，如图4b那样，YV失聚被校正。
图13是按照本发明的另一个实施例的鞍型-喇叭口型偏转线圈的失聚和G/D校正装置的电路图。其中，仅对作为与图10所示的本发明的上述实施例不同的部分的垂直偏转线圈的电路进行说明，其他部分，因与图10的电路相同而省略说明。
在图13中，左上侧垂直偏转线圈16a-1、左下侧垂直偏转线圈16a-2、右上侧垂直偏转线圈16b-1和右下侧垂直偏转线圈16b-2依次串联连接，相对于上述在上左-下左侧所绕制的垂直偏转线圈16a和在上右-下右侧所绕制的垂直偏转线圈16b，并联连接由两个第一固定电阻R1、R2和第一可变电阻VR1所构成的G/D调整部40。
图13的G/D调整部40与图10的G/D调整部40相同地构成，可变调整上述第一可变电阻VR1的电阻值，通过相对地调节分别在上述在上左-下左侧所绕制的垂直偏转线圈16a和在上右-下右侧所绕制的垂直偏转线圈16b中流过的电流量，来相对地调整左/右侧的磁场，由此，如图6a或图6c那样，把G/D校正为图6b那样。
如以上详细说明的没有，根据本发明的偏转线圈的失聚和G/D校正电路，能够校正在画面上发生的G/D，并且能够完整地校正在该G/D较正时发生的失聚，由此，具有提高偏转线圈的品质的效果。