表面声波器件.pdf

一种表面声波器件，具有表面声波滤波器，该表面声波滤波器具有形成在压电元件上的梳状电极图案，所述表面声波滤波器的用于输入和输出的电极端子通过凸点与封装的对应电极图案相连接，其中，所述梳状电极图案具有一对反射电极，并且在所述一对反射电极之间设置有输入梳状电极和输出梳状电极；输入梳状电极和输出梳状电极中的任一个的电极端子被利用布线图案设置，使得该电极端子位于与另一电极端子侧相对的一侧，以夹着接地电极。

1、  一种表面声波器件，包括表面声波滤波器，该表面声波滤波器具有形成在压电元件上的梳状电极图案，该表面声波滤波器的用于输入和输出的电极端子通过凸点与封装的对应电极图案相连接，其中
所述梳状电极图案具有一对反射电极，和设置在所述一对反射电极之间的输入梳状电极和输出梳状电极，并且其中
所述输入梳状电极和所述输出梳状电极中的一个梳状电极的电极端子，被利用布线图案设置成与另一梳状电极的电极端子相对，其间设置有接地电极。

2、  根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述表面声波滤波器是多模声波滤波器，该多模声波滤波器使用在所述反射电极之间激励出的表面声波并且利用在所述反射电极之间生成的多个驻波。

3、  一种表面声波器件，包括各具有形成在压电元件上的梳状电极图案的第一表面声波滤波器和第二表面声波滤波器，所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器按级联方式相互连接，所述表面声波滤波器的用于输入和输出的电极端子通过凸点与封装的对应电极图案相连接，其中
所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器的梳状电极图案各具有一对反射电极，和设置在所述一对反射电极之间的输入梳状电极和输出梳状电极，其中
所述输入梳状电极和所述输出梳状电极的电极端子对于所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器中的每一个都是从同一侧引出的，并且其中
所述第一表面声波滤波器的输出梳状电极或输入梳状电极的电极端子被利用布线图案连接到所述第二表面声波滤波器的输入梳状电极或输出梳状电极的电极端子，而使所述第一表面声波滤波器的输入梳状电极和输出梳状电极的电极端子面对所述第二表面声波滤波器，其间设置有所述第二表面声波滤波器的接地端子。

4、  一种表面声波器件，包括按级联方式相互连接的第一表面声波滤波器和第二表面声波滤波器，所述表面声波滤波器的用于输入和输出的电极端子通过凸点与封装的对应电极图案相连接，其中
所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器的梳状电极图案各具有一对反射电极，和设置在所述一对反射电极之间的输入梳状电极和输出梳状电极，其中
所述输入梳状电极和所述输出梳状电极的电极端子对于所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器中的每一个都是从同一侧引出的；
所述第一表面声波滤波器的输出梳状电极或输入梳状电极的电极端子被利用布线图案连接到所述第二表面声波滤波器的输入梳状电极或输出梳状电极的电极端子，而使所述第一表面声波滤波器的接地端子面对所述第二表面声波滤波器的接地端子。

5、  根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述梳状电极图案被设置成串联连接通过将一个滤波器分割成两个而形成的滤波器，以使可以获得希望的阻抗。

6、  根据权利要求3所述的表面声波器件，其中，所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器中的至少一个表面声波滤波器的电极图案被设置成，串联连接通过将一个滤波器分割成两个而形成的滤波器，以使可以获得希望的阻抗。

7、  根据权利要求4所述的表面声波器件，其中，所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器中的至少一个表面声波滤波器的电极图案被设置成，串联连接通过将一个滤波器分割成两个而形成的滤波器，以使可以获得希望的阻抗。

8、  根据权利要求1所述的表面声波器件，还包括并联连接的多个所述表面声波滤波器。

9、  根据权利要求3所述的表面声波器件，还包括并联连接的多个所述表面声波滤波器。

10、  根据权利要求4所述的表面声波器件，还包括并联连接的多个所述表面声波滤波器。

11、  根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述表面声波滤波器的输入端子或输出端子是均衡输入或均衡输出。

12、  根据权利要求3所述的表面声波器件，其中，所述表面声波滤波器的输入端子或输出端子是均衡输入或均衡输出。

13、  根据权利要求4所述的表面声波器件，其中，所述表面声波滤波器的输入端子或输出端子是均衡输入或均衡输出。

14、  根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装的电极图案是构成所述滤波器的电感组件。

15、  根据权利要求3所述的表面声波器件，其中，所述封装的电极图案是构成所述滤波器的电感组件。

16、  根据权利要求4所述的表面声波器件，其中，所述封装的电极图案是构成所述滤波器的电感组件。

17、  一种天线双工器，包括根据权利要求1所述的表面声波器件，作为发送滤波器和/或接收滤波器。

18、  一种天线双工器，包括根据权利要求3所述的表面声波器件，作为发送滤波器和/或接收滤波器。

19、  一种天线双工器，包括根据权利要求4所述的表面声波器件，作为发送滤波器和/或接收滤波器。

20、  根据权利要求17所述的天线双工器，其中，所述接地图案形成在封装中的连接到发送滤波器的用于发送信号的电极图案与连接到接收滤波器的用于接收信号的电极图案之间。

表面声波器件
技术领域
本发明涉及能够小型化的芯片倒装安装(flip-chip-mounted)表面声波器件。
背景技术
近年来，针对无线装置如移动电话的小型化和功能升级正在快速发展。滤波器被用于这些装置的高频电路并且起着重要作用。通常，利用SAW(表面声波)器件来构成这种滤波器，以便将这些电路小型化。
例如，在诸如个人通信系统(PCS)移动电话的无线装置中，由SAW装置构成发送(Tx)滤波器和接收(Rx)滤波器，该发送(Tx)滤波器和接收(Rx)滤波器构成具有将发送(Tx：1850到1910MHz)信号与接收(Rx：1930到1990MHz)信号相互隔离的作用的天线双工器的功能。
上述发送(Tx)滤波器和接收(Rx)滤波器都是带通滤波器，并且例如，如日本特开No.2004-194269中所述，是由通过利用在反射电极之间生成的多个(两个)驻波而具有多种(两种)谐振模式的多(双)模SAW滤波器(DMS)的组合构成的。
作为双模SAW滤波器，如作为示例在日本特开No.2004-194269中所述并在图1中所示的叉指型换能器(IDT)图案，形成在诸如LiTaO₃、LiNbO₃、Li₂B₄O₇或石英的未示出的压电元件(压电基板)上。
在图1所示的示例中，形成在压电元件上的IDT图案具有交替排列的1个(一个)输入(输出)IDT1和2个(两个)输出(输入)IDT 2a和2b，并且具有在表面声波传播方向上置于夹着所述输入和输出的两侧的栅型反射器3a和3b。
图1所示的IDT图案的特征在于，输入(输出)IDT1的端子IN(OUT)和共通连接2个(两个)输出(输入)IDT 2a与2b的端子OUT(IN)设置在同一侧。
采用图1所示的IDT图案作为一个单元，通过响应于所针对的希望滤波性能而并联或串联(级联)连接多个IDT图案来构成滤波器。
图2是包括3个(三个)并联级联连接的单元的双模SAW滤波器(DMS)的平面图，其中采用图1所示的IDT图案作为一个单元，而在压电元件10上并联级联连接了3个(三个)单元IDT图案。
图3是以具有图2所示的IDT图案的双模SAW滤波器(DMS)而形成的容纳在一个封装中的表面声波(SAW)器件的横截面图。在这个表面声波(SAW)器件中，利用导电膏12将双模SAW滤波器(DMS)粘贴到陶瓷封装11的内底面上。作为双模SAW滤波器(DMS)，将IDT图案形成在压电元件10上，并且利用接合线13将输入端子IN和输出端子OUT以及GND连接到陶瓷封装11侧的端子。粘贴金属盖14以覆盖陶瓷封装11的内部，而保持一空间间距大于IDT图案与盖14自身之间的预定空间间距。
因为接合线13需要的空间间距大于金属盖14与IDT图案之间的预定空间间距，所以表面声波器件在其小型化方面具有局限性。因此，可以设想这样一种结构，即，其中以芯片倒装连接方式将双模SAW滤波器(DMS)与陶瓷封装侧的端子相连接，来代替其中利用接合线13将双模SAW滤波器(DMS)与陶瓷封装侧的端子相连接的结构。
图4是当以芯片倒装连接方式将具有图2所示的IDT图案的双模SAW滤波器安装在陶瓷封装上时所设想的示例性结构的截面图。
接地端子GND、输入端子IN以及输出端子OUT形成在陶瓷封装11侧。
在将形成在双模SAW滤波器(DMS)的压电元件10上的IDT图案侧设置成面向下的情况下，将IDT图案侧的IDT图案的接地端子GND、输入端子IN以及输出端子OUT各连接到陶瓷封装侧的接地端子GND、输入端子IN以及输出端子OUT，使得这些端子中的每一个都对应于其自己的对应物。由此，可以便于减小陶瓷封装中用于容纳双模SAW滤波器(DMS)的面积和高度。
然而，如图4所示，当以芯片倒装连接方式将双模SAW滤波器容纳在陶瓷封装中时，认识到了SAW滤波器的电气特性的劣化。图5A和图5B是曲线图，其示出并比较了具有相同结构的双模SAW滤波器(即，以导线接合方式容纳在陶瓷封装中，其输入(输出)IDT1的端子IN(OUT)和共通连接2个(两个)输出(输入)IDT 2a和2b的端子OUT(IN)设置在同一侧的双模SAW滤波器)的电气特性，与以芯片倒装接合方式容纳在另一陶瓷封装中的双模SAW滤波器的电气特性。
即，在图5中，图5A的曲线图示出了用于在双工器中把接收信号从天线引导到接收电路的接收滤波器的通带特性。图5B的曲线图示出了双工器从发送侧到接收侧的隔离。
通常，对于PCS双工器中的接收天线滤波器，在发送频带中需要等于或大于50dB的衰减量。对于发送频带中的隔离，需要55dB作为标准值。
如图5A所示，以芯片倒装接合方式将滤波器容纳在陶瓷封装中时获得的双工器的从天线到接收侧的通带外侧的衰减度特性II，与在以导线接合方式容纳滤波器的情况下的衰减度特性I相比劣化了，并且具有不满足等于或大于50dB的衰减量的区域。
如图5B所示，以芯片倒装接合方式将滤波器容纳在陶瓷封装中时获得的双工器的从发送侧到接收侧的隔离II，与以导线接合方式的情况I相比，具有不满足用于隔离的55dB标准值的区域。
估计以芯片倒装接合方式情况下的双模SAW滤波器的电气特性劣化的原因是，当以芯片倒装接合方式将双模SAW滤波器容纳在陶瓷封装中时，陶瓷封装中的输入端子与输出端子之间的间距太窄，由此，输入端子与输出端子之间的电容变大了。
基于上述估计，本发明人测量了一双模SAW滤波器的通带特性，该双模SAW滤波器如图6所示，与图1的IDT图案相比，在IN(OUT)端子与OUT(IN)端子之间具有更宽的间距，并且具有在不限于陶瓷封装的表面层和内部层的区域中形成的GND图案4，使得GND图案4对应于IDT图案的IN(OUT)端子与OUT(IN)端子之间的区域。
图7是示出陶瓷封装侧的与图6的IDT图案相对应的端子图案的图。IN(OUT)端子与OUT(IN)端子之间的间距加宽了，使得可以将接地GND线(线)形成在该间距中。
如上所述，根据图6的结构，通过GND图案4将IN(OUT)端子与OUT(IN)端子隔开，因此，可以减小形成在输入端子与输出端子之间的对应的耦合电容。
图8是示出形成在输入端子与输出端子之间的耦合电容因上述GND图案4而减小的效果的通带特性曲线图。
如图8所示，可以明白，由于形成在输入端子与输出端子之间的耦合电容减小，所以可以沿箭头方向加大通带外部的衰减量。
然而，根据上述结构，需要加宽输入端子与输出端子之间的间距，以形成如图7所示的GND图案，而且，因为这个，器件结构在平面上扩展了，从而妨碍了实现小型化。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供输入端子和输出端子的排布具有特征布局的表面声波器件，其避免了上述问题以便获得优异的滤波性能，并防止了器件结构在平面上变大。
为了实现上述目的，根据本发明的第一方面，提供了一种表面声波器件，其包括表面声波滤波器，该表面声波滤波器具有形成在压电元件上的梳状电极图案，该表面声波滤波器的用于输入和输出的电极端子通过凸点(bump)与封装的对应电极图案相连接，其中，所述梳状电极图案具有一对反射电极，和设置在所述一对反射电极之间的输入梳状电极和输出梳状电极，并且其中，所述输入梳状电极和所述输出梳状电极中的一个梳状电极的电极端子被利用布线图案设置成与另一梳状电极的电极端子相对，其间设置有接地电极。所述表面声波滤波器可以是多模表面声波滤波器，该多模表面声波滤波器使用在所述反射电极之间激励的表面声波并且利用在所述反射电极之间生成的多个驻波。
为了实现上述目的，根据本发明的第二方面，提供了一种表面声波器件，其包括各具有形成在压电元件上的梳状电极图案的第一表面声波滤波器和第二表面声波滤波器，所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器按级联方式相互连接，所述表面声波滤波器的用于输入和输出的电极端子通过凸点与封装的对应电极图案相连接，其中，所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器的梳状电极图案各具有一对反射电极，和设置在所述一对反射电极之间的输入梳状电极和输出梳状电极，其中，所述输入梳状电极和所述输出梳状电极的电极端子对于所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器中的每一个都是从同一侧引出的，并且其中，所述第一表面声波滤波器的输出(或输入)梳状电极的电极端子被利用布线图案连接到所述第二表面声波滤波器的输入(或输出)梳状电极的电极端子，所述第一表面声波滤波器的输入梳状电极和输出梳状电极的电极端子面对所述第二表面声波滤波器，其间设置有所述第二表面声波滤波器的接地端子。
为了实现上述目的，根据本发明的第三方面，提供了一种表面声波器件，其包括相互按级联方式连接的第一表面声波滤波器和第二表面声波滤波器，所述表面声波滤波器的用于输入和输出的电极端子通过凸点与封装的对应电极图案相连接，其中，所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器的梳状电极图案各具有一对反射电极，和设置在所述一对反射电极之间的输入梳状电极和输出梳状电极，其中，所述输入梳状电极和所述输出梳状电极的电极端子对于所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器中的每一个都是从同一侧引出的；并且其中，所述第一表面声波滤波器的输出(或输入)梳状电极的电极端子被利用布线图案连接到所述第二表面声波滤波器的输入(或输出)梳状电极的电极端子，而使所述第一表面声波滤波器的接地端子面对所述第二表面声波滤波器的接地端子。所述梳状电极图案可被设置成串联连接通过将一个滤波器分割成两个而形成的滤波器，从而可以获得希望的阻抗。所述第一表面声波滤波器和所述第二表面声波滤波器中的至少一个表面声波滤波器的电极图案可被设置成，串联连接通过将一个滤波器分割成两个而形成的滤波器，从而可以获得希望的阻抗。所述表面声波器件还可以包括并联连接的多个表面声波滤波器。所述表面声波滤波器的输入(或输出)端子可以是均衡输入(或输出)。所述封装的电极图案可以是构成所述滤波器的电感组件。
为了实现上述目的，根据本发明的第四方面，提供了一种天线双工器，其包括所述的表面声波器件作为发送滤波器和/或接收滤波器。所述接地图案可以形成在封装中的连接到发送滤波器的用于发送(Tx)信号的电极图案与连接到接收滤波器的用于接收(Rx)信号的电极图案之间。
根据本发明，通过在不限于封装的表面层和内部层的区域中将接地GND图案设置在输入图案与输出图案之间，可以减小形成在封装的输入端子与输出端子之间的耦合电容，即，可以减小形成在表面声波器件自身的输入端子与输出端子之间的耦合电容。
由于这个效果，通过芯片倒装安装可以避免电气特性的劣化，而且通过应用本发明，可以提供即使将其芯片倒装安装时也具有低插入损耗和高衰减特性的表面声波器件。
附图说明
图1是示出常规多模SAW滤波器的IDT图案的示例；
图2是采用图1所示的IDT图案作为一个单元，包括3个(三个)并联级联连接的单元的双模SAW滤波器(DMS)的平面图；
图3是以具有图2所示的IDT图案的双模SAW滤波器(DMS)形成的容纳在封装中的表面声波(SAW)器件的截面图；
图4是当以芯片倒装连接方式将具有图2所示的IDT图案的双模SAW滤波器安装在陶瓷封装上时所设想的示例性结构的截面图；
图5A示出了用于在双工器中从天线向接收电路引导接收信号的接收滤波器的通带特性；
图5B示出了双工器从发送侧到接收侧的隔离；
图6是示出以下示例的图，其中，在不限于陶瓷封装的表面层和内部层的区域中形成GND图案，使得GND图案对应于IDT图案的IN(OUT)端子与OUT(IN)端子之间的区域；
图7是示出陶瓷封装侧的与图6的IDT图案相对应的端子图案的图；
图8是示出形成在输入端子与输出端子之间的耦合电容因GND图案而减小的效果的通带特性曲线图；
图9A示出了第一实施例的IDT图案；
图9B示出了第一实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图10A示出了第二实施例的IDT图案；
图10B示出了第二实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图11A示出了第三实施例的IDT图案；
图11B示出了第三实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图12A示出了第四实施例的IDT图案；
图12B示出了第四实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图13A示出了第五实施例的IDT图案；
图13B示出了第五实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图14A示出了第六实施例的IDT图案；
图14B示出了第六实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图15A示出了第七实施例的IDT图案；
图15B示出了第七实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图16A示出了第八实施例的IDT图案；
图16B示出了第八实施例中的陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布；
图17A示出了与第六实施例相比的示例性常规结构的IDT图案；
图17B示出了与第六实施例相比的示例性常规结构的电极排布；
图18A示出了双工器的示例性结构；
图18B示出了在图17A和图17B与第六实施例之间的对比示例中，接收(Rx)滤波器的发送信号与接收信号之间的隔离特性；
图19A示出了PCS接收滤波器的示例性结构的框图；以及
图19B示出了当改变第六实施例中的陶瓷封装10的接地GND电感L₁到L₅的值时获得的电气特性。
具体实施方式
下面，参照附图，说明本发明的示例性实施例。
图9A和图9B是示出根据本发明的双模SAW滤波器的基本IDT图案的第一实施例的图。如上所述，将这种IDT图案形成在压电元件上，并且构成滤波器。将滤波器容纳在陶瓷封装中，并且形成表面声波器件。图9A示出了第一实施例的IDT图案，而图9B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
与图1的IDT图案相比，图9A所示的双模SAW滤波器的基本IDT图案的特征是，将输入IN(或输出OUT)端子和输出OUT(或输入IN)端子彼此相对地设置，以夹着接地GND端子。图9B示出了与上述排布相对应的陶瓷封装侧的端子排布。
如上所述，因为利用接地GND端子将输入IN端子与输出OUT端子相互隔开，所以由于如上面的图8所示形成在输入端子与输出端子之间的耦合电容的减小，而使得能够改进通带外侧的衰减。因为将输入IN端子和输出OUT端子相互隔开的接地GND端子是基本IDT图案自身的GND端子，所以不需要用于设置任何附加GND端子的空间。因此，可以防止这种器件结构在平面上扩展。
对于图9A和图9B所示的IDT图案，需要形成布线图案5，以便将输入IN端子设置在输出OUT端子的相对侧，以夹着接地GND端子。在这种情况下，因为信号发送中的电阻值随布线图案5的长度而变大，所以希望通过至少利用厚膜形成布线图案5来减小电阻值。
下面，利用图9A和图9B所示的双模SAW滤波器的基本IDT图案，来说明使用扩展的双模SAW滤波器的根据本发明的表面声波器件的实施例。
图10A和图10B示出了第二实施例。图10A示出了IDT图案，而图10B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
在图10A和图10B所示的第二实施例中，前级中的多模SAW滤波器(F1)和后级中的另一多模SAW滤波器(F2)按级联方式连接。前级多模SAW滤波器(F1)的输出端子被利用布线图案5连接到后级多模SAW滤波器(F2)的输入端子。在这种情况下，对于后级多模SAW滤波器(F2)，与图9A的第一实施例相比，输入端子和输出端子的排布颠倒了。
在上述第二实施例中，如图10B中的封装上的电极排布图案所示，后级多模SAW滤波器(F2)的接地GND端子设置在前级多模SAW滤波器(F1)的输入IN端子与后级多模SAW滤波器(F2)的输出OUT端子之间。因此，使得能够在表面声波器件中将接地GND端子设置在输入端子与输出端子之间，而不在平面中扩展空间。
图11A和图11B示出了第三实施例。图11A示出了IDT图案，而图11B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
在图11A和图11B所示的实施例中，尽管前级多模SAW滤波器(F1)和后级多模SAW滤波器(F2)的IDT图案各与图9的实施例的图案相同，但是将其中一个图案颠倒了，并且利用布线图案5按级联方式连接所述图案，而将接地端子GND 1和GND 2背对背设置。
由此，通过第一接地端子GND 1和第二接地端子GND 2，将前级多模SAW滤波器(F1)的输入IN端子和后级多模SAW滤波器(F2)的输出OUT端子相互严格地隔开。因此，完全可以避免滤波性能因形成在输入端子与输出端子之间的电容而劣化。
图12A和图12B示出了第四实施例。图12A示出了IDT图案，而图12B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
这个实施例被设置成串联连接第一多模SAW滤波器Fa和第二多模SAW滤波器Fb，使得第一滤波器Fa的阻抗和第二滤波器Fb的阻抗的合成阻抗是希望的阻抗(例如，50Ω)。
类似于图9A所示的第一实施例，利用布线图案5将输出OUT端子设置得与输入IN端子相对。由此，可以减小形成在表面声波器件的输入端子与输出端子之间的耦合电容。
在该实施例中，当将这个表面声波器件应用为双工器的接收滤波器或者天线滤波器时，如日本特开No.2004-252644和2005-130988中所描述的，因为施加给IDT的电压由于多级的串联连接而分散，并且每单位面积的表面声波的激励强度由于IDT面积的扩大而减小，所以可以抑制交叉调制。由于施加给IDT的电压的分散，导致可以改进静电放电(ESD)和电源耐久性。
图13A和图13B示出了第五实施例。图13A示出了IDT图案，而图13B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
关于这个实施例，将第四实施例应用为第二实施例中的前级多模SAW滤波器。在这种情况下，将前级多模SAW滤波器(F1)的输出连接到后级多模SAW滤波器(F2)的布线图案5。
而且，在这个实施例中，如图13B所示，通过将后级多模SAW滤波器(F2)的接地GND端子设置在输入IN端子与输出OUT端子之间，可以减小形成在输入端子与输出端子之间的耦合电容。因为前级多模SAW滤波器(F1)与第四实施例的相同，所以每单位面积的表面声波的激励强度因IDT面积的扩大而减小，因此，可以获得交叉调制的电平受到抑制的效果。
图14A和图14B示出了第六实施例。图14A示出了IDT图案，而图14B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
这个实施例被设置成并联连接多个第五实施例中所示的结构。类似于其它实施例，在这个实施例中，除了减小形成在表面声波器件的输入端子与输出端子之间的耦合电容之外，并联连接还可以分散电流。由此，可以期望改进电源耐久性。在图14A中，作为该实施例，将四个(4)前级多模SAW滤波器(F1)设置成并联的，并将三个后级多模SAW滤波器(F2)设置成并联的，使得前级的滤波器数与后级的滤波器数互不相同。然而，数量可以相等。
如图14B所示，示出陶瓷封装侧的电极排布的图14B与示出第五实施例中的陶瓷封装侧的电极排布的图13B相同。
图15A和图15B示出了第七实施例。图15A示出了IDT图案，而图15B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
这个实施例是设置成按级联方式连接多模SAW滤波器(F1、F2)的结构的示例。通过按镜式对称设置后级多模SAW滤波器(F2)，即使按级联方式连接滤波器，也可以将接地GND图案设置在陶瓷封装上的输入IN端子与输出OUT端子之间(见图15B)。然而，另外如上述日本特开No.2004-194269中所述，发送Tx频带与接收Rx频带之间上升的插入损耗和陡度(形状因数)显著劣化了。
因此，作为前级多模SAW滤波器(F1)，输入IDT和输出IDT被设置成从同一侧引出。由此，可以防止插入损耗和形状因数的劣化，并且可以减小形成在表面声波器件的输入端子与输出端子之间的耦合电容。
作为另一实施例，图16A和图16B示出了第八实施例。图16A示出了IDT图案，而图16B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
该第八实施例是将第七实施例设置成具有用于后级多模SAW滤波器(F2)的均衡输出OUT端子。因为将接地GND端子GND 2设置在这个均衡输出OUT端子与前级多模SAW滤波器(F1)的输入IN端子之间，所以可以减小形成在表面声波器件的输入端子与输出端子之间的耦合电容。
下面说明应用了本发明的表面声波器件相比于常规结构的表面声波器件的应用效果。
图17A和图17B的实施例对应于图14A和图14B所示的第六实施例，并且是后级多模SAW滤波器(F2)未应用本发明的示例性常规结构。图17A示出了IDT图案，而图17B示出了陶瓷封装侧用于芯片倒装安装的电极排布。
因此，比较图14A和图14B所示的第六实施例与图17A和图17B所示的未应用本发明的实施例之间的电气特性。
图18A示出了双工器的示例性结构。图18B示出了根据本发明的第六实施例和采用对比示例作为PCS双工器的接收(Rx)滤波器的发送信号与接收信号之间的隔离特性。
对于在单个封装中将天线滤波器设置成各具有发送滤波器20和接收滤波器30的情况，根据本发明因接收SAW滤波器(Rx)的C_AR减小而改进了发送(Tx)频带衰减量，导致改进了发送(Tx)频带隔离。
在设置成在同一封装中具有发送Tx滤波器20和接收Rx滤波器30的双工器中，除了抑制C_AR之外，抑制C_TR对于发送(Tx)频带隔离特性也是有效的。因此，希望在封装中的发送Tx与接收Rx之间设置接地GND图案。
根据上述事实，如图18B所示，本发明可以满足对于PCS双工器的发送Tx频带隔离所需要的55dB的标准值。
在第六实施例中，将对于减小C_AR有效的接地GND图案用作用于接收(Rx)滤波器30的接地GND图案。当然这个图案还可以用作用于发送(Tx)滤波器20的图案，但其未被共用。
设置在用于发送(Tx)滤波器20的图案与用于接收(Rx)滤波器30的图案之间的接地GND图案，对于减小C_TR也是有效的，设有用于接收(Rx)滤波器30的接地GND图案和用于发送(Tx)滤波器20的接地GND图案，并且这些图案也未被共用。
然而，可以将这些图案共用于(制成相互导电的)调节接地GND电感等。图19A示出了PCS接收滤波器的示例性结构的框图。图19B示出了当改变图14A和图14B所示的第六实施例中的陶瓷封装10的接地GND电感L₁到L₅(韩国PCS接收滤波器)的值时所获得的电气特性。因为通过改变接地GND电感可以使抑制带偏移，所以即使改变了发送Tx频带与接收Rx频带之间的转变宽度(即使改变了系统)，也可以确保衰减量。