双面布线电路板及其制造过程.pdf

本发明提供了一种双面布线电路板，包括：一绝缘层，具有形成于其中的一通孔以及一第一侧面和一第二侧面；一导体层，其形成于该绝缘层第一侧面上；一薄金属膜，其形成于该绝缘层的第二侧面上、该通孔内圆周表面上及位于该通孔内的导体层的一部分上；以及一沉积层，其通过电镀法形成于该薄金属膜上，其中该通孔具有一内圆周壁，该内圆周壁是倾斜的，从而该孔的内径从该绝缘层的第一侧面向第二侧面逐渐增大，并且其中该绝缘层的第一侧面和该内圆周壁之间的倾斜角为40°至70°。也公开了其制造过程。

1、  一种双面布线电路板，包括：
一绝缘层，具有形成于其中的一通孔以及一第一侧面和一第二侧面；
一导体层，其形成于该绝缘层的第一侧面上；
一薄金属膜，其形成于该绝缘层的第二侧面上、该通孔内圆周表面上及位于该通孔内的导体层的一部分上；以及
一沉积层，其通过电镀法形成于该薄金属膜上，
其中该通孔具有一内圆周壁，该内圆周壁是倾斜的，从而该孔的内径从该绝缘层的第一侧面向第二侧面逐渐增大，并且
其中该绝缘层的第一侧面和该内圆周壁之间的倾斜角为40°至70°。

2、  如权利要求1所述的双面布线电路板，其中该薄金属膜是通过非电镀法沉积的一薄膜。

3、  如权利要求1所述的双面布线电路板，其中该薄金属膜是通过溅射法沉积的一薄膜。

4、  一种制造双面布线电路板的过程，包括步骤：
准备一双层基板，该双层基板包括一具有一第一侧面和一第二侧面的绝缘层，以及形成于该绝缘层的该第一侧面上的一第一导体层；
在该绝缘层中形成一通孔，从而暴露该第一导体层，
在该绝缘层的第二侧面上、该通孔内圆周表面上及位于该通孔内的第一导体层的一部分上形成一薄金属膜；以及
在该薄金属膜上通过电镀法沉积一第二导体层，
其中形成该通孔的步骤包括一形成该通孔内圆周壁的步骤，以使得该内圆周壁以40°至70°的角度与该绝缘层的第一侧面相倾斜，从而该孔的内径从该绝缘层的第一侧面向第二侧面逐渐增大。

5、  如权利要求4所述的制造双面布线电路板的过程，其中该薄金属膜通过非电镀法形成。

6、  如权利要求4所述的制造双面布线电路板的过程，其中该薄金属膜通过溅射法形成。

7、  如权利要求4至6中任意一项所述的制造双面布线电路板的过程，其中该绝缘层由一挠性树脂形成。

双面布线电路板及其制造过程
技术领域
本发明涉及一种双面布线电路板，其中被分别设置在一绝缘层两侧的导体层通过形成于该绝缘层上的通孔(通路孔)彼此电连接在一起。本发明还涉及一种制造该双面布线电路板的过程。
背景技术
在布线电路板领域，由于电子设备朝着尺寸和厚度小型化发展的趋势并在蜂窝电话中的应用等，一直存在这样的需求，即在一高频区域减小噪音并增加电路密度等。
为了满足上述要求，已经发展了一种具有多层结构的电路板。该电路板是一种双层电路板，其包括一绝缘层和形成于绝缘层的每一侧的导体层(例如，参见专利文献1)。
在这种双面布线电路板内，有必要形成用于连接由一绝缘层所分隔的导体层的通道。因此，诸如通孔结构(through-hole via structure)及盲孔结构(blindvia structure)的连接结构已被用于实际应用中，以将分别设置在两侧的导体层相互连接起来。
在需要具有精细布线图的双面布线电路板内，可通过采用盲孔结构可使孔的尺寸最小化，这就使得很容易具有一种在其中用导电物质填充孔的结构。盲孔结构的使用可有利地实现产品整体尺寸的减小，布线自由度增加，以及一个布线图向另一布线图的叠加。
在这种双面布线电路板内形成布线图的方法包括加成布线成形法(additive wiring formation method)、半加成布线成形法(semiadditive wiringformation method)以及删减布线成形法(subtractive wiring formation method)。
希望减小双面布线电路板内的布线间距(如50μm或更小的布线间距)。当考虑减小布线间距时，用删减布线成形法以高百分比合格品来形成布线图是很困难的。因此，研究对加成布线成形法和半加成布线成形法的介绍。
图8是示出使用传统半加成布线成形法制造具有盲孔结构的双面布线电路板的步骤示例的示图。
在加成布线成形法中，分别形成于两侧的布线图通过由电镀形成的一沉积层而相互电连接。该沉积层通过如非电镀(electroless plating)或电镀的技术而形成。从形成作为导体层的薄膜的速度而言，电镀法是经常被采用的。
首先，如图8(a)所示，准备由诸如树脂制成的一绝缘层90。随后，如图8(b)所示，通孔90V(开口)形成于该绝缘层90内。通过使用激光束、利用模具冲压、化学蚀刻等技术形成该通孔90V。
如图8(c)所示，然后，由诸如铜箔构成的一导体层91通过粘结剂被叠置到该绝缘层90的一个侧面上。随后，如图8(d)所示，为电镀作准备，一薄金属膜92被形成于该绝缘层90的上侧、该通孔90V的内圆周表面上以及位于该通孔90V内的该导体层91上部的那一部分上。该薄金属膜92是通过非电镀、溅射等方法形成。
随后，如图8(e)所示，一抗电镀层90R形成于薄金属膜92表面的特定区域以及导体层91上。
利用该薄金属膜92作为电镀电极进行电镀，以形成一沉积层90M。之后，剥离位于薄金属膜92和导体层91上的抗电镀层90R，并且如此暴露出来的该薄金属膜92也被移除。
随后，如图8(f)所示，一抗蚀刻层(未显示)形成于该导体层91表面的特定区域上并且该导体层91被蚀刻。在蚀刻该导体层91之后，该抗蚀刻层被移除。从而，分别在该绝缘层90两侧，得到分别由沉积层90M和导体层91形成的布线图。
专利文献1：JP09-186454A
专利文献2：JP2002-299386A
另外，在该薄金属膜92是通过非电镀法形成的情形下，有必要使得一种非电镀液渗入该通孔90V内。
图9是示出根据传统技术已渗入通孔90V内的非电镀液状态的剖面示意图。
如图9(a)所示，当非电镀液92B被渗入通孔90V内时，会出现这种情形，即已进入该通孔90V内的气泡90A被截留到该通孔底端的边缘。当气泡90A如此被截留后，薄金属膜92将不会形成于这些区域，并且这也将在沉积层90M中导致缺陷，如图8(f)所示，该沉积层90M是将在后续步骤中通过电镀法形成的。
从而，一些防止气泡90A被截留在通孔90V内的方法已经被提出(例如，参见专利文献2)。
例如，作为防止气泡90A被截留在通孔90V的方法，已经提出了一种方法，其中如图8(c)中所示，在将绝缘层90和导体层91相叠置时，使用粘结剂以使其突入该通孔90V内。
在此情形下，如图9(b)中所示，不仅在该绝缘层90和导体层91之间形成粘结层90B，而且粘结突起BT形成于该通孔90V内。从而，该通孔90V底端的边缘变成非磨蚀的(non-abrasive)，并因此已进入该通孔90V内的气泡90A不易被截留到该通孔底端边缘。
但是，上述方法仅适用于绝缘层90是通过粘结剂被叠置到导体层91上的情形。
另一方面，当该薄金属膜92通过溅射法形成时，存在这样的情形，即该薄金属膜92更不易于以均匀厚度形成于通孔90V的内圆周表面上。同样在这些情况下，在后续步骤中通过电镀法形成的沉积层90M会产生缺陷。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种双面布线电路板，其可充分地防止在由电镀法形成的沉积层中产生缺陷，并能实现高密度布线图。
本发明的另一目的是提供一种用于制造该布线电路板的过程。
下面的描述将使本发明的其它目的和效果变得明显。
第一方面中，本发明提供了一种双面布线电路板，其包括：
一绝缘层，具有形成于其中的一通孔以及一第一侧面和一第二侧面；
一导体层，其形成于该绝缘层第一侧面；
一薄金属膜，其形成于该绝缘层地第二侧面上、该通孔内圆周表面上以及位于该通孔内的导体层的一部分上；以及
一沉积层，其通过电镀法形成于该薄金属膜上，
其中，该通孔具有一倾斜的内圆周壁，从而该孔的内径从该绝缘层的第一侧面向第二侧面逐渐增大，并且
其中该绝缘层的第一侧面和该内圆周壁之间的倾斜角为40°至70°。
根据本发明第一方面的双面布线电路板中，该通孔形成为具有一内圆周壁，该内圆周壁与绝缘层第一侧面的倾斜角为70°或更小。正因如此，该薄金属膜不仅均匀地形成于该通孔的内圆周表面和位于该通孔的导体层的那部分上，而且在该通孔底端的边缘上该薄金属膜没有缺陷。从而，可充分地防止将要通过电镀法形成于该薄金属膜上的沉积层具有缺陷。
此外，该通孔已形成为其内圆周壁与绝缘层第一侧面具有大于等于40°的倾斜角。正因如此，可防止由于在第一侧面上的通孔面积太小而导致电连接可靠性的降低，而且可防止由于在第二侧面上的通孔面积太大而导致导体层和其它线路之间的短路。
因此，可充分地防止通过电镀法形成的沉积层具有缺陷，并且可实现该导体层的高密度布线图。而且，通过电镀法形成的沉积层和该导体层的电可靠性可得以提高。
该薄金属膜可以是一种通过非电镀法沉积的薄膜。在该情形下，在非电镀液渗入该通孔的过程中就已进入该通孔内的气泡不易于被截留在底端边缘。因此，可充分地防止将要通过电镀法形成的该沉积层具有由所截留的气泡导致的缺陷。
该薄金属膜可以是一种通过溅射法沉积的薄膜。在该情形下，该溅射膜不仅均匀地形成于该通孔的内圆周表面和位于该通孔的导体层的那部分上，而且在该通孔底端的边缘上该溅射膜没有缺陷。从而，可充分地防止将要通过电镀法形成于该喷涂膜上的沉积层具有缺陷。
第二方面中，本发明提供了一种用于制造双面布线电路板的过程，其包括以下步骤：
准备一双层基板，该双层基板包括一具有第一侧面和第二侧面的绝缘层以及形成于该绝缘层的第一侧面上的第一导体层；
在该绝缘层内形成一通孔，从而暴露该第一导体层，
在该绝缘层的第二侧面上、该通孔内圆周表面上及位于该通孔内的第一导体层的那部分上形成一薄金属膜；以及
在该薄金属膜上通过电镀法沉积一第二导体层，
其中，通孔的形成步骤包括形成该通孔内圆周壁的步骤，以使得该内圆周壁以40°至70°的角度与该绝缘层的第一侧面相倾斜，从而该孔的内径从该绝缘层的第一侧面向第二侧面逐渐增大。
根据本发明第二方面的制造双面布线电路板的过程中，该通孔形成为具有一内圆周壁，该内圆周壁与绝缘层第一侧面具有小于等于70°的倾斜角。正因如此，该薄金属膜不仅均匀地形成于该通孔的内圆周表面和位于该通孔的导体层的那部分上，而且在该通孔底端的边缘上该薄金属膜没有缺陷。从而，可充分地防止将要通过电镀法形成于该薄金属膜上的沉积层具有缺陷。
此外，该通孔形成为其内圆周壁与该绝缘层第一侧面具有大于等于40°的倾斜角。正因如此，可防止由于在第一侧面上的通孔面积太小而导致电连接可靠性的降低，而且可防止由于在第二侧面上的通孔面积太大而导致导体层和其它线路之间的短路。
因此，可充分地防止通过电镀法形成的沉积层具有缺陷，并且可以实现该导体层的高密度布线图。而且，通过电镀法形成的沉积层和该导体层的电可靠性可得以提高。
该薄金属膜可以是一种通过非电镀法沉积的薄膜。在该情形下，在非电镀液渗入该通孔的过程中就已进入该通孔内的气泡不易于被截留在底端边缘。因此，可充分地防止将要通过电镀法形成的该沉积层具有由所截留的气泡导致的缺陷。
该薄金属膜可以是一种通过溅射法沉积的薄膜。在该情形下，该溅射膜不仅均匀地形成于该通孔的内圆周表面和位于该通孔内的导体层的那部分上，而且在该通孔底端的边缘上该溅射膜没有缺陷。从而，可充分地防止将要通过电镀法形成于该溅射膜上的沉积层具有缺陷。
该绝缘层可由挠性树脂形成。在该情形下，可以实现一种具有高密度布线图且高可靠性的挠性双面布线电路板。
附图说明
图1(a)-1(c)是示出用于制造根据本发明双面布线电路板的一实施例的流程的步骤的剖面示意图。
图2(d)-2(f)是示出用于制造根据本发明双面布线电路板的实施例的流程的其它步骤的剖面示意图。
图3(g)-3(i)是示出用于制造根据本发明双面布线电路板的实施例的流程的其它步骤的剖面示意图。
图4(j)-4(l)是示出用于制造根据本发明双面布线电路板的实施例的流程的进一步步骤的剖面示意图。
图5(a)-5(c)是示出通孔的形状以及形成这些通孔的方法的示例的剖面示意图。
图6(a)-6(c)是示出示例1-3的双面布线电路板的结构的剖面示意图。
图7(d)-7(e)是示出比较例1和2的双面布线电路板的结构的剖面示意图。
图8(a)-8(f)是示出由传统的半加成布线成形法制造具有一盲孔结构的双面布线电路板的流程的示图。
图9(a)-9(b)是示出已渗入非电镀液的根据传统技术的通孔的状态的剖面示意图。
图中所使用的附图标记或符号分别表示如下：
10a：绝缘层
10b：导体层
10M：沉积层
10V：通孔
12：薄金属膜
具体实施方式
通过参照附图1-7，下面将对根据本发明的双面布线电路板的一个实施例进行说明。
首先说明一种制造所述双面布线电路板的该实施例的过程。图1-4是示出用于制造根据本发明双面布线电路板的一实施例的流程的剖面示意图。
首先，如图1(a)中所示，准备一双层基板10，其包括一绝缘层10a，该绝缘层由诸如树脂制成，以及事先在该绝缘层上层压的一导体层10b，该导体层由诸如铜片制成。在下面的说明中，该双层基板10的绝缘层10a侧被称为上部，而双层基板10的导体层10b侧被称为下部。该绝缘层10a和导体层10b在事先不需要被彼此层压在一起。该绝缘层10a和导体层10b可被彼此压接在一起，或者通过粘结剂等接合在一起。
在此，如图1(b)中所示，在绝缘层10a的特定位置处形成通孔(通路孔)10V。
每一通孔10V具有一个以锥形方式倾斜的内圆周壁，从而该通孔10V的直径从下端到上端逐渐增大。该通孔10V的下端被导体层10b所密封(盲孔结构)。下面将描述该通孔10V的形状及其形成方法。
随后，如图1(c)中所示，一种非电镀液可用于在双层基板10的上部形成一薄金属膜12。这样，在绝缘层10a的上部、在通孔10V的内圆周表面上以及位于通孔10V内的导体层10b上部表面的那部分上形成一薄金属膜12。该薄金属膜12被作为一个电镀电极并用于电镀，这将在后面进行描述。该薄金属膜12可通过溅射、气相沉积或其他技术而形成。
随后，如图2(d)中所示，一抗电镀层10R形成于薄金属膜12表面的特定区域上。抗电镀层10R也形成于导体层10b的下端表面上。
如图2(e)中所示，然后利用作为电镀电极的该薄金属膜12进行电镀，以形成一沉积层10M，随后将对其进行说明。
之后，如图2(f)中所示，薄金属膜12和导体层10b上的抗电镀层10R被剥离，并且如图3(g)中所示，被暴露的该薄金属膜12通过一种化学制品进行软蚀刻而被清除。
用于软蚀刻的化学制品的示例如下。当该薄金属膜是铬时，使用高锰酸水溶液、铁氰化钾水溶液等。当该薄金属膜是铜时，使用硫酸水溶液、硝酸，过(二)硫酸钠或过氧化氢水溶液，以及这些溶液两种或更多的混合物等。当该薄金属膜是镍时，使用硫酸和过氧化氢的混合溶液等。
随后，如图3(h)中所示，在该双层基板10的上侧和导体层10b的特定区域内形成了抗蚀刻层ER。
如图3(i)中所示，该导体层10被诸如氯化铁溶液的化学制品蚀刻。
随后，如图4(j)中所示，该抗蚀刻层ER被清除，从而，通过分别在双层基板10的上侧和下侧获得的沉积层10M和导体层10b分别形成了布线图。
随后，如图4(k)中所示，在绝缘层10a的每一侧形成一绝缘覆盖层SR，以使该沉积层10M和导体层10b仍部分地暴露在外。之后，如图4(l)中所示，在沉积层10M和导体层10b的暴露部分之上通过电镀法形成一沉积层NA，例如镍/金层(Ni/Au)。这样，就制成了根据该实施例的双面布线电路板100。
下面详细描述通孔10V的形状及其形成方法。图5是示出通孔形状的示例及其形成方法示例的剖面示意图。
如图5(a)中所示，图1(b)中所述的通孔10V的内圆周壁和该双层基板10的表面具有40°至70°的角度。形成该通孔10V的方法介绍如下。在下文中，将通孔10V内圆周壁和双层基板10表面之间的夹角称为开口角。
该通孔10V是通过例如使用激光束或基于化学蚀刻的方法形成的。
在利用激光束形成该通孔10V的情形下，施加在绝缘层10a上的激光束能量密度是变化的。从而，该通孔10V可形成为具有40°至70°的开口角。
例如，如图5(b)中所示，当将激光束L调整为具有正好位于图1(a)的绝缘层10a的上表面上的焦点F时，该激光束L以高能量密度进入该绝缘层10a。在此情形下，如图5(b)中虚线所示，该通孔10V的开口角大约为直角。
相反，如图5(c)中所示，当激光束L被调整为具有位于图1(a)的绝缘层10a的上表面上方的焦点F时，则与正好位于图1(a)的绝缘层10a的正上表面的焦点F相比，该激光束L以较低的能量密度进入该绝缘层10a。在此情形下，该通孔10V的开口角为一锐角。即，如图5(c)中虚线所示，该通孔10V具有一倾斜的内圆周壁。
该通孔10V的开口角随该激光束L的能量密度而变化。因此，可通过调整施加到绝缘层10a的激光束L的能量密度而形成具有40°至70°范围开口角的通孔10V。
在图5(c)中所示的方法中，为了调整激光束L的能量密度，该激光束L的焦点F被移动。然而，调整能量密度的方法不应认为限定于此，并且激光束L本身的能量密度也可被调整。此外，可从绝缘层10a的上表面向下移动激光束L的焦点F，虽然其在图5(C)中所述的方法中是向上移动的。
另一方面，将描述通孔10V通过化学蚀刻而形成的情形。在通孔10V由化学蚀刻形成的情形下，绝缘层10a优选为感光材料，例如感光聚酰亚胺。在该情形中，绝缘层10a通过一个具有特定图案的掩膜而暴露在光线下，随后被显影而形成通孔10V。通过适当地改变曝光量、显影温度、显影时间等来调整该通孔10V的开口角。
在绝缘层不是感光材料的情形下，通孔10V可通过将一具有特定开口的防蚀层层压到该绝缘层10a上并向其喷射蚀刻剂而形成。在该情形下，可通过调整蚀刻剂浓度、蚀刻剂温度、蚀刻时间和喷射压力等为该通孔10V形成40°至70°角度范围的开口角。
如上所述，在生产该双面布线电路板的实施例中，通孔10V形成为具有40°至70°的开口角。从而，无论该绝缘层10a是否已通过粘接剂被层压到导体层10b上，这些通孔10V的底端都具有非磨蚀边。正因如此，在通过非电镀而形成薄金属膜12的情形下，已进入该通孔10V内的气泡不易被截留在该通孔底端的边缘上。从而，可充分地防止沉积层10M具有缺陷并可实现高密度的布线图。
而且，由于该通孔10V的锥形形状，具有改进性能的非电镀液和电镀液可渗入该通孔10V内。因此，就可缩短非电镀处理和电镀处理所需时间。
另一方面，在使用溅射法形成薄金属膜12(溅射膜)的情形下，由于每一通孔10V内圆周壁是倾斜的，所以该薄金属膜12倾向于以均匀的厚度形成于该通孔10V的内圆周壁上。从而，可充分地防止沉积层10M具有缺陷并可实现高密度的布线图。
下面解释将通孔10V的开口角调整为40°至70°的原因。
在通孔10V的开口角小于40°的情形下，非电镀液和电镀液渗入该通孔10V内的能力被提高了。而且，溅射法在该通孔10V的内圆周表面上给出了一个具有改进的均匀厚度的薄金属膜12。但是，存在通孔10V底端面积的减小导致电连接可靠性降低的情况。此外，由于这些通孔10V的上端开口处具有增大的面积，于是存在其与临近电路发生短路的可能。
另一方面，在该通孔10V的开口角大于70°的情形下，非电镀液渗入通孔10V内的能力被减小。因此，将出现这样的情形，即气泡被截留在该通孔10V的底端边缘，并且该部分将不会被非电镀所涂敷。而且，将出现这种情形，即溅射法给出的一个形成于通孔10V内圆周壁上的薄金属膜12具有不均匀的厚度或者孔穴。
由于这些原因，在该双面布线电路板的实施例中，该通孔10V的开口角被调整为位于40°至70°的范围内。
作为一实施例的该双面布线电路板具有一盲孔结构。在该情形下，如上文所述，由于通孔10V被薄金属膜12和沉积层10所填充，另一布线图可被叠加到包括沉积层M的布线图上。减小该通孔10V的尺寸，从而减小产品的整个尺寸或提高设计的自由度也是可能的。
作为一实施例的该双面布线电路板100可以是一种柔性双面布线电路板。在此情形下，该双面布线电路板100可被用于各种场合，包括电子设备和信息设备。
在该实施例中，绝缘层10a相当于绝缘层，导体层10b相当于导体层，薄金属膜12相当于薄金属膜，通孔10V相当于通孔。而且，沉积层10M相当于由电镀形成的沉积层，薄金属膜12相当于由非电镀法沉积的薄膜和由溅射法形成的薄膜。而且，导体层10b相当于第一导体层，沉积层10M相当于第二导体层，绝缘层10a相当于挠性树脂。
                           示例
参照附图和比较示例，下面将对本发明进行更为详细地阐述，但是不应认为本发明局限于此。
                          示例1
根据示例1的一种双面布线电路板是通过下述方法生产的。用于生产该双面布线电路板的流程与上述流程相同。
图6(a)是示出示例1的双面布线电路板的结构剖面示意图。
首先，准备一双层基板10，其包括一绝缘层10a和一导体层10b。该绝缘层10a由具有25μm厚度的聚酰亚胺制成，该导体层10b由具有18μm厚度的轧制铜制成。
随后，为了形成每一通孔10V，激光束L被施加到该双层基板10的特定位置。该激光束L的辐射按以下方式进行，即在辐射轴方向上，该激光束L在从绝缘层10a的表面向上移动1.5mm的位置处有一焦点F。从而具有低能量密度的激光束L进入该绝缘层10a。从而，形成了具有底端直径为100μm而开口角为50°的通孔10V。
在该双面布线电路板内，利用导体层10b密封每一通孔10V的底部。即该布线电路板具有一盲孔结构。
随后，在该绝缘层10a的上侧、该通孔10V的内圆周表面上以及位于通孔10V内的导体层10b的上表面的那些部分上，通过溅射法形成了一薄金属膜12(溅射膜)，该薄金属膜12由厚度为300的铬(Cr)和厚度为800的铜制成。
此后，在该薄金属膜12表面的特定区域上通过光刻蚀法形成厚度为15μm的抗电镀层10R。然后进行电解铜电镀，以形成厚度为10μm并具有最小宽度为30μm、最小间隔为30μm的沉积层10M。之后，该抗电镀层10R被剥离，并通过软蚀刻法移除该暴露的薄金属膜12。
在该双层基板10的导体层10b表面上的特定区域上形成厚度为15μm的抗蚀刻层ER。该抗蚀刻层ER是通过光刻蚀法形成的。
随后，进行蚀刻，以形成具有最小宽度为70μm、最小间隔为70μm的导体层10b。此后，该抗蚀刻层ER被移除，从而形成分别由该沉积层10M和导体层10b所制成的布线图。
最后，在其中已形成布线图的基板的特定区域上形成绝缘覆盖层SR，并且被暴露并用作接头的沉积层10M的那部分被电镀一镍/金(Ni/Au)沉积层NA。从而，获得根据示例1的一种双面布线电路板100A。如图6(a)中所示，示例1的双面布线电路板100A中通孔10V的开口角为50°。
                          示例2
除了下文所述之外，根据示例2的一种双面布线电路板是采用与示例1的双面布线电路板100A相同方式制造的。
图6(b)是示出示例2的双面布线电路板的结构的剖面示意图。
在制造根据示例2的双面布线电路板的过程中，通孔10V是按以下述方式形成的。
为了形成每一通孔10V，激光束L被施加到该双层基板10的特定位置上。该激光束L的辐射按以下方式进行，即在辐射轴方向上，激光束L在从绝缘层10a的表面向上移动2.0mm的位置处具有焦点F。从而，形成具有底端直径为100μm而开口角为40°的孔10V(盲孔)。
从而，获得根据示例2的一种双面布线电路板100B。如图6(b)中所示，示例2的双面布线电路板100B中通孔10V的开口角为40°。
                          示例3
除了下文所述之外，根据示例3的一种双面布线电路板是采用与示例1的双面布线电路板100A相同方式制造的。
图6(c)是示出示例3的双面布线电路板的结构的剖面示意图。
在制造根据示例3的双面布线电路板的过程中，通孔10V是按以下述方式形成的。
为了形成每一通孔10V，激光束L被施加到该双层基板10的特定位置上。该激光束L的辐射按以下方式进行，即在辐射轴方向上，该激光束L在从绝缘层10a的表面向上移动0.5mm的位置处具有焦点F。从而，形成具有底端直径为100μm而开口角为70°的孔10V(盲孔)。
这样，获得了根据示例3的一种双面布线电路板100C。如图6(c)所示，示例3双面布线电路板100C中通孔10V的开口角为70°。
                        比较示例1
除了下文所述之外，根据比较示例1的一种双面布线电路板是采用与示例1的双面布线电路板100A相同方式制造的。
图7(d)是示出比较示例1的双面布线电路板的结构的剖面示意图。
在制造根据比较示例1的双面布线电路板的过程中，通孔10V是按以下述方式形成的。
为了形成每一通孔10V，激光束L被施加到该双层基板10的特定位置上。激光束L的辐射是按以下方式进行的，即该激光束L正好在绝缘层10a的表面位置处具有焦点F。从而，形成具有底端直径为100μm而开口角为80°的孔10V(盲孔)。
这样，获得根据比较示例1的一种双面布线电路板100D。如图7(d)所示，比较示例1的双面布线电路板100D中通孔10V的开口角为80°。
                        比较示例2
除了下文所述之外，根据比较示例2的一种双面布线电路板是采用与示例1的双面布线电路板100A相同方式制造的。
图7(e)是示出比较示例2的双面布线电路板的结构的剖面示意图。
在制造根据比较示例2的双面布线电路板的过程中，通孔10V是按以下述方式形成的。
为了形成每一通孔10V，激光束L被施加到该双层基板10的特定位置上。该激光束L的辐射是按以下方式进行的，即在辐射轴方向上，激光束L在从绝缘层10a的表面向上移动2.5mm的位置处具有焦点F。从而，形成具有底端直径为100μm而开口角为30°的孔10V(盲孔)。
从而，获得根据比较示例2的一种双面布线电路板100E。如图7(e)所示，比较示例2双面布线电路板100E中该通孔10V的开口角为30°。
测试
示例1-3以及比较示例1和2的每一双面布线电路板100A-100E都经受浸油测试(oil dip test)。
在浸油测试中，示例1-3以及比较示例1和2的双面布线电路板100A-100E分别受到在室温硅油中浸没一分钟及在260℃硅油中浸没一分钟的测试，总共十次。已经受浸油的双面布线电路板100A-100E被测试在导体(导体层10b和沉积层10M)布线图中的短路情况以及导体电阻的任何变化。这样便可评估该导体的可靠性。
评估
作为浸油测试的一个结果是，即使进行浸油测试后，示例1-3每一双面布线电路板100A-100C的导体布线图内没有发现短路。而且，没有发现导体电阻的改变。从而，可以确定已经获得令人满意的导体可靠性。
相反，在比较示例1的双面布线电路板100D中，在浸油测试后，由于沉积层10M中的故障，通过导体的传导性出现了故障。该沉积层10M破坏的原因被发现是由于在用非电镀形成薄金属膜12的过程中，气泡被截留到通孔10V内造成的。
在比较示例2的双面布线电路板100E中，每一通孔10V具有一个非常大的顶部面积。正因如此，相邻的通孔10V相互重叠，从而导致了短路。
可从上述测试结果和评估看出，双面布线电路板内的通孔10V的开口角最好为40°至70°。
通过形成通孔10V并调整其开口角在上述范围内，可获得一种双面布线电路板，其中可充分地防止在该布线电路板内通过溅射法形成的沉积层具有缺陷并且可实现高密度的布线图。
本发明在以下方面非常有用，即提供一种双面布线电路板以及制造该布线电路板的方法，在该布线板内设置在各侧的导体层通过通孔电连接。
虽然已参照具体实施例对本发明进行了详细描述，但是本领域普通技术人员来说，这一点是很明显的，即在不偏离本发明精神和范围下可对本发明进行各种改变和改进。
本申请基于2003年8月22日提交的日本专利申请No.2003-298283，其内容在此引作参考。