具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构及使用该结构的方法.pdf

本发明大致关于具有嵌入式环形振荡器(20)的散射测量法结构及使用该结构德各种方法。在所列举的一个实施例中，该方法包含有形成由具有用于复数个N沟道晶体管的复数个栅极结构(26)的第一格栅结构(22)和具有用于复数个P沟道晶体管的复数个栅极结构(28)的第二格栅结构(24)构成的环形振荡器(20)、利用散射测量法工具(44)测量在第一格栅结构(22)和/或第二格栅结构(24)中至少其中一个栅极结构的临界尺寸和/或轮廓。在另一个实施例中，该方法更包含有将测量得到的栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较，以便预测环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。在又一个实施例中，该方法还包含有形成至少一个可作为环形振荡器(20)一部分的包含有复数个特性(32)的电容性负载结构(30)，和利用散射测量法工具(44)测量包含电容性负载结构(30)的特性(32)的至少一个临界尺寸和/或轮廓。该方法还包含有将测量得到的特性(32)的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较以便预测环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。

1.  一种方法，其包括：
形成环形振荡器(20)，环形振荡器(20)包括具有用于复数个N沟道晶体管的复数个栅极结构(26)的第一格栅结构(22)和具有用于复数个P沟道晶体管之复数个栅极结构(28)的第二格栅结构(24)；和
利用散射测量法工具(44)测量至少一个所述第一格栅结构(22)和所述第二格栅结构(24)中的至少一个所述栅极结构的至少一个临界尺寸和轮廓。

2.  如权利要求1的方法，其中包含有所述第一格栅结构(22)的所述栅极结构(26)的每一个均电气耦合接至包含有所述第二格栅结构(24)的所述栅极结构(28)。

3.  如权利要求1的方法，其中利用散射测量法工具(44)测量至少一个所述第一格栅结构(22)和所述第二格栅结构(24)中的至少一个所述栅极结构的至少一个临界尺寸和轮廓包括照射所述第一(22)和第二(24)格栅结构的至少一个，且测量从所述第一(22)和第二(24)格栅结构的至少一个所反射的光。

4.  如权利要求1的方法，其中所述的第一格栅结构(22)是由101个栅极结构(26)组成，且其中所述的第二格栅结构(24)是由101个栅极结构(28)组成。

5.  如权利要求1的方法，还包含有将所测量的所述至少一个栅极结构的至少一个临界尺寸和轮廓与模型相比较，以便预测所述环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。

6.  如权利要求5的方法，其中所述至少一个的电气性能特性包括所述环形振荡器(20)的驱动电流和操作频率的至少其中之一。

7.  如权利要求1的方法，还包含有将所述测量的至少一个所述栅极结构的至少一个临界尺寸和轮廓与模型相比较，以便预测所述环形振荡器(20)的至少一个电气性能特性，其中所述模型可使栅极结构的至少一个临界尺寸和轮廓与所述环形振荡器(20)的至少一个电气性能特性产生关联。

8.  如权利要求1的方法，还包括：
形成由复数个特性(32)组成的至少一个电容性负载结构(30)，所述至少一个电容性负载结构(30)可作为所述环形振荡器(20)的一部分；和
利用散射测量法工具(44)测量包含前述电容性负载结构(30)的至少一个所述特性(32)的至少一个临界尺寸和轮廓。

9.  如权利要求8的方法，还包含有将所测量的包含所述电容性负载结构(30)的至少一个所述特性(32)的至少一个临界尺寸和轮廓与模型相比较，以便预测所述环形振荡器(20)的至少一个电气性能特性。

10.  如权利要求8的方法，还包括将所测量得到的包含所述电容性负载结构(30)的至少一个所述特性(32)的至少一个临界尺寸和轮廓与模型相比较，以便预测所述环形振荡器(20)的至少一个电气性能特性，所述的模型使包含所述电容性负载结构(30)的特性的至少一个临界尺寸和轮廓与所述环形振荡器(20)的至少一个电气性能特性相关联。

11.  如权利要求10的方法，其中所述至少一个电气性能特性包括所述环形振荡器(20)的驱动电流和操作频率的至少其中之一。

12.  如权利要求8的方法，其中利用散射测量法工具(44)测量包含所述电容性负载结构(30)的至少一个所述特性(32)的至少一个临界尺寸和轮廓，包括照射包含所述电容性负载结构(30)的所述特性(32)且测量从所述特性(32)反射的光。

13.  如权利要求8的方法，其中所述电容性负载结构(30)包含有复数个线形式的特性。

具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构及使用该结构的方法
技术领域
本发明通常涉及半导体制造技术，更具体地，是涉及具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构及使用该结构的各种方法。
背景技术
半导体工业中有一个持续不断的趋势就是增加集成电路器件，即微处理器、存储器件等的操作速度。这个趋势是因为使用者对以愈来愈快的速度操作的计算机和电子设备的要求而激发出来的。这种对增加速度的要求已经导致持续减少如晶体管等半导体器件的尺寸。也就是说，典型场效应晶体管(FET)的许多构成要素，如沟道长度、结深度、栅极绝缘厚度等等均需降低。举例而言，假设所有其它构成要素均不变，晶体管的沟道长度愈小，晶体管的操作速度愈快。因此，目前持续不断的趋势就是通过降低典型晶体管的构成要素的尺寸或比率以便增加晶体管的整体速度，以及整合有该晶体管的集成电路器件的速度。
有鉴于器件性能的重要性，集成电路制造商花费很多的时间和努力尝试维护和改善器件的能力。这些努力通常包含有对已经完成的集成电路器件执行各种电子测试。此种测试可测量所生产器件的各种电子参数，如操作频率、驱动电流、电阻率等等。集成电路制造商持续尝试依据此电子测试数据的分析改善器件的设计和用于形成此器件的制造工艺。
有关如微处理器等某些集成电路产品，环形振荡器通常用于评估集成电路器件的操作速度。图1A中显示了所列举的环形振荡器10。如图中所显示，环形振荡器10通常包含有串联连接且将最上游反相器12的输出端耦合接至最下游反相器12输入端的复数个反相器12。在给定的环形振荡器10中反相器12的数目可随着所制造产品而改变。举例而言，在所列举的环形振荡器10中反相器12的数目可以是53或101。
图1B显示了所列举反相器12的详细图标。如图中所显示，每一个反相器12通常包含有P沟道晶体管14P和N沟道晶体管14N。最后，在其结构完成后会对环形振荡器10执行各种电子测试以便决定所产生的集成电路器件的性能特性。可是，这些测试结果必须等到环形振荡器10和其它集成电路已经制造完成之后才可取得。也就是说，这种电子测试结果并无法如所预期的可以快速取得以便对其进行分析和回馈。
为了可以预测器件性能，花费很多的努力在测量构成环形振荡器10的反相器12的一个或多个晶体管(P型和/或N型)的栅极结构(未显示)的邻临界尺寸。通常，这些临界尺寸(“CD”)的测量是利用扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)或其它此类测量工具进行的。可是，因为尺寸的持续缩减，在某些情况下，栅极结构的临界尺寸很难通过使用现有SEM测量工具而决定。在未来假如栅极结构的临界尺寸持续降低则此问题可能会变得更明显。再者，随着在衬底上所形成的数百万个栅极结构的邻接距离更加接近和SEM的固有特性，利用SEM获得的数据并无法提供有关栅极结构全部轮廓的信息。也就是说，因为额外的噪声和接口，SEM仅可以用于获得大约中等厚度水平的栅极。因此，利用现有的SEM测量工具无法轻易检查邻近衬底表面的栅极的轮廓。所以可能会遗失如栅极的临界尺寸和/或轮廓等重要信息，因而对器件的性能产生影响。
本发明是有关于环形振荡器结构和使用该结构的各种方法，其可以解决或至少降低前述的部分或全部问题。
发明内容
本发明通常是有关于具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构，及使用该结构的各种方法。在所列举的一个实施例中，该方法包含有形成由具有用于复数个N沟道晶体管的复数个栅极结构的第一格栅结构和具有用于复数个P沟道晶体管的复数个栅极结构的第二格栅结构构成的环形振荡器，和利用散射测量法工具在至少一个第一格栅结构和第二格栅结构中测量至少一个栅极结构的临界尺寸和/或轮廓。在另一个实施例中，该方法还包含有将所测量地栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较，以便预测环形振荡器的至少一个电气性能特性，其中该模式提供栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与环形振荡器至少一个电气性能特性之间的关联性。
在另一个实施例中，该方法更包含有形成至少一个可作为环形振荡器一部分的包含有复数个特性的电容性负载结构，和利用散射测量法工具测量包含电容性负载结构的特性的至少一个的临界尺寸和/或轮廓。在又一个实施例中，该方法还包含有将所测得的包含电容性负载结构的特性的至少一个的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较，以便预测环形振荡器的至少一个的电气性能特性，其中该模式提供含有电容性负载结构的特性的临界尺寸和/或轮廓与环形振荡器至少一个的电气性能特性之间的关联性。
附图说明
结合附图阅读下面的说明可更加了解本发明，在此相同的参考数字将用于标示相同组件，且其中：
图1A至1B是现有技术的环形振荡器的示意图；
图2A至2B是用于描述依据本发明的环形振荡器的各种示例性实施例的示意图；
图3A至3B给出了依据本发明一个方面的由复数个栅极结构组成的格栅结构，和使用该结构的散射测量法工具；和
图4给出了依据本发明一个实施例的系统的实施方式。
尽管通过附图和下面详细说明已经显示了本发明，但可对本发明进行各种修改和替换。但是应当理解，在此对具体实施例的说明并不是用于将本发明限制在所公开的具体形式，相反地，本发明涵盖落于由所附权利要求限定的精神和范围内的所有修改、等量物和替代物。
具体实施方式
下文中将说明本发明的示例性实施例。为了简洁明了，在此说明书中将不说明实际应用时的所有特性。可了解的是在开发任何此类实际的实施例时，为了达到开发者特殊的目的必须执行各种具体实施的决策，如满足系统相关和商业相关的各种限制，这些限制将因实施的不同而不同。再者，很明显地此种开发努力可能是复杂且费时的，但是对那些从此公开获益的本领域普通技术人员而言将仅是一种例行性工作。
将参考所附图示说明本发明。虽然在图示中尽可能以非常精确和明显的配置和轮廓显示半导体器件的各个部分和结构，但本领域技术人员应该能够了解事实上图示中并无法如实际应用那么精确地标示。除此之外，与那些制造在器件上的特性或区域的尺寸相比较图示中所示各种特性的相关尺寸可能夸大或缩小。所以附图仅是用于描述和说明本发明所举例的实施例。
通常，本发明是有关于具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构及使用该结构的各种方法。本领域普通技术人员通过阅读本申请之后将很明显可以得知本方法可应用在各种技术中，例如，NMOS、PMOS、CMOS等，且该方法很容易应用于各种不同形式的器件中。
图2A是依据本发明一个实施例的环形振荡器20的示意图。如先前所描述，典型的环形振荡器是由复数个反相器构成，在此每一个反相器均是由一个N沟道晶体管和一个P沟道晶体管组成。每一个晶体管均具有栅极。如图2A所显示的实施例中，用于环形振荡器20的N沟道晶体管的栅极结构26₁至26_n构成第一格栅结构22，同时用于P沟道晶体管的栅极结构28₁至28_n则构成第二格栅结构24。如图2A中所显示，N沟道和P沟道晶体管被配对以定义反相器。举例而言，当完成时，将N沟道晶体管26₁和P沟道晶体管28₁电气耦合在一起以便形成环形振荡器20的一个反相器。将其它N沟道和P沟道晶体管以相同方式配对。构成环形振荡器20的晶体管配对数目可随着所建构产品而改变，因此使用编号“n”分别标示第一格栅结构22和第二格栅结构24的最后一个栅极结构26_n和28_n。为了方便参考，利用参考数字26和28分别集中或单独标示栅极结构26₁至26_n和28₁至28_n。
本领域技术人员将了解连接图2A中所显示栅极结构的线仅希望表达该对晶体管已经电气耦合在一起。本领域技术人员应该知道及了解晶体管对耦合在一起的真正方式。举例而言，对一对给定的N沟道和P沟道晶体管，可通过将P沟道器件的源极耦合接至电源电压(Vdd)，P沟道器件的漏极耦合接至N沟道器件的漏极，且将N沟道器件的源极耦合接至接地端来实现该对晶体管的连接。除此之外，将下游反相器的输入端，即，下一对N沟道晶体管和P沟道晶体管，耦合接至前一个N沟道和P沟道晶体管的漏极。因此，当电流流经第一个反相器时，可立刻为相邻下游反相器提供输入。图中省略其详细的接线细节以便防止混淆本发明。
图2A中所显示的环形振荡器20是显示各N沟道和P沟道晶体管的栅极结构26₁至26_n和28₁至28_n均已经形成。本领域技术人员均应该非常了解该结构的材料和如何形成这些晶体管的方法。举例而言，典型晶体管是由栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、相邻栅极形成的一个或多个侧壁间隔、和通过执行一次或多次离子注入工艺而在衬底上形成的复数个源极/漏极区。因为与栅极结构有关，所以也可能包含有各种材料，如金属、多晶硅，且可能具有从150纳米至400纳米范围内的厚度。栅极结构的临界尺寸因为半导体制造工艺的技术不断进步而持续缩小。目前，此种栅极结构所具有的临界尺寸大约在70至180纳米的范围内，且在未来预期会更加缩小。此种栅极结构可利用各种技术形成，例如，通过沉积一层材料并执行一次或多次蚀刻工艺以定义栅极结构而形成。如先前所述，图2A中所显示的环形振荡器20中用于N沟道器件的栅极结构26₁至26_n和用于P沟道器件的栅极结构28₁至28_n均已经通过各种已知工艺而形成。在其后的处理操作中，将形成此种晶体管的额外特性，如源极/漏极区、侧壁间隔等。
通常，在一个方面，本发明包含形成由N沟道栅极结构26₁至26_n组成的第一格栅结构22和由P沟道栅极结构28₁至28_n组成的第二格栅结构24，和利用散射测量法工具测量一个或多个栅极结构(P沟道和/或N沟道)的临界尺寸和/或轮廓。在另一方面，本发明包含有测量栅极结构的临界尺寸和/或轮廓，依据这些测量结果预测环形振荡器和/或已完的成集成电路的电气性能。最后一个方面，本发明包含有比较所测量的栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与模型，以便使实际测量数据和先前所制造的环形振荡器结构的各种电气性能的测试数据相关联。稍后在本申请中将更详细讨论这些方法的细节。
图2B显示依据本发明的环形振荡器20的另一实施例的示意图。如图中所显示，电容性负载30已经形成且耦合接至已经配对的每一对N沟道和P沟道晶体管。通常，希望利用电容性负载结构30表示集成电路操作时可能产生的电容性负载。导致电容性负载的因素有很多，例如，在相连金属线之间的电容耦合等等。简单的说，在环形振荡器20上设置此种电容性负载结构30以便可依据环形振荡器20的测试更精确预测器件的性能。
电容性负载结构30可能包含有复数个线形式的特性32，例如，金属线、多晶硅线等等。线32的实际尺寸和间隔会随着用于构成环形振荡器20反相器的已配对的N沟道和P沟道晶体管对所需的电容性负载而改变。电容性负载结构30也定义可利用散射测量法工具测量的格栅结构34。当然，电容性负载结构30并不需要耦合接至每一对已配对的晶体管对。再者，在使用电容性负载结构30的所有已配对的晶体管对中的电容性负载结构30不必完全相同。也就是说，作用在各已配对的晶体管对中的电容性负载是可以改变的。除此之外，电容性负载结构30可以任何所需方式耦合接至环形振荡器20的N沟道和/或P沟道晶体管。在所列举的实施例中，每一个电容性负载结构30均同时耦合接至N沟道和P沟道晶体管的输入端。可是，假如需要，电容性负载结构30可电气耦合接至N沟道和P沟道晶体管的唯一一个。
如先前所述，将使用散射测量法工具测量一个或多个栅极结构26₁至26_n或28₁至28_n的临界尺寸和/或栅极轮廓。图3A至3B所列举的范例显示将利用由光源43和探测器45组成的散射测量法工具44测量构成第一格栅结构22的栅极结构26₁至26_n。如图3A中所显示，第一格栅结构22包含有复数个栅极结构26₁至26_n，其具有临界尺寸21和间距23，且此二变量均是可改变的。举例而言，间距23可在400至750纳米之间变动。图3A中也显示在晶片或衬底29上形成有栅极绝缘层27。图3A中所显示的栅极结构26₁至26_n因为用于形成此种栅极结构26₁至26_n的蚀刻工艺的固有特性而有些倾斜。在某些情况下，栅极结构26₁至26_n的轮廓并不如所期待那么精准。也就是说，栅极结构26₁至26_n可能出现如钻蚀或做底等问题，但是这些情况并不会出现附图中。可是，此种做底或钻蚀可能导致性能降低。因此，检测和校正此问题是很重要的。
根据设计需求可以改变格栅结构22的大小、形状和结构。举例而言，可在尺寸大约为100微米×120微米的区域内形成格栅结构22，且其可包含有大约50至150个栅极结构26(由环形振荡器20内反相器数目决定)。最后，利用散射测量技术测量格栅结构22，且这些测量结果将用于决定构成格栅结构22的栅极结构26的临界尺寸21和/或轮廓。再者，栅极结构的临界尺寸21和/或轮廓的散射测量结果将用于预测环形振荡器20和/或所完成的集成电路器件的电气性能。
可在本发明一个实施例中使用的系统50显示在图4中。系统50包括散射测量法工具44和控制器58。如图4中所显示，晶片51表示一个或多个在已经形成分别包含栅极结构26₁至26_n、28₁至28_n的第一和第二格栅结构22、24的制造阶段的晶片。
本发明可使用各种散射测量法工具44，例如所谓的2θ型系统和透镜型散射测量法工具。散射测量法工具44随着特殊应用可使用白光或其它波长或多种波长组合而成的光。通常，散射测量法工具44会产生具有很宽光谱合成的入射光束，且其中光强度改变速度较波长改变速度慢。光的入射角也会随着特殊应用而改变。由散射测量法工具44产生的轮廓轨迹是以光强度和波长的比较(用于白光、固定角类型的散射测量法工具)，或强度和入射角的比较(用于使用单光源的以角度决定系统)为基础。
本领域技术人员应该已经了解利用散射测量法工具和技术测量格栅结构的细节。然而，仍会在本发明的内容中提供此种测量的简要讨论。通过使用散射测量法，(利用马克斯威尔方程式)可为很多的变化计算与栅极结构26、28的特殊临界尺寸21和/或轮廓相关的光特性轨迹，就算不是全部的变化，也可以为设计和/或制造工艺所预期的可能临界尺寸变动和轮廓变动计算此光特性轨迹。这些轨迹可储存在数据库内。
在栅极结构26、28的临界尺寸和/或轮廓内的变动会导致来自散射测量法工具44光源43的入射光的衍射特性产生严重改变。因此，利用马克斯威尔方程式可为设计和制造工艺所预期的各唯一临界尺寸和/或轮廓建立唯一的轨迹。可计算对应于各预期栅极结构的临界尺寸和/或轮廓的轨迹数据库且将其储存在数据库内。通过此技术，在数据库内的各轨迹可表示由具有已知临界尺寸或轮廓的栅极结构26、28组成的格栅结构。很明显地，用于产生数据库的栅极结构临界尺寸和/或轮廓的数目可随着设计需求而改变。再者，临界尺寸和/或轮廓的数目愈多，包含此种数据的数据库愈大。
本发明可用于使由具有未知临界尺寸和/或轮廓的环形振荡器20的复数个栅极结构26、28组成的格栅结构的测量轨迹与该轨迹数据库相关联或相匹配，在此数据库内的每一个轨迹均对应于一个由具有已知临界尺寸和/或轮廓栅极结构组成的格栅结构。散射测量法工具44可依据特殊应用测量在给定晶片的每一个芯片上的一个或多个格栅结构22、24。再者，可将从格栅结构22、24样品测量到的轨迹平均或进行统计分析。散射测量法工具44(或一些在制造工厂内设置的其它控制器，例如控制器58)比较所测量轨迹(即，个别或平均)与具有已知栅极结构临界尺寸和/或轮廓的轨迹数据库，以便使目前所测量轨迹和数据库内轨迹相关联或几乎吻合。当确定吻合时，散射测量法工具44(或其它控制器)提供与在所测量格栅结构内的栅极结构临界尺寸和/或轮廓相关的数据。举例而言，散射测量法工具44可依据在数据库内相吻合的轨迹输出数据，表示在所测量格栅结构内的栅极结构具有特定的临界尺寸21。各种数据输出的标准和格式均是可能的。依据比较结果，可决定构成所测量格栅结构22、24的先前未知栅极结构的临界尺寸和/或轮廓。
在另一个实施例中，可产生使环形振荡器20的栅极结构26₁至26_n、28₁至28_n的实际特性与环形振荡器20的电气测试数据相关的模块。也就是说，对一些环形振荡器20而言，可测量作为环形振荡器20一部分的栅极结构26₁至26_n、28₁至28_n的实际特性。其后，所测量的环形振荡器20将接受各种电气测试以便决定环形振荡器20的各种性能特性，例如操作频率。依据这些数据，可产生模块56(参考图4)，其使栅极结构26₁至26_n、28₁至28_n所测量到如临界尺寸、轮廓等的实际特性与所产生电气测试数据相关联。可利用各种已知分析方法和技术产生模块56。举例而言，线性逼近电子环形振荡器速度与利用散射测量技术所测量特性的临界尺寸相对。依据这些关联性，可在栅极结构26₁至26_n、28₁至28_n形成后环形振荡器20完成前测量其临界尺寸和/或轮廓，且其实际测量数据可用于预测环形振荡器20本身的性能特性。也就是说，本发明允许在制造程序的相当早期就可以通过利用散射测量法工具44进行环形振荡器20栅极结构26₁至26_n、28₁至28_n的某些实际特性测量而预测该器件的性能。
在所列举实施例中，控制器58是可利用软件编程以便实现此处所描述功能的计算机。再者，控制器58所描述的功能可通过一个或多个分布在系统内的控制器而执行。举例而言，控制器58可以是制造用控制器，用于控制全部或部分半导体制造工厂的处理操作。另一方面，控制器58也可以是计算机，用于仅控制制造工厂的部分或基本程序。再者，控制器58也可以是独立的装置，或可以存在于散射测量法工具44中。
针对电容性负载结构30可使用类似的方法。也就是说，可通过先前所描述的利用散射测量法工具44对格栅结构22、24进行散射测量的相同方法测量由定义格栅结构34的如线等特性32构成的电容性负载结构30。构成格栅结构34的特性32的临界尺寸和/或轮廓是与环形振荡器20的电气测试数据相关联。通过建立此关联性，可在其形成后测量电容性负载结构30，且与构成格栅结构34的特性32的临界尺寸和/或轮廓相关的信息可用于预测所产生环形振荡器20和/或整体电路器件的电气特性。电容性负载结构30的测量可与分别包含有栅极结构26、28的格栅结构22、24的测量同时进行或分开进行。总而言之，电容性负载结构30和栅极结构26、28的实际特性的散射测量可提供更详细信息用于协助环形振荡器20和整体器件的电气性能特性的预测。
本发明的部分及其相对应细节是以软件方式表述，或以对计算机存储器内数据位的操作的算法和符号表示。这些说明和表述是本领域普通技术人员将其工作实质有效传递给其它本领域普通技术人员的方法。如其在此所使用或其一般所使用的算法，是为了得到所希望结果而有条理执行的一串步骤。这些步骤是对实际物理量进行实际操作所需的步骤。通常，虽然不是绝对必要，这些物理量的形式可以是能够储存、转移、合成、比较、及其它操作的光学、电子、或磁信号。已经证明有时为了共同使用的方便性，是以位、值、组件、符号、专有名词、数目等形式提到这些信号。
可是应该可以了解上述及其类似术语均是与适当的物理量相关的，且仅是为这些物理量提供的方便符号。除非特别说明，或从下列讨论中可明显得知，如“处理”或“计算机计算”或“计算”或“决定”或“显示”等有关于计算机系统或类似电子计算装置的动作和程序，其处理计算机系统的寄存器和存储器内作为物理量的数据且将其转换成如同计算机系统存储器或寄存器或其它此种信息储存、传输或显示装置内所显示的其它数据。
本发明通常有关于具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构及使用该结构的各种方法。在所列举的一个实施例中，该方法包含有形成由具有用于复数个N沟道晶体管的复数个栅极结构的第一格栅结构和具有用于复数个P沟道晶体管的复数个栅极结构的第二格栅结构构成的环形振荡器，和利用散射测量法工具测量在第一格栅结构或第二格栅结构中至少一个栅极结构的临界尺寸和/或轮廓。在另一个实施例中，该方法还包含将所测量的栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较以便预测环形振荡器的至少一个的电气性能特性，其中该模式中提供栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与环形振荡器的至少一个的电气性能特性之间的关联性。进一步，其可用于预测已完成的集成电路器件的性能特性。
在另一个实施例中，该方法还包含形成至少一个可作为环形振荡器一部分的包含有复数个特性的电容性负载结构，和利用散射测量法工具测量包含电容性负载结构的特性的至少一个的临界尺寸和/或轮廓。在又一个实施例中，该方法还包含将所测得的特性的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较，以便预测环形振荡器的至少一个的电气性能特性，其中该模式提供包含电容性负载结构的特性的临界尺寸和/或轮廓与环形振荡器的至少一个的电气性能特性之间的关联性。
上述特殊实施例仅是作为说明用，因为对从此公开获益的本领域技术人员而言通过以不同但等量方式修改及实现本发明是显而易见的。举例而言，可以不同的顺序执行在前文中所提出的工艺步骤。再者，不希望对在此所显示的建构和设计细节设限，除了在所附权利要求内所说明的。因此很明显地上述具体实施例是可以替换或修改的，且所有的这些变动均视为在本发明的范围和实质内。因此，在此所寻求的保护包含在下文中所提出的权利要求内。