电子喷射装置及离子注入装置.pdf

本发明提供一种可喷出低能量电子从而减轻了维护负担的电子喷射装置及具有该电子喷射装置的离子注入装置。本发明的电子喷射装置(1)具有舱室(22)，该舱室(22)沿着规定的闭曲线(Ax)延伸并具有由导体构成的第一部分(22a)和由绝缘体构成的第二部分(22b)。在第一部分(22a)的外侧设置有线圈(18)，从而在与规定的闭曲线(Ax)所形成的面交叉的方向上形成磁场。通过该磁场，线圈(18)与舱室(22)感应耦合。由于惰性气体的等离子体主要通过感应耦合在舱室(22)生成，因此等离子体中的电子具有低能量。这里，向电极(21)施加电压时，舱室(22)内的具有低能量的电子将从开口(14)喷出。

1.  一种电子喷射装置，该装置用于离子注入装置中，并生成电子，其特征在于，
所述电子喷射装置包括：
舱室，该舱室沿着规定的闭曲线延伸，并具有用于喷出所述电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的第一部分、以及由绝缘体构成的第二部分；
磁场形成部件，该部件设置于所述第一部分的外侧，并在与所述规定的所述闭曲线所形成的面交叉的方向上形成磁场；
电极，该电极设置于所述舱室内。

2.  如权利要求1所述的电子喷射装置，其特征在于，
所述舱室通过绝缘体支撑所述电极，
所述电极沿着所述规定的闭曲线延伸。

3.  一种电子喷射装置，该装置用于离子注入装置中，并生成电子，其特征在于，
所述电子喷射装置包括：
环状的舱室，该舱室具有用于喷出所述电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的筒形的第一部分、以及与所述第一部分连接并由绝缘体构成的筒形的第二部分；
磁场形成部件，该部件设置于所述第一部分的外侧，并在与所述环状的舱室所形成的面交叉的方向上形成磁场；
电极，该电极设置于所述舱室内。

4.  如权利要求3所述的电子喷射装置，其特征在于，
所述舱室通过绝缘体支撑所述电极，
所述电极沿着所述舱室延伸。

5.  如权利要求1至4中任一项所述的电子喷射装置，其特征在于，
所述电子喷射装置还包括：与所述电极电连接的阴极电源，以及与所述磁场形成部件电连接的高频电源。

6.  一种电子喷射装置，该装置用于离子注入装置中，并生成电子，其特征在于，
所述电子喷射装置包括：
舱室，该舱室沿着规定的闭曲线延伸，并具有用于喷出所述电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的第一部分、以及由绝缘体构成的第二部分；
磁场形成部件，该部件设置于所述第一部分的外侧，并在与所述规定的所述闭曲线所形成的面交叉的方向上形成磁场；
端子，该端子与所述第一部分电连接。

7.  一种电子喷射装置，该装置用于离子注入装置中，并生成电子，其特征在于，
所述电子喷射装置包括：
环状的舱室，该舱室具有用于喷出所述电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的筒形的第一部分、以及与所述第一部分连接并由绝缘体构成的筒形的第二部分；
磁场形成部件，该部件设置于所述第一部分的外侧，并在与所述环状的舱室所形成的面交叉的方向上形成磁场；
端子，该端子与所述第一部分电连接。

8.  如权利要求6或7所述的电子喷射装置，其特征在于，
所述电子喷射装置还包括：与所述端子电连接的阴极电源，以及与所述磁场形成部件电连接的高频电源。

9.  如权利要求1至8中任一项所述的电子喷射装置，其特征在于，所述磁场形成部件是将导线缠绕在由磁性体构成的芯上的线圈。

10.  如权利要求1至9中任一项所述的电子喷射装置，其特征在于，所述舱室具有由绝缘体构成的第三部分。

11.  一种离子注入装置，包括：权利要求1至10中任一项所述的电子喷射装置、供离子束通过的管，其中，所述管的侧壁具有开口，所述管的所述开口与所述电子喷射装置的所述舱室的所述开口连通。

12.  如权利要求11所述的离子注入装置，其特征在于，
所述舱室具有另外的开口，
所述管的所述侧壁具有另外的开口，
所述管的所述另外的开口与所述舱室的所述另外的开口连通。

13.  如权利要求11或12所述的离子注入装置，其特征在于，所述惰性气体包含稀有气体和氮气中的至少一种。

电子喷射装置及离子注入装置
技术领域
本发明涉及一种电子喷射装置(electron flood apparatus)及离子注入装置。
背景技术
为了向衬底中导入搀杂物，要利用离子注入装置。在离子注入工艺中，由于被注入到衬底中的离子通常为阳离子，因此，在衬底的绝缘层表面沉积正的电荷。若由于所述沉积电荷而使施加到绝缘层上的电压超过绝缘破坏电压，则器件将受损伤。
在离子注入装置中，通常具有供应用于中和衬底沉积电荷的电子的电子喷射装置。作为这种电子喷射装置例如已知有具有钨等灯丝的电子喷射装置。
然而，使用灯丝的电子喷射装置存在由于来自灯丝的异物而容易被污染的问题，以及灯丝的寿命短的问题。因此，作为解决这些问题的电子喷射装置已知有被称为等离子体喷射系统等的电子喷射装置(例如，参见日本专利申请特开平11-73908号公报)。
图8是被称为等离子体喷射系统等的电子喷射装置的剖面图。所述电子喷射装置包括绝缘体的舱室155、设置于舱室155内的电极215。舱室155例如用氧化铝、石英、BN、蓝宝石等制造。舱室155具有开口165，该开口165与设置于管135的侧壁上的开口145连通，所述管135供离子束IB5通过。
从供应口175向舱室155内供应Ar气体。线圈185缠绕在舱室155外周上，并经阻抗匹配电路205与RF电源195连接。通过从RF电源195供应的RF电能在舱室155内生成Ar气体的等离子体。这里，若使用电源225向电极215施加电压，则等离子体中的电子将从开口165被供应到管135内。
然而，电子喷射装置为中和由离子注入所产生的衬底上的正电荷而产生电子。若该电子具有高能量，则不仅中和沉积在衬底上的正电荷，而且还会在衬底上沉积负电荷。并由所述沉积的负电荷产生充电电压。
另一方面，随着半导体器件的微小化，绝缘层的绝缘破坏电压也逐渐变低。为了不破坏器件，需要使衬底的充电电压不超过绝缘破坏电压。
然而，本发明的发明人进行研究的结果是，明确了在图8所示的电子喷射装置中，在舱室155内所生成的等离子体中的电子具有高能量。在所述电子喷射装置中，由于舱室155是由绝缘体构成的，因此，不仅是线圈185所生成的磁场，电场也将从舱室155外贯穿至舱室155内。由于基于该电场的电容耦合有助于等离子体的生成，因此，可认为等离子体中的电子具有高能量。
此外，在图8所示的电子喷射装置中，若在舱室155内生成等离子体，则构成电极215的导电物质的粒子通过飞溅附着到舱室155的壁的内表面。由于这种现象，舱室155的壁的内表面将逐渐被导电物质所覆盖。因此，通过法拉第屏蔽，电场将无法从舱室155的外部侵入到舱室155的内部。从而，将无法维持舱室155内的等离子体，因此需要除去导电物质。于是，在图8所示的电子喷射装置中，维护负担很大。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种电子喷射装置及具有所述电子喷射装置的离子注入装置，所述电子喷射装置可喷出低能量电子，从而减轻了维护负担。
为了解决上述的问题，本发明的电子喷射装置是一种用于离子注入装置中并生成电子的装置，该装置包括：(a)舱室，该舱室沿着规定的闭曲线延伸，并具有用于喷出电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的第一部分以及由绝缘体构成的第二部分；(b)磁场形成部件，该部件设置于第一部分的外侧，在与规定的闭曲线所形成的面交叉的方向上形成磁场；(c)电极，该电极设置于舱室内。
根据所述电子喷射装置，通过磁场形成部件所形成的磁场与规定的闭曲线所形成的面交叉。通过该磁场，舱室与磁场形成部件感应耦合，从而在舱室内生成惰性气体的等离子体。另一方面，通过磁场形成部件所形成的电场不能贯穿由导体构成的第一部分。
由此，抑制了基于电容耦合的等离子体，在舱室内主要生成基于感应耦合的等离子体。因此，等离子体中的电子具有低能量。因此，若使电极的电位为负，则等离子体中的具有低能量地电子将从开口喷出。
此外，舱室通过绝缘体支撑所述电极，电极沿着规定的闭曲线延伸。在这种情况下，由于舱室延伸，所以能够延长电极。由此，能够增大电极的表面积，进而可增大从开口喷出的电子的发射。
此外，本发明的电子喷射装置是一种用于离子注入装置中并生成电子的装置，该装置包括：环状的舱室，该舱室具有用于喷出电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的筒形的第一部分、以及与第一部分连接并由绝缘体构成的筒形的第二部分；磁场形成部件，该部件设置于第一部分的外侧，并在与环状的舱室所形成的面交叉的方向上形成磁场；电极，该电极设置于所述舱室内。
根据所述电子喷射装置，通过磁场形成部件所形成的磁场与环状的舱室所形成的面交叉。通过该磁场，舱室与磁场形成部件感应耦合，从而在舱室内生成惰性气体的等离子体。另一方面，通过磁场形成部件所形成的电场不能贯穿由导体构成的第一部分。
由此，抑制了基于电容耦合的等离子体，在舱室内主要生成基于感应耦合的等离子体。因此，等离子体中的电子具有低能量。这里，若使电极的电位为负，则等离子体中的具有低能量的电子将从开口喷出。
此外，舱室通过绝缘体支撑所述电极，电极沿着舱室延伸。在这种情况下，由于舱室延伸，所以能够延长电极。由此，能够增大电极的表面积，进而可增大从开口喷出的电子的发射。
此外，所述电子喷射装置还包括与电极电连接的阴极电源以及与磁场形成部件电连接的高频电源。若从高频电源向磁场形成装置提供电能，并向舱室内导入惰性气体，则在舱室内通过感应耦合生成等离子体。这里，通过控制由阴极电源施加到电极上的电压，可以控制从开口喷出的电子的发射。
此外，本发明的电子喷射装置是一种用于离子注入装置中并生成电子的装置，该装置包括：(a)舱室，该舱室沿着规定的闭曲线延伸，并具有用于喷出电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的第一部分、以及由绝缘体构成的第二部分；(b)磁场形成部件，该部件设置于第一部分的外侧，并在与规定的闭曲线所形成的面交叉的方向上形成磁场；(c)端子，该端子与第一部分电连接。
根据所述电子喷射装置，通过磁场形成部件所形成的磁场与规定的闭曲线所形成的面交叉。通过该磁场，舱室与磁场形成部件感应耦合，从而在舱室内生成惰性气体的等离子体。另一方面，通过磁场形成部件所形成的电场不能贯穿由导体构成的第一部分。
由此，抑制了基于电容耦合的等离子体，在舱室内主要生成基于感应耦合的等离子体。因此，等离子体中的电子具有低能量。这里，若使第一部分的电位为负，则等离子体中的具有低能量的电子将从开口喷出。
此外，本发明的电子喷射装置是一种用于离子注入装置中并生成电子的装置，该装置包括：环状的舱室，该舱室具有用于喷出电子的开口、用于供应惰性气体的供应口、由导体构成的筒形的第一部分、以及与第一部分连接并由绝缘体构成的筒形的第二部分；磁场形成部件，该部件设置于第一部分的外侧，并在与环状的舱室所形成的面交叉的方向上形成磁场；端子，该端子与第一部分电连接。
根据所述电子喷射装置，通过磁场形成部件所形成的磁场与环状的舱室所形成的面交叉。通过该磁场，舱室与磁场形成部件感应耦合，从而在舱室内生成惰性气体的等离子体。另一方面，通过磁场形成部件所形成的电场不能贯穿第一部分。
由此，抑制了基于电容耦合的等离子体，在舱室内主要生成基于感应耦合的等离子体。因此，等离子体中的电子具有低能量。这里，若使第一部分的电位为负，则等离子体中的具有低能量的电子将从开口喷出。
此外，所述电子喷射装置还包括与端子电连接的阴极电源以及与磁场形成部件电连接的高频电源。若从高频电源向磁场形成装置提供电能，并向舱室内导入惰性气体，则在舱室内通过感应耦合生成等离子体。这里，通过控制由阴极电源施加到端子上的电压，可以控制从开口喷出的电子的发射。
此外，磁场形成部件是将导线缠绕在由磁性体构成的芯上的线圈。由此，可增大通过磁场形成部件形成的磁场的强度。
进而，舱室还具有由绝缘体构成的第三部分。由此，等离子体的发射将会变得容易，从而在舱室内会容易地生成等离子体。
此外，本发明的离子注入装置是一种包括上述电子喷射装置和供离子束通过的管的装置，其中，管的侧壁具有开口，管的开口与电子喷射装置的舱室的开口连通。根据该离子注入装置，在上述电子喷射装置的舱室内所生成的具有低能量的电子将通过开口被供应到管内。
进而，舱室具有另外的开口，管的侧壁具有另外的开口，管的另外的开口与舱室的另外的开口连通。由此，通过另外的开口将有更多的电子被供应到管内，从而能够从多个路径向管内供应电子。
此外，惰性气体包含稀有气体和氮气中的至少一种。
图1是离子注入装置的一个例子的简略示意图；
图2是简略示出了离子注入装置的一部分的立体图，其中该离子注入装置具有第一实施方式中的电子喷射装置；
图3是沿着图2所示的III-III线所取的剖面图；
图4是沿着图2所示的IV-IV线所取的剖面图；
图5是简略示出了离子注入装置的一部分的剖面图，其中该离子注入装置具有第二实施方式中的电子喷射装置；
图6是简略示出了离子注入装置的一部分的剖面图，其中该离子注入装置具有第三实施方式中的电子喷射装置；
图7是简略示出了离子注入装置的一部分的剖面图，其中该离子注入装置具有第四实施方式中的电子喷射装置；
图8是被称为等离子体喷射系统等的电子喷射装置的剖面图。
下面，说明实施方式中的电子喷射装置及离子注入装置。此外，相同部分使用相同标记，并省略重复的说明。
(第一实施方式)
图1是离子注入装置的一个例子的简略示意图。该离子注入装置包括离子引出组件100、离子质量选择器130、离子束IB通过的管2、向管2内供应电子的电子喷射装置1以及衬底托架140，其中衬底托架140支撑被注入离子的衬底141。
离子引出组件100包括离子源5、向离子源5供应规定气体的气体源4以及一对引出电极8和9(引出电极系统7)。从离子源5引出的离子入射到离子质量选择器130内。在离子质量选择器130中，由具有规定的质量数和能量的离子构成的离子束IB从质量选择缝隙131喷出。喷出的离子束IB通过管2的内部到达衬底141上。具体的说，衬底141例如是半导体芯片，被注入的离子种例如是B⁺、BF₂⁺、P⁺、A_s⁺等。
图2是简略示出了离子注入装置的一部分的立体图，其中该离子注入装置具有第一实施方式中的电子喷射装置1。图3是沿着图2所示的III-III线所取的剖面图。图4是沿着图2所示的IV-IV线所取的剖面图。
电子喷射装置1是用于离子注入装置中的向管2内供应电子的装置。与射束等离子体相伴随的离子束IB沿着规定的轴Axt通过管2的内部。
电子喷射装置1具有环状舱室22，该舱室22具有由导体构成的筒形的第一部分22a、由绝缘体构成的筒形的第二及第三部分22b、22c，所述第二及第三部分22b、22c与第一部分22a连接。舱室22沿着规定的闭曲线Ax延伸，并在本实施方式中例如具有环形状。通过将筒形的第一～第三部分22a～22c沿着规定的闭曲线Ax排列，舱室22构成环。在第一部分22a的外侧设置有线圈18(磁场形成部件)，在舱室22内设置有电极21。
舱室22的第一部分22a最好由非磁性的导体、例如铝、钨等来构成。此时，即使在从电极21所生成的离子通过飞溅而飞来并附着到舱室22的壁的内表面上的情况下，舱室22的第一部分22a仍是导体。从而，第一实施方式中的电子喷射装置1与具有绝缘体的舱室的电子喷射装置相比，可以减轻维护负担。
舱室22的第二及第三部分22b、22c最好由例如氧化铝、石英等构成。舱室22具有第三部分22c，并具有多处绝缘部分，例如具有两处。即，也可以说由导体构成的环被多个绝缘部分划分。此时，与绝缘部分为一处的情况相比，在舱室22内生成的等离子体的点火变得容易，从而容易生成等离子体。舱室22的壁厚例如为2～10mm。此外，舱室22具有用于喷出电子的开口14和用于供应惰性气体的供应口17。
供应口17通过MFC(质量流量控制器)31与惰性气体的供气源32连接，其中MFC31调节向舱室22内供应的惰性气体的流量。惰性气体从供气源32被供应到舱室22内，并从舱室22的开口14通过管2的开口16被喷入管2内。通过控制MFC31来将舱室2内的压力维持在规定压力，例如1×10^-1～10^-2Torr。惰性气体包含稀有气体及氮气中的至少一种，例如是氩(Ar)气。
开口14与设置于离子注入装置的管2的侧壁上的开口16连通。管2内的压力例如为1×10^-5～10^-6Torr。开口14例如具有缝隙形状，但不限于此。开口14的大小最好这样设定：即，舱室22内的电子可充分地供应到管2内，而舱室22内的惰性气体及等离子体却很难移动到管2内。
线圈18例如是在由铁等磁性体构成的芯18a上缠绕导线18b而构成的。芯18a的形状例如是环状，并设定为被规定的闭曲线Ax包围。此外，作为磁场形成部件，也可以不使用芯18而使用由导线18b构成的线圈。使用芯18a时，可增大由线圈18所形成的磁场的强度。
线圈18通过阻抗匹配电路20与RF电源19(高频电源)电连接。RF电源19可以向线圈18提供例如500W～1kW的电能。线圈18接受该电能形成高频磁场。线圈18设置于舱室22的外部，线圈18所形成的磁场的方向只要是能够获得电磁感应作用的、与规定的闭曲线Ax所形成的面交叉的方向，即与环状舱室22所形成的面交叉的方向即可。此外，线圈18所形成的磁场也可以是从环状舱室22的内周内侧(中心部分)的空间SP的一端的开放面向另一端的开放面贯穿的磁场。
通过所述磁场，舱室22与线圈18感应耦合，从而在舱室22内生成惰性气体的等离子体。另一方面，通过线圈18所形成的电场由于被由导体构成的第一部分22a所屏蔽，因此不能贯穿第一部分22a。由此，抑制了基于电容耦合的等离子体生成，从而，主要通过感应耦合来在舱室22内生成等离子体，并且维持所生成的等离子体。因此，等离子体中的电子具有低能量。
电极21例如通过第二部分22b等绝缘体而被舱室22所支撑，并沿着规定的闭曲线Ax延伸。电极21的形状例如具有片状或者丝状。由于舱室22沿着规定的闭曲线Ax延伸，因此，电极21也可以沿着规定的闭曲线Ax延长。由此，可增大电极21的表面积，从而可增大从开口14喷出的电子的发射。此外，电极21可以用导体，例如钨、铝等来制造。
阴极电源23通过端子3p与电极21电连接。阴极电源23可向电极21施加0～-100V的电压。衬底托架140接地，衬底141的电位被设定为0V。
通过控制由阴极电源23施加到电极21上的负电压，可以控制从开口14喷出的电子的发射。例如，当将电极21的电位设为负电位时，由于产生电荷的不平衡，因此从开口14喷出的电子向射束等离子体中移动。此时，若衬底141的表面带正电，则射束等离子体中的电子将被吸引。由此，衬底141的表面的正电荷被中和。
这里，电极21的电位最好为0～-5V。此时，等离子体中的电子具有低能量。若电极21的电位大于-5V，则存在从电极21的表面可能会产生具有高能量的二次电子的问题。
如上述说明，电子喷射装置1可向管2内供应低能量的电子。而且，若使用电子喷射装置1，则能够减轻维护负担。此外，若使用具有所述电子喷射装置1的离子注入装置，则能够减少衬底141上所沉积的电荷量。
此外，也可以通过端子4p将电源24电连接在舱室22上。电源24可向舱室22施加0～-50V的电压。由此，能够控制从开口14喷出的电子的发射。这是由于电源24向舱室22和射束等离子体之间施加电位差的原故。
此外，也可以通过端子5p将电源25连接在离子注入装置的管2上。电源25可向管2施加0～-10V的电压。由此，能够调节管2中的射束等离子体的禁闭效果。
(第二实施方式)
图5是简略示出了离子注入装置的一部分的剖面图，其中该离子注入装置具有第二实施方式中的电子喷射装置1a。该离子注入装置是将图2～图4中所示的电子喷射装置1替换为电子喷射装置1a后的装置。
所述电子喷射装置1a与电子喷射装置1不同，并不具有电极21。在电子喷射装置1a中，由导体构成的第一部分22a起到电极21的功能。从而，电子喷射装置1a的结构与电子喷射装置1相比的结构更加简单。而且，由于没有成为溅射的目标的电极21，所以进一步减轻了维护负担。
电子喷射装置1a与电子喷射装置1相同，具有舱室22和线圈18。而且，在电子喷射装置1a中，由导体构成的第一部分22a分别通过端子4p、6p与电源24、26连接。电源24、26是可施加0～-100V的电压的阴极电源。此外，通常，衬底托架140接地，衬底141的电位被设定为0V。
此外，在电气上独立的由导体构成的部分上分别设置有端子。例如，在电子喷射装置1a中，对于第一部分来说，由于电气上独立的由导体构成的部分为两处，因此设置有两个端子4p、6p。
与上述电子喷射装置1相同，从供气源32向舱室22内供应惰性气体。线圈18电连接有RF电源19，并由RF电源19提供电能。由此，在舱室22内，由于主要通过感应耦合而不是电容耦合来生成等离子体，因此等离子体中的电子具有低能量。
这里，若通过电源24、26向第一部分22a施加电压，则等离子体中的电子从开口14向管2内移动，并到达衬底141上。此时，可通过对施加电压的调节来控制电子的发射。例如，若增大施加电压，则电子的发射也增大。电源24、26的施加电压最好为不会向电子施加过大能量的电压，例如-5V左右。
如上述说明，电子喷射装置1a可向管2内供应低能量的电子。而且，在电子喷射装置1a中，能够减轻维护负担。此外，若使用具有所述电子喷射装置1a的离子注入装置，则能够进一步减少衬底141上所沉积的电荷量。
(第三实施方式)
图6是简略示出了离子注入装置的一部分的剖面图，其中该离子注入装置具有第三实施方式中的电子喷射装置1b。该离子注入装置是将图2～图4中所示的电子喷射装置1替换为电子喷射装置1b后的装置。
在所述电子喷射装置1b中，沿着规定的闭曲线Ax延伸的环状舱室22包围着管2。舱室22除了开口14外，还具有另外的开口12a、12b。为了与这些另外的开口12a、12b连通，管2除了开口16外，还具有另外的开口13a、13b。
由此，电子喷射装置1b可从多个路径向管2内供应电子。因此，可向整个管2内供应电子。而且，即使在离子束IB的直径较大的情况，或者在离子束IB被扫描的情况下，也能够向离子束IB供应充足量的电子。
(第四实施方式)
图7是简略示出了离子注入装置的一部分的剖面图，其中该离子注入装置具有第四实施方式中的电子喷射装置1c。该离子注入装置是将图6中所示的电子喷射装置1b替换为电子喷射装置1c后的装置。
电子喷射装置1c的舱室22除了开口14及另外的开口12a、12b外，还具有另外的开口12c。管2除了开口16及另外的开口13a、13b外，还具有另外的开口13c。另外的开口13c与舱室22的另外的开口12c连通，从而可向整个管2内供应电子。
以上详细说明了本发明的优选实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式。
例如，在上述第一～第四实施方式的电子喷射装置1、1a、1b、1c的各自的舱室22中，环状的导体部分被称为第二以及第三部分22b、22c的两处的绝缘部分所划分，但如果至少被一处的绝缘部分所划分，在舱室22内便生成等离子体。例如，绝缘部分为一处时，舱室22将具有沿着规定的闭曲线Ax依次排列的由导体构成的筒形第一部分22a和由绝缘体构成的筒形第二部分22b，而不具有由绝缘体构成的第三部分22c。即使在这种情况下，在舱室22内也会生成主要基于感应耦合的等离子体。此外，若增加划分舱室22的导体部分的绝缘部分的个数，则等离子体会变得容易生成。
此外，图6及图7所示的电子喷射装置1b、1c也可以如在图5所示的电子喷射装置1a所说明的那样，构成为不具有电极21的结构。此时，电子喷射装置1b、1c与电子喷射装置1a相同，具有舱室22、线圈18以及端子4p。即使在电子喷射装置1b、1c不具有电极21的结构中，若舱室22至少被一处的绝缘部分所划分，则在舱室22内也将生成等离子体。