固体摄像装置 【技术领域】
本发明涉及具有光电二极管以及与光电二极管相邻接的MOS晶体管等电路元件的固体摄像装置及其制造方法。
技术背景
在传统的CMOS图像传感器及CCD图像传感器等固体摄像装置中，在形成于硅基板上的光电二极管的受光面上设置有由氧化硅膜组成的侧壁形成用膜(用于形成侧壁而淀积的膜)及层间绝缘膜等。
由于在这种情况下硅基板的折射率约为3.5，而氧化硅膜的折射率约为1.46，因此在对光电二极管的入射光中有约30％在硅基板与氧化硅膜地界面上反射，不能贡献给光电转换。
因此，近年来对于在光电二极管的受光面上设置具有折射率约为2.1，即折射率之值在硅基板与氧化硅膜之间的氮化硅膜，从而减少在光电二极管上的入射光的损失的工作正进行研究(例见专利文献1)。
〔专利文献1〕
特开昭62-143457号公报(第3图)
【发明内容】
但是如果有与MOS晶体管、电阻及电容等电路元件连接的氮化硅膜残留，则由于氮化硅膜的膜应力，在电路元件上因固体摄像装置制造中的温度变化及固体摄像装置的长年变化而产生开裂。所以存在电路元件误动作而使固体摄像装置的可靠性降低的问题。
另外，如果有与LOCOS隔离膜、沟隔离及pn结隔离等元件隔离部连接的氮化硅膜残留，则由于氮化硅膜的膜应力，其附近的晶体缺陷因固体摄像装置制造中的温度变化及固体摄像装置的长年变化而增加。所以存在结漏电流增大、固体摄像装置在黑暗时拍摄的图像画质下降的问题。
另外，在采用热磷酸通过湿蚀刻法选择性地除去氮化硅膜的情况下，光电二极管的受光面因热磷酸而受到损伤。所以存在不损伤光电二极管的受光面就不能选择性地除去氮化硅膜的问题。
本发明的目的在于解决上述问题点，提供一种对光电二极管的入射光损失小、且可靠性高的固体摄像装置及其制造方法。
另外，本发明的目的在于提供一种对光电二极管的入射光损失小、且画质良好的固体摄像装置及其制造方法。
另外，本发明的目的在于提供一种能不损伤光电二极管的受光面而形成反射防止膜的固体摄像装置的制造方法。
本发明的固体摄像装置中，在光电二极管的受光面的上侧设有不与元件隔离部连接的反射防止膜。
本发明的固体摄像装置是在光电二极管的受光面的上侧设有不与元件隔离部及电路元件连接的反射防止膜。
本发明的固体摄像装置是在光电二极管的受光面的上侧具有由氮氧化硅膜构成的反射防止膜。
【附图说明】
[图1]是表示本发明实施例1的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图2]是分阶段表示图1所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图3]是接着图2分阶段表示图1所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图4]是表示本发明实施例2的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图5]是分阶段表示图4所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图6]是接着图5分阶段表示图4所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图7]是表示本发明实施例3的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图8]是分阶段表示图7所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图9]是接着图8分阶段表示图7所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图10]是表示本发明实施例4的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图11]是分阶段表示图10所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图12]是表示本发明实施例5的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图13]是分阶段表示图12所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图14]是接着图13分阶段表示图12所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图15]是表示本发明实施例6的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图16]是分阶段表示图15所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图17]是接着图16分阶段表示图15所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图18]是表示本发明实施例7的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图19]是分阶段表示图18所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图20]是接着图19分阶段表示图18所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
[图21]是表示本发明实施例8的固体摄像装置主要部分的断面图。
[图22]是分阶段表示图21所示的固体摄像装置制造工序的断面图。
【符号说明】
2光电二极管；3浮动扩散层；4传输栅(电路元件)；5硅基板；6P型阱；7场氧化膜(元件隔离部)；8N型扩散层；9P型扩散层；9a受光面；10低浓度N型扩散层；11高浓度N型扩散层；12、70栅氧化膜；13栅电极；14侧壁；15、22、41、62开口；16、23、34、42、52、64、71、81反射防止膜；16a、42a、71a场氧化膜侧端；16b、4 2b、52b、64b、71b、81b传输栅侧端；17、21、31、43、53、65、72、82侧壁形成用膜；18、24、32、44、54、66、73、83层间绝缘膜；19、25、36、45、56、67、74、84反射防止膜形成用膜；33贯通孔；35埋入层间膜；51、63保护膜；55保护膜形成用膜；61厚膜栅氧化膜；68未完成栅氧化膜；69薄膜栅氧化膜；101、102、103、121、122、131、132、133、141、142、151、152、161、162、171、172、181抗蚀剂图案
【具体实施方式】
以下说明本发明的实施例。
实施例1
图1是表示本发明实施例1的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图1是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
图1所示的FD型结构的像素包括进行光电转换的光电二极管2、传输由光电转换而产生的电荷的浮动扩散层3和位于光电二极管2与浮动扩散层3之间的传输栅(电路元件)4。光电二极管2、浮动扩散层3和传输栅4均在形成于硅基板5的P型阱6上形成。相邻的像素之间通过由在P型阱6的表面上形成的氧化硅膜构成的场氧化膜(元件隔离部)7而隔离。
光电二极管2包括在P型阱6内形成的N型扩散层8和在P型阱6的表面上形成、与N型扩散层8连接的P型扩散层9。在光电二极管2上的入射光从光电二极管2的受光面9a，即P型扩散层9的表面入射。
浮动扩散层3包括在P型阱6的表面上形成的低浓度N型扩散层10和高浓度N型扩散层11。
传输栅4包括在P型阱6的表面上形成的栅氧化膜12、在栅氧化膜12上形成的栅电极13和在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上形成的侧壁14。栅电极13是位于下侧的掺杂多晶硅膜和位于上侧的TEOS氧化膜等氧化硅膜的2层结构。
实施例1中的结构是：光电二极管2的受光面9a用栅氧化膜(受光面保护膜)12覆盖。在栅氧化膜12上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口15。从开口15露出的光电二极管2的受光面9a由氮化硅膜构成的反射防止膜16覆盖。反射防止膜16的场氧化膜7侧的一端16a搭接在开口15周围的栅氧化膜12上，延伸到离与光电二极管2相邻接的场氧化膜7为预定距离的位置，传输栅4侧的另一端16b搭接在开口15周围的栅氧化膜12上，延伸到离与光电二极管2相邻接的栅电极13为预定距离的位置。在反射防止膜16上设有由覆盖整个光电二极管2的TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜17。在侧壁形成用膜17上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜组成的层间绝缘膜18。
另外，在栅电极13的光电二极管侧的侧面上残留有由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜19。在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上也残留有反射防止膜形成用膜19，在其外侧上残留有侧壁形成用膜17，侧壁14由氮化硅膜和氧化硅膜构成。
下面说明本发明实施例1的固体摄像装置的制造方法。
图2、图3是分阶段表示图1所示的实施例1的固体摄像装置的制造工序的断面图。
关于图2(a)的说明。首先在硅基板5中注入P型杂质，形成P型阱6。然后通过LOCOS法在P型阱6表面的预定位置上形成由氧化硅膜构成的场氧化膜7。再通过热氧化，在P型阱6的表面上形成由氧化硅膜构成的栅氧化膜12。接着在整个面上依次层叠掺杂多晶硅膜和TEOS氧化膜等氧化硅膜。然后，形成覆盖形成栅电极13的区域的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，进行各向异性的干蚀刻，将从该抗蚀剂图案露出的掺杂多晶硅膜和氧化硅膜除去，形成栅电极13。之后，除去该抗蚀剂图案。
关于图2(b)的说明。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成低浓度N型扩散层10。然后，除去该抗蚀剂图案。接着形成使形成光电二极管2的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成N型扩散层8，接着注入P型杂质，在P型阱6的表面上形成与N型扩散层8连接的P型扩散层9。然后，除去该抗蚀剂图案。
关于图2(c)的说明。然后，形成使与光电二极管2的受光面9a中央区域对应的区域形成开口的抗蚀剂图案101。然后，以该抗蚀剂图案101为掩模，进行湿蚀刻，除去从该抗蚀剂图案101露出的栅氧化膜12，在栅氧化膜12上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口15。
以下说明图3(a)。然后，除去抗蚀剂图案101。接着在整个面上淀积由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜19。之后，形成覆盖形成反射防止膜16的区域的抗蚀剂图案102。
以下说明图3(b)。然后，以抗蚀剂图案102为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案102露出的反射防止膜形成用膜19，形成反射防止膜16，反射防止膜16覆盖从开口15露出的光电二极管2的受光面9a，并搭接在开口15的周围的栅氧化膜12上，其两端16a、16b延伸到离与光电二极管2相邻接的场氧化膜7、栅电极13为预定距离的位置。此时，在栅电极13的光电二极管侧的侧面及浮动扩散层侧的侧面上残留有反射防止膜形成用膜19。
以下说明图3(c)。然后，除去抗蚀剂图案102。接着在整个面上淀积由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜17。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案103。然后，以该抗蚀剂图案103为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案103露出的侧壁形成用膜17及栅氧化膜12。此时，在残留于栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上的反射防止膜形成用膜19的外侧上残留有侧壁形成用膜17，形成由氮化硅膜和氧化硅膜构成的侧壁14。
然后，除去该抗蚀剂图案103。接着形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。之后，在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜18，完成上述图1所示的固体摄像装置。其后，在层间绝缘膜18的预定位置上形成使浮动扩散层3露出的接触孔。
总之，依据本实施例1，由于在图1中反射防止膜16的传输栅4侧的另一端16b离与光电二极管2相邻接的栅电极13有预定的距离，反射防止膜16不会与栅电极13及其正下方的栅氧化膜12连接，因此能够防止起因于反射防止膜16的传输栅4的损伤。所以能够获得可靠性高的固体摄像装置。
31
另外，依据本实施例1，由于在图1中反射防止膜16的场氧化膜7侧的一端16a离与光电二极管2相邻接的场氧化膜7有预定的距离，反射防止膜16不会与场氧化膜7连接，因此能够抑制鸟嘴(bird’s beak)附近起因于反射防止膜16的晶体缺陷。所以能够获得画质良好的固体摄像装置。因此本实施例1的固体摄像装置能够用于以画质为首要因素的便携式终端等领域。
另外，依据本实施例1，由于在图2(c)、图3(a)～(c)中在覆盖光电二极管2的受光面9a的栅氧化膜12上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口15之后，再形成覆盖从开口15露出的光电二极管2的受光面9a、搭接在开口15周围的栅氧化膜12上的反射防止膜16，因此能够不会对光电二极管2的受光面9a产生起因于反射防止膜16的损伤地形成反射防止膜16。
实施例2
图4是表示本发明实施例2的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图4是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
实施例2中的结构是：光电二极管2的受光面9a由栅氧化膜(受光面保护膜)12覆盖。与光电二极管2相邻接的场氧化膜7及栅电极13由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜(元件隔离部保护膜、电路元件保护膜)21保护。侧壁形成用膜21在场氧化膜7侧从栅氧化膜12上延伸到场氧化膜7上，在传输栅4侧从栅氧化膜12上延伸到栅电极13上。在栅氧化膜12及侧壁形成用膜21上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口22。从开口22露出的光电二极管2的受光面9a由氮化硅膜构成的反射防止膜23覆盖。反射防止膜23搭接在开口22周围的侧壁形成用膜21上。在反射防止膜23上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜构成的层间绝缘膜18。
另外，在栅电极13的侧壁形成用膜21侧面上残留有由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜25。在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有侧壁形成用膜21，在其外侧上残留有反射防止膜形成用膜25，侧壁14由氧化硅膜和氮化硅膜构成。
下面说明本发明实施例2的固体摄像装置的制造方法。
图5、图6是分阶段表示图4所示的实施例2的固体摄像装置的制造工序的断面图。
同样地进行上述实施例1的图2(a)及(b)所示的工序。
关于图5(a)的说明如下。然后，在整个面上淀积由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜21。接着形成对应于光电二极管2的受光面9a中央区域的区域及形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案121。
关于图5(b)及(c)的说明如下。然后，以该抗蚀剂图案121为掩模，进行各向异性的干蚀刻，直到光电二极管2的受光面9a即将出现之前，接着进行湿蚀刻，除去从该抗蚀剂图案121露出的侧壁形成用膜21及栅氧化膜12，在栅氧化膜12及侧壁形成用膜21上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口22。此时，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有侧壁形成用膜21。
关于图6(a)的说明如下。然后，除去该抗蚀剂图案121。接着在整个面上淀积由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜25。然后，形成覆盖形成反射防止膜23的区域的抗蚀剂图案122。
关于图6(b)的说明如下。然后，以该抗蚀剂图案122为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案122露出的反射防止膜形成用膜25，形成覆盖从开口22露出的光电二极管2的受光面9a并搭接在开口22周围的侧壁形成用膜21之上的反射防止膜23。此时，在栅电极13的侧壁形成用膜21的侧面上残留有反射防止膜形成用膜25。另外，在残留于栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上的侧壁形成用膜21的外侧上残留有反射防止膜形成用膜25，从而形成由氧化硅膜和氮化硅膜构成的侧壁14。
然后，除去该抗蚀剂图案122。接着形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。其后，在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜24，完成上述图4所示的固体摄像装置。然后，在层间绝缘膜24的预定位置上形成使浮动扩散层3露出的接触孔。
总之，依据本实施例2，由于在图4中在反射防止膜23以及与光电二极管2相邻接的栅电极13之间设有侧壁形成用膜21，反射防止膜23不会与栅电极13及其正下方的栅氧化膜12连接，因此能够防止传输栅4起因于反射防止膜23的损伤。所以能够获得可靠性高的固体摄像装置。
另外，依据本实施例2，由于在图4中在反射防止膜23以及与光电二极管2相邻接的场氧化膜7之间设有侧壁形成用膜21，反射防止膜23不会与场氧化膜7连接，因此能够抑制鸟嘴附近起因于反射防止膜23的晶体缺陷。所以能够获得画质良好的固体摄像装置。因此，本实施例2的固体摄像装置能够用于画质优先的便携式终端等领域。
另外，依据本实施例2，由于在图5(c)中在覆盖光电二极管2的受光面9a的栅氧化膜12及侧壁形成用膜21上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口22之后，再形成覆盖从开口22露出的光电二极管2的受光面9a及搭接在开口22周围的侧壁形成用膜21之上的反射防止膜23，因此能够不对光电二极管2的受光面9a产生起因于反射防止膜23的损伤地形成反射防止膜23。
另外，依据本实施例2，由于在图5(c)中进行各向异性的干蚀刻，直到光电二极管2的受光面9a即将出现之前，并接着进行湿蚀刻，形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口22，因此能够防止对光电二极管2的受光面9a的起因于各向异性的干蚀刻的损伤。
实施例3
图7是表示本发明实施例3的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图7是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
实施例3的结构中，光电二极管2的受光面9a由栅氧化膜(受光面保护膜)12覆盖。与光电二极管2相邻接的场氧化膜7及栅电极13由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜(元件隔离部保护膜、电路元件保扩膜)31保护。侧壁形成用膜31在场氧化膜7侧从栅氧化膜12上延伸到场氧化膜7上，在传输栅4侧从栅氧化膜12上延伸到栅电极13上。在侧壁形成用膜31上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜构成的层间绝缘膜32。在栅氧化膜12、侧壁形成用膜31及层间绝缘膜32上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的贯通孔33。从贯通孔33露出的光电二极管2的受光面9a由氮化硅膜构成的反射防止膜34覆盖。反射防止膜34位于贯通孔33的周围壁之上，延伸到层间绝缘膜32的上面。贯通孔33由氧化硅膜构成的埋入层间膜35埋没。
下面说明本发明实施例3的固体摄像装置的制造方法。
图8、图9是分阶段表示图7所示的实施例3的固体摄像装置的制造工序的断面图。
同样地进行上述实施例1的图2(a)及(b)所示的工序。
关于图8(a)的说明如下。然后，在整个面上淀积由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜31。接着形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案131。然后，以该抗蚀剂图案131为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案131露出的侧壁形成用膜31及栅氧化膜12。此时，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有侧壁形成用膜31，从而形成由氧化硅膜构成的侧壁14。
图8(b)的说明如下。然后，除去该抗蚀剂图案131。接着形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。接着在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜32。然后，形成使对应于光电二极管2的受光面9a中央区域的区域开口的抗蚀剂图案132。
图8(c)的说明如下。然后，以该抗蚀剂图案132为掩模，进行各向异性的干蚀刻，直到光电二极管2的受光面9a即将出现之前，接着进行湿蚀刻，除去从该抗蚀剂图案132露出的层间绝缘膜32、侧壁形成用膜31及栅氧化膜12，在栅氧化膜12、侧壁形成用膜31及层间绝缘膜32上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的贯通孔33。
关于图9(a)的说明如下。然后，除去该抗蚀剂图案132。接着在整个面上淀积由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜36。然后，形成覆盖形成反射防止膜34的区域的抗蚀剂图案133。
关于图9(b)的说明如下。然后，以该抗蚀剂图案133为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案133露出的反射防止膜形成用膜36，形成覆盖从贯通孔33露出的光电二极管2的受光面9a的、位于贯通孔33周围的壁上并延伸到层间绝缘膜32上面的反射防止膜34。
然后，除去该抗蚀剂图案133。接着在整个面上淀积由氧化硅膜构成的埋入层间膜形成用膜。然后进行CMP处理，形成埋入在贯通孔33中的埋入层间膜35，完成上述图7所示的固体摄像装置。
总之，依据本实施例3，由于在图7中在反射防止膜34以及与光电二极管2相邻接的栅电极13之间设有侧壁形成用膜31，反射防止膜34不会与栅电极13及其正下方的栅氧化膜12连接，因此能够防止传输栅4的起因于反射防止膜34的损伤。所以能够获得可靠性高的固体摄像装置。
另外，依据本实施例3，由于在图7中在反射防止膜34以及与光电二极管2相邻接的场氧化膜7之间设有侧壁形成用膜31，反射防止膜34不会与场氧化膜7连接，因此能够抑制鸟嘴附近起因于反射防止膜34的晶体缺陷。所以能够获得画质良好的固体摄像装置。因此本实施例3的固体摄像装置能够用于画质被优先考虑的便携式终端等领域。
另外，依据本实施例3，由于在图8(b)、(c)及图9(a)、(b)中在覆盖光电二极管2的受光面9a的栅氧化膜12、侧壁形成用膜31及层间绝缘膜32上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的贯通孔33之后，再形成覆盖从贯通孔33露出的光电二极管2的受光面9a的、位于贯通孔33周围壁之上的反射防止膜34，因此能够不对光电二极管2的受光面9a产生起因于反射防止膜34的损伤地形成反射防止膜34。
另外，依据本实施例3，由于在图8(b)、(c)中进行各向异性的干蚀刻，直到光电二极管2的受光面9a即将出现之前，并接着进行湿蚀刻，形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的贯通孔33，因此能够防止对电二极管2的受光面9a受到起因于各向异性的干蚀刻的损伤。
另外，依据本实施例3，由于在图8(b)、(c)及图9(a)、(b)中在形成于栅氧化膜12、侧壁形成用膜31及层间绝缘膜32上的贯通孔33上设有覆盖光电二极管2的受光面9a、位于贯通孔33周围壁之上并延伸到层间绝缘膜32上面的反射防止膜34，因此能够使光电二极管2上来自斜方向的入射光的一部分在层间绝缘膜32与反射防止膜34之间的界面上反射，从光电二极管2的受光面9a进行吸收。
另外，依据本实施例3，由于在图8(b)、(c)及图9(a)、(b)中在形成层间绝缘膜32之后，再形成反射防止膜34，因此在形成反射防止膜34后可以不进行减少高差的软熔(reflow)处理等的高温处理、而将P-SiN膜等可在低温下形成的膜应力小的膜作为反射防止膜而使用。
实施例4
图10是表示本发明实施例4的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图10是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
实施例4的结构中，光电二极管2的受光面9a由栅氧化膜(受光面保护膜)12覆盖。在栅氧化膜12上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口41。从开口41露出的光电二极管2的受光面9a由氮化硅膜构成的反射防止膜42覆盖。反射防止膜42的场氧化膜7侧的一端42a搭接在开口41周围的栅氧化膜12之上，延伸到离与光电二极管2相邻接的场氧化膜7为预定距离的位置，传输栅4侧的另一端42b搭接在开口41周围的栅氧化膜12之上，通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13的上面。在反射防止膜42上设有由覆盖整个光电二极管2的TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜43。在侧壁形成用膜43上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜构成的层间绝缘膜44。
另外，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有由氮化硅膜构成反射防止膜形成用膜45，在其外侧残留有侧壁形成用膜43，侧壁14由氮化硅膜和氧化硅膜构成。
下面说明本发明实施例4的固体摄像装置的制造方法。
图11是分阶段表示图10的实施例4的固体摄像装置的制造工序的断面图。
同样地进行上述实施例1的图2(a)～(c)所示的工序。
关于图11(a)的说明如下。然后，除去抗蚀剂图案101。接着在整个面上淀积由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜45。然后，形成覆盖形成反射防止膜42的区域的抗蚀剂图案141。
关于图11(b)的说明如下。然后，以该抗蚀剂图案141为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案141露出的反射防止膜形成用膜45，形成反射防止膜42，反射防止膜42覆盖从开口41露出的光电二极管2的受光面9a，反射防止膜42的场氧化膜7侧的一端42a搭接在开口41周围的栅氧化膜12之上，延伸到离与光电二极管2相邻接的场氧化膜7为预定距离的位置，传输栅4侧的另一端42b搭接在开口41周围的栅氧化膜12之上，通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13的上面。此时，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有反射防止膜形成用膜45。
关于图11(c)的说明如下。然后，除去该抗蚀剂图案141。接着在整个面上淀积由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜43。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案142。接着以该抗蚀剂图案142为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案142露出的侧壁形成用膜43及栅氧化膜12。此时，在残留于栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上的反射防止膜形成用膜45的外侧上残留有侧壁形成用膜43，形成由氮化硅膜和氧化硅膜构成的侧壁14。
然后，除去该抗蚀剂图案142。接着形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。接着在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜44，完成上述图10所示的固体摄像装置。然后，在层间绝缘膜44的预定位置上形成使浮动扩散层3露出的接触孔。
总之，依据本实施例4，由于在图10中反射防止膜42的场氧化膜7侧的一端42a离与光电二极管2相邻接的场氧化膜7有预定的距离，反射防止膜42不会与场氧化膜7连接，因此能够抑制鸟嘴附近起因于反射防止膜42的晶体缺陷。所以能够获得画质良好的固体摄像装置。因此本实施例4的固体摄像装置能够用于优先考虑画质的便携式终端等领域。
另外，依据本实施例4，由于在图11(a)、(b)中在覆盖光电二极管2的受光面9a的栅氧化膜12上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口41之后，再形成覆盖从开口41露出的光电二极管2的受光面9a的、搭接在开口41周围的栅氧化膜12上的反射防止膜42，因此能够不对光电二极管2的受光面9a产生起因于反射防止膜42的损伤地形成反射防止膜42。
另外，依据本实施例4，由于在图10及图11(b)、(c)中反射防止膜42的配置区域扩展到与栅电极13接触的位置，因此能够减少光电二极管2上的入射光的损失。
实施例5
图12是表示本发明实施例5的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图12是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
实施例5的结构中，光电二极管2的受光面9a由栅氧化膜(受光面保护膜)12覆盖。与光电二极管2相邻接的场氧化膜7由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的保护膜(元件隔离部保护膜)51覆盖。在覆盖光电二极管2的受光面9a的栅氧化膜12上设有由氮化硅膜构成的反射防止膜52。反射防止膜52的场氧化膜7侧的部分搭接在保护膜51之上，传输栅4侧的端部52b通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13的上面。在反射防止膜52上设有由覆盖整个光电二极管2的TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜53。在侧壁形成用膜53上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜构成的层间绝缘膜54。
另外，在栅电极13的光电二极管侧的侧面上残留有由氧化硅膜构成的保护膜形成用膜55。在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上也残留有保护膜形成用膜55，在其外侧上残留有由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜56，在其外侧上还残留有侧壁形成用膜53，侧壁14由氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜构成。
下面说明本发明实施例5的固体摄像装置的制造方法。
图13及图14是分阶段表示图12的实施例5的固体摄像装置的制造工序的断面图。
同样地进行上述实施例1的图2(a)及(b)所示的工序。
关于图13(a)的说明如下。接着，在整个面上淀积厚度为100～800、由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的保护膜形成用膜55。然后，形成覆盖形成保护膜51的区域和形成浮动扩散层3的区域的抗蚀剂图案151。
关于图13(b)的说明如下。然后，以该抗蚀剂图案151为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案151露出的保护膜形成用膜55。此时，在栅电极13的光电二极管侧的侧面上残留有保护膜形成用膜55。该阶段保护膜51的形状被确定。保护膜51覆盖与光电二极管2相邻接的场氧化膜7。
关于图13(c)的说明如下。然后，除去该抗蚀剂图案151。接着在整个面上依次层叠由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜56和由氧化硅膜构成的侧壁形成用膜53。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案152。
关于图14的说明如下。接着以该抗蚀剂图案152为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案152露出的侧壁形成用膜53、反射防止膜形成用膜56、保护膜形成用膜55及栅氧化膜12。此时，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有保护膜形成用膜55，其外侧上残留有反射防止膜形成用膜56，其外侧上还残留有侧壁形成用膜53，从而形成由氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜构成的侧壁14。在该阶段反射防止膜52的形状得到确定。反射防止膜52覆盖光电二极管2的受光面9a的上侧，场氧化膜侧端搭接在保护膜51之上，栅电极13侧的端部52b通过与光电二极管2相邻接的栅电极13的侧面而延伸到栅电极13的上面。
然后，除去该抗蚀剂图案152。接着，形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。其后，在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜54，完成上述图12所示的固体摄像装置。然后，在层间绝缘膜54的预定位置上形成使浮动扩散层3露出的接触孔。
总之，依据本实施例5，由于在图12中在反射防止膜52和与光电二极管2相邻接的场氧化膜7之间设有保护膜51，反射防止膜52不与场氧化膜7连接，因此能够抑制鸟嘴附近起因于反射防止膜52的晶体缺陷。所以能够获得画质良好的固体摄像装置。因此本实施例5的固体摄像装置能够用于画质被优先考虑的便携式终端等领域。
另外，依据本实施例5，由于在图12中光电二极管2的受光面9a不露出，因此能够不对光电二极管2的受光面9a产生起因于反射防止膜52的损伤地形成反射防止膜52。
另外，依据本实施例5，由于在图12中反射防止膜52的配置区域扩展到与栅电极13接触的位置，因此能够减少光电二极管2上的入射光的损失。
另外，依据本实施例5，由于在图12中反射防止膜52和与光电二极管2相邻接的场氧化膜7之间所设的保护膜51较薄，因此能够抑制入射在保护膜51上的光的反射，减少光电二极管2上的入射光的损失。
另外，依据本实施例5，由于在图12及图14中在形成侧壁14的阶段反射防止膜52的形状得到确定，因此不必另外再设计用于形成反射防止膜52的抗蚀剂图案。
实施例6
图15是表示本发明实施例6的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图15是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
实施例6的结构中，光电二极管2的受光面9a由氧化硅膜构成的厚膜栅氧化膜(受光面保护膜)61覆盖。在厚膜栅氧化膜61上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口62。与光电二极管2相邻接的场氧化膜7由作为厚膜栅氧化膜61的延长部的保护膜(元件隔离部保护膜)63覆盖。从开口62露出的光电二极管2的受光面9a由氮化硅膜构成的反射防止膜64覆盖。反射防止膜64的场氧化膜7侧的部分搭接在开口62周围的厚膜栅氧化膜61上，延伸到保护膜63，传输栅4侧的端部64b搭接在开口62周围的厚膜栅氧化膜61上，通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到该栅电极13的上面。在反射防止膜64上设有由覆盖整个光电二极管2的TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜65。在侧壁形成用膜65上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜构成的层间绝缘膜66。
另外，在栅电极13的浮动扩散层3侧的侧面上残留有由氮化硅膜构成反射防止膜形成用膜67，在其外侧上残留有侧壁形成用膜65，侧壁14由氮化硅膜和氧化硅膜构成。
下面说明本发明实施例6的固体摄像装置的制造方法。
图16及图17是分阶段表示图15所示的实施例6的固体摄像装置的制造工序的断面图。
关于图16(a)的说明如下。首先在硅基板5中注入P型杂质，形成P型阱6。然后通过LOCOS法在P型阱6表面的预定位置上形成由氧化硅膜构成的场氧化膜7。其后再进行热氧化，在P型阱6的表面上形成由氧化硅膜构成的未完成栅氧化膜68。
关于图16(b)的说明如下。然后，形成使对应于形成光电二极管2的区域的中央区域的区域开口的抗蚀剂图案161。然后，以该抗蚀剂图案161为掩模，进行湿蚀刻，除去从该抗蚀剂图案161露出的未完成栅氧化膜68。
关于图16(c)的说明如下。然后，除去该抗蚀剂图案161。接着再次进行热氧化，在P型阱6的表面上形成栅氧化膜70，其形成光电二极管2的区域的中央区域是由氧化硅膜构成的薄膜栅氧化膜69，其周边区域是由氧化硅膜构成的厚膜栅氧化膜61；由厚膜栅氧化膜61的延长部即保护膜63覆盖与形成光电二极管2的区域相邻接的场氧化膜7。
关于图17(a)的说明如下。然后，在整个面上依次层叠掺杂多晶硅膜和TEOS氧化膜。接着形成覆盖形成栅电极13的区域的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案露出的TEOS氧化膜和掺杂多晶硅膜，形成栅电极13。之后除去该抗蚀剂图案。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案。接着以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成低浓度N型扩散层10。然后，除去该抗蚀剂图案。接着形成使形成光电二极管2的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质而形成N型扩散层8，再注入P型杂质，在P型阱6的表面上形成与N型扩散层8连接的P型扩散层9。然后，除去该抗蚀剂图案。
关于图17(b)的说明如下。然后，进行湿蚀刻或者RCA清洗处理(用NH4OH·H2O2·H2O的混合液等清洗)，除去薄膜栅氧化膜69，在厚膜栅氧化膜61上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口62。
关于图17(c)的说明如下。然后，在整个面上依次层叠由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜67和氧化硅膜构成的侧壁形成用膜65。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案162。接着以该抗蚀剂图案162为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案162露出的侧壁形成用膜65、反射防止膜形成用膜67和厚膜栅氧化膜61。此时，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有反射防止膜形成用膜67，其外侧上残留有侧壁形成用膜65，从而形成由氮化硅膜和氧化硅膜构成的侧壁14。在该阶段反射防止膜64的形状得到确定。反射防止膜64覆盖从开口62露出的光电二极管2的受光面9a，场氧化膜侧端搭接在开口62周围的厚膜栅氧化膜61上，延伸到保护膜63上，传输栅侧的端部64b搭接在开口62周围的厚膜栅氧化膜61上，通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13的上面。
然后，除去该抗蚀剂图案162。接着形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。接着在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜66，完成上述图15所示的固体摄像装置。然后，在层间绝缘膜66的预定位置上形成使浮动扩散层3露出的接触孔。
总之，依据本实施例6，由于在图15中在反射防止膜64和与光电二极管2相邻接的场氧化膜7之间设有保护膜63，反射防止膜64不与场氧化膜7连接，因此能够抑制鸟嘴附近起因于反射防止膜64的晶体缺陷。由此能够获得画质良好的固体摄像装置。因此，本实施例6的固体摄像装置能够用于画质被优先考虑的便携式终端等领域。
另外，依据本实施例6，由于在图17(b)、(c)中在覆盖光电二极管2的受光面9a的厚膜栅氧化膜61上形成使光电二极管2的受光面9a的中央区域露出的开口62之后，再形成覆盖从开口62露出的光电二极管2的受光面9a并搭接在开口62周围的厚膜栅氧化膜61上的反射防止膜64，因此能够不对光电二极管2的受光面9a产生起因于反射防止膜64的损伤地形成反射防止膜64。
另外，依据本实施例6，由于在图15及图17(c)中反射防止膜64的配置区域扩展到与栅电极13接触的位置，因此能够减少光电二极管2上的入射光的损失。
另外，依据本实施例6，由于在图17(c)中在形成侧壁14的阶段反射防止膜64的形状得到确定，因此不必另外再设计用于形成反射防止膜64的抗蚀剂图案。
另外，依据本实施例6，由于在图15中保护膜63是厚膜栅氧化膜61的延长部，而不是TEOS氧化膜那种湿蚀刻速率快的膜，因此能够有效地控制保护膜63的形成，能够再现性好地制造固体摄像装置。
另外，依据本实施例6，由于在图16(c)中在P型阱6的表面上形成由薄膜栅氧化膜69与厚膜栅氧化膜61构成的栅氧化膜70，因此适用于制造采用2种厚度不同的栅氧化膜的固体摄像装置。
实施例7
图18是表示本发明实施例7的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图18是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
实施例7的结构中，光电二极管2的受光面9a由氮化硅膜构成的反射防止膜71覆盖。反射防止膜71的场氧化膜7侧的一端71a延伸到与光电二极管2相邻接的场氧化膜7上，传输栅4侧的另一端71b通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13上面。在反射防止膜71上设有由覆盖整个光电二极管2的TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜72。在侧壁形成用膜72上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜构成的层间绝缘膜73。
另外，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜74，在其外侧上残留有侧壁形成用膜72，侧壁14由氮化硅膜和氧化硅膜构成。
下面说明本发明实施例7的固体摄像装置的制造方法。
图19及图20是分阶段表示图18的实施例7的固体摄像装置的制造工序的断面图。
关于图19(a)的说明如下。首先在硅基板5中注入P型杂质，形成P型阱6。然后用LOCOS法在P型阱6表面的预定位置上形成由氧化硅膜构成的场氧化膜7。其后进行热氧化，在P型阱6的表面上形成由氧化硅膜构成的栅氧化膜12。然后，在整个面上依次层叠掺杂多晶硅膜和TEOS氧化膜。接着形成覆盖形成栅电极13的区域的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案露出的掺杂多晶硅膜和TEOS氧化膜，形成栅电极13。然后，以该抗蚀剂图案为掩模进行湿蚀刻，除去从该抗蚀剂图案露出的栅氧化膜12，使P型阱6的表面露出。接着除去该抗蚀剂图案。
关于图19(b)的说明如下。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案。接着以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成低浓度N型扩散层10。然后，除去该抗蚀剂图案。接着形成使形成光电二极管2的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模，在P型阱6中注入N型杂质，形成N型扩散层8，再注入P型杂质，在P型阱6的表面上形成与N型扩散层8连接的P型扩散层9。然后，除去该抗蚀剂图案。
关于图19(c)的说明如下。然后，在整个面上淀积由氮化硅膜构成的反射防止膜形成用膜74。接着形成抗蚀剂图案171，其上的开口对应于要去掉的、与光电二极管2邻接的场氧化膜7上和栅电极13上的反射防止膜形成用膜74的区域。
关于图20(a)的说明如下。然后，以抗蚀剂图案171为掩模进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案171露出的反射防止膜形成用膜74。在这一阶段反射防止膜71的形状得到确定。反射防止膜71覆盖光电二极管2的受光面9a，场氧化膜7侧的一端71a延伸到与光电二极管2相邻接的场氧化膜7上，传输栅4侧的另一端71b通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13的上面。
关于图20(b)的说明如下。接着除去该抗蚀剂图案171。然后，在整个面上淀积由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜72。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案172。然后，以该抗蚀剂图案172为掩模，进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案172露出的侧壁形成用膜72和反射防止膜形成用膜74。此时，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有反射防止膜形成用膜74，其外侧上残留有侧壁形成用膜72，从而形成由氮化硅膜和氧化硅膜构成的侧壁14。
然后，除去该抗蚀剂图案172。接着形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。接着在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜73，完成上述图18所示的固体摄像装置。然后，在层间绝缘膜73的预定位置上形成使浮动扩散层3露出的接触孔。
总之，依据本实施例7，如图19(c)、图20(a)所示，由于将整个面上淀积的反射防止膜形成用膜74在与光电二极管2相邻接的场氧化膜7上和栅电极13上除去，因此能够不会对光电二极管2的受光面9a产生起因于反射防止膜71的损伤地形成反射防止膜71。
实施例8
图21是表示本发明实施例8的固体摄像装置主要部分的断面图。具体地说，图21是表示CMOS图像传感器的浮动扩散层(FD)型结构的像素的断面图。
实施例8的结构中，光电二极管2的受光面9a由氮氧化硅(SiON)膜构成的反射防止膜81覆盖。氮氧化硅膜的折射率为1.6～1.9。氮氧化硅膜的膜应力比氮化硅膜的膜应力小。反射防止膜81的场氧化膜7侧的部分延伸到与光电二极管2相邻接的场氧化膜7上，传输栅4侧的端部81b通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13的上面。在反射防止膜81上设有由覆盖整个光电二极管2的氧化硅膜构成的侧壁形成用膜82。在侧壁形成用膜82上设有由覆盖整个固体摄像装置的氧化硅膜构成的层间绝缘膜83。
另外，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有由氮氧化硅膜构成的反射防止膜形成用膜84，在其外侧上残留有侧壁形成用膜82，侧壁14由氮氧化硅膜和氧化硅膜构成。
下面说明本发明实施例8的固体摄像装置的制造方法。
图22是分阶段表示图21的实施例8的固体摄像装置的制造工序的断面图。
同样地进行上述实施例7的图19(a)及(b)所示的工序。
关于图22(a)的说明如下。接着在整个面上淀积厚度约为100～800的TEOS氧化膜等氧化硅膜。然后，在氮气气氛中或者氨气气氛中进行RTA(Rapid Thermal Annealing：快速退火)处理或者FA(Furnace Annealing，炉中退火)处理，使氧化硅膜氮化，形成由氮氧化硅膜构成的反射防止膜形成用膜84。
关于图22(b)的说明如下。然后，在整个面上淀积由TEOS氧化膜等氧化硅膜构成的侧壁形成用膜82。然后，形成使形成浮动扩散层3的区域开口的抗蚀剂图案181。然后，以该抗蚀剂图案181为掩模进行各向异性的干蚀刻，除去从该抗蚀剂图案181露出的侧壁形成用膜82与反射防止膜形成用膜84。此时，在栅电极13的浮动扩散层侧的侧面上残留有反射防止膜形成用膜84，在其外侧上残留有侧壁形成用膜82，形成由氮氧化硅膜和氧化硅膜构成的侧壁14。在这一阶段反射防止膜81的形状得到确定。反射防止膜81覆盖光电二极管2的受光面9a，栅氧化膜侧的端部延伸到与光电二极管2相邻接的场氧化膜7上，传输栅侧的端部81b通过与光电二极管2相邻接的栅电极13侧面而延伸到栅电极13的上面。
然后，除去该抗蚀剂图案181。接着形成使形成高浓度N型扩散层11的区域开口的抗蚀剂图案。然后，以该抗蚀剂图案为掩模在P型阱6中注入N型杂质，形成高浓度N型扩散层11。然后，除去该抗蚀剂图案。接着在整个面上淀积由氧化硅膜构成的层间绝缘膜83，完成上述图21所示的固体摄像装置。然后，在层间绝缘膜83的预定位置上形成使浮动扩散层3露出的接触孔。
总之，依据本实施例8，由于在图21中使用膜应力小于氮化硅膜的氮氧化硅膜作为反射防止膜81，因此即使在反射防止膜81和与光电二极管2相邻接的栅电极13及栅电极13正下方的栅氧化膜12连接的情况下，也能够抑制传输栅4起因于反射防止膜81的损伤，另外，即使在反射防止膜81和与光电二极管2相邻接的场氧化膜7连接的情况下，也能够抑制鸟嘴附近起因于反射防止膜81的晶体缺陷。
另外，在本实施例1～7中对于采用氮化硅膜作为反射防止膜的情况进行了说明，但是采用折射率值在硅基板与氧化硅膜之间的其它反射防止膜也能够获得同样的效果。
另外，在本实施例1～8中对于采用LOCOS隔离膜作为元件隔离部的情况进行了说明，但是采用沟隔离及pn结隔离等其它的元件隔离方式也能够获得同样的效果。
发明效果
总之，依据本发明，使在光电二极管的受光面的上侧设置不与元件隔离部连接的反射防止膜而构成固体摄像装置，因此具有能够获得光电二极管上的入射光损失小、且可靠性高的固体摄像装置的效果。
依据本发明，使在光电二极管的受光面的上侧设置不与元件隔离部及电路元件连接的反射防止膜而构成固体摄像装置，因此具有能够获得光电二极管上的入射光损失小、可靠性高、且画质好的固体摄像装置的效果。
依据本发明，在光电二极管的受光面的上侧设置由氮氧化硅膜构成的反射防止膜而构成固体摄像装置，因此具有能够获得光电二极管上的入射光损失小、可靠性高、且画质好的固体摄像装置的效果。