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1、10申请公布号CN104159025A43申请公布日20141119CN104159025A21申请号201410384906822申请日20140806H04N5/232200601H04N5/238200601H04N5/335201101H04N5/34120110171申请人北京智谷睿拓技术服务有限公司地址100085北京市海淀区小营西路33号1层1F05室72发明人杜琳54发明名称图像采集控制方法和装置、图像采集设备57摘要本申请实施例公开了一种图像采集控制方法和装置以及一种图像采集设备,其中一种图像采集控制方法包括获取待采集图像的目标像素密度分布信息;根据所述目标像素密度分布信息调。
2、整图像传感器的像素密度分布;根据调整后的所述图像传感器采集所述待采集图像。本申请实施例提供的技术方案,可充分利用图像传感器的整体像素来差异化呈现采集图像不同区域的清晰度,提高图像采集的效率,更好满足用户多样化的应用需求。51INTCL权利要求书3页说明书14页附图7页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书3页说明书14页附图7页10申请公布号CN104159025ACN104159025A1/3页21一种图像采集控制方法,其特征在于,包括获取待采集图像的目标像素密度分布信息;根据所述目标像素密度分布信息调整图像传感器的像素密度分布;根据调整后的所述图像传感器采集所述待采集图。
3、像。2根据权利要求1所述的图像采集控制方法,其特征在于,获取所述待采集图像的所述目标像素密度分布信息,包括获取所述待采集图像的第一区;根据所述第一区确定所述目标像素密度分布信息;所述目标像素密度分布信息中对应所述第一区的目标像素密度与对应第二区的目标像素密度不同;所述第二区包括所述待采集图像中除所述第一区之外的至少部分区域。3根据权利要求2所述的图像采集控制方法,其特征在于,所述第一区包括一个或多个第一子区。4根据权利要求3所述的图像采集控制方法,其特征在于,所述目标像素密度分布信息中分别对应不同所述第一子区的各目标像素密度均相同。5根据权利要求3所述的图像采集控制方法,其特征在于,所述目标像。
4、素密度分布信息中对应至少一个所述第一子区的目标像素密度与对应其他任一所述第一子区的目标像素密度不同。6根据权利要求25任一所述的图像采集控制方法,其特征在于,所述目标像素密度分布信息中对应所述第一区的目标像素密度大于对应所述第二区的目标像素密度。7根据权利要求25任一所述的图像采集控制方法,其特征在于,所述目标像素密度分布信息中对应所述第一区的目标像素密度小于对应所述第二区的目标像素密度。8根据权利要求27任一所述的图像采集控制方法,其特征在于,获取所述待采集图像的所述第一区,包括获取感兴趣区信息;根据所述感兴趣区信息确定所述待采集图像的所述第一区。9根据权利要求27任一所述的图像采集控制方法。
5、,其特征在于,获取所述待采集图像的所述第一区,包括对所述待采集图像进行图像分析;根据所述图像分析的结果确定所述待采集图像的所述第一区。10根据权利要求19任一所述的图像采集控制方法,其特征在于,根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布,包括根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息;根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变,以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。11根据权利要求10所述的图像采集控制方法,其特征在于,所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸。
6、缩材料。12根据权利要求111任一所述的图像采集控制方法,其特征在于,还包括获取所述图像传感器的像素索引信息;权利要求书CN104159025A2/3页3根据所述像素索引信息扫描输出采集后的图像。13一种图像采集控制装置,其特征在于,包括一目标像素密度分布信息获取模块,用于获取待采集图像的目标像素密度分布信息;一像素密度分布调整模块,用于根据所述目标像素密度分布信息调整图像传感器的像素密度分布;一图像采集模块,用于根据调整后的所述图像传感器采集所述待采集图像。14根据权利要求13所述的图像采集控制装置,其特征在于,所述目标像素密度分布信息获取模块,包括一第一区获取子模块,用于获取所述待采集图像。
7、的第一区;一目标像素密度分布信息确定子模块,用于根据所述第一区确定所述目标像素密度分布信息;所述目标像素密度分布信息中对应所述第一区的目标像素密度与对应第二区的目标像素密度不同;所述第二区包括所述待采集图像中除所述第一区之外的至少部分区域。15根据权利要求14所述的图像采集控制装置,其特征在于,所述第一区获取子模块包括一第一区获取单元,用于获取所述待采集图像的一个或多个第一子区,所述第一区包括所述一个或多个第一子区。16根据权利要求15所述的图像采集控制装置,其特征在于,所述目标像素密度分布信息确定子模块包括一第一目标像素密度分布信息确定单元,用于根据一个或多个所述第一子区确定所述目标像素密度。
8、分布信息;在所述第一子区为多个的情形下,所述目标像素密度分布信息中,对应至少一个所述第一子区的目标像素密度与对应其他任一所述第一子区的目标像素密度不同,或者,分别对应不同所述第一子区的各目标像素密度均相同。17根据权利要求1416任一所述的图像采集控制装置,其特征在于,所述第一区获取子模块包括一感兴趣区信息获取单元,用于获取感兴趣区信息;一第一确定单元,用于根据所述感兴趣区信息确定所述待采集图像的所述第一区。18根据权利要求1416任一所述的图像采集控制装置,其特征在于,所述第一区获取子模块包括一图像分析单元,用于对所述待采集图像进行图像分析;一第二确定单元,用于根据所述图像分析的结果确定所述。
9、待采集图像的所述第一区。19根据权利要求1318任一所述的图像采集控制装置,其特征在于,还包括一形变控制信息确定模块,用于根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息;一形变控制模块,用于根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变,以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。20根据权利要求1319任一所述的图像采集控制装置,其特征在于,还包括一像素索引信息获取模块,用于获取所述图像传感器的像素索引信息;一图像输出模块,用于根据所述像素索引信息扫描输出采集后的图像。21一种图像采集设备,其特征在于,包括一图像传感器和一如权利要求1320任一所权利。
10、要求书CN104159025A3/3页4述的图像采集控制装置,所述图像采集控制装置与所述图像传感器连接。22根据权利要求21所述的图像采集设备,其特征在于,所述图像传感器包括阵列分布的多个图像传感器像素;一可控变形材料部,分别与多个所述图像传感器像素连接;所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布;所述外场由所述图像采集控制装置控制。权利要求书CN104159025A1/14页5图像采集控制方法和装置、图像采集设备技术领域0001本申请涉及图像采集技术领域,特别是涉及一种图像采集控制方法和装置以及一种图像采集设备。背景技术0002随着图像采。
11、集技术的不断发展,支持图像采集的设备不断推陈出新,人们对采集图像的质量要求也越来越高。0003为了获得更为清晰的图像,通常可以采用像素密度更高的图像传感器采集图像以此来提高采集图像的整体清晰度,但该方案采集到的图像的大小也会相应增大,由此相应增加了图像的存储和/或传输带宽的资源负担。发明内容0004在下文中给出了关于本申请的简要概述,以便提供关于本申请的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本申请的穷举性概述。它并不是意图确定本申请的关键或重要部分,也不是意图限定本申请的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。0005本申请提供一种图像采集控制。
12、方法和装置以及一种图像采集设备。0006一方面,本申请实施例提供了一种图像采集控制方法,包括0007获取待采集图像的目标像素密度分布信息;0008根据所述目标像素密度分布信息调整图像传感器的像素密度分布;0009根据调整后的所述图像传感器采集所述待采集图像。0010另一方面,本申请实施例还提供了一种图像采集控制装置,包括0011一目标像素密度分布信息获取模块,用于获取待采集图像的目标像素密度分布信息;0012一像素密度分布调整模块,用于根据所述目标像素密度分布信息调整图像传感器的像素密度分布;0013一图像采集模块,用于根据调整后的所述图像传感器采集所述待采集图像。0014再一方面,本申请实施。
13、例提供了一种图像采集设备,包括一图像传感器和一上述图像采集控制装置,所述图像采集控制装置与所述图像传感器连接。0015本申请实施例提供的技术方案,通过图像采集控制装置获取待采集图像的目标像素分布信息,据此调整所述图像传感器的像素密度分布,并根据调整后的所述图像传感器采集所述待采集图像,使得在图像采集过程中可充分利用所述图像传感器的整体像素来差异化呈现采集图像不同区域的清晰度,进而有利于在不增加图像大小的同时提高图像采集的效率,更好满足用户多样化的应用需求。0016通过以下结合附图对本申请的可选实施例的详细说明,本申请的这些以及其它的优点将更加明显。说明书CN104159025A2/14页6附图。
14、说明0017本申请可以通过参考下文中结合附图所给出的描述而得到更好的理解,其中在所有附图中使用了相同或相似的附图标记来表示相同或者相似的部件。所述附图连同下面的详细说明一起包含在本说明书中并且形成本说明书的一部分,而且用来进一步举例说明本申请的可选实施例和解释本申请的原理和优点。在附图中0018图1A为本申请实施例提供的一种图像采集控制方法的流程图;0019图1B为本申请实施例提供第一种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0020图1C为本申请实施例提供第二种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0021图1D为本申请实施例提供第三种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0022图1E为本申。
15、请实施例提供第四种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0023图1F为本申请实施例提供图像传感器在不均匀光场激励情形时进行像素密度调整的场景示例;0024图1G为本申请实施例提供第五种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0025图1H为本申请实施例提供第六种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0026图1I为本申请实施例提供第七种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0027图1J为本申请实施例提供第八种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;0028图2为本申请实施例提供的第一种图像采集控制装置的结构框图;0029图3为本申请实施例提供的第二种图像采集控制装置的结构框图;0030图4为本。
16、申请实施例提供的第三种图像采集控制装置的结构框图;0031图5为本申请实施例提供的第四种图像采集控制装置的结构框图;0032图6为本申请实施例提供的第五种图像采集控制装置的结构框图;0033图7为本申请实施例提供的一种图像采集设备的结构框图。0034本领域技术人员应当理解,附图中的元件仅仅是为了简单和清楚起见而示出的,而且不一定是按比例绘制的。例如,附图中某些元件的尺寸可能相对于其他元件放大了,以便有助于提高对本申请实施例的理解。具体实施方式0035在下文中将结合附图对本申请的示范性实施例进行详细描述。为了清楚和简明起见,在说明书中并未描述实际实施方式的所有特征。然而,应该了解,在开发任何这种。
17、实际实施例的过程中必须做出很多特定于实施方式的决定,以便实现开发人员的具体目标,例如,符合与系统及业务相关的那些限制条件,并且这些限制条件可能会随着实施方式的不同而有所改变。此外,还应该了解,虽然开发工作有可能是非常复杂和费时的,但对得益于本公开内容的本领域技术人员来说,这种开发工作仅仅是例行的任务。0036在此,还需要说明的一点是,为了避免因不必要的细节而模糊了本申请,在附图和说明中仅仅描述了与根据本申请的方案密切相关的装置结构和/或处理步骤,而省略了对与本申请关系不大的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。0037下面结合附图若干附图中相同的标号表示相同的元素和实施例,对本申请。
18、的具体实施方式作进一步详细说明。以下实施例用于说明本申请,但不用来限制本申请的范说明书CN104159025A3/14页7围。0038本领域技术人员可以理解,本申请中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同步骤、设备或模块等,既不代表任何特定技术含义,也不表示它们之间的必然逻辑顺序。0039本申请发明人在实践本申请实施例的过程中发现,通常在进行图像采集时,图像传感器的像素均匀分布,基于该图像传感器采集得到的图像各区域的像素密度相同。然而在某些场景下,某帧图像中各个区域通常对用户而言具有不同的意义和/或重要性,即用户对待采集图像不同区域的感兴趣程度不尽相同。例如在人物拍摄场景下,用户对图像中人脸。
19、的感兴趣程度要高于图像中的景物;又例如在停车区视频监控场景下,用户对视频图像中车牌、司机面部等区域的感兴趣程度要高于视频图像中的路边景物;等等。如果要提高感兴趣区的图像质量,可以采用像素密度更大的图像传感器采集图像来提高采集图像的整体清晰度,该方案采集到的图像的大小也会相应增大,由此相应增加了图像的存储和/或传输带宽的资源负担。而为了缓解上述资源负担,可以对采集得到的图像进行压缩处理,例如对图像中非感兴趣区的图像进行降采样处理,但这种方案是通过降低图像中非感兴趣区的清晰度来减小图像的大小,而不能提升图像中感兴趣区的图像清晰度。0040为此,本申请实施例提供了一种图像采集控制方法,可充分利用图像。
20、传感器的整体像素来差异化呈现采集图像不同区域的清晰度,由此更好满足用户多样化的应用需求。下面结合附图说明技术方案。0041图1A为本申请实施例提供的一种图像采集控制方法的流程图。本申请实施例提供的图像采集控制方法的执行主体可为某一图像采集控制装置,所述图像采集控制装置可在但不限于拍照、摄像、摄影、视频监控等应用过程中通过执行该图像采集控制方法进行静态或动态图像的采集控制。所述图像采集控制装置的设备表现形式不受限制,例如所述图像采集控制装置可为某一独立的部件,该部件与包括有图像传感器的图像采集设备配合通信;或者,所述图像采集控制装置可作为某一功能模块集成在一包括有图像传感器的图像采集设备中,本申。
21、请实施例对此并不限制。0042具体如图1A所示,本申请实施例提供的一种图像采集控制方法包括0043S101获取待采集图像的目标像素密度分布信息。0044所述待采集图像的目标像素密度分布信息通常用来表征用户或设备对所述待采集图像不同区域的图像清晰度的相对预期。例如对所述待采集图像的图像清晰度预期高的区域,对应该区域的目标像素密度较大,以实现对该区域的图像的超分辨率SUPERRESOLUTION的方式采集;而对所述待采集图像其他区域可适当降低图像质量清晰度的要求,所述其他区域的图像可采用降采样的方式采集。如此使得对应所述待采样图像不同区域的各目标像素密度存在差异。0045S102根据所述目标像素密。
22、度分布信息调整图像传感器的像素密度分布。0046所述图像传感器为像素密度可调的图像传感器,例如柔性图像传感器,所述柔性图像传感器包括柔性衬底以及在所述柔性衬底上形成的多个图像传感器像素,其中所述柔性衬底在满足一定条件时可以发生伸缩、弯曲等变化来调整其像素密度分布。结合所述图像传感器像素密度分布可调的这一特性,本申请实施例根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布,使得调整后的所述图像传感器的像素密度分布与所述目标像素密度分布信息对应,或者,使得调整后所述图像传感器的像素密度分布尽可能接说明书CN104159025A4/14页8近所述目标像素密度分布信息。0047S103根据调。
23、整后的所述图像传感器采集所述待采集图像。0048在图像采集过程中所述图像传感器的各像素均参与图像采集。由于所述图像传感器的像素密度分布已经根据所述目标像素密度分布信息进行了调整,因此,根据调整后的所述图像传感器采集所述待采集图像,采集到的图像的不同区域的清晰度呈现出与目标像素密度分布信息相应的差异分布。该方案充分利用所述图像传感器的整体像素,相当于根据所述目标像素密度分布信息对所述图像传感器的既有像素密度分布进行相应调整,达到赋予不同区域不同像素密度进行图像采集的效果,使得采集到的图像的不同区域的清晰度存在差异,进而有利于在不增加图像大小的同时提高图像采集的效率,更好满足用户多样化的应用需求。。
24、0049上述技术方案中,所述目标像素密度分布信息的获取方式不受限制。一种可选的实现方式中,可获取所述待采集图像的第一区;根据所述第一区确定所述目标像素密度分布信息;其中,所述目标像素密度分布信息中对应所述第一区的目标像素密度与对应第二区的目标像素密度不同;所述第二区包括所述待采集图像中除所述第一区之外的至少部分区域。0050所述第一区可包括所述待采集图像中清晰度需要调整的至少部分区域。不妨以所述图像传感器在处于像素均匀分布的情形下采集的图像清晰度为对比清晰度,进行说明。例如所述第一区包括所述待采集图像中清晰度需要相对所述对比清晰度增强的至少部分区域;该情形下,所述目标像素密度分布信息中对应所述。
25、第一区的目标像素密度大于对应所述第二区的目标像素密度。又例如所述第一区包括所述待采集图像中清晰度需要相对所述对比清晰度减弱的至少部分区域;该情形下,所述目标像素密度分布信息中对应所述第一区的目标像素密度小于对应所述第二区的目标像素密度。上述方案实现方式非常灵活,可更好满足用户多样化的应用需求。0051所述待采集图像的第一区的获取方式可根据实际需要确定,非常灵活。0052一种可选的实现方式,所述待采集图像的第一区可根据感兴趣区REGIONOFINTEREST,简称ROI信息确定,即获取感兴趣区信息;根据所述感兴趣区信息确定所述待采集图像的所述第一区。所述感兴趣区可包括但不限于以下一种或多种用户选。
26、择的所述待采集图像的至少一个区域即所述待采集图像的用户选择区、用户注视的所述待采集图像的至少一个区域即所述待采集图像的用户注视区、图像采集设备对所述待采集图像自动检测得到的感兴趣区。该方案根据所述感兴趣区确定所述待采集图像的第一区,确定的所述第一区可为与感兴趣区对应的区域,或者,确定的所述第一区可为所述待采集图像中与非兴趣区对应的区域,使得所述第一区的确定与实际用户需求更为吻合,可更好满足用户个性化的应用需求。0053另一种可选的实现方式,所述待采集图像的第一区可根据图像分析的结果确定,即对所述待采集图像进行图像分析;根据所述图像分析的结果确定所述待采集图像的所述第一区。例如对待采集图像进行人。
27、脸识别,根据识别结果将人脸区确定为该待采集图像的所述第一区。又例如对待采集图像进行移动物体识别,根据识别结果将移动物体的相应区确定为该待采集图像的所述第一区。该方案可根据待采集图像的图像分析结果确定所述第一区,使得所述第一区的确定更为智能,提高所述第一区确定的效率和普适性。说明书CN104159025A5/14页90054进一步的,所述第一区可包括一个或多个第一子区。所述第一子区包括所述待采集图像中清晰度需要相对所述对比清晰度增强的至少部分区域。在所述第一区包括多个所述第一子区的情形下,多个所述第一子区在所述待采集图像中的分布可以是连续的,如多个所述第一子区边界相接;或者,多个所述第一子区在所。
28、述待采集图像中的分布可以是离散的,如多个所述第一子区的边界均不相接,或者,多个所述第一子区中至少一个所述第一子区的边界与其他所述第一子区的边界不相接。其中,对所述第一子区的所述待采集图像的清晰度可相对所述对比清晰度进行增强或减弱调整,本申请实施例对此并不限制。该方案提高了所述待采集图像中需要进行图像清晰度调整的所述第一区确定的灵活性,可更好满足用户多样化的应用需求。0055此外,在所述第一区包括多个所述第一子区的情形下,可以根据实际需要确定对应各第一子区的目标像素密度。0056一种可选的实现方式,所述目标像素密度分布信息中分别对应不同所述第一子区的各目标像素密度均相同。例如所述第一区包括多个在。
29、某待采集图像如包括有多个人物的视频监控图像中呈离散分布的多个所述第一子区如多张人脸,对应各第一子区的目标像素密度相同。该方案可对所述待采集图像中的多个第一子区的清晰度进行相同程度的调整如对应各张人脸的像素密度均增强或均减弱至同一目标像素密度,使得这些第一子区的清晰度相同或尽可能接近。0057另一种可选的实现方式,所述目标像素密度分布信息中,对应至少一个所述第一子区的目标像素密度与对应其他任一所述第一子区的目标像素密度不同。例如所述第一区包括多个在某待采集图像中呈连续分布的3个第一子区A、B、C,对应第一子区A、B、C的目标像素密度分别为A、B、C,且目标像素密度A、B、C依次递增。该方案可对所。
30、述待采集图像中的多个第一子区的清晰度进行不同程度的调整如渐清晰调整、渐模糊调整、部分清晰部分模糊调整,等等,使得这些第一子区的清晰度呈现出一定程度的差异化。0058本申请实施例在获取待采集图像的目标像素密度分布信息之后,可根据所述目标像素密度分布信息调整图像传感器的像素密度分布。其中,对所述图像传感器的像素密度分布的调整方式可根据实际需要选择,本申请实施例对此并不限制。一种可选的实现方式,可根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息;根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变,以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。该方案通过控制可控变形材。
31、料部的形变来调整所述图像传感器的像素分布,方案简单易实现。0059所述可控变形材料部即为通过改变作用其上的某外部作用因素如外场可使其发生形变,在作用其上的外场撤销或改变时,该可控变形材料部的形变可以恢复。0060图1B为本申请实施例提供一种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1B所示,本申请实施例提供的像素密度可调的图像传感器包括多个图像传感器像素11和一可控变形材料部12,其中,图像传感器通过图像传感器像素11进行图像采集,多个图像传感器像素11呈阵列分布,可控变形材料部12分别与多个图像传感器像素11连接;可控变形材料部12在外场作用下可发生形变、并通过可控变形材料部12的形变相应调。
32、整多个图像传感器像素11的密度分布。0061本申请实施例提供的技术方案中,所述可控变形材料部为通过改变该可控变形材说明书CN104159025A6/14页10料部上的某外场作用因素可使其发生形变,在某外场作用因素撤销或改变时,该可控变形材料部的形变可以恢复,所述外场可针对所述可控变形材料部的形变特性选择作用于其上的相应控制外场,例如所述外场包括但不限于外部电场、磁场、光场等等。图像传感器像素可包括但不限于至少一光电转换单元。各图像传感器像素与可控变形材料部之间可采用但不限于粘接等方式进行紧密连接,这样,当所述可控变形材料部发生形变,就会相应调整各图像传感器像素之间的间距,由此改变图像传感器像素。
33、的密度分布,达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。0062实际应用中,可将不均匀分布的外场作用在所述可控变形材料部的不同区域,使得所述可控变形材料部不同部分区域发生不同程度的变形,由此调整图像传感器像素的整体密度分布。可选的,可将所述外场作用在所述可控变形材料部与多个所述图像传感器像素不重叠的区域,这样可使得所述可控变形材料部与所述图像传感器像素重叠的区域不发生形变,而是通过所述可控变形材料部的其他部分的形变来改变图像传感器像素的密度分布,该方案有利于避免因可控变形材料部的形变对所述图像传感器像素造成的损坏。0063实际应用中,可根据需要选择合适的至少一种可控变形。
34、材料来制备所述可控变形材料部,以使所述可控变形材料部具有可变形且变形可恢复的特性。可选的,所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料。0064所述压电材料可以因电场作用产生机械变形。采用所述压电材料制备的可控变形材料部以下称为压电材料部。利用所述压电材料的这一物理特性,本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定用于使压电材料部发生相应机械形变所需的电场控制信息,根据所述电场控制信息控制作用在压电材料部的电场,使得所述压电材料部发生相应的机械形变,通过所述压电材料部的机械形变相应调整图像传感器的像素密度分布,由此达到根。
35、据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述压电材料可包括但不限于以下至少之一压电陶瓷、压电晶体。该方案可充分利用压电材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。0065所述电活性聚合物ELECTROACTIVEPOLYMERS,简称EAP是一类能够在电场作用下改变其形状或大小的聚合物材料。采用所述电活性聚合物制备的可控变形材料部以下称为电活性聚合物部。利用所述电活性聚合物的这一物理特性,本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定用于使电活性聚合物部发生相应形变所需的电场控制信息,根据所述电场控制信息控制作用在电活性聚合物层的电场,使得所述电活性聚合物层。
36、发生相应的形变,通过所述电活性聚合物层的形变相应调整图像传感器的像素密度分布,由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述电活性聚合物可包括但不限于以下至少之一电子型电活性聚合物、离子型电活性聚合物;所述电子型电活性聚合物包括以下至少之一铁电体聚合物如聚偏氟乙烯等、电致伸缩接枝弹性体、液晶弹性体;所述离子型电活性聚合物包括以下至少之一电流变液、离子聚合物金属复合材料等。该方案可充分利用电活性聚合物的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。0066所述光致形变材料是一类能够在光场作用下改变其形状或大小的高分子材料。采用所述光致形变材料制备的可控变形材料部以下称。
37、为光致形变材料部。利用所述光致形变说明书CN104159025A107/14页11材料的这一物理特性,本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定光致形变材料部发生相应形变所需的光场控制信息,根据所述光场控制信息控制作用在所述光致形变材料部的光场,使得所述光致形变材料部发生相应的形变。通过所述光致形变材料部的形变相应调整图像传感器的像素密度分布,由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述光致形变材料可包括但不限于以下至少之一光致伸缩铁电陶瓷、光致形变聚合物;所述光致伸缩铁电陶瓷包括但不限于锆钛酸铅镧PLZT陶瓷,光致形变聚合物包括但不限于光致形变。
38、液晶弹性体。该方案可充分利用光致形变材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。0067所述磁致伸缩材料是一类能够在磁场作用下改变其磁化状态,进而使其尺寸发生变化的磁性材料。采用所述磁致形变材料制备的可控变形材料部以下称为磁致形变材料部。利用所述磁致伸缩材料的这一物理特性,本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定磁致伸缩材料发生相应形变所需的磁场控制信息,根据所述磁场控制信息控制作用在所述磁致形变材料部的磁场,使得所述磁致形变材料部发生相应的形变。通过所述磁致形变材料部的形变相应调整图像传感器的像素密度分布,由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的。
39、目的。所述磁致形变材料可包括但不限于稀土超磁致伸缩材料,如以TB,DYFE2化合物为基体的合金TBO03DY07FE195材料等。该方案可充分利用磁致形变材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。0068本申请实施例提供的技术方案中,各图像传感器像素和可控变形材料部的具体结构和连接方式可根据实际需要确定,实际方式非常灵活。0069一种可选的实现方式,如图1B所示,所述可控变形材料部12包括一可控变形材料层121,多个所述图像传感器像素11阵列分布且连接在所述可控变形材料层121的一面。可选的,可根据实际工艺条件选择将多个所述图像传感器像素直接形成于所述可控变形材料层12上,或者,多个所述图。
40、像传感器像素与所述可控变形材料层12可分别制备且二者可采用但不限于粘接的方式紧密连接。该方案结构简单、易实现。0070另一种可选的实现方式,如图1C所示,所述可控变形材料部12包括多个可控变形材料连接子部122,多个所述可控变形材料连接子部122阵列分布,以对应连接阵列分布的多个所述图像传感器像素11,即阵列分布的多个所述图像传感器像素通过阵列分布的多个所述可控变形材料连接子部连接为一体。可选的,可根据实际工艺在图像传感器像素阵列的像素的间隔区域形成多个所述可控变形材料连接子部,多个所述可控变形材料连接子部与相应图像传感器像素可以采用但不限于抵接、粘接等方式连接。通过控制多个所述可控变形材料连。
41、接子部的形变即可调整图像传感器像素的密度分布,结构简单,易实现。0071进一步,如图1D和图1E所示,所述图像传感器还可包括形变控制部13,形变控制部13用于调节作用到所述可控变形材料部12的所述外场的分布,以控制所述可控变形材料部12发生相应的形变,这样,当所述可控变形材料部12发生形变,就会相应调整各图像传感器像素11之间的间距,由此改变图像传感器像素11的密度分布,达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。0072可选的,如图1D所示,所述形变控制部可包括光场控制部131,光场控制部131用于调节作用到所述可控变形材料部12的外部光场分布,以控制所述可控变形材料。
42、部12发生相应的形变。该情形下,所述可控变形材料部12可包括至少由光致形变材料制备而成的说明书CN104159025A118/14页12光致形变材料部,如所述光致形变材料部可包括至少由所述光致形变材料制备而得的光致形变材料层,或者,所述可控变形材料部可包括至少由所述光致形变材料制备而得的多个光致形变材料连接子部。光场控制部131通过改变作用在所述光致形变材料部的光场分布图1D中通过箭头疏密表示作用在所述可控变形材料部12不同强度分布的光场,来激励所述可控变形材料部12的不同区域发生不同程度的形变,并通过所述可控变形材料部12的形变相应各图像传感器像素11之间的间距,由此改变图像传感器像素11的。
43、密度分布,达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。0073可选的,如图1E所示,所述形变控制部可包括电场控制部132,电场控制部132用于调节作用到所述可控变形材料部的外部电场分布,以控制所述可控变形材料部发生相应的形变。该情形下,所述可控变形材料部12可包括至少由压电材料制备而成的压电材料部如压电材料层或者压电材料连接子部,等等,或者,所述可控变形材料部12可包括至少由电活性聚合物制备而成的电活性聚合物部如电活性聚合物层或者电活性聚合物连接子部,等等。如图1E所示,可通过控制线连接电场控制部和可控变形材料,电场控制部132通过改变作用在所述可控变形材料部的电场分布。
44、,来激励所述可控变形材料部12的不同区域发生不同程度的形变。如果作用在所述可控变形材料部12电场为零电场,则所述可控变形材料部不发生形变不妨称为零电场激励;如果改变作用在所述可控变形材料部12的电场强弱分布如图中所示的“”正电场激励和“”负电场激励,使得作用在所述可控变形材料部12不同区域的电场强度有所差异,如图1F所示,这样,所述可控变形材料部的不同区域可发生不同程度的形变,并通过所述可控变形材料部12的形变相应调整各图像传感器像素11之间的间距,由此改变图像传感器的整体像素密度分布,达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。0074本申请实施例中所述可控变形部与形。
45、变控制部可直接连接,也可间接连接。所述形变控制部可作为所述图像传感器的一部分,或者,所述形变控制部也可不作为所述图像传感器的一部分,所述图像传感器也可预留管脚、接口等方式与所述形变控制部连接。作用在所述可控变形材料部上的外场可包括但不限于电场、磁场、光场等。用于产生电场的硬件、软件结构,用于产生磁场的硬件、软件结构、以及用于产生光场的硬件、软件结构等,可根据实际需要采用相应的现有技术实现,本申请实施例在此不再赘述。0075可选的,所述图像传感器还可包括柔性衬底,所述柔性衬底可包括但不限于柔性塑料衬底,其具有一定的柔性,可根据需要改变柔性衬底的形状。图像传感器像素、可控变形材料部可设柔性衬底的同。
46、侧或不同侧。例如如图1G所示,多个所述图像传感器像素11连接于柔性衬底14的一面,可控变形材料部如可控变形材料层121连接于柔性衬底14的另一面。又例如如图1H所示,多个所述图像传感器像素11连接于柔性衬底14的一面,可控变形材料部如可控变形材料连接子部122连接相应的图像传感器像素且与所述图形传感器像素11位于所述柔性衬底14的同一面。该方案不仅可以通过作用在可控变形材料部的外场控制其发生形变来间接调整图像传感器的整体像素密度分布,实现图像传感器的像度密度可调,还可因其采用了柔性衬底灵活改变图像传感器的形状,如将平面的图像传感器弯曲一定角度以得到曲面的图像传感器,由此满足多样化图像采集、装饰。
47、等应用需求。0076图1I为本申请实施例提供第七种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如说明书CN104159025A129/14页13图1I所示的图像传感器中,所述可控变形材料部12包括柔性衬底123和多个导磁材料部124;多个图像传感器像素11分别与柔性衬底123连接,至少部分图像传感器像素11上连接有多个导磁材料部124,通过改变作用在导磁材料部124的磁场使柔性衬底123发生相应形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素11的密度分布。例如可在每个图像传感器像素的侧面设置一导磁材料部124,可选的,图像传感器像素11分别与柔性衬底123和导磁材料部124粘接。所述导磁材料部可。
48、包括导磁材料制备的磁极,所述导磁材料可以但不限于使用软磁性材料、硅钢片,坡莫合金,铁氧体,非晶态软磁合金、超微晶软磁合金等中的一种或多种。采用软磁性材料作制备的所述导磁材料部导磁性能较好,磁场撤销后剩磁很小便于下一次调整。0077进一步,可选的,本申请实施例所述的形变控制部13还可包括磁场控制部133,磁场控制部133用于调节作用到所述可控变形材料部的外部磁场分布,以控制所述可控变形材料部发生相应的形变。例如,当磁场控制部133控制作用在导磁材料部124上的磁场即激励磁场发生变化时,如图1I所示的相邻图像传感器像素之间施加一定磁场强弱分布的同磁极NN或SS排斥磁场或异磁极NS或SN吸引磁场,磁。
49、极之间会相应产生排斥力或吸引力,该磁力作用传递到柔性衬底123使柔性衬底123发生伸缩等变形,进而导致相应图像传感器像素之间的间距发生改变,实现调整图像传感器像素密度分布的目的。该方案结合柔性衬底的可伸缩等形变特性以及磁场控制原理,实现图像传感器上的像素密度分布可调。0078图1J为本申请实施例提供第八种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1J所示的图像传感器中,所述可控变形材料部12包括柔性衬底123和多个导磁材料部124;多个导磁材料部124的一面分别与所述柔性衬底123连接,多个所述导磁材料部124的相对面分别对应连接多个所述图像传感器像素11,通过改变作用在所述导磁材料部124的磁场使所述柔性衬底11发生相应形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素11的密度分布。可选的,导磁材料部124与柔性衬底123粘接、图像传感器像素11与导磁材料部124粘接,当柔性衬底123发生当作用在导磁材料部124上的磁场发生变化时,磁力作用传递到柔性衬底123使柔性衬底123发生伸缩等变形,进而实现调整图像传感器像素密度分布的目的。该方案结合柔性衬底的可伸缩等形变特性以及磁场控制原理,实现图像传感器上的像素密度分布可调。0079对所述图像传感器根据所述目标像素密度分布信息进行像素密度分布调整后,进行所述待采集图像的图像采集,在图像采集过程中,所述图像传感器的各图像传。