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1、10申请公布号CN104201283A43申请公布日20141210CN104201283A21申请号201410448021X22申请日20140904H01L51/00200601H01L51/56200601H01L51/5220060171申请人广州新视界光电科技有限公司地址510730广东省广州市萝岗区开源大道11号科技企业加速器A1栋72发明人徐苗许志平李洪濛邹建华王磊陶洪彭俊彪74专利代理机构北京科亿知识产权代理事务所普通合伙11350代理人赵蕊红54发明名称衬底与基板分离工艺、牺牲层、柔性显示器件及其制备工艺57摘要一种用于柔性显示器件的衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备。
2、工艺，工艺包括如下步骤,（1）在基板上制备牺牲层,所述牺牲层为碳单质薄膜；（2）在牺牲层上制备柔性薄膜衬底；（3）在柔性薄膜衬底上制备电子元件；（4）将柔性薄膜衬底从基板上解离获得成品柔性显示器件。牺牲层为碳单质薄膜，具体为非晶碳膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、富勒烯薄膜或者类金刚石薄膜中的任意一种或者一种以上。牺牲层的厚度为1NM1000NM。本发明采用碳单质薄膜作为牺牲层，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离，且不影响器件性能。51INTCL权利要求书2页说明书10页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书10页附图3页10申请公布号CN104201。
3、283ACN104201283A1/2页21用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，其特征在于包括如下步骤,（1）在基板上制备牺牲层,所述牺牲层为碳单质薄膜；（2）在牺牲层上制备柔性薄膜衬底；（3）在柔性薄膜衬底上制备电子元件；（4）将柔性薄膜衬底从基板上解离获得成品柔性显示器件。2根据权利要求1所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于所述碳单质薄膜为非晶碳膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、富勒烯薄膜或者类金刚石薄膜中的任意一种或者一种以上。3根据权利要求1所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于所述牺牲层的厚度为1NM1000NM。4根据权利要求3所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于所述牺牲层通过化学。
4、气相沉积法、物理气相沉积法或者溶液加工法中的任意一种方法制备而成。5根据权利要求1至4任意一项所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于所述步骤（4）通过力学方式将柔性薄膜衬底与牺牲层整体从基板上撕开使基板与柔性薄膜衬底分开得到分离了基板后的成品柔性显示器件。6根据权利要求1至4任意一项所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于所述步骤（2）具体是制备柔性薄膜衬底，使柔性薄膜衬底完全覆盖牺牲层形成部分包覆体，在牺牲层的边缘外侧，柔性薄膜衬底与基板接触；所述步骤（4）具体包括，（41）沿着具有柔性薄膜衬底、牺牲层和基板三层结构依次叠置的位置切割部分包覆体，形成切割线；（42）沿着切割线将柔性薄膜衬底与牺牲层。
5、整体从基板上撕开得到分离了基板的成品柔性显示器件。7根据权利要求1至4任意一项所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于具体包括如下步骤，（1）在基板上制备牺牲层形成第一体；（2）制备柔性薄膜衬底，使柔性薄膜衬底完全包覆所述第一体的外表面形成完全包覆体；（3）在靠近牺牲层一侧的柔性薄膜衬底上制备电子元件；（4）将柔性薄膜衬底从基板上解离获得成品柔性显示器件；所述步骤（4）具体包括，（41）沿着具有柔性薄膜衬底、基板、牺牲层及柔性薄膜衬底四层结构依次叠置的位置切割完全包覆体，形成切割线；（42）沿着切割线采用力学方式使牺牲层与基板间的界面分离，从而使得牺牲层、柔性薄膜衬底及柔性薄膜衬底上的电子元件作为。
6、一个整体从基板上分离，得到分离了基板的成品柔性显示器件。8如权利要求1至7中任意一项所述的用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺中使用的柔性显示器件的牺牲层，其特征在于采用如权利要求1至4中的碳单质薄膜作为牺牲层。权利要求书CN104201283A2/2页39一种柔性显示器件的制备工艺，其特征在于通过如权利要求1至7任意一项所述的衬底与基板分离工艺进行分离。10一种柔性显示器件，其特征在于通过通过如权利要求1至7任意一项所述的衬底与基板分离工艺进行分离。权利要求书CN104201283A1/10页4衬底与基板分离工艺、牺牲层、柔性显示器件及其制备工艺技术领域0001本发明涉及柔性半导体薄膜技。
7、术领域，特别是涉及一种柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺及其所采用的牺牲层、具有该分离工艺的柔性显示器件的制备工艺以及通过该分离工艺所制备而成的柔性显示器件。背景技术0002柔性显示器件制备时是首先在硬质基板上形成柔性薄膜衬底，然后再在柔性薄膜衬底上制作器件，最后将基板与柔性薄膜衬底解离得到去除基板的成品器件。但是，现有技术中的这种方法存在一些缺陷由于柔性的衬底往往会和硬质基板直接产生较强的黏附作用，因此将柔性薄膜衬底从硬质基板上解离时往往容易损伤柔性衬底薄膜及其上的电子器件。0003为了克服上述解离困难，通常在硬质基板与柔性薄膜衬底之间插入特定的牺牲层，利用牺牲层降低二者之间的黏附作用，并。
8、且将解离过程中柔性薄膜衬底可能会受到的物理应力、化学腐蚀等损伤转嫁给牺牲层。目前常见的牺牲层材料包括多晶硅、单晶硅、氮化硅、氧化硅、光刻胶和金属等。0004中国专利申请号2011101138725、名称为柔性显示器件及其制造方法公开了一种热发生器、牺牲层的结构，牺牲层在热发生器作用下分解，使得衬底得以解离。但是这种方法结构复杂，且工艺时间较长。0005美国专利US20090266471公开了一种氢化的氮化硅牺牲层（附着层），通过激光或者紫外线照射使得牺牲层释放氢气分子，产生解离效果。这种方法需要能耐高温的基板，且要求基板必须是对特定波长的光是透明的，工艺成本高，还容易出现光损伤的问题。0006。
9、专利申请号为2011103301613、名称为用于制备柔性平面装置的方法，公开了一种粘性材料牺牲层，可将柔性衬底粘附到载体基板上。这种方法简单快捷，但粘性材料耐高温性能、耐药性差，严重限制了该类型基板的适用范围。0007由于牺牲层在柔性显示装置中的特殊作用，要求牺牲层本身不能和柔性薄膜衬底产生过大的黏附作用，同时硬质基板、牺牲层、柔性薄膜之间的黏附作用也不能过小以避免制备过程中出现的脱离问题。0008因此，针对现有技术不足，提供一种牺牲层，能够有效降低柔性薄膜衬底与硬质基板的粘附作用，又能够方便、低成本、快速解离，且不影响器件性能甚为必要。同时提供一种能够方便、低成本、快速实现柔性显示器件衬底。
10、与基板分离的工艺、及采用此工艺制备的柔性显示器件以克服现有技术不足甚为必要。发明内容0009本发明的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种柔性显示器件衬底与基板分离的工艺，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离。0010本发明的上述目的通过如下技术手段实现。说明书CN104201283A2/10页5提供用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，包括如下步骤,（1）在基板上制备牺牲层,所述牺牲层为碳单质薄膜；（2）在牺牲层上制备柔性薄膜衬底；（3）在柔性薄膜衬底上制备电子元件；（4）将柔性薄膜衬底从基板上解离获得成品柔性显示器件。0011上述碳单质薄膜为非晶碳膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、。
11、富勒烯薄膜或者类金刚石薄膜中的任意一种或者一种以上。0012上述牺牲层的厚度为1NM1000NM。0013上述牺牲层通过化学气相沉积法、物理气相沉积法或者溶液加工法中的任意一种方法制备而成。0014优选的，上述步骤（4）通过力学方式将柔性薄膜衬底与牺牲层整体从基板上撕开使基板与柔性薄膜衬底分开得到分离了基板后的成品柔性显示器件。0015另一优选的，上述步骤（2）具体是制备柔性薄膜衬底，使柔性薄膜衬底完全覆盖牺牲层形成部分包覆体，在牺牲层的边缘外侧，柔性薄膜衬底与基板接触；所述步骤（4）具体包括，（41）沿着具有柔性薄膜衬底、牺牲层和基板三层结构依次叠置的位置切割部分包覆体，形成切割线；（42）。
12、沿着切割线将柔性薄膜衬底与牺牲层整体从基板上撕开得到分离了基板的成品柔性显示器件。0016另一优选的，上述的衬底与基板分离工艺，具体包括如下步骤，（1）在基板上制备牺牲层形成第一体；（2）制备柔性薄膜衬底，使柔性薄膜衬底完全包覆所述第一体的外表面形成完全包覆体；（3）在靠近牺牲层一侧的柔性薄膜衬底上制备电子元件；（4）将柔性薄膜衬底从基板上解离获得成品柔性显示器件；所述步骤（4）具体包括，（41）沿着具有柔性薄膜衬底、基板、牺牲层及柔性薄膜衬底四层结构依次叠置的位置切割完全包覆体，形成切割线；（42）沿着切割线采用力学方式使牺牲层与基板间的界面分离，从而使得牺牲层、柔性薄膜衬底及柔性薄膜衬底上。
13、的电子元件作为一个整体从基板上分离，得到分离了基板的成品柔性显示器件。0017本发明的另一目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种适用于柔性显示器件衬底与基板分离的工艺的牺牲层，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离。0018本发明的上述目的通过如下技术手段实现。上述的用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺中使用的柔性显示器件的牺牲层，采用上述碳单质薄膜作为牺牲层。0019本发明的另一目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种柔性显示器件的制备工艺，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离。其通过如下技术手段实现通过上述的衬底与基板分离工艺进行分离。说明书CN104201283A3/10。
14、页60020本发明的另一目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种柔性显示器件，通过上述的衬底与基板分离工艺进行分离，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离。0021本发明采用碳单质薄膜作为牺牲层，碳单质薄膜能够阻止柔性薄膜衬底与硬质基板之间形成强化学键，使得柔性薄膜衬底与基板之间的黏附作用大大降低，故可在制备电子元件后简单地将基板解离。由于碳单质薄膜作为牺牲层，其透光性好，不会影像器件的性能，因此不需要将碳单质薄膜去除，故能够进一步简化工艺。综上所述，本发明用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离。0022本发明提供的牺牲层，能够简单、低成本、快。
15、速地实现衬底与基板分离，且不影响器件性能。0023本发明提供的柔性显示器件及其制备方法，具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。附图说明0024利用附图对本发明作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。0025图1是本发明用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺实施例1的示意图。0026图2是本发明的部分包覆体的结构的示意图。0027图3是本发明对部分包覆体解离的示意图。0028图4是本发明对部分包覆体解离的示意图。0029图5是本发明的包覆体的结构的示意图。0030图6是本发明对包覆体解离的示意图。0031在图1至图6中包括基板100、牺牲层200、柔性薄膜。
16、衬底300、部分包覆体400、第一体500、完全包覆体600、切割线700。具体实施方式0032结合以下实施例对本发明作进一步描述。0033实施例1。0034一种用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，包括如下步骤1在基板100上制备牺牲层200,牺牲层200为碳单质薄膜。0035基板100为硬质材料，可以为玻璃、金属、塑料和纤维材质，也可以为基于上述材料并具有缓冲层的基板100。0036其中，碳单质薄膜为为非晶碳膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、富勒烯薄膜或者类金刚石薄膜中的任意一种或者一种以上。0037牺牲层200的厚度为1NM1000NM，牺牲层200通过化学气相沉积法、物理气相沉积法或者。
17、溶液加工法中的任意一种方法制备而成。00382在牺牲层200上制备柔性薄膜衬底300。0039柔性薄膜衬底300的材料可以为聚酰亚胺（POLYIMIDE，PI、聚对苯二甲酸乙二醇酯POLYETHYLENETEREPHTHALATE，PET、聚萘二甲酸乙二酯POLYETHYLENE说明书CN104201283A4/10页7NAPHTHALATE，PEN、聚碳酸酯POLYCARBONATE，PC、聚醚砜POLYETHERSULFONE，PES、聚丙烯酸酯POLYACRYLATE，PAR，聚醚酰亚胺（POLYETHERIMIDE）、聚酰胺POLYAMIDE，PA或者聚醚醚酮POLYETHERETHE。
18、RKETONE，PEEK等。0040柔性衬底可以采用涂膜工艺（COATING）形成于牺牲层200上，包括刮涂、旋涂、喷涂、浸涂、丝网印刷以及这些方法的组合。0041柔性薄膜衬底300的制备工艺为本领域公知常识，在此不再赘述。00423在柔性薄膜衬底300上制备电子元件。0043在柔性薄膜衬底300上所制作的电子元件包括绝缘层、电阻、电容、电感、导线、晶体管、二极管中的至少一种或者一种以上的组合。电子元件的具体形式及位置、连接关系可以根据具体器件要求灵活选择和设置，在此不一一列举。00444将柔性薄膜衬底300从基板100上解离获得成品柔性显示器件。具体通过力学方式将柔性薄膜衬底300与牺牲层2。
19、00整体从基板100上撕开使基板100与柔性薄膜衬底300分开得到分离了基板100后的成品柔性显示器件，如图1所示。需要说明的是，本实施例中所指的力学方式可以是通过人手进行撕开，也可以是通过机械手进行撕开。0045本发明的工艺既可以发挥柔性显示器件制备过程中在基板100上制备牺牲层200，最后在制备完电子元件后将柔性薄膜衬底300从基板100上解离，利用牺牲层200将柔性薄膜衬底300可能会受到的物理应力、化学腐蚀等损伤转给牺牲层200的特点。又具有解离方便、简单的特点。0046本发明的工艺采用碳单质薄膜作为牺牲层200，设置于柔性薄膜衬底300与基板100之间的碳单质薄膜，碳单质薄膜会与渗透。
20、进入该界面的氧分子发生反应，进而阻止柔性薄膜衬底300与硬质基板100之间形成强化学键，使得柔性薄膜衬底300与硬质的基板100之间的黏附作用大大削弱。而碳单质薄膜与硬质的基板100之间所形成的化学键较弱，二者的黏附作用较弱。碳单质薄膜与柔性薄膜衬底300之间的黏附作用大于碳单质薄膜与基板100之间的黏附作用。故在器件制备完毕后，可以通过简单的撕开工艺就可以将柔性薄膜衬底300与牺牲层200整体从硬质的基板100上撕开，实现硬质基板100的脱离获得成本柔性显示器件。0047由于采用碳单质薄膜作为牺牲层200，且所选择的碳单质薄膜材料为透明薄，透光率高，且碳单质薄膜较薄，解离后的碳单质薄膜黏附于。
21、柔性薄膜衬底300，不会对器件的性能造成干扰。因此，不需要像现有技术中在基板解离后需特别设置牺牲层解离步骤。故，本发明的方法不需要去除牺牲层200的步骤，使得制备工艺的难度和复杂度大大降低。0048本发明的工艺，具有衬底与基板100分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0049实施例2。0050一种用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，其它特征与实施例1相同，不同之处在于还具有如下特征本实施例的步骤（2）制备柔性薄膜衬底300，使柔性薄膜衬底300完全覆盖牺牲层200形成部分包覆体400，所制备的结构如图2所示。柔性薄膜衬底300要完全覆盖牺牲层200，柔性薄膜衬底300的面积大于。
22、牺牲层200的面积，且在牺牲层200的边缘外侧，柔性薄膜衬底300与基板100直接接触。这种结构能够提高柔性薄膜衬底300和牺牲层200对基板说明书CN104201283A5/10页8100的附着力，减少器件制备过程中柔性衬底发生意外解离的几率。在器件制备完毕后，可以通过切割的方式进行解离。0051本实施例的步骤（4）将柔性薄膜衬底300从基板100上解离获得成品柔性显示器件,具体包括（41）沿着具有柔性薄膜衬底300、牺牲层200和基板100三层结构依次叠置的位置切割部分包覆体400，形成切割线700；（42）沿着切割线700采用力学方式使牺牲层200与基板100之间的界面分离，从而使得牺牲。
23、层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体从基板100上分离，得到分离了基板的成品柔性显示器件。0052可如图3、图4所示，沿着虚线切割部分包覆体400，然后将柔性薄膜衬底300与牺牲层200整体从基板100上撕开得到分离后的成品柔性显示器件。0053由于碳单质薄膜与基板100之间形成的化学键较弱，二者的黏附作用较弱。因此在制备的过程中，柔性薄膜衬底300和衬底偶尔会有提早脱离的现象，导致后续步骤不能有效进行。0054该实施例中，使柔性薄膜衬底300完全覆盖牺牲层200，可以避免柔性薄膜衬底300与牺牲层200提早脱离的情况发生。由于部分包覆体400的柔性薄膜衬底300。
24、完全覆盖住了牺牲层200，因此，在牺牲层200外部位置，柔性薄膜衬底300与基板100直接接触，在牺牲层200位置，牺牲层200与基板100直接接触。这样，柔性薄膜衬底300与基板100直接接触的位置黏附力大，柔性薄膜衬底300与牺牲层200不会及早脱离。当器件制备完毕后，对部分包覆体400进行切割，然后沿着切割线700将柔性薄膜衬底300、牺牲层200及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体沿着基板100脱离，此时，在切割线700内的牺牲层200位置，牺牲层200与基板100之间的黏附力较小，因此可以方便地解离。0055故，本实施例用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，具有衬底与基板分离简。
25、单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0056实施例3。0057一种用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，其它特征与实施例1相同，不同之处在于还具有如下特征，该工艺具体包括如下步骤（1）在基板100上制备牺牲层200形成第一体500。0058（2）制备柔性薄膜衬底300，使柔性薄膜衬底300完全包覆第一体500的外表面形成完全包覆体600，如图5所示。0059（3）在靠近牺牲层200一侧的柔性薄膜衬底上制备电子元件，靠近牺牲层200一侧的柔性薄膜衬底是指图5中的A面。（4）将柔性薄膜衬底300从基板100上解离获得成品柔性显示器件。0060步骤（4）具体包括，如图6所示，（41）沿着具有。
26、柔性薄膜衬底300、基板100、牺牲层200及柔性薄膜衬底300四层结构依次叠置的位置切割完全包覆体600，形成切割线700；（42）沿着切割线700采用力学方式使牺牲层200与基板100间的界面分离，从而使得牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体从基板100上分离，得到分离了基板的成品柔性显示器件。说明书CN104201283A6/10页90061由于碳单质薄膜与基板100之间形成的化学键较弱，二者的黏附作用较弱。因此在制备的过程中，柔性薄膜衬底300和衬底偶尔会有提早脱离的现象，导致后续步骤不能有效进行。0062该实施例中，使柔性薄膜衬底300完全覆盖第一体。
27、500的外表面，可以避免柔性薄膜衬底300与牺牲层200提早脱离的情况发生。由于柔性薄膜衬底300完全覆盖住了第一体500，因此柔性薄膜衬底300与基板100能够有效黏附，不会提早脱落。当器件制备完毕后，对包覆体进行切割，然后沿着切割线700采用力学方式使牺牲层200与基板100间的界面分离，从而使得牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体从基板100上分离，此时，在切割线700内的牺牲层200位置，牺牲层200与基板100之间的黏附力较小，因此可以方便地解离。0063故，本实施例用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影。
28、响器件性能的特点。0064实施例4。0065如实施例1至3任意一项所述的牺牲层，用于柔性显示器件制备中，该牺牲层200为碳单质薄膜。碳单质薄膜可为非晶碳膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、富勒烯薄膜或者类金刚石薄膜中的任意一种或者一种以上。0066牺牲层200的厚度为1NM1000NM，牺牲层200可通过化学气相沉积法、物理气相沉积法或者溶液加工法中的任意一种方法制备而成。0067在制备柔性显示器件过程中，将该牺牲层200先制备于硬质的基板100上，然后再在牺牲层200上制备柔性薄膜衬底300，接着在柔性薄膜衬底300上制备各种电子元件，最后将牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元。
29、件作为一个整体与硬质的基板100解离，得到成品柔性显示器件。0068通过该牺牲层200，可以将解离过程中的物理、化学损伤转移到牺牲层200而不会对衬底造成损伤。同时该牺牲层200与柔性薄膜衬底300之间的黏附力大于牺牲层200与基板100之间的黏附力，因此只需通过简单的撕开就开实现解离。透明的碳单质薄膜不会影响器件的性能，因此，与柔性薄膜衬底300一起的牺牲层200不需要专门设置工序去掉牺牲层200，具有工艺简单的特点。0069实施例5。0070一种柔性显示器件制备的制备工艺，具有如实施例1至3中任意一项所述的解离工艺，包括如下步骤1在基板100上制备牺牲层200,牺牲层200为碳单质薄膜。0。
30、071基板100为硬质材料，可以为玻璃、金属、塑料和纤维材质，也可以为基于上述材料并具有缓冲层的基板100。0072其中，碳单质薄膜为为非晶碳膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、富勒烯薄膜或者类金刚石薄膜中的任意一种或者一种以上。0073牺牲层200的厚度为1NM1000NM，牺牲层200通过化学气相沉积法、物理气相沉积法或者溶液加工法中的任意一种方法制备而成。00742在牺牲层200上制备柔性薄膜衬底300。0075柔性薄膜衬底300的材料可以为聚酰亚胺（POLYIMIDE，PI、聚对苯二甲酸说明书CN104201283A7/10页10乙二醇酯POLYETHYLENETEREPHTHALATE，P。
31、ET、聚萘二甲酸乙二酯POLYETHYLENENAPHTHALATE，PEN、聚碳酸酯POLYCARBONATE，PC、聚醚砜POLYETHERSULFONE，PES、聚丙烯酸酯POLYACRYLATE，PAR，聚醚酰亚胺（POLYETHERIMIDE）、聚酰胺POLYAMIDE，PA或者聚醚醚酮POLYETHERETHERKETONE，PEEK等。0076柔性衬底可以采用涂膜工艺（COATING）形成于牺牲层200上，包括刮涂、旋涂、喷涂、浸涂、丝网印刷以及这些方法的组合。0077柔性薄膜衬底300的制备工艺为本领域公知常识，在此不再赘述。00783在柔性薄膜衬底300上制备电子元件。007。
32、9在柔性薄膜衬底300上所制作的电子元件包括绝缘层、电阻、电容、电感、导线、晶体管、二极管中的任意一种或者任意一种以上的组合。电子元件的具体形式及位置、连接关系可以根据具体器件要求灵活选择和设置，在此不一一列举。00804将柔性薄膜衬底300从基板100上解离获得成品柔性显示器件。具体通过力学方式如人手或者机械手将牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体从基板100上撕开使基板100与柔性薄膜衬底300分开得到分离了基板100后的成品柔性显示器件，如图1所示。0081本发明的柔性显示器件制备的制备工艺在基板100上制备牺牲层200，最后在制备完电子元件后将柔性薄膜。
33、衬底300从基板100上解离，利用牺牲层200将柔性薄膜衬底300可能会受到的物理应力、化学腐蚀等损伤转给牺牲层200的特点。又具有解离方便、简单的特点。0082由于采用碳单质薄膜作为牺牲层200，设置于柔性薄膜衬底300与基板100之间的碳单质薄膜，碳单质薄膜会与渗透进入该界面的氧分子发生反应，进而阻止柔性薄膜衬底300与硬质基板100之间形成强化学键，使得柔性薄膜衬底300与硬质的基板100之间的黏附作用大大削弱。而碳单质薄膜与硬质的基板100之间所形成的化学键较弱，二者的黏附作用较弱。碳单质薄膜与柔性薄膜衬底300之间的黏附作用大于碳单质薄膜与基板100之间的黏附作用。故在器件制备完毕后。
34、，可以通过简单的撕开工艺就可以将牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体从硬质的基板100上撕开，实现硬质基板100的脱离获得成本柔性显示器件。0083由于采用碳单质薄膜作为牺牲层200，且所选择的碳单质薄膜材料为透明薄，透光率高，且碳单质薄膜较薄，解离后的碳单质薄膜黏附于柔性薄膜衬底300，不会对器件的性能造成干扰。因此，不需要像现有技术中在基板100解离后需特别设置牺牲层200解离步骤。故，本发明的方法不需要去除牺牲层的步骤，使得制备工艺的难度和复杂度大大降低。0084本发明的工艺，具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0085实施例6。。
35、0086一种柔性显示器件制备的制备工艺，其它特征与实施例5相同，不同之处在于还具有如下特征本实施例的步骤（2）制备柔性薄膜衬底300，使柔性薄膜衬底300完全覆盖牺牲层200形成部分包覆体400，所制备的结构如图2所示。柔性薄膜衬底300要完全覆盖牺牲层200，柔性薄膜衬底300的面积大于牺牲层200的面积，且在牺牲层200的边缘外侧，柔性薄膜衬说明书CN104201283A108/10页11底300与基板100直接接触。这种结构能够提高柔性薄膜衬底300和牺牲层200对基板100的附着力，减少脱离的几率。在器件制备完毕后，可以通过切割的方式进行解离。0087本实施例的步骤（4）将柔性薄膜衬底。
36、300从基板100上解离获得成品柔性显示器件,具体包括（41）沿着具有柔性薄膜衬底300、牺牲层200和基板100三层结构依次叠置的位置切割部分包覆体400，形成切割线700；（42）沿着切割线700将牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体从基板100上撕开得到分离了基板100的成品柔性显示器件。0088可如图3、图4所示，沿着虚线切割部分包覆体400，然后将柔性薄膜衬底300与牺牲层200及柔性薄膜衬底上的电子元件整体从基板100上撕开得到分离后的成品柔性显示器件。0089由于碳单质薄膜与基板100之间形成的化学键较弱，二者的黏附作用较弱。因此在制备的过程中，。
37、柔性薄膜衬底300和衬底偶尔会有提早脱离的现象，导致后续步骤不能有效进行。0090该实施例中，使柔性薄膜衬底300完全覆盖牺牲层200，可以避免柔性薄膜衬底300与牺牲层200提早脱离的情况发生。由于部分包覆体400的柔性薄膜衬底300完全覆盖住了牺牲层200，因此，在牺牲层200外部位置，柔性薄膜衬底300与基板100直接接触，在牺牲层200位置，牺牲层200与基板100直接接触。这样，柔性薄膜衬底300与基板100直接接触的位置黏附力大，柔性薄膜衬底300与牺牲层200不会及早脱离。当器件制备完毕后，对部分包覆体400进行切割，然后沿着切割线700将牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄。
38、膜衬底上的电子元件作为一个整体沿着基板100脱离，此时，在切割线700内的牺牲层200位置，牺牲层200与基板100之间的黏附力较小，因此可以方便地解离。0091故，本实施例的柔性显示器件制备的制备工艺，具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0092实施例7。0093一种用于柔性显示器件制备的衬底与基板分离工艺，其它特征与实施例5相同，不同之处在于还具有如下特征，该工艺具体包括如下步骤（1）在基板100上制备牺牲层200形成第一体500。0094（2）制备柔性薄膜衬底300，使柔性薄膜衬底300完全包覆第一体500的外表面形成完全包覆体600，如图5所示。0095（3）在。
39、靠近牺牲层200一侧的柔性薄膜衬底300上即图5中的A面上制备电子元件。0096（4）将柔性薄膜衬底300从基板100上解离获得成品柔性显示器件。0097步骤（4）具体包括，如图6所示，（41）沿着具有柔性薄膜衬底300、基板100、牺牲层200及柔性薄膜衬底300四层结构依次叠置的位置切割完全包覆体600，形成切割线700；（42）沿着切割线700将牺牲层200、柔性薄膜衬底300及柔性薄膜衬底上的电子元件作为一个整体从基板100上分离得到分离了基板100的成品柔性显示器件。0098由于碳单质薄膜与基板100之间形成的化学键较弱，二者的黏附作用较弱。因此说明书CN104201283A119/。
40、10页12在制备的过程中，柔性薄膜衬底300和衬底偶尔会有提早脱离的现象，导致后续步骤不能有效进行。0099该实施例中，使柔性薄膜衬底300完全覆盖第一体500的外表面，可以避免柔性薄膜衬底300与牺牲层200提早脱离的情况发生。由于柔性薄膜衬底300完全覆盖住了第一体500，因此柔性薄膜衬底300与基板100能够有效黏附，不会提早脱落。当器件制备完毕后，对包覆体进行切割，然后沿着切割线700将柔性薄膜衬底300与牺牲层200一起沿着基板100脱离，此时，在切割线700内的牺牲层200位置，牺牲层200与基板100之间的黏附力较小，因此可以方便地解离。0100故，本实施例柔性显示器件的制备工艺。
41、，具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0101实施例8。0102制备一种柔性TFT驱动背板1A以验证本发明的效果，具体制备过程如下首先，选择玻璃基板100作为硬质的基板100，在制备牺牲层200之前，先对玻璃基板100进行清洗。0103（1）利用化学气相沉积法，制备非晶碳单质薄膜作为牺牲层200。具体的，在平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积设备中，将硬质衬底材料放置在接地的阳极电极上，通入甲烷和氢气的混合气体作为反应气体，直至形成50纳米的非晶碳单质薄膜，完毕之后，进行退火处理。0104（2）在牺牲层200上制备聚酰亚胺衬底。具体的，在牺牲层200上涂覆聚酰氨酸溶液。
42、，采用先刮涂再旋涂的方式。涂覆完毕之后，将硬质基板100送入N2气氛的烘箱内对聚酰胺酸初体膜进行固化成膜。0105（3）然后在聚酰亚胺薄膜衬底上制备TFT驱动电路。0106（4）最后将聚酰亚胺薄膜直接从基板100上撕下。0107为了对比效果，制备另一柔性TFT驱动背板1B，1B与1A唯一的不同在于不制备牺牲层200，而是直接在硬质基板100上制备聚酰亚胺薄膜衬底。在撕下聚酰亚胺薄膜衬底时候，薄膜出现了明显的裂纹，TFT器件相应的也出现了肉眼可见的损伤。0108可见，本发明具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0109实施例9。0110制备一种柔性AMOLED面板2A，含T。
43、FT驱动背板以及OLED发光器件。0111选择不锈钢金属基板100作为硬质的基板100，在制备牺牲层200之前，先对基板100进行清洗。0112（1）利用溶液加工法，制备碳纳米管薄膜牺牲层200。具体的，将碳纳米管粉末加入到分散液中进行搅拌处理充分散，得到碳纳米管分散液；采用抽滤漏斗抽滤碳纳米管分散液进行沉积处理，获得附着于滤膜的碳纳米管沉积物，用水洗去分散剂，最后将碳纳米管沉积物与基板100相结合以脱除滤膜，获得碳纳米管薄膜。0113（2）在牺牲层200上制备聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底，使得聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底完全包覆牺牲层200形成部分包覆体400。具体的，在牺牲层200上涂覆聚对苯二甲。
44、酸乙二醇酯溶液，涂覆时让溶液溢出，覆盖住金属基板100。涂覆完毕之后，将硬质基板100送入N2气氛的烘箱内进行固化成膜。说明书CN104201283A1210/10页130114（3）在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上制备TFT驱动电路和OLED器件。0115（4）在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上切割出目标面板的轮廓，将衬底从基板100上撕下。0116为例对比效果，制备另一柔性AMOLED面板2B，2B与2A唯一的不同在于不制备牺牲层200，直接在硬质基板100上制备聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底。在撕下薄膜衬底的时候，薄膜出现了明显的裂纹，TFT与OLED器件相应的也出现了肉眼可见的损伤。0117可见，本发。
45、明具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0118实施例10。0119制备一种柔性AMOLED面板3A，含TFT驱动背板以及OLED发光器件。0120首先选择金属基板100作为硬质基板100，在制备牺牲层200之前，先对基板100进行清洗。0121（1）利用溶液加工法，制备石墨烯薄膜牺牲层200，形成第一体500。具体的，首先制备石墨烯氧化物作为一种胶体溶液，涂覆在金属基板100表面，利用金属基板100的还原能力使其原位地转变为石墨烯，对溶剂进展蒸发中，石墨烯发生自组装形成石墨烯薄膜。0122（2）制备聚萘二甲酸乙二酯衬底，使得该聚萘二甲酸乙二酯衬底完全包覆第一体500。具。
46、体的，将基板100和牺牲层200一起浸泡在聚萘二甲酸乙二酯溶液中，一段时间后取出，送入N2气氛的烘箱内进行固化成膜。得到的聚萘二甲酸乙二酯衬底覆盖住了整个基板100和牺牲层200。0123（3）在聚萘二甲酸乙二酯衬底上制备TFT驱动电路和OLED器件。0124（4）在聚萘二甲酸乙二酯衬底上切割出目标面板的轮廓，将衬底从基板100上撕下。0125为了对比效果，设置对比实施例3B，3B与3A唯一的不同在于不制备牺牲层200，直接在硬质基板100上制备聚萘二甲酸乙二酯衬底。在撕下薄膜衬底的时候，薄膜出现了明显的裂纹，TFT与OLED器件相应的也出现了肉眼可见的损伤。0126可见，本发明具有衬底与基板分离简单、成本低、快速且不影响器件性能的特点。0127最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。说明书CN104201283A131/3页14图1图2图3说明书附图CN104201283A142/3页15图4图5说明书附图CN104201283A153/3页16图6说明书附图CN104201283A16。