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1、10申请公布号CN104103757A43申请公布日20141015CN104103757A21申请号201310114176522申请日20130403H01L51/0020060171申请人中国科学院微电子研究所地址100083北京市朝阳区北土城西路3号72发明人姬濯宇郭经纬王龙陆丛研王伟李泠刘明74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人任岩54发明名称一种有机电极的制备方法57摘要本发明公开了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本发明所制备的有机电极，结构完。
2、整、稳定性好、重复率高。51INTCL权利要求书1页说明书2页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图1页10申请公布号CN104103757ACN104103757A1/1页21一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。2根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。3根据权利要求2所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述无机材料是AL2O3。4根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所。
3、述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。5根据权利要求4所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料，其端基为OH。6根据权利要求4所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料选自氧化硅SIO2、氧化铪HFO2、氧化钛TIO2或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。7根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。8根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述有机电极是聚吡咯POLYPYRROLE。权利要求书CN104103757A1/2页3一种有机电极的制备方法技术领域0001本发。
4、明涉及一种有机电极的制备方法，特别是一种不能直接制备于介质层或绝缘层表面的有机电极的制备方法。背景技术0002随着科学技术日新月异的发展，电子产品已经深入到我们生活工作中的方方面面。人们对低成本、低重量、柔性、便携的电子产品的关注度越来越高。传统的基于无机半导体材料的器件和电路很难满足这些要求，因此可以实现这些特性的基于有机半导体材料的有机集成电路技术在这一趋势下得到了快速发展。提高有机半导体器件的性能、稳定性和成品率，降低有机半导体器件的成本一直是该领域追求的目标。传统的无机金属电极在有机集成电路技术中应用时存在着成本高、金属功函数与有机材料能级不匹配等问题。有机电极的出现很好的解决了这一问。
5、题。然而，很多有机电极的制备过程会产生酸性或碱性溶液，这些溶液会破坏某些材料介质层或绝缘层，使得有机电极不能制备在这些介质层或绝缘层表面。0003有鉴于此，探索新的有机电极制备方案，解决有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层表面的问题，是本发明的创研动机所在。发明内容0004一要解决的技术问题0005本发明的目的是提供一种有机电极的制备方法，以解决解决有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层表面的问题。0006二技术方案0007为达到上述目的，本发明提供了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。。
6、0008上述方案中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。所述无机材料是AL2O3。0009上述方案中，所述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。所述保护层采用的材料，其端基为OH。所述保护层采用的材料选自氧化硅SIO2、氧化铪HFO2、氧化钛TIO2或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。0010上述方案中，所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。0011上述方案中，所述有机电极是聚吡咯POLYPYRROLE。0012三有益效果0013本发明提供的这种有机电极的制备方法，通过在介质层或绝缘层表面生长保护层，然后在该保护层表面制备有机电极，制得的电极具有结构完整、。
7、稳定性好、重复率高的优点。说明书CN104103757A2/2页4附图说明0014图1是依照本发明实施例的制备有机电极的方法流程图；0015图2至图3是依照本发明实施例的制备有机电极的工艺流程图，其中0016图2是在介质层上沉淀一层保护层示意图；0017图3是在保护层上制备有机电极示意图；0018其中1衬底，2介质层，3保护层，4有机电极。具体实施方式0019为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。0020如图1所示，图1是依照本发明实施例的制备有机电极的方法流程图，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括002。
8、1步骤1在介质层或绝缘层的表面生长保护层；0022步骤2在该保护层表面制备有机电极。0023其中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。所述无机材料是AL2O3。所述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。所述保护层采用的材料，其端基为OH。所述保护层采用的材料选自氧化硅SIO2、氧化铪HFO2、氧化钛TIO2或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。所述有机电极是聚吡咯英文名称POLYPYRROLE。0024实施例1基于SIO2保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述0025步骤1、在AL2O3介质层上生长一层SIO2保护层；0。
9、026步骤2、在SIO2保护层上进行聚吡咯电极制备。0027实施例2基于HFO2保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述0028步骤1、在AL2O3介质层上生长一层HFO2保护层；0029步骤2、在HFO2保护层上进行聚吡咯电极制备。0030实施例3基于TIO2保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述0031步骤1、在AL2O3介质层上生长一层金属钛TI；0032步骤2、将金属钛表面氧化成保护层TIO2；0033步骤3、在TIO2保护层上进行聚吡咯电极制备。0034实施例4基于PMMA保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述0035步骤1、在AL2O3介质层上旋涂一层PMMA保护层；0036步骤2、在PMMA保护层上进行聚吡咯电极制备。0037以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。说明书CN104103757A1/1页5图1图2图3说明书附图CN104103757A。