《一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法.pdf（6页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、10申请公布号CN104078328A43申请公布日20141001CN104078328A21申请号201410340149422申请日20140717H01L21/02200601B08B3/0820060171申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号72发明人宋振伟74专利代理机构上海思微知识产权代理事务所普通合伙31237代理人王宏婧54发明名称一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法57摘要一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，包括执行步骤S1待清洗之硅片经过氢氟酸清洗；执行步骤S2经过氢氟酸清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗；。
2、执行步骤S3经过伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗后之硅片浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗；执行步骤S4经过浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中进一步清洗。本发明通过在氢氟酸清洗后的去离子水清洗过程中，采用向上导流的方式引入亲水类表面活性剂，降低了硅片的表面张力，增加了清洗效果，减少了缺陷，极大的改善了硅片的性能和产品良率。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图1页10申请公布号CN104078328ACN104078328A1/1。
3、页21一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，包括执行步骤S1待清洗之硅片经过氢氟酸清洗；执行步骤S2经过所述氢氟酸清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗；执行步骤S3经过伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗后之硅片浸置在所述具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗；执行步骤S4经过浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中进一步清洗。2如权利要求1所述的减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，在步骤S2中，经过所述氢氟酸清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子。
4、水中清洗，所述清洗的时间为120180S。3如权利要求2所述的减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述亲水类表面活性剂注入过程为向上导流方式引入至所述去离子水中。4如权利要求1所述的减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，在步骤S3中，经过伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗后之硅片浸置在所述具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗，所述浸置清洗的时间为300S。5如权利要求1所述的减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，在步骤S4中，经过浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中进一步清洗，所述清洗的时间为180S。6如权利。
5、要求5所述的减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述亲水类表面活性剂注入过程为向上导流方式引入至所述去离子水中。7如权利要求16任一权利要求所述的减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述亲水类表面活性剂为醇类表面活性剂、胺类表面活性剂。8如权利要求7所述的减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述亲水类表面活性剂为异丙醇。权利要求书CN104078328A1/3页3一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法技术领域0001本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法。背景技术0002在半导体制造工艺技术领域，湿法清洗/刻蚀在半导体集成电路中必不可少。湿法清洗可有效去。
6、除硅片表面在各种不同制程中所产生的缺陷，包括颗粒、离子、金属、残留等缺陷，并为后续制程提供了良好的硅片性质。湿法刻蚀以其各向同性和高选择比的特点在栅极刻蚀、硅化物阻隔层刻蚀等制程中亦不可或缺。0003现有的湿法清洗/刻蚀均根据其制程之目的，将不同酸液进行组合，所述方式在湿法清洗/刻蚀中已被广泛应用。常见地，所述酸液为氢氟酸。然而，经过氢氟酸清洗后的所述硅片表面具有疏水性特性，表面张力较大，所述硅片表面之缺陷难于通过后续的去离子水清洗工艺进行去除，从而使得硅片表面残留大量的缺陷，最终影响硅片的电性和良率。0004故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了。
7、本发明一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法。发明内容0005本发明是针对现有技术中，传统的硅片在经过氢氟酸清洗后其表面具有疏水性特性，表面张力较大，所述硅片表面之缺陷难于通过后续的去离子水清洗工艺进行去除，从而使得硅片表面残留大量的缺陷，最终影响硅片的电性和良率等缺陷提供一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法。0006为了解决上述问题，本发明提供一种减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，所述减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，包括0007执行步骤S1待清洗之硅片经过氢氟酸清洗；0008执行步骤S2经过所述氢氟酸清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗；0009执行步骤S3经过伴随有亲水类表面活性剂。
8、注入过程的去离子水中清洗后之硅片浸置在所述具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗；0010执行步骤S4经过浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中进一步清洗。0011可选地，在步骤S2中，经过所述氢氟酸清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗，所述清洗的时间为120180S。0012可选地，所述亲水类表面活性剂注入过程为向上导流方式引入至所述去离子水中。0013可选地，在步骤S3中，经过伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗后之硅片浸置在所述具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗，所述浸置清洗的时间为300S。说明书。
9、CN104078328A2/3页40014可选地，在步骤S4中，经过浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中进一步清洗，所述清洗的时间为180S。0015可选地，所述亲水类表面活性剂注入过程为向上导流方式引入至所述去离子水中。0016可选地，所述亲水类表面活性剂为醇类表面活性剂、胺类表面活性剂。0017可选地，所述亲水类表面活性剂为异丙醇。0018综上所述，本发明减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法通过在氢氟酸清洗后的去离子水清洗过程中，采用向上导流的方式引入亲水类表面活性剂，降低了硅片的表面张力，增加了清洗效果，减少了缺陷，极大的改善了硅片的性能。
10、和产品良率。附图说明0019图1所示为本发明减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法流程图。具体实施方式0020为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。0021请参阅图1，图1所示为本发明减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法流程图。所述减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法，包括0022执行步骤S1待清洗之硅片经过氢氟酸清洗；0023执行步骤S2经过所述氢氟酸清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗；0024执行步骤S3经过伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗后之硅片浸置在所述具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗；0025执行步骤S4。
11、经过浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中进一步清洗。0026为了更好的实施本发明之技术方案，作为具体的实施方式，优选地，在步骤S2中，经过所述氢氟酸清洗后之硅片在伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗，所述清洗的时间为120180S。更具体地，所述亲水类表面活性剂注入过程为向上导流方式引入至所述去离子水中。在步骤S3中，经过伴随有亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中清洗后之硅片浸置在所述具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗，所述浸置清洗的时间为300S。在步骤S4中，经过浸置在具有亲水类表面活性剂的去离子水中清洗后之硅片在伴随有。
12、亲水类表面活性剂注入过程的去离子水中进一步清洗，所述清洗的时间为180S。更具体地，所述亲水类表面活性剂注入过程为向上导流方式引入至所述去离子水中。0027为了更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，非限制性地，所述亲水类表面活性剂包括但不限于醇类表面活性剂、胺类表面活性剂。更具体地，所述亲水类表面活性剂为异丙醇。0028明显地，本发明减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法通过在氢氟酸清洗后的去离子水清洗过程中，采用向上导流的方式引入亲水类表面活性剂，降低了硅片的表面张力，增加了说明书CN104078328A3/3页5清洗效果，减少了缺陷，极大的改善了硅片的性能和产品良率。0029综上所述，本发明减少氢氟酸清洗后之缺陷的方法通过在氢氟酸清洗后的去离子水清洗过程中，采用向上导流的方式引入亲水类表面活性剂，降低了硅片的表面张力，增加了清洗效果，减少了缺陷，极大的改善了硅片的性能和产品良率。0030本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。说明书CN104078328A1/1页6图1说明书附图CN104078328A。