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1、(10)申请公布号 CN 103554317 A (43)申请公布日 2014.02.05 CN 103554317 A (21)申请号 201310497293.4 (22)申请日 2013.10.21 C08F 112/14(2006.01) H01L 51/05(2006.01) H01L 51/30(2006.01) H01L 51/40(2006.01) (71)申请人 苏州大学 地址 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路 199 号 (72)发明人 路建美 李华 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 赵青朵 (54) 发明名称 电存储材料与数。
2、据存储器件 (57) 摘要 本发明提供了一种电存储材料与数据存储器 件， 该电存储材料如式 （I） 所示， 其中， -R 为 -NO2、 卤原子或-OR1； 所述R1为烷基。 与现有电存储材料 相比， 式 （I） 所示的电存储材料为侧链聚合物， 侧 链为大共轭平面分子， 且该电存储材料骨架中含 有硝基、 卤原子、 OR1、 偶氮等吸电子基团， 在电场 下， 侧链的共轭平面分子之间由原来的无序状态 向有序状态转变， 首先实现 OFF-ON1 态的转变， 随 着电场继续增大， 注入的电荷将侧链的吸电子基 团造成的电荷陷阱填满， 实现 ON1-ON2 态的转变， 因此， 该电存储材料表现出对应于 O。
3、FF-ON1-ON2 三个导电态的 0， 1， 2 三个信号存储状态， 从而具 有三进制存储态。 (51)Int.Cl. 权利要求书 3 页 说明书 10 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书3页 说明书10页 附图3页 (10)申请公布号 CN 103554317 A CN 103554317 A 1/3 页 2 1. 一种电存储材料， 如式 （I） 所示 ： 其中， -R 为 -NO2、 卤原子或 -OR1； 所述 R1为烷基。 2. 根据权利要求 1 所述的电存储材料， 其特征在于， 所述 R1为 C1 C20 的烷基。 3. 根据权利。
4、要求 1 所述的电存储材料， 其特征在于， 所述 R2为 C1 C5 的烷基。 4. 一种电存储材料的制备方法， 其特征在于， 包括以下步骤 ： A） 在酸性、 相转移催化剂存在的条件下， 将咔唑、 亚硝酸盐与式 （II） 所示的化合物混 合， 进行重氮化偶联反应， 得到式 （III） 所示的化合物 ； B） 将所述式 （III） 所示的化合物与式 （IV） 所示的化合物在第一有机溶剂中混合， 在碱 金属氢氧化物存在的条件下， 进行反应， 得到式 （V） 所示的化合物 ； C） 将所述式 （V） 所示的化合物与聚合引发剂在第二有机溶剂中混合， 在惰性气体保护 的条件下加热反应， 得到式 （I）。
5、 所示的电存储材料 ； 权 利 要 求 书 CN 103554317 A 2 2/3 页 3 其中， -R 为 -NO2、 卤原子或 -OR1； 所述 R1为烷基 ； X 为卤原子。 5. 根据权利要求 4 所述的制备方法， 其特征在于， 所述步骤 A） 具体为 ： 在酸性条件下， 将式 （II） 所示的化合物与亚硝酸盐混合， 然后加入相转移催化剂与咔唑， 进行重氮化偶联 反应， 得到式 （III） 所示的化合物。 6. 根据权利要求 4 所述的制备方法， 其特征在于， 所述式 （II） 所示的化合物与亚硝酸 盐的摩尔比为 1 ：（1 1.5） 。 7. 根据权利要求 4 所述的制备方法， 其。
6、特征在于， 所述相转移催化剂为十二烷基磺酸 钠。 8.根据权利要求4所述的制备方法， 其特征在于， 所述聚合引发剂为偶氮二异丁氰和/ 权 利 要 求 书 CN 103554317 A 3 3/3 页 4 或过氧化二苯甲酰。 9. 一种数据存储器件， 包括底电极和顶电极， 其特征在于， 所述底电极与顶电极之间设 置有有机薄膜层 ； 所述有机薄膜层由权利要求 1 3 任意一项所述的电存储材料或权利要 求48任意一项所制备的电存储材料形成 ； 所述底电极、 有机薄膜层与顶电极构成三明治 结构。 10. 一种数据存储器件的制备方法， 其特征在于， 包括以下步骤 ： 在底电极上沉积权利要求 1 3 任意。
7、一项所述的电存储材料或权利要求 4 8 任意一 项所制备的电存储材料， 形成有机薄膜层， 然后在有机薄膜层上真空沉积一层顶电极， 得到 数据存储器件 ； 所述底电极、 有机薄膜层与顶电极构成三明治结构。 权 利 要 求 书 CN 103554317 A 4 1/10 页 5 电存储材料与数据存储器件 技术领域 0001 本发明属于电存储材料技术领域， 尤其涉及电存储材料与数据存储器件。 背景技术 0002 在过去的几十年中， 传统的硅存储材料在微电子领域已取得很大的成功， 但随着 信息技术的发展， 对于存储材料的要求越来越高。无机硅存储材料由于受到微加工技术和 其自身物理因素的限制而无法满足未。
8、来超高密度信息存储的需求， 因此需要寻找新的存储 材料来代替传统的存储材料。 0003 作为有机电子学的一个新兴研究领域， 近年来， 有机电存储由于其所选用的聚合 物或复合材料具有高机械强度、 良好的伸缩性、 较低的制造成本、 可通过分子设计实现可调 的电学性能及三维堆积性能等鲜明的优点， 引起了科学家们广泛的研究兴趣。 除此之外， 另 一类有潜力的存储介质有机小分子， 也显示出了卓越的性能。在有机半导体诸多研究领 域， 如有机场效应晶体管 （OFET） 、 有机发光二极管 （OLED） 及太阳能电池 （OPV） 中， 众多的小 分子已被广泛证明具有突出的优点， 包括 ： 明确的分子结构、 易。
9、于纯化、 良好的有利于固体 薄膜中电荷传到， 进而提高器件的电学性能的 - 堆积作用。 0004 以聚合物或有机材料代替传统的硅存储材料可通过减少存储单元尺寸来提高信 息存储密度， 但这种尺寸的缩小也仅仅是从微米到纳米尺寸的改变， 对存储密度的提高贡 献也就在 1000 倍以内， 由于电子器件的微型化和信息技术的爆炸式发展， 其从长远来看仍 然满足不了超高密度数据存储的需求。 0005 目前， 为了实现超高密度数数据存储， 通常有两个可行性策略 ： 从器件制作的角度 来看， 一系列物理与经济因素限制了存储单元制程的持续微型化， 制作出三维 （3D） 堆叠的 存储器件为获得高密度数据存储提供了一。
10、条行之有效的途径 ； 另一种能高效提升数据存储 密度的方法便是增加每个存储单元中的存储态的数值 （即存储状态由 “0” ，“1” 增加为 “0” ， “1” ，“2” ，） 。 0006 但现在在半导体、 光和磁性材料方面的数据存储的成功先例几乎都是二进制的， 即只有两个输出信号 ：“0” 和 “1” 。 发明内容 0007 有鉴于此， 本发明要解决的技术问题在于提供电存储材料与数据存储器件， 该电 存储材料具有三进制存储态。 0008 本发明提供了一种电存储材料， 如式 （I） 所示 ： 0009 说 明 书 CN 103554317 A 5 2/10 页 6 0010 其中， -R 为 -。
11、NO2、 卤原子或 -OR1； 所述 R1为烷基。 0011 优选的， 所述 R1为 C1 C20 的烷基。 0012 优选的， 所述 R2为 C1 C5 的烷基。 0013 本发明还提供了一种电存储材料的制备方法， 包括以下步骤 ： 0014 A） 在酸性、 相转移催化剂存在的条件下， 将咔唑、 亚硝酸盐与式 （II） 所示的化合物 混合， 进行重氮化偶联反应， 得到式 （III） 所示的化合物 ； 0015 B） 将所述式 （III） 所示的化合物与式 （IV） 所示的化合物在第一有机溶剂中混合， 在碱金属氢氧化物存在的条件下， 进行反应， 得到式 （V） 所示的化合物 ； 0016 C）。
12、 将所述式 （V） 所示的化合物与聚合引发剂在第二有机溶剂中混合， 在惰性气体 保护的条件下加热反应， 得到式 （I） 所示的电存储材料 ； 0017 说 明 书 CN 103554317 A 6 3/10 页 7 0018 其中， -R 为 -NO2、 卤原子或 -OR1； 所述 R1为烷基 ； X 为卤原子。 0019 优选的， 所述步骤 A） 具体为 ： 在酸性条件下， 将式 （II） 所示的化合物与亚硝酸盐 混合， 然后加入相转移催化剂与咔唑， 进行重氮化偶联反应， 得到式 （III） 所示的化合物。 0020 优选的， 所述式 （II） 所示的化合物与亚硝酸盐的摩尔比为 1 ：（1 。
13、1.5） 。 0021 优选的， 所述相转移催化剂为十二烷基磺酸钠。 0022 优选的， 所述聚合引发剂为偶氮二异丁氰和 / 或过氧化二苯甲酰。 0023 本发明还提供了一种数据存储器件， 包括底电极和顶电极， 所述底电极与顶电极 之间设置有有机薄膜层 ； 所述有机薄膜层由式 （I） 所示的电存储材料形成 ； 所述底电极、 有 机薄膜层与顶电极构成三明治结构。 说 明 书 CN 103554317 A 7 4/10 页 8 0024 本发明还提供了一种数据存储器件的制备方法， ， 包括以下步骤 ： 0025 在底电极上沉积式 （I） 所示的电存储材料， 形成有机薄膜层， 然后在有机薄膜层上 真。
14、空沉积一层顶电极， 得到数据存储器件 ； 所述底电极、 有机薄膜层与顶电极构成三明治结 构。 0026 本发明提供了一种电存储材料与数据存储器件， 该电存储材料如式 （I） 所示， 其 中， -R 为 -NO2、 卤原子或 -OR1； 所述 R1为烷基。 。与现有电存储材料相比， 式 （I） 所示的电 存储材料为侧链聚合物， 侧链为大共轭平面分子， 且该电存储材料骨架中含有硝基、 卤原 子、 OR1、 偶氮等吸电子基团， 在电场下， 侧链的共轭平面分子之间由原来的无序状态向有 序状态转变， 首先实现 OFF-ON1 态的转变， 随着电场继续增大， 注入的电荷将侧链的吸电 子基团造成的电荷陷阱填。
15、满， 实现 ON1-ON2 态的转变， 因此， 该电存储材料表现出对应于 OFF-ON1-ON2 三个导电态的 0， 1， 2 三个信号存储状态， 从而具有三进制存储态。 0027 实验结果表明， 本发明制备的数据存储器件三个导电态 “0” 、“1” 和 “2” 电流比大 于 1 ： 102： 104， 开关阈值电压均小于 -3V 且读取电压只有 -1V。 附图说明 0028 图 1 为本发明实施例 1 中得到的式 （I） 所示的电存储材料的核磁共振氢谱图 ； 0029 图 2 为本发明实施例 2 中得到的数据存储器件的示意图 ； 0030 图 3 为本发明实施例 2 中得到的数据存储器件的截。
16、面图 ； 0031 图 4 为本发明实施例 2 中得到的数据存储器件的电流 - 电压曲线图 ； 0032 图5为本发明实施例2中得到的数据存储器件的电流在恒定电压下对时间的稳定 图 ； 0033 图6为本发明实施例2中得到的数据存储器件的电流在恒定电压下对读取循环的 稳定图。 具体实施方式 0034 本发明提供了一种电存储材料， 如式 （I） 所示 ： 0035 0036 其中， -R 为 -NO2、 卤原子或 -OR1； 所述 R1为烷基。所述卤原子为本领域技术人员 说 明 书 CN 103554317 A 8 5/10 页 9 熟知的卤原子即可， 并无特殊的限制， 本发明中优选为Br ； 。
17、所述R1优选为C1C20的烷基， 更优选为 C1 C10 的烷基， 再优选为 C1 C5 的烷基， 最后选为 CH3。所述烷基可为所述烷 基可为直链烷基也可为支链烷基， 并无特殊的限制， 本发明中优选为直链烷基。 0037 式 （I） 所示的电存储材料为侧链聚合物， 侧链为大共轭平面分子， 且该电存储材料 骨架中含有硝基、 卤原子、 OR1、 偶氮等吸电子基团， 在电场下， 侧链的共轭平面分子之间由 原来的无序状态向有序状态转变， 首先实现 OFF-ON1 态的转变， 随着电场继续增大， 注入的 电荷将侧链的吸电子基团造成的电荷陷阱填满， 实现 ON1-ON2 态的转变， 因此， 该电存储材 。
18、料表现出对应于 OFF-ON1-ON2 三个导电态的 0， 1， 2 三个信号存储状态， 从而具有三进制存 储态。 0038 本发明还提供了上述式 （I） 所示的电存储材料的制备方法， 包括以下步骤 ： A） 在 酸性、 相转移催化剂存在的条件下， 将咔唑、 亚硝酸盐与式 （II） 所示的化合物混合， 进行重 氮化偶联反应， 得到式 （III） 所示的化合物 ； B） 将所述式 （III） 所示的化合物与式 （IV） 所示 的化合物在第一有机溶剂中混合， 在碱金属氢氧化物存在的条件下， 进行反应， 得到式 （V） 所示的化合物 ； C） 将所述式 （V） 所示的化合物与聚合引发剂在第二有机溶剂。
19、中混合， 在惰 性气体保护的条件下加热反应， 得到式 （I） 所示的电存储材料 ； 0039 说 明 书 CN 103554317 A 9 6/10 页 10 0040 其中， -R 为 -NO2、 卤原子或 -OR1； 所述 R1为烷基 ； X 为卤原子， 优选为 Cl。所述 R1 同上所述， 在此不再赘述。 0041 本发明中， 所述步骤 A） 具体为 ： 在酸性条件下， 将式 （II） 所示的化合物与亚硝酸 盐混合， 然后加入咔唑， 进行重氮化偶联反应， 得到式 （III） 所示的化合物。 0042 重氮化偶联反应需在酸性的条件下进行， 本发明优选加入无机强酸以提供酸性环 境， 更优选加。
20、入盐酸和 / 或硫酸 ； 无机强酸的浓度优选为 4 8mol/L。 0043 在酸性条件下， 将式 （II） 所示的化合物与亚硝酸盐混合， 所述亚硝酸盐为本领域 技术人员熟知的亚硝酸盐即可， 并无特殊的限制， 本发明中优选为亚硝酸钠和 / 或亚硝酸 钾 ； 为使反应充分发生， 亚硝酸盐的量优选过量， 更优选按照式 （II） 所示的化合物与亚硝 说 明 书 CN 103554317 A 10 7/10 页 11 酸盐摩尔比 1 ：（1 1.5） 的比例添加 ； 重氮化偶联反应需在低温下进行， 为更好控制反应 温度， 亚硝酸盐优选以水溶液的形式添加， 更优选将亚硝酸盐的水溶液缓慢滴加。 0044 。
21、将式 （II） 所示的化合物与亚硝酸盐混合后， 优选搅拌 0.5 2h， 过滤除去不溶物， 然后加入相转移催化剂与咔唑。本发明中所述相转移催化剂优选为十二烷基磺酸钠 ； 所述 相转移催化剂与式 （II） 所示的化合物的摩尔比优选为 （0.01 0.1） ： 1， 更优选为 （0.03 0.06） ： 1 ； 咔唑优选溶于有机溶剂中进行添加， 可避免产生热量影响反应体系的温度， 更优 选为溶于二氯甲烷中进行添加， 再优选为将咔唑的二氯甲烷溶液缓慢滴加 ； 所述咔唑与式 （II） 所示的化合物的摩尔比优选为 （1 1.5） ： 1， 更优选为 （1 1.2） ： 1， 最优选为 1 ： 1。 00。
22、45 相转移催化剂与咔唑加入后， 进行重氮化偶联反应。本发明中重氮化偶联反应优 选在 0 4搅拌反应 0.8 1.5h， 然后升温至室温， 搅拌反应 30 60h， 更优选为 40 50h。 0046 重氮化偶联反应结束之后， 优选加热减压除去反应体系中的有机溶剂， 过滤， 得到 式 （III） 所示的化合物。为减少产物中的杂质， 过滤后可优选用大量的水洗涤， 烘干后进行 提纯处理， 得到式 （III） 所示的化合物 ； 所述提纯处理的方法为本领域技术人员熟知的方 法即可， 并无特殊的限制， 本发明中优选采用硅胶柱分离提纯。 0047 将得到的式 （III） 所示的化合物与式 （IV） 所示的。
23、化合物在第一有机溶剂中混合， 在碱金属氢氧化物存在的条件下进行反应。此步骤中原料优选按照以下顺序加入 ： 先将式 （III） 所示的化合物溶于第一有机溶剂中， 然后加入碱金属氢氧化物， 再将式 （IV） 所示的化 合物加入至反应体系中。 0048 所述第一有机溶剂为本领域技术人员熟知的可溶解式 （III） 所示的化合物的有机 溶剂即可， 并无特殊的限制， 本发明中优选为 N,N- 二甲基甲酰胺。 0049 本发明中步骤 B） 反应需在碱金属氢氧化物存在的条件下进行， 以中和反应过程中 产生的酸， 从而促进反应的发生。 所述碱金属氢氧化物优选为氢氧化钾 ； 所述碱金属氢氧化 物与式 （III） 。
24、所示的化合物的摩尔比优选为 （1.5 2） ： 1。 0050 式 （III） 所示的化合物在碱金属氢氧化物存在的条件下与式 （IV） 所示的化合物 进行反应。其中， 所述式 （III） 所示的化合物与式 （IV） 所示的化合物的摩尔比优选为 1 ： （1 1.5） ， 更优选为 1 ：（1 1.2） ； 该反应优选在室温下进行 ； 所述反应的时间优选为 8 15h， 更优选为 9 12h。 0051 反应结束后， 优选将反应液倒入大量的水中， 固体过滤， 干燥， 得到式 （V） 所示的化 合物。为减少产物中的杂质， 优选干燥后用硅胶柱分离提纯。 0052 得到式 （V） 所示的化合物后， 将。
25、其与聚合引发剂在第二有机溶剂中混合， 其中， 所 述聚合引发剂为本领域技术人员熟知的聚合引发剂即可， 并无特殊的限制， 本发明中优选 为偶氮二异丁氰和 / 或过氧化二苯甲酰 ； 所述聚合引发剂与式 （V） 所示的化合物的摩尔比 优选为 1 ：（20 40） ， 更优选为 1 ：（25 35） ， 最优选为 1 ： 30 ； 所述第二有机溶剂为本领域 技术人员熟知的可溶解式 （V） 所示的化合物与聚合引发剂的有机溶剂即可， 并无特殊的限 制， 本发明中优选为环己酮 ； 所述第二有机溶剂加入的量优选为使式 （V） 所示的化合物的 浓度为 0.3 0.5mol/L。 0053 混合后， 在惰性气体保。
26、护的条件下加热反应。其中所述惰性气体为本领域技术人 员熟知的惰性气体即可， 并无特殊的限制， 本发明中优选为氮气 ； 所述加热反应的温度优选 说 明 书 CN 103554317 A 11 8/10 页 12 为70120， 更优选为80100， 最优选为90； 所述加热反应的时间优选为15 30h， 更优选为 18 22h， 最优选为 20h。 0054 加热反应接受只有， 优选将反应液冷却至室温， 然后少量有机溶剂稀释后， 倒入醇 类溶剂中沉淀， 过滤， 得到式 （I） 所示的电存储材料。其中有机溶剂与第二有机溶剂可以相 同也可不同， 并无特殊的限制， 优选为四氢呋喃 ； 所述醇类溶剂优选。
27、为甲醇。 0055 为减少最终产物中的杂质， 优选过滤后， 在索氏提取装置中用醇类溶剂优选为甲 醇， 洗去小分子， 得到式 （I） 所示的电存储材料。 0056 本发明中还提供了一种数据存储器件， 包括底电极和顶电极， 所述底电极与顶电 极之间设置有有机薄膜层 ； 所述有机薄膜层由式 （I） 所示的电存储材料形成 ； 所述底电极、 有机薄膜层与顶电极构成三明治结构。 0057 所述底电极的厚度优选为 20 300nm， 更优选为 20 200nm， 再优选为 40 200nm ； 所述底电极的材料优选为第一可蒸镀金属、 ITO 导电玻璃或导电聚合物 ； 所述第一 可蒸镀金属优选为金、 铂、 银。
28、、 铝与铜中的一种或几种 ； 所述第一导电聚合物优选为聚噻吩 和 / 或聚苯胺。 0058 所述顶电极的厚度优选为 20 300nm， 更优选为 40 250nm， 更优选为 80 200nm ； 所述顶电极的材料优选为第二可蒸镀金属或金属氧化物 ； 所述第二可蒸镀金属优 选为金、 铂、 铝与铜中的一种或几种 ； 所述金属氧化物优选为氧化铟锡。 0059 所述底电极与顶电极之间设置有有机薄膜层， 所述有机薄膜层由式 （I） 所示的电 存储材料形成。所述式 （I） 所示的电存储材料同上所述， 在此不再赘述 ； 所示有机薄膜层的 厚度优选为 30 150nm， 更优选为 40 150nm， 再优选。
29、为 80 120nm。 0060 本发明还提供上述数据存储器件的制备方法， 包括以下步骤 ： 在底电极上沉积式 （I） 所示的电存储材料， 形成有机薄膜层， 然后在有机薄膜层上真空沉积一层顶电极， 得到 数据存储器件 ； 述底电极、 有机薄膜层与顶电极构成三明治结构。 0061 其中， 所述底电极、 有机薄膜层与顶电极均同上所述， 在此不再赘述。 0062 所述式 （I） 所示的电存储材料的沉积方法为本领域技术人员熟知的方法即可， 并 无特殊的限制， 优选将式 （I） 所示的电存储材料溶于有机溶剂中通过旋涂进行沉积， 所述旋 涂的转速优选为 100 3000r/min， 旋涂的时间优选为 23。
30、 80s ； 为使式 （I） 所示的电存 储材料更加均匀地旋涂在底电极上， 优选在低转速下进行旋涂， 再在高转速下进行旋涂 ； 其 中， 低转速下进行旋涂的转速优选为 100 600r/min， 时间优选为 3 10s ； 高转速下进行 旋涂的转速优选为 1200 3000r/min， 时间优选为 20 70s， 更优选为 20 60s。 。 0063 所述顶电极优选真空度小于 810-3PA 的条件下， 通过掩膜进行沉积。 0064 本发明数据存储器件制作工艺简单， 能够得到三进制数据存储器件。 0065 实验结果表明， 本发明制备的数据存储器件三个导电态 “0” 、“1” 和 “2” 电流。
31、比大 于 1 ： 102： 104， 开关阈值电压均小于 -3V 且读取电压只有 -1V。 0066 为了进一步说明本发明， 以下结合实施例对本发明提供的电存储材料与数据存储 器件进行详细描述。 0067 以下实施例中所用的试剂均为市售。 0068 实施例 1 0069 1.1 将 1.38g（10mmol） 4- 硝基苯胺溶解于 4g 浓盐酸 （37%）与 4g 去离子水中， 说 明 书 CN 103554317 A 12 9/10 页 13 并在冰浴中保持温度在 4以下搅拌 ； 将 0.83g 亚硝酸钠溶解于 4g 去离子水中， 然后缓慢 滴加至上述冰浴的溶液中， 滴加完毕后在冰浴中继续搅。
32、拌 1h， 抽滤得到澄清黄色溶液， 加入 107mg 相转移催化剂十二烷基磺酸钠， 再加入 100ml 溶有咔唑 （1.67g， 10mmol） 的二氯甲烷 溶液， 过滤得到红色的沉淀物， 用大量的水冲洗后烘干， 粗产物经氯仿和石油醚体积比为 5 ： 1 的硅胶柱分离提纯， 得到式 （III） 所示的化合物， 产率为 50%。 0070 1.2 将 6.32g（20mmol） 1.1 中得到的式 （III） 所示的化合物、 2.25g（40mmol） 氢氧 化钾与 80ml N,N- 二甲基甲酰胺在 250ml 圆底烧瓶中混合搅拌 15min， 然后缓慢滴加 3.02g （20mmol） 对氯。
33、甲基苯乙烯， 室温下反应 4h， 反应液倒入 500ml 水中， 有大量红色固体产物析 出， 粗产物经氯仿和石油醚体积比为 3 ： 1 的硅胶柱分离提纯， 得到式 （V） 所示的化合物， 产 率为 60%。 0071 1.3 将 0.216g（0.5mmol） 1.2 中得到的式 （V） 所示的化合物与 4.1mg（0.025mmol） 偶氮二异丁氰加至聚合管中， 并加入 1ml 环己酮， 在氮气的气氛中加热至 90反应 20h， 所 得混合反应液冷却至室温后用少量的四氢呋喃稀释后倒入大量的甲醇中， 沉淀析出， 所得 粗产物在索氏提取装置中用甲醇洗去小分子， 最后得到式 （I） 所示的电存储材。
34、料， 数均分子 量 Mn=2679， 分子量分布指数 PDI=1.26。 0072 利用核磁共振对 1.1 中得到的式 （III） 所示的化合物进行分析， 得到其核磁共振 氢谱， 结果为 1H-NMR(d 6-DMSO,ppm):11.85(s,1H),8.84(s,1H),8.43(d,2H),8.30(d,1H) ,8.08(t,3H),7.65(d,1H),7.58(d,1H),7.48(t,1H),7.27(t,1H)。 0073 利用元素分析对 1.1 中得到的式 （III）所示的化合物进行分析， 得到结果为 Elemental analysis calculated for C18。
35、H12N4O2(wt%):C,68.35;H,3.82;N,17.71;Found:C ,68.30;H,3.87;N,17.66。 0074 利用核磁共振对 1.2 中得到的式 （V） 所示的化合物进行分析， 得到其核磁共振氢 谱，结 果 为 1H-NMR(d6-DMSO,ppm):8.89(s,1H),8.43(d,2H),8.37(d,1H),8.08(m,3H) ,7.85(d,1H),7.71(d,1H),7.52(t,1H),7.38(d,2H),7.32(t,1H),7.18(d,2H),6.65(m,1 H),5.76(t,1H),5.75(s,2H),5.19(d,1H)。 。
36、0075 利用元素分析对 1.2 中得到的式 （V）所示的化合物进行分析， 得到结果为 Elemental analysis calculated for C27H20N4O4(wt%):C,74.98;H,4.66;N,12.95;Found:C ,74.92;H,4.72;N,12.91。 0076 利用核磁共振对 1.3 中得到的式 （I） 所示的电存储材料进行分析， 得到其核磁共 振氢谱图， 如图 1 所示。 0077 实施例 2 0078 将ITO导电玻璃先后用水、 丙酮、 异丙醇在超声波中分别清洗30min ； 将含实施例1 中得到的式 （I） 所示的电存储材料的 1,2- 二氯乙。
37、烷溶液 （浓度为 10mg/ml） 用 0.22m 过 滤头过滤， 滴在洗净的ITO导电玻璃表面， 2000r/min旋涂30s， 旋涂后的膜在50真空干燥 箱中放置 12h ； 在膜上盖以由许多直径为 0.2mm 的金属掩膜， 在真空镀膜机的钨丝上挂一定 量的铝丝， 再次抽真空至镀膜机内真空度小于810-3Pa， 开始加热钨丝蒸镀铝， 最终在聚合 物薄膜上形成众多铝电极， 得到数据存数器件， 其示意图如图2所示， 其截面图如图3所示， 其中 A 为 ITO 导电玻璃， B 为有机薄膜层， C 为 Al 电极。 0079 在实施例 2 中得到的数据存储器件顶电极与底电极之间施加连续电压扫描进行。
38、 说 明 书 CN 103554317 A 13 10/10 页 14 电流测试， 得到其电流 - 电压的曲线图， 如图 4 所示。由图 4 可知， 当在器件上选取一点点 施加 0V 到 -4V 的连续电压， 通过器件的电流在 -1.21V 和 -2.45V 发生了两次瞬间的突跃， 表明该器件经历了从低导电态 （ “0” 或 OFF 态） 到中间导电态 （ “1” 或 ON1 态） 再到高导电态 （ “2” 或 ON2 态） 的转变 （第一次扫描） ； 在随后的从 0V 到 -4V 扫描中， 该存储单元依然保持 其高导电态 （第二次扫描） ； 第三次扫描是对另一个存储单元进行 0V 至 -2.。
39、0V 扫描， 其阈值 电压为 -1.21V ； 在随后的 0V 至 -2.0V 扫描中， 即使关闭电源， 该单元仍可维持在中间导电 态 （ “1” ） （第四次扫描） 。因此， 该器件具有典型的非易失性的 WORM（一次写入， 多次读取） 存储行为。从 OFF 态到 ON1 态再到 ON2 态的过渡， 可以视为数据存储器件中 “写入” 过程。 0080 并且， 该数据存储器件在正确的数据写入后能保持高度地稳定性， 且在一个恒定 电压 （如 -1.0V） 可以分别读出 “0” 、“1” 和 “2” 三个存储信号， 如图 5 所示， 其中， a 为 OFF 态， b 为 ON1 态， c 为 ON。
40、2 态， 在近 200min 后， 该数据存储器件的三个导电态都没有任何明显 降低。 0081 此外， 对数据存储器件的 OFF、 ON1 与 ON2 态的连续读写脉冲效应进行测试， 如图 6 所示， 其中， a 为 OFF 态， b 为 ON1 态， c 为 ON2 态， 在经历 106次连续读取循环后， 三个态都 没有明显地变化， 表明任何存储态对读取循环都不敏感。 0082 并且， 开关阈值电压均小于 -3V 且读取电压只有 -1V， 表明该数据存储器件功耗低 且具有未来便携式电子器件存储的潜在应用价值。 0083 实施例 3 0084 将ITO导电玻璃先后用水、 丙酮、 异丙醇在超声波。
41、中分别清洗30min ； 将含实施例1 中得到的式 （I） 所示的电存储材料的 1,2- 二氯乙烷溶液 （浓度为 10mg/ml） 用 0.22m 过 滤头过滤 ； 将洗净的 ITO 导电玻璃放置于旋涂机上， 在 ITO 导电玻璃的中心位置滴 5 滴过 滤后的溶液， 开启旋涂机 ； 旋涂机分为两档， 前档设置时间为 5s， 转速为 300r/min， 后档设 置时间为 40s， 转速为 1300r/min ； 旋涂结束后取下涂有薄膜的电极置于真空烘箱中， 在 1Pa 以下的真空度， 40干燥 5h， 取出后薄膜上覆盖一层带孔掩膜， 掩膜方向针对蒸镀金属的钯 枪， 抽真空度在 0.0001Pa 。
42、以下后开始蒸镀铝金属， 铝金属熔化后蒸发通过掩膜上的孔洞打 到有机薄膜层， 蒸镀完毕后即形成具有三明治结构的数据存数器件。 0085 以上所述仅是本发明的优选实施方式， 应当指出， 对于本技术领域的普通技术人 员来说， 在不脱离本发明原理的前提下， 还可以做出若干改进和润饰， 这些改进和润饰也应 视为本发明的保护范围。 说 明 书 CN 103554317 A 14 1/3 页 15 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103554317 A 15 2/3 页 16 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103554317 A 16 3/3 页 17 图 5 图 6 说 明 书 附 图 CN 103554317 A 17 。