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1、(10)申请公布号 CN 103558718 A (43)申请公布日 2014.02.05 CN 103558718 A (21)申请号 201310556543.7 (22)申请日 2013.11.11 102136238 2013.10.07 TW G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1343(2006.01) (71)申请人 友达光电股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 陈彦良 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯 (54) 发明名称 像素结构 (57) 摘要 本发明公开一种像素结构， 包括扫描线、 数据 线、 主动元件。
2、、 覆盖层以及反射像素电极。主动元 件与扫描线以及数据线电性连接。覆盖层覆盖扫 描线、 数据线以及主动元件。 反射像素电极配置于 覆盖层上， 并且与主动元件电性连接。 反射像素电 极包括第一区域与第二区域， 第一区域内具有多 个第一凸起结构， 以及第二区域内具有一平坦表 面， 其中第一区域的面积占反射像素电极的总面 积的50%至70%， 且第二区域的面积占反射像素电 极的总面积的 30% 至 50%。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 8 页 附图 9 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书8页 附图9页 (。
3、10)申请公布号 CN 103558718 A CN 103558718 A 1/1 页 2 1. 一种像素结构， 包括 ： 扫描线以及一数据线 ； 主动元件， 与该扫描线以及该数据线电性连接 ； 覆盖层， 覆盖该扫描线、 该数据线以及该主动元件 ； 以及 反射像素电极， 配置于该覆盖层上， 并且与该主动元件电性连接， 该反射像素电极包括 第一区域与第二区域， 该第一区域内具有多个第一凸起结构， 以及该第二区域内具有一平 坦表面， 其中该第一区域的面积占该反射像素电极的总面积的 50% 至 70%， 且该第二区域的面 积占该反射像素电极的总面积的 30% 至 50%。 2. 如权利要求 1 所。
4、述的像素结构， 其中该第二区域内具有第二凸起结构， 该第二凸起 结构的顶表面为该平坦表面。 3. 如权利要求 1 所述的像素结构， 其中该第一区域内的各该第一凸起结构的高度实质 上大于或等于该平坦表面的高度。 4. 如权利要求 1 所述的像素结构， 其中该第二区域的形状包括圆形、 椭圆形、 矩形、 三 角形、 菱形、 梯形或十字形。 5. 如权利要求 1 所述的像素结构， 其中该第二区域位于该反射像素电极的中央区域或 任一角落区域。 6. 如权利要求 1 所述的像素结构， 还包括一固定层， 配置于该反射像素电极上， 且环绕 该反射像素电极的周围。 7. 一种像素结构， 包括 ： 扫描线以及数据。
5、线 ； 主动元件， 与该扫描线以及该数据线电性连接 ； 覆盖层， 覆盖该扫描线、 该数据线以及该主动元件 ； 以及 反射像素电极， 配置于该覆盖层上， 并且与该主动元件电性连接， 该反射像素电极包括 第一区域与第二区域， 该第一区域内具有多个第一凸起结构， 以及该第二区域内具有多个 第二凸起结构， 其中该第一区域内的各该第一凸起结构的高度大于该第二区域内的各该第 二凸起结构的高度， 其中该第一区域的面积占该反射像素电极的总面积的 50% 至 70%， 且该第二区域的面 积占该反射像素电极的总面积的 30% 至 50%。 8. 如权利要求 7 所述的像素结构， 其中该第一区域内的各该第一凸起结构。
6、的高度与该 第二区域内的各该第二凸起结构的高度的比例为 1.7 ： 1 至 5 ： 1。 9. 如权利要求 7 所述的像素结构， 其中该第二区域的形状包括圆形、 椭圆形、 矩形、 三 角形、 菱形、 梯形或十字形。 10. 如权利要求 7 所述的像素结构， 其中该第二区域位于该反射像素电极的中央区域 或任一角落区域。 11. 如权利要求 7 所述的像素结构， 还包括固定层， 配置于该反射像素电极上， 且环绕 该反射像素电极的周围。 权 利 要 求 书 CN 103558718 A 2 1/8 页 3 像素结构 技术领域 0001 本发明涉及一种像素结构， 且特别是涉及一种全反射式像素结构。 背。
7、景技术 0002 近年来随着光电技术与半导体制造技术的成熟， 带动了平面显示器 (Flat Panel Display)的蓬勃发展。 液晶显示器基于其低电压操作、 无辐射线散射、 重量轻以及体积小等 优点已取代传统的阴极射线管显示器， 而成为近年来显示器产品的主流。 然而， 液晶显示器 仍存在视角受限的问题。因此， 开发具有较佳的显示效果及较广视角的液晶显示器实为研 发者所欲达成的目标之一。 发明内容 0003 本发明的目的在于提供一种像素结构， 其具有较佳的反射率及反射角度分布。 0004 为达上述目的， 本发明提出一种像素结构， 其包括扫描线、 数据线、 主动元件、 覆盖 层以及反射像素电。
8、极。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。覆盖层覆盖扫描线、 数据 线以及主动元件。反射像素电极配置于覆盖层上， 并且与主动元件电性连接。反射像素电 极包括第一区域与第二区域， 第一区域内具有多个第一凸起结构， 以及第二区域内具有一 平坦表面， 其中第一区域的面积占反射像素电极的总面积的 50% 至 70%， 且第二区域的面积 占反射像素电极的总面积的 30% 至 50%。 0005 本发明另提出一种像素结构， 包括扫描线、 数据线、 主动元件、 覆盖层以及反射像 素电极。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。覆盖层覆盖扫描线、 数据线以及主动元 件。 反射像素电极配置于覆盖层上， 并且与主动元件。
9、电性连接。 反射像素电极包括第一区域 与第二区域。 第一区域内具有多个第一凸起结构， 以及第二区域内具有多个第二凸起结构， 并且第一区域内的各第一凸起结构的高度大于第二区域内的各第二凸起结构的高度， 其中 第一区域的面积占反射像素电极的总面积的 50% 至 70%， 且第二区域的面积占反射像素电 极的总面积的 30% 至 50%。 0006 基于上述， 在本发明所提出的像素结构中， 反射像素电极包括具有凸起结构的第 一区域以及具有平坦表面的第二区域， 或是包括分别具有多个凸起结构的第一区域及第二 区域， 其中第一区域内的凸起结构的高度大于第二区域内的凸起结构的高度， 且第一区域 的面积占反射像。
10、素电极的总面积的 50% 至 70%， 以及第二区域的面积占反射像素电极的总 面积的 30% 至 50%， 由此， 本发明的像素结构能够提升对于光线的反射率及反射视角分布。 0007 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂， 下文特举实施例， 并配合所附附图 作详细说明如下。 附图说明 0008 图 1 为依照本发明一实施例的显示面板的剖面示意图 ； 0009 图 2 为依照本发明一实施例的像素结构的上视示意图 ； 说 明 书 CN 103558718 A 3 2/8 页 4 0010 图 3 为沿图 2 的剖面线 I-I 及 II-II 的剖面示意图 ； 0011 图 4 为图 3 的局部放。
11、大示意图 ； 0012 图 5A 至图 5H 分别是本发明一实施例的像素结构中的反射像素电极的上视示意 图 ； 0013 图 6 是本发明一实施例的像素结构中的反射像素电极的上视示意图 ； 0014 图 7 为依照本发明另一实施例的像素结构的剖面示意图 ； 0015 图 8 为依照本发明又一实施例的像素结构的上视示意图 ； 0016 图 9 为沿图 8 的剖面线 I-I 及 II-II 的剖面示意图 ； 0017 图 10 为本发明一实施例的五种不同的像素结构的反射率与角度的关系曲线图 ； 0018 图 11 为本发明又一实施例的五种不同的像素结构的反射率与角度的关系曲线 图。 0019 符号。
12、说明 0020 100 ： 第一基板 0021 102 ： 像素阵列层 0022 110 ： 第二基板 0023 112 ： 彩色滤光阵列层 0024 120 ： 显示介质 0025 200、 300、 400 ： 像素结构 0026 202 ： 覆盖层 0027 203、 303、 403、 407 ： 凸块 0028 204、 304、 404、 408 ： 凸起结构 0029 206 ： 固定层 0030 A ： 第一区域 0031 a h ： 曲线 0032 B、 B1、 B2 ： 第二区域 0033 C ： 接触窗 0034 CH ： 通道层 0035 D ： 漏极 0036 DL 。
13、： 数据线 0037 G ： 漏极 0038 H1、 H2、 H3、 H4、 H5 ： 高度 0039 IL ： 绝缘层 0040 P、 P1、 P2 ： 反射像素电极 0041 r ： 长度 0042 S ： 源极 0043 SB、 SB ： 平坦表面 0044 SL ： 扫描线 0045 T ： 主动元件 说 明 书 CN 103558718 A 4 3/8 页 5 具体实施方式 0046 图 1 为依照本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。 0047 请参照图 1， 本实施例的显示面板包括第一基板 100、 第二基板 110 以及位于第一 基板 100 与第二基板 110 之间的显示介质。
14、 120。 0048 第一基板 100 以及第二基板 110 彼此相对向设置。第一基板 100 以及第二基板 110 的材质可各自为玻璃、 石英、 有机聚合物或是其它可适用的材料。显示介质 120 例如是 液晶材料。换言之， 本实施例的显示面板例如是液晶显示面板。然而， 本发明并不限于此。 在其他实施例中， 显示介质 120 也可以是其他的显示材料， 例如有机发光二极管材料、 无机 发光二极管材料、 电泳显示材料、 荧光材料、 磷光材料、 等离子体材料等。 0049 第一基板100上配置有像素阵列层102， 所述像素阵列层102是由多个像素结构所 构成， 每一像素结构的设计将于后续段落参照图 。
15、2 至图 9 作详细说明。第二基板 110 上配 置有彩色滤光阵列层 112， 其包括红色滤光图案、 绿色滤光图案或是蓝色滤光图案。 0050 另外， 本发明的显示面板可以是所属领域中具有通常知识者所周知的任一显示面 板， 故还可进一步包括电极层或遮光图案等其他所需的构件。 0051 接下来， 将针对第一基板 100 上的像素阵列层 102 作详细说明。承上所述， 像素阵 列层 102 是由多个像素结构所构成， 在一实施例中， 每一像素结构的设计如图 2 所示， 图 2 为依照本发明一实施例的像素结构的上视示意图。图 3 为沿图 2 的剖面线 I-I 及 II-II 的剖面示意图。 0052 。
16、请同时参照图 2 及图 3， 本实施例的像素结构 200 包括扫描线 SL、 数据线 DL、 主动 元件 T、 覆盖层 202 以及反射像素电极 P。 0053 本实施例的扫描线 SL 与数据线 DL 的延伸方向不相同， 较佳的是扫描线 SL 的延伸 方向与数据线 DL 的延伸方向垂直。此外， 扫描线 SL 与数据线 DL 是位于不相同的膜层， 且 两者之间夹有绝缘层 （未绘示） 。扫描线 SL 与数据线 DL 主要用来传递驱动此像素结构 200 的驱动信号。扫描线 SL 与数据线 DL 一般是使用金属材料。然而， 本发明不限于此。根据 其他实施例， 扫描线SL与数据线DL也可以使用其他导电材。
17、料例如是包括合金、 金属材料的 氧化物、 金属材料的氮化物、 金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。 0054 本实施例的主动元件 T 与扫描线 SL 与数据线 DL 电性连接。在此， 主动元件 T 例 如是薄膜晶体管， 其包括栅极 G、 通道层 CH、 漏极 D 以及源极 S。栅极 G 与扫描线 SL 电性连 接， 源极 S 与数据线 DL 电性连接。换言之， 当有控制信号输入扫描线 SL 时， 扫描线 SL 与栅 极 G 之间会电性导通 ； 当有控制信号输入数据线 DL 时， 数据线 DL 会与源极 S 电性导通。通 道层 CH 位于栅极 G 的上方并且位于漏极 D 以及源。
18、极 S 的下方。栅极 G 的材料例如是金属。 通道层 CH 的材料可以是非晶硅半导体材料、 金属氧化物半导体材料、 有机半导体材料等半 导体材料。源极 S 以及漏极 D 的材料例如可选自于金属、 透明导电材料、 金属合金等导电材 料。 本实施例的主动元件T是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明， 但本发明不限于此。 在 其他实施例中， 主动元件 T 也可以是顶部栅极型薄膜晶体管。 0055 另外， 在主动元件T的栅极G上更覆盖有绝缘层IL， 其又可称为栅极绝缘层。 绝缘 层 IL 的材料例如是无机材料、 有机材料或上述的组合， 其中无机材料例如是氧化硅、 氮化 硅、 氮氧化硅或上述至少二种材料的堆。
19、叠层。 0056 本实施例的覆盖层 202 覆盖扫描线 SL、 数据线 DL 以及主动元件 T。覆盖层 202 的 说 明 书 CN 103558718 A 5 4/8 页 6 材料例如是无机材料、 有机材料或上述的组合， 其中无机材料例如是氧化硅、 氮化硅、 氮氧 化硅或上述至少二种材料的堆叠层。另外， 如图 2 所示， 覆盖层 202 的顶部包括多个凸块 203， 即覆盖层 202 具有不平整的表面。于此， 覆盖层 202 的形成方法例如是采用光刻蚀刻 制作工艺、 光刻技术或是其他合适的制作工艺方法， 其中光刻蚀刻制作工艺例如是半调式 光刻蚀刻制作工艺 （half-tone mask pr。
20、ocess， HTM process） 或灰阶式光刻蚀刻制作工艺 （gray mask process， GM process） 。 0057 本实施例的反射像素电极 P 配置于覆盖层 202 上， 并与主动元件 T 电性连接。详 细而言， 反射像素电极 P 通过接触窗 C 与主动元件 T 的漏极 D 电性连接。反射像素电极 P 的材料例如是铝、 钛 （Ti） 等金属， 且较佳是由高反射的导电材料构成。 0058 另外， 在本实施例中， 由于覆盖层 202 的顶部形成有多个凸块 203， 当反射像素电 极 P 共形地配置于覆盖层 202 上， 将使得反射像素电极 P 也具有不平整的表面。详细而。
21、言， 反射像素电极 P 包括第一区域 A 与第二区域 B， 第一区域 A 内具有多个凸起结构 204， 以及 第二区域 B 内具有平坦表面 SB， 且第一区域 A 围绕第二区域 B。在本实施例中， 第一区域 A 的面积占反射像素电极P的总面积的50%至70%， 且第二区域B的面积占反射像素电极P的 总面积的 30% 至 50%。 0059 另外， 在本实施例中， 以覆盖层 202 顶表面的最低水平位置为基准， 凸起结构 204 的高度 H1 实质上大于平坦表面 SB 的高度 H2， 且凸起结构 204 的高度 H1 例如是介于 1m 至 2m 之间。值得说明的是， 在凸起结构 204 于覆盖层。
22、 202 上的垂直投影面积相等的情况 下， 凸起结构 204 的高度 H1 越大， 则凸起结构 204 的表面曲率越大。详细而言， 请参照图 4， 上述关于凸起结构 204 的高度 H1 与表面曲率的关系可符合以下式 1 及式 2 ： 0060 R=(H2+r2)/2H 式 1 0061 C=1/R 式 2 0062 其中， R 为凸起结构表面的曲率半径 ； H 为凸起结构的高度 （即图 4 中的高度 H1） ； r 为凸起结构的表面以相同曲率延伸至覆盖层的表面的两相交点的连线长度的一半 （即图 4 中的长度 r） ； C 为曲率。具体而言， 在 r 设定为 2.5m 的情况下， 当 H 为 。
23、1.86m 时， 透过式 1计算可得曲率半径R为2.6m， 并透过式2计算可得曲率C为0.38m ； 而当H为1.41m 时， 透过式 1 计算可得曲率半径 R 为 2.9m 并透过式 2 计算可得曲率 C 为 0.34m。 0063 另外， 虽然本实施例的反射像素电极 P 的第二区域 B 的形状为圆形 （如图 2 所示） ， 但本发明并不限于此。在其他实施例中， 依据显示面板的视角需求， 反射像素电极 P 的第二 区域 B 的形状也可以是椭圆形， 如图 5A 及图 5B 所示 ； 矩形， 如图 5C 及图 5D 所示 ； 三角形， 如图 5E 所示 ； 菱形， 如图 5F 所示 ； 梯形， 。
24、如图 5G 所示 ； 或十字形， 如图 5H 所示， 由此在特定 所需的视角下， 反射像素电极 P 可呈现较高的光反射率， 进而显示面板可呈现分辨率及对 比度较高的画面。详细而言， 请同时参照图 5A 及图 5C， 当观察者的方位视角 为 0 度及 180 度 （即水平视角方向） 时， 图 5A 或图 5C 所示的反射像素电极 P 可呈现较高的光反射率， 反之若观察者在其他视角方向下， 则图 5A 或图 5C 所示的反射像素电极 P 会呈现较差的光 反射率。同样地， 当观察者的方位视角 为 90 度及 270 度 （即垂直视角方向） 时， 图 5B 或 图 5D 所示的反射像素电极 P 可呈现。
25、较高的光反射率 ； 当观察者的方位视角 为 45 度及 135 度 （即上左右 45 度视角方向） 时， 图 5E 或图 5G 所示的反射像素电极 P 可呈现较高的光 反射率 ； 以及当观察者的方位视角 为 45 度、 135 度、 225 度及 315 度 （即上下左右 45 度视 说 明 书 CN 103558718 A 6 5/8 页 7 角方向） 时， 图 5F 或图 5G 所示的反射像素电极 P 可呈现较高的光反射率。 0064 另外， 虽然上述图 2 及图 5A 至 5H 中皆绘示第二区域 B 位在反射像素电极 P 的中 央区域， 但本发明并不限于此。 在其他实施例中， 第二区域也。
26、可以位在反射像素电极的任一 角落区域。举例而言， 请参照图 6， 在此实施例中， 反射像素电极 P1 的第二区域 B1 位在反 射像素电极 P1 的右下方的角落区域， 以及反射像素电极 P2 的第二区域 B2 位在反射像素电 极 P2 的左下方的角落区域， 且进一步而言， 反射像素电极 P1 的第二区域 B1 与反射像素电 极 P2 的第二区域 B2 可一起构成一特定形状。在图 6 中该特定形状为圆形， 但本发明并不 限于此。在其他实施例中， 该特定形状同样地可以是椭圆形、 矩形、 三角形、 菱形、 梯形或十 字形。 0065 另外， 在本实施例中， 像素结构 200 可更包括固定层 206。。
27、详细而言， 固定层 206 配置于反射像素电极 P 上， 且环绕反射像素电极 P 的周围， 以避免反射像素电极 P 由覆盖层 202 上剥离。固定层 206 的材料例如是金属氧化物， 金属氧化物例如是铟锡氧化物、 铟锌氧 化物、 铝锡氧化物、 铝锌氧化物、 铟锗锌氧化物、 或其它合适的氧化物、 或者是上述至少二者 的堆叠层。 0066 当反射像素电极的表面都是平坦的， 其对于光线的反射率较佳但反射角度分布却 不理想 ； 反之， 当整个反射像素电极都设置有凸起结构， 其对于光线的反射率较差但却具有 良好的反射角度分布。有鉴于此， 在上述实施例的像素结构 200 中， 反射像素电极 P 的第一 区。
28、域 A 内具有凸起结构 204， 以及第二区域 B 内具有平坦表面 SB， 且第一区域 A 的面积占反 射像素电极P的总面积的50%至70%， 以及第二区域B的面积占反射像素电极P的总面积的 30% 至 50%， 因此当光线入射至反射像素电极 P 时， 像素结构 200 可具有较佳的反射效率及 反射角度分布。如此一来， 本发明的显示面板能具有较佳的显示品质以及较广的视角。 0067 图 7 是本发明另一实施例的像素结构的剖面示意图。图 7 的像素结构 300 的上视 示意图请参考图 2， 其中图 7 的剖面位置可参考图 2 中的剖面线 I-I 以及 II-II 的位置。 另外， 图 7 的实施。
29、例与上述图 2 及图 3 的实施例相似， 因此相同的元件以相同的符号表示， 且不再重复说明。 0068 请同时参照图7及图3， 此实施例的像素结构300与上述图3的像素结构200不相 同之处在于 ： 覆盖层 202 的顶部更包括凸块 303， 且反射像素电极 P 的第二区域 B 内也具有 凸起结构 304。详细而言， 凸块 303 的顶表面是平坦的， 如此一来当反射像素电极 P 共形地 配置于覆盖层 202 上时， 反射像素电极 P 的凸起结构 304 的顶表面即为平坦表面 SB 。 0069 另外， 在本实施例中， 以覆盖层 202 顶表面的最低水平位置为基准， 凸起结构 204 的高度 H。
30、1 实质上等于凸起结构 304( 平坦表面 SB ) 的高度 H3。然而， 本发明并不限于此。 在其他实施例中， 凸起结构 204 的高度 H1 也可以实质上大于平坦表面 SB 的高度 H3。 0070 基于图 7 的实施例可知， 反射像素电极 P 的第一区域 A 内具有凸起结构 204， 以及 第二区域 B 内具有平坦表面 SB （即凸起结构 304 的顶表面） ， 且第一区域 A 的面积占反射 像素电极 P 的总面积的 50% 至 70%， 以及第二区域 B 的面积占反射像素电极 P 的总面积的 30% 至 50%， 由此， 光线入射至反射像素电极 P 时， 像素结构 300 可具有较佳的。
31、反射效率及反 射角度分布。如此一来， 本发明的显示面板能具有较佳的显示品质以及较广的视角。 0071 图 8 是本发明又一实施例的像素结构的剖面示意图。图 9 为沿图 8 的剖面线 I-I 及 II-II 的剖面示意图。图 8 及图 9 所示的实施例与上述图 2 与图 3 所示的实施例相似， 说 明 书 CN 103558718 A 7 6/8 页 8 因此相同的元件以相同的符号表示， 且不再重复赘述。 0072 图 8 及图 9 所示的像素结构 400 与上述图 2 与图 3 所示的像素结构 200 不相同之 处在于， 覆盖层 202 的顶部包括多个凸块 403 及多个凸块 407， 且反射。
32、像素电极 P 的第一区 域 A 内具有多个凸起结构 404 以及第二区域 B 内具有多个凸起结构 408， 其中以覆盖层 202 顶表面的最低水平位置为基准， 凸起结构 404 的高度 H4 大于凸起结构 408 的高度 H5。在一 实施例中， 第一区域 A 内的凸起结构 404 的高度 H4 与第二区域 B 内的凸起结构 408 的高度 H5 的比例为 1.7 ： 1 至 5 ： 1。 0073 如前文所述， 在凸起结构于覆盖层上的垂直投影面积相等的情况下， 凸起结构的 高度越大， 则凸起结构的表面曲率越大。在图 9 中， 凸起结构 404 及凸起结构 408 于覆盖层 202 上的垂直投影。
33、面积相等， 因此凸起结构 404 的高度 H4 大于凸起结构 408 的高度 H5 时， 凸起结构 404 的表面曲率大于凸起结构 408 的表面曲率。如此一来， 在本实施例的像素结 构400中， 当光线入射至反射像素电极P时， 相较于第一区域A内的凸起结构404， 第二区域 B 内的凸起结构 408 可提供类似于平坦表面的功用， 即提升光线的反射率。 0074 基于图 8 及图 9 的实施例可知， 反射像素电极 P 的第一区域 A 及第二区域 B 内分 别具有凸起结构 404 及凸起结构 408， 且凸起结构 404 的高度 H4 大于凸起结构 408 的高度 H5， 第一区域 A 的面积占。
34、反射像素电极 P 的总面积的 50% 至 70%， 以及第二区域 B 的面积占 反射像素电极 P 的总面积的 30% 至 50%， 由此， 光线入射至反射像素电极 P 时， 像素结构 400 可具有较佳的反射效率及反射角度分布。如此一来， 本发明的显示面板能具有较佳的显示 品质以及较广的视角。 0075 以下将以多个实验例来说明本发明的像素结构具有较佳的反射效率及反射角度 分布。 0076 图 10 为本发明一实施例的五种不同的像素结构的反射率与角度的关系曲线图。 请参照图 10， 曲线 a 至 e 代表五种像素结构的反射率与角度的关系。在此实验例中， 曲线 a 至 e 所代表的各像素结构的差。
35、异在于反射像素电极的构形不同， 而像素结构的其余部分 可以参照前文各实施例， 其中基板为玻璃基板、 覆盖层的材质为有机材料、 反射像素电极 的材料为铝、 固定层的材料为铟锡氧化物。另外， 在此实验例中， 使用色差计仪器 （型号 ： CM-2500， Minolta 制造） 进行反射率的测量。 0077 在曲线 a 所代表的像素结构中， 反射像素电极包括具有凸起结构的第一区域以及 具有平坦表面的第二区域 （如图 2、 3 或图 7 所示） ， 其中凸起结构的高度为 1.86m， 以及第 一区域的面积占反射像素电极的总面积的 50%， 且第二区域的面积也占反射像素电极的总 面积的 50%。 007。
36、8 在曲线 b 所代表的像素结构中， 反射像素电极包括具有凸起结构的第一区域以及 具有平坦表面的第二区域 （如图 2、 3 或图 7 所示） ， 其中凸起结构的高度为 1.86m， 以及第 一区域的面积占反射像素电极的总面积的 60%， 且第二区域的面积占反射像素电极的总面 积的 40%。 0079 在曲线 c 所代表的像素结构中， 反射像素电极包括具有凸起结构的第一区域以及 具有平坦表面的第二区域 （如图 2、 3 或图 7 所示） ， 其中凸起结构的高度为 1.86m， 以及第 一区域的面积占反射像素电极的总面积的 70%， 且第二区域的面积占反射像素电极的总面 积的 30%。 说 明 书。
37、 CN 103558718 A 8 7/8 页 9 0080 在曲线 d 所代表的像素结构中， 整个反射像素电极皆分布有凸起结构， 其中凸起 结构的高度为 1.86m。 0081 在曲线 e 所代表的像素结构中， 反射像素电极的表面都是平坦的。 0082 由图 10 可知， 与曲线 d 所代表的像素结构相比， 曲线 a、 b、 c 所代表的像素结构具 有较佳的反射率。具体而言， 与曲线 d 所代表的像素结构相比， 曲线 a、 b、 c 所代表的像素结 构的反射率提升了约 20% 至 30%。另外， 与曲线 e 所代表的像素结构相比， 曲线 a、 b、 c 所代 表的像素结构具有较广的反射角度分。
38、布。换言之， 透过反射像素电极同时具有凸起结构及 平坦表面， 曲线 a、 b、 c 所代表的像素结构具有较佳的反射效率及反射角度分布。 0083 图 11 为本发明又一实施例的五种不同的像素结构的反射率与角度的关系曲线 图。请参照图 11， 曲线 f 至 j 代表五种像素结构的反射率与角度的关系。在此实验例中， 曲线 f 至 j 所代表的各像素结构的差异在于反射像素电极的构形不同， 而像素结构的其余 部分可以参照前文各实施例， 其中基板为玻璃基板、 覆盖层的材质为有机材料、 反射像素电 极的材料为铝、 固定层的材料为铟锡氧化物。另外， 在此实验例中， 使用色差计仪器 （型号 ： CM-2500。
39、， Minolta 制造） 进行反射率的测量。 0084 在曲线 f 所代表的像素结构中， 反射像素电极包括具有多个凸起结构的第一区域 以及具有多个凸起结构的第二区域 （如图 8、 9 所示） ， 其中第一区域内的凸起结构的高度为 1.86m， 第二区域内的凸起结构的高度为 1.41m， 以及第一区域的面积占反射像素电极 的总面积的 50%， 且第二区域的面积占反射像素电极的总面积的 50%。 0085 在曲线 g 所代表的像素结构中， 反射像素电极包括具有多个凸起结构的第一区域 以及具有多个凸起结构的第二区域 （如图 8、 9 所示） ， 其中第一区域内的凸起结构的高度为 1.86m， 第二。
40、区域内的凸起结构的高度为 1.41m， 以及第一区域的面积占反射像素电极 的总面积的 60%， 且第二区域的面积占反射像素电极的总面积的 40%。 0086 在曲线 h 所代表的像素结构中， 反射像素电极包括具有多个凸起结构的第一区域 以及具有多个凸起结构的第二区域 （如图 8、 9 所示） ， 其中第一区域内的凸起结构的高度为 1.86m， 第二区域内的凸起结构的高度为 1.41m， 以及第一区域的面积占反射像素电极 的总面积的 70%， 且第二区域的面积占反射像素电极的总面积的 30%。 0087 在曲线 i 所代表的像素结构中， 整个反射像素电极皆分布有凸起结构， 其中凸起 结构的高度为。
41、 1.86m。 0088 在曲线 j 所代表的像素结构中， 整个反射像素电极皆分布有凸起结构， 其中凸起 结构的高度为 1.41m。 0089 由图 11 可知， 与曲线 i 所代表的像素结构相比， 曲线 f、 g、 h 所代表的像素结构具 有较佳的反射率。具体而言， 与曲线 i 所代表的像素结构相比， 曲线 f、 g、 h 所代表的像素结 构的反射率提升了约 10% 至 15%。另外， 与曲线 j 所代表的像素结构相比， 曲线 f、 g、 h 所代 表的像素结构具有较广的反射角度分布。换言之， 透过反射像素电极同时具有不同高度的 两种凸起结构， 即具有不同曲率的两种凸起结构， 曲线 f、 g。
42、、 h 所代表的像素结构具有较佳 的反射效率及反射角度分布。 0090 综上所述， 在上述实施例所提出的像素结构中， 反射像素电极包括具有凸起结构 的第一区域以及具有平坦表面的第二区域， 或是反射像素电极包括分别具有多个凸起结构 的第一区域及第二区域， 其中第一区域内的凸起结构的高度大于第二区域内的凸起结构的 说 明 书 CN 103558718 A 9 8/8 页 10 高度， 且第一区域的面积占反射像素电极的总面积的 50% 至 70%， 以及第二区域的面积占反 射像素电极的总面积的 30% 至 50%， 由此， 本发明的像素结构可具有较佳的反射效率及反射 角度分布。如此一来， 本发明的显。
43、示面板能具有较佳的显示品质以及较广的视角。 0091 虽然已结合以上实施例公开了本发明， 然而其并非用以限定本发明， 任何所属技 术领域中熟悉此技术者， 在不脱离本发明的精神和范围内， 可作些许的更动与润饰， 故本发 明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。 说 明 书 CN 103558718 A 10 1/9 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 11 2/9 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 12 3/9 页 13 图 3 图 4 图 5A 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 13 4/9 页 14 图 5B 图 5C 图 5D 图 5E 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 14 5/9 页 15 图 5F 图 5G 图 5H 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 15 6/9 页 16 图 6 图 7 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 16 7/9 页 17 图 8 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 17 8/9 页 18 图 9 图 10 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 18 9/9 页 19 图 11 说 明 书 附 图 CN 103558718 A 19 。