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1、(10)申请公布号 CN 103616786 A (43)申请公布日 2014.03.05 CN 103616786 A (21)申请号 201310660745.6 (22)申请日 2013.12.10 G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1368(2006.01) G02F 1/13(2006.01) H01L 27/12(2006.01) (71)申请人 华映视讯 （吴江） 有限公司 地址 215217 江苏省苏州市吴江经济开发区 同里分区江兴东路 555 号 申请人 中华映管股份有限公司 (72)发明人 许汉东 (74)专利代理机构 上海汉声知识产权代理有限 公司 。
2、31236 代理人 胡晶 (54) 发明名称 薄膜晶体管基板及其修护方法 (57) 摘要 一种薄膜晶体管基板及其修护方法包括 ： 一 基板 ； 复数条扫描线， 设置于该基板上 ； 复数条数 据线， 与该些扫描线相交叉而设置 ； 一扫描线绝 缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间 ； 复数 个薄膜晶体管， 每一薄膜晶体管相对设置于每一 扫描线与每一数据线的相互交叉区域 ； 一数据线 绝缘层， 设置于该扫描线绝缘层的一上表面， 并覆 盖该些数据线 ； 以及一共同电极， 设置于该数据 线绝缘层上， 并包括复数个定位通孔， 其中该些定 位通孔裸露出该数据线绝缘层， 并位在该些数据 线的正上方。 (51)。
3、Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 5 页 附图 6 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书5页 附图6页 (10)申请公布号 CN 103616786 A CN 103616786 A 1/2 页 2 1. 一种薄膜晶体管基板， 包括 ： 一基板 ； 复数条扫描线， 设置于该基板上 ； 复数条数据线， 与该些扫描线相交叉而设置 ； 一扫描线绝缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间 ； 复数个薄膜晶体管， 每一该薄膜晶体管相对设置于每一该扫描线与每一该数据线的相 互交叉区域 ； 一数据线绝缘层， 设置于该扫描线绝缘层的一上表面， 并覆盖该些。
4、数据线 ； 以及 一共同电极， 设置于该数据线绝缘层上， 并包括复数个定位通孔， 其中该些定位通孔裸 露出该数据线绝缘层， 并位在该些数据线的正上方。 2. 如权利要求 1 所述的薄膜晶体管基板， 其特征在于， 每相邻两条的该些扫描线及每 相邻两条的该些数据线所围成的区域定义为一像素区域， 且相邻两像素区域之间具有两个 该定位通孔。 3. 如权利要求 1 所述的薄膜晶体管基板， 其特征在于， 该些定位通孔的上视外形为矩 形， 且该些定位通孔的宽度大于该些数据线的宽度。 4. 如权利要求 1 所述的薄膜晶体管基板， 其特征在于， 该些定位通孔的上视外形为圆 形， 且该些定位通孔的直径大于该些数据。
5、线的宽度。 5. 如权利要求 1 所述的薄膜晶体管基板， 其特征在于， 还包括一透明导体层及一透明 导体保护层， 该透明导体层设置于该数据线绝缘层的一上表面， 以及该透明导体保护层设 置于该透明导体层的一上表面， 使该透明导体层及该透明导体保护层位在该数据线绝缘层 及该共同电极之间。 6.如权利要求1或5所述的薄膜晶体管基板， 其特征在于， 该共同电极还包括复数个条 形通孔， 该些条形通孔位于该像素区域上方， 部份的该些条形通孔连通部份的该些定位通 孔， 且该共同电极的一部份电性绝缘于该共同电极的一另一部份。 7. 一种薄膜晶体管基板的修护方法， 其特征在于， 包括下列步骤 ： 提供一薄膜晶体。
6、管基板， 该薄膜晶体管基板为权利要求 1-5 中的任一项所述的薄膜晶 体管基板 ； 检测该薄膜晶体管基板， 并发现可视不良点 ； 寻找该共同电极与该数据线发生电性短路的电性短路处 ； 以及 切断电性短路处附近的该共同电极的一部份， 其中该些定位通孔用以作为切断该共同 电极的电性短路处的定位点。 8. 如权利要求 7 所述的薄膜晶体管基板的修护方法， 其特征在于， 该共同电极还包括 复数个条形通孔， 其位于该像素区域上方， 该薄膜晶体管基板的修护方法更包括利用雷射 切割的方式， 将该共同电极的该部份的上下位置由该定位通孔切割至该条形通孔。 9. 一种薄膜晶体管基板， 其特征在于， 包括 ： 一基。
7、板 ； 复数条扫描线， 设置于该基板上 ； 复数条数据线， 与该些扫描线相交叉而设置 ； 一扫描线绝缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间 ； 权 利 要 求 书 CN 103616786 A 2 2/2 页 3 复数个薄膜晶体管， 每一薄膜晶体管相对设置于每一扫描线与每一数据线的相互交叉 区域 ； 一数据线绝缘层， 设置该扫描线绝缘层的一上表面， 并覆盖该些数据线 ； 一透明导体层， 设置于该数据线绝缘层的一上表面 ； 一透明导体保护层， 设置于该透明导体层的一上表面 ； 以及 一共同电极， 设置于该数据线绝缘层的一上表面。 10. 如权利要求 9 所述的薄膜晶体管基板， 其特征在于， 该透明。
8、导体层及该共同电极的 材质为铟锡氧化物。 权 利 要 求 书 CN 103616786 A 3 1/5 页 4 薄膜晶体管基板及其修护方法 技术领域 0001 本发明是有关于一种薄膜晶体管基板及其修护方法， 特别是有关于一种平面内切 换 (In Plane Switching， IPS) 广视角技术及边缘电场切换 (Fringe Field Switching， FFS) 技术的薄膜晶体管基板及其修护方法。 背景技术 0002 液晶显示面板通常包括一薄膜晶体管基板、 一彩色滤光片基板及夹于该二基板之 间的液晶层， 其藉由分别施加电压至该二基板， 控制其间液晶分子扭转而实现光的通过或 不通过， 。
9、从而达到显示的目的。 传统液晶显示面板的液晶驱动方式为扭转向列模式， 然而其 视角范围比较窄， 即， 从不同角度观测画面时， 将观测到不同的显示效果。 0003 平面内切换 (In Plane Switching， IPS) 广视角技术及边缘电场切换 (Fringe Field Switching， FFS) 技术是基于传统液晶显示面板的视角狭小等问题而提出的解决方 案。举例， 边缘电场切换技术主要是藉由透明导电层形成所形成的共同电极 (Vcom) 置于像 素电极上方， 从而获得高效的边缘电场， 提高了开口率， 并减少光泄漏。 0004 另外为求共同电极的稳定性， 故共同电极为网状设计 ( 上。
10、下左右串连 )， 但若在形 成数据线绝缘层或共同电极的制程中， 发生微粒 (particle) 或光阻残落于资料在线时， 会 导致共同电极与数据线电性短路， 而产生画面显示不良。传统边缘电场切换技术设计是无 法对上述问题进行修补。 0005 因此， 便有需要提供一种薄膜晶体管基板及修护薄膜晶体管基板的共同电极与数 据线电性短路的方法。 发明内容 0006 本发明的目的在于提供一种可修补可视不良点问题的薄膜晶体管基板及其修护 方法。 0007 为达成上述目的， 本发明提供一种薄膜晶体管基板， 包括 ： 一基板 ； 复数条扫描 线， 设置于该基板上 ； 复数条数据线， 与该些扫描线相交叉而设置 ；。
11、 一扫描线绝缘层设置于 该些扫描线与该些数据线之间 ； 复数个薄膜晶体管， 每一该薄膜晶体管相对设置于每一该 扫描线与每一该数据线的相互交叉区域 ； 一数据线绝缘层， 设置该扫描线绝缘层的一上表 面， 并覆盖该些数据线 ； 以及一共同电极， 设置于该数据线绝缘层上， 并包括复数个定位通 孔， 其中该些定位通孔裸露出该数据线绝缘层， 并位在该些数据线的正上方。 0008 为达成上述目的， 本发明再提供一种薄膜晶体管基板的修护方法， 包括下列步骤 ： 提供一薄膜晶体管基板 ； 检测该薄膜晶体管基板， 并发现可视不良点 ； 寻找该共同电极与 该数据线发生电性短路的电性短路处 ； 以及切断电性短路处附。
12、近的该共同电极的一部份， 其中该些定位通孔用以作为切断该共同电极的电性短路处的定位点。 0009 本发明的另一目的在于提供一种可避免微粒落于数据线时与共同电极相互电性 连接的薄膜晶体管基板。 说 明 书 CN 103616786 A 4 2/5 页 5 0010 为达成上述目的， 本发明提供一种薄膜晶体管基板， 包括 ： 一基板 ； 复数条扫描 线， 设置于该基板上 ； 复数条数据线， 与该些扫描线相交叉而设置 ； 一扫描线绝缘层设置于 该些扫描线与该些数据线之间 ； 复数个薄膜晶体管， 每一薄膜晶体管相对设置于每一扫描 线与每一数据线的相互交叉区域 ； 一数据线绝缘层， 设置该扫描线绝缘层的。
13、一上表面， 并覆 盖该些数据线 ； 一透明导体层， 设置于该数据线绝缘层的一上表面 ； 一透明导体保护层， 设 置于该透明导体层的一上表面 ； 以及一共同电极， 设置于该数据线绝缘层的一上表面。 0011 本发明中所述的薄膜晶体管基板可适用于平面内切换 (InPlane Switching， IPS) 广视角技术及边缘电场切换(Fringe Field Switching， FFS)技术， 其利用该些定位通孔用 以作为切断该共同电极的电性短路处的定位点， 并切断该电性短路处附近的该共同电极的 该部份的上下位置 ( 例如将该共同电极的该部份的上下位置由该定位通孔切割至该条形 通孔 )， 使该共同。
14、电极的该部份电性绝缘该共同电极的另一部份， 以进行修补可视点不良的 问题。 或者， 利用该透明导体层及该透明导体保护层作为缓冲层使用， 以避免微粒落于数据 线时与共同电极相互电性连接。 0012 为了让本发明的上述和其他目的、 特征和优点能更明显， 下文将配合所附图示， 作 详细说明如下。 附图说明 0013 图 1 为本发明的一第一实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图 ； 图 2 为图 1 所示的薄膜晶体管基板沿剖线 V1-V1 方向的剖面示意图 ； 图 3 为本发明的一种薄膜晶体管基板的修护方法流程图 ； 图 4 为本发明的一第二实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图 ； 图 5 为图 。
15、4 所示确薄膜晶体管基板沿剖线 V2-V2 方向的剖面示意图 ； 图 6 为本发明的一第三实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图 ； 图 7 为图 6 所示的薄膜晶体管基板沿剖线 V3-V3 方向的剖面示意图。 0014 【主要组件符号说明】 100、 200、 300 薄膜晶体管基板 110 基板 120 扫描线 130、 230、 330 数据线 140 薄膜晶体管 150、 250、 350 数据线绝缘层 160、 260、 360 共同电极 160a、 360a 共同电极的部份 160b、 360b 共同电极的另一部份 161、 161a 定位通孔 162、 162a 条形通孔 170。
16、 扫描线绝缘层 180 像素区域 280、 380 透明导体层 说 明 书 CN 103616786 A 5 3/5 页 6 290、 390 透明导体保护层 910 微粒 D1 直径 W1、 W2 宽度 S100-S104 步骤。 具体实施方式 0015 图 1 为本发明的一第一实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图。图 2 为图 1 所示的薄膜晶体管基板沿剖线 V1-V1 方向的剖面示意图。 0016 该薄膜晶体管基板 100 包括 ： 一基板 110、 复数条扫描线 120、 复数条数据线 130、 复数个薄膜晶体管140、 一数据线绝缘层150、 一共同电极160及一扫描线绝缘层170。
17、。 该些 扫描线 120 设置于该基板 110 上。该些数据线 130 与该些扫描线 120 相交叉而设置。该扫 描线绝缘层 170 设置于该些扫描线 120 与该些数据线 130 之间， 并位于该基板 110 与该些 数据线 130 之间。每一薄膜晶体管 140 相对设置于每一扫描线 120 与每一数据线 130 的相 互交叉区域。该数据线绝缘层 150 设置于该扫描线绝缘层 170 的一上表面， 并覆盖该些数 据线 130。该共同电极 160 设置于该数据线绝缘层 150 上， 并包括复数个定位通孔 161， 其 裸露出该数据线绝缘层 150。该些定位通孔 161 皆须位在该些数据线 13。
18、0 的正上方。较佳 的， 该些定位通孔 161 的上视外形可为矩形， 该矩形的宽度 W1 大于该些数据线 130 的宽度 W2。或者， 该些定位通孔 161 的上视外形可为圆形， 该圆形的直径 D1 大于该些数据线 130 的宽度 W2。 0017 每相邻两条的该些扫描线120及每相邻两条的该些数据线130所围成的区域定义 为一像素区域 180。较佳的， 相邻两像素区域 180 之间具有两个定位通孔 161。共同电极 160 还包括复数个条形通孔 162， 该些条形通孔 162 位于该像素区域 180 上方。该共同电极 160 的材质为透明导体， 例如铟锡氧化物 (ITO)。 0018 在形成。
19、该数据线绝缘层 150 或共同电极 160 的制程过程中， 可能会发生微粒 (particle)910 或光阻残落于数据线 130 上方。当该共同电极 160 受到压力或该数据线绝 缘层150发生裂缝时， 微粒910将使该共同电极的部份160a与该数据线130发生电性短路。 此时， 可藉由本发明的薄膜晶体管基板的修护方法， 先判断出微粒910的位置(亦即该共同 电极160与该数据线130发生电性短路的电性短路处)， 然后再将微粒910附近的该共同电 极的部份160a进行电性绝缘的动作， 例如切断与该数据线130发生电性短路的共同电极的 部份 160a， 使该共同电极的部份 160a 电性绝缘于。
20、该共同电极的另一部份 160b 电性短路。 0019 图 3 为本发明的一种薄膜晶体管基板的修护方法流程图， 包括下列步骤 ： 步骤 S100 ： 检测薄膜晶体管基板， 并发现可视不良点。在本步骤中， 请再参考图 1 及图 2， 当薄膜晶体管基板100制造完成后， 对该些数据线130发出以一检测信号， 以发现可视不 良点， 并预测薄膜晶体管基板 100 上的该些数据线 130 与共同电极 160 发生电性短路。 0020 步骤 S102 ： 寻找共同电极与数据线发生电性短路的电性短路处。在本步骤中， 当 发现该可视不良点时， 可利用显微镜寻找该共同电极 160 与该数据线 130 发生电性短路。
21、的 电性短路处。 0021 步骤 S104 ： 切断电性短路处附近的共同电极的一部份。在本步骤中， 切断该电性 说 明 书 CN 103616786 A 6 4/5 页 7 短路处附近的该共同电极的部份 160a 的上下位置， 使该共同电极的部份 160a 电性绝缘该 共同电极的另一部份 160b。较佳地， 可以利用该些定位通孔 161 用以作为切断该共同电极 160 的电性短路处的定位点。例如， 切断的方法可利用雷射切割的方式， 将该共同电极的部 份 160a 的上下位置由该定位通孔 161 切割至该条形通孔 162， 使部份的该些条形通孔 162a 连通部份的该些定位通孔 161a， 且该。
22、共同电极的部份 160a 电性绝缘该共同电极的另一部 份 160b。 0022 图 4 为本发明的一第二实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图。图 5 为图 4 所示的薄膜晶体管基板沿剖线 V2-V2 方向的剖面示意图。第二实施例的薄膜晶体管基板 200 大体上类似于第一实施例的薄膜晶体管基板 100， 类似的组件标示类似的标号。第二实 施例的薄膜晶体管基板 200 与第一实施例的薄膜晶体管基板 100 不同的地方在于， 该薄膜 晶体管基板 200 还包括一透明导体层 280 及一透明导体保护层 290， 且该薄膜晶体管基板 200 的共同电极 260 并没有定位通孔。该透明导体层 280 设。
23、置于该数据线绝缘层 250 的一 上表面。该透明导体保护层 290 设置于该透明导体层 280 的一上表面。该共同电极 260 设 置于该数据线绝缘层 250 的一上表面， 使该透明导体层 280 及该透明导体保护层 290 位在 该数据线绝缘层 250 及该共同电极 260 之间。该透明导体层 280 及该透明导体保护层 290 可作为缓冲层使用， 可避免微粒落于数据线 230 时与共同电极 260 相互电性连接。该透明 导体层 280 与该共同电极 260 可为相同材质， 例如铟锡氧化物 (ITO)。当该共同电极 260 受 到压力或该数据线绝缘层 250 发生裂缝时， 因增加该透明导体层。
24、 280 及该透明导体保护层 290， 使微粒不会使共同电极 260 与该数据线 230 发生电性短路， 进而较不会产生视点不良 的问题。 0023 图 6 为本发明的一第三实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图。图 7 为图 6 所示的薄膜晶体管基板沿剖线 V3-V3 方向的剖面示意图。第三实施例的薄膜晶体管基板 300 大体上类似于第一实施例的薄膜晶体管基板 100， 类似的组件标示类似的标号。第三实 施例的薄膜晶体管基板 300 与第一实施例的薄膜晶体管基板 100 不同的地方在于， 第三实 施例的薄膜晶体管基板 300 还包括一透明导体层 380 及一透明导体保护层 390。该透明导 。
25、体层 380 设置于该数据线绝缘层 350 的一上表面， 以及该透明导体保护层 390 设置于该透 明导体层 380 的一上表面， 使该透明导体层 380 及该透明导体保护层 390 位在该数据线绝 缘层 350 及该共同电极 360 之间。该透明导体层 380 及该共同电极 360 的材质为铟锡氧化 物。该透明导体层 380 及该透明导体保护层 390 可作为缓冲层使用， 可避免微粒 910 落于 数据线 330 时与共同电极 360 相互电性连接。若是微粒过大， 导致该共同电极 360 受到压 力或该数据线绝缘层350、 透明导体层380及透明导体保护层390发生裂缝时， 微粒910将 使。
26、该共同电极的部份 360a 与该数据线 330 发生电性短路。此时， 可藉由上述中的薄膜晶体 管基板的修护方法， 先判断出微粒 910 的位置 ( 亦即该共同电极 360 与该数据线 330 发生 电性短路的电性短路处 )， 然后再将微粒 910 附近的该共同电极的部份 360a 进行电性绝缘 的动作， 例如切断与该数据线 330 发生电性短路的共同电极的部份 360a， 使该共同电极的 部份 360a 电性绝缘于该共同电极 360 的另一部份 360b。 0024 综上可知， 本发明的薄膜晶体管基板可适用于平面内切换 (In Plane Switching， IPS) 广视角技术及边缘电场切。
27、换 (Fringe Field Switching， FFS) 技术， 其利用该些定位 通孔用以作为切断该共同电极的电性短路处的定位点， 并切断该电性短路处附近的该共同 说 明 书 CN 103616786 A 7 5/5 页 8 电极的该部份的上下位置 ( 例如将该共同电极的该部份的上下位置由该定位通孔切割至 该条形通孔 )， 使该共同电极的该部份电性绝缘该共同电极的另一部份， 以进行修补可视点 不良的问题。 或者， 利用该透明导体层及该透明导体保护层作为缓冲层使用， 以避免微粒落 于数据线时与共同电极相互电性连接。 0025 综上所述， 乃仅记载本发明为呈现解决问题所采用的技术手段的实施方。
28、式或实施 例而已， 并非用来限定本发明专利实施的范围。 即凡与本发明专利申请范围文义相符， 或依 本发明专利范围所做的均等变化与修饰， 皆为本发明专利范围所涵盖。 说 明 书 CN 103616786 A 8 1/6 页 9 图 1 说 明 书 附 图 CN 103616786 A 9 2/6 页 10 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103616786 A 10 3/6 页 11 图 4 说 明 书 附 图 CN 103616786 A 11 4/6 页 12 图 5 说 明 书 附 图 CN 103616786 A 12 5/6 页 13 图 6 说 明 书 附 图 CN 103616786 A 13 6/6 页 14 图 7 说 明 书 附 图 CN 103616786 A 14 。