《一种坏块表存放方法、装置以及与非门型非易失存储器.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种坏块表存放方法、装置以及与非门型非易失存储器.pdf（10页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 103593303 A (43)申请公布日 2014.02.19 CN 103593303 A (21)申请号 201310522841.4 (22)申请日 2013.10.29 G06F 12/06(2006.01) G06F 11/14(2006.01) (71)申请人 福建星网视易信息系统有限公司 地址 350000 福建省福州市仓山区建新镇金 山大道618号桔园洲工业园19号楼一、 二层 (72)发明人 郑远 喻呈东 (74)专利代理机构 福州市鼓楼区京华专利事务 所 ( 普通合伙 ) 35212 代理人 宋连梅 (54) 发明名称 一种坏块表存放方法、 装置。
2、以及与非门型非 易失存储器 (57) 摘要 本发明提供一种坏块表存放方法， 包括主坏 块表生成步骤 ： 首次使用与非门型非易失存储器 时， 与非门型非易失存储器的驱动扫描与非门型 非易失存储器上的坏块， 并生成主坏块表 ； 主坏 块表写入步骤 ： 将所述主坏块表写入与非门型非 易失存储器的任意非坏块。本发明还提供一种坏 块表存放装置， 包括 ： 主坏块表生成模块和主坏 块表写入模块。本发明还提供一种与非门型非易 失存储器， 其将本发明所提出的坏块表存放装置 运用其中。本发明通过将主坏块表保存在非坏块 上， 大大降低了因坏块表无法读取导致与非门型 非易失存储器无法使用的概率， 同时又保存一份 从。
3、坏块表， 主坏块表无法读取， 可通过从坏块表恢 复一份新的主坏块表， 保证与非门型非易失存储 器的正常使用。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (10)申请公布号 CN 103593303 A CN 103593303 A 1/2 页 2 1. 一种坏块表存放方法， 其特征在于， 包括如下步骤 ： 主坏块表生成步骤 ： 首次使用与非门型非易失存储器时， 与非门型非易失存储器的驱 动扫描与非门型非易失存储器上的坏块， 并生成主坏块表 ； 主坏块表写入步骤 ： 。
4、将所述主坏块表写入与非门型非易失存储器的任意非坏块， 所述 非坏块由与非门型非易失存储器厂家在出厂与非门型非易失存储器时提供。 2. 根据权利要求 1 所述的一种坏块表存放方法， 其特征在于 ： 还包括如下步骤 ： 从坏块表生成步骤 ： 记录所述主坏块表写入的非坏块所在的位置， 并生成一从坏块表， 所述从坏块表由主坏块表复制而成并标记为从坏块表 ； 从坏块表写入步骤 ： 将所述从坏块表写入与非门型非易失存储器上的任意一个块， 若 写入成功， 则记录存放从坏块表的块的位置， 若写入失败， 则选取与非门型非易失存储器上 的另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放从坏块表的块的位置， 若与非门型。
5、非易失存 储器上除所述非坏块外的各个块均无法写入， 则判定该与非门型非易失存储器不可用。 3. 根据权利要求 1 所述的一种坏块表存放方法， 其特征在于 ： 所述主坏块表写入步骤 中， 非坏块的位置通过查询与非门型非易失存储器的数据手册获得。 4. 根据权利要求 2 所述的一种坏块表存放方法， 其特征在于 ： 在所述主坏块表生成步 骤之前， 在所述与非门型非易失存储器上划分出用于存放坏块表的存储区域， 所述存储区 域包括复数个与非门型非易失存储器上的块 ； 然后执行所述主坏块表生成步骤、 主坏块表 写入步骤、 从坏块表生成步骤以及从坏块表写入步骤。 5. 根据权利要求 4 所述的一种坏块表存放。
6、方法， 其特征在于 ： 在执行所述从坏块表写 入步骤时， 将所述从坏块表写入所述存储区域内的任意一个块， 若写入成功， 则记录存放从 坏块表的块的位置， 若写入失败， 则选取所述存储区域内的另一个块进行写入， 直至写入成 功， 记录存放从坏块表的块 的位置， 若所述存储区域内的各个块均无法写入， 则判定该与 非门型非易失存储器不可用。 6. 根据权利要求 2 所述一种坏块表存放方法， 其特征在于 ： 后续读取主坏块表， 若无法 读取， 则使用从坏块表恢复主坏块表， 生成新的主坏块表， 并将新主坏块表写入所述与非门 型非易失存储器上的任意一个块上， 若无法写入， 选取与非门型非易失存储器上的另一。
7、个 块进行写入， 直至写入成功， 记录存放新主坏块表的块的位置 ； 若读取主坏块表成功， 则将 坏块表内坏块信息保存至内存中。 7. 根据权利要求 2 所述一种坏块表存放方法， 其特征在于 ： 在使用与非门型非易失存 储器过程中， 若发现新的坏块， 则将新的坏块信息保存至内存中， 待更新内存时， 将内存中 所有的坏块信息回写到主坏块表和从坏块表中， 若主坏块表已无法读取， 则将内存中所有 的坏块信息回写到新主坏块表和从坏块表中。 8. 一种坏块表存放装置， 其特征在于 ： 包括 ： 主坏块表生成模块 ： 用于首次使用与非门型非易失存储器时， 与非门型非易失存储器 的驱动扫描与非门型非易失存储器。
8、上的坏块， 并生成主坏块表 ； 主坏块表写入模块 ： 用于将所述主坏块表写入与非门型非易失存储器的任意非坏块， 所述非坏块由与非门型非易失存储器厂家在出厂与非门型非易失存储器时提供。 9. 根据权利要求 8 所述的一种坏块表存放装置， 其特征在于 ： 还包括如下模块 ： 从坏块表生成模块 ： 用于记录所述主坏块表写入的非坏块所在的位置， 并生成一从坏 权 利 要 求 书 CN 103593303 A 2 2/2 页 3 块表， 所述从坏块表由主坏块表复制而成并标记为从坏块表 ； 从坏块表写入模块 ： 用于将所述从坏块表写入与非门型非易失存储器上的任意一个 块， 若写入成功， 则记录存放从坏块表。
9、的块的位置， 若写入失败， 则选取与非门型非易失存 储器上的另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放从坏块表的块的位置， 若与非门型非 易失存储器上除所述非坏块外的各 个块均无法写入， 则判定该与非门型非易失存储器不 可用。 10. 根据权利要求 8 所述的一种坏块表存放装置， 其特征在于 ： 所述主坏块表写入模块 将所述主坏块表写入与非门型非易失存储器的任意非坏块时， 所述非坏块的位置通过查询 与非门型非易失存储器的数据手册获得。 11. 根据权利要求 9 所述的一种坏块表存放装置， 其特征在于 ： 还包括坏块表存储区域 划分模块 ： 用于在所述与非门型非易失存储器上划分出存放坏块表的存。
10、储区域， 所述存储 区域包括复数个与非门型非易失存储器上的块。 12. 根据权利要求 11 所述的一种坏块表存放装置， 其特征在于 ： 所述从坏块表写入模 块， 用于将所述从坏块表写入所述存储区域内的任意一个块， 若写入成功， 则记录存放从坏 块表的块的位置， 若写入失败， 则选取所述存储区域内的另一个块进行写入， 直至写入成 功， 记录存放从坏块表的块的位置， 若所述存储区域内的各个块均无法写入， 则判定该与非 门型非易失存储器不可用。 13. 根据权利要求 8 所述一种坏块表存放装置， 其特征在于 ： 还包括坏块表读取模块 ： 用于后续读取主坏块表， 若无法读取， 则使用从坏块表恢复主坏块。
11、表， 生成新的主坏块表， 并将新主坏块表写入所述与非门型非易失存储器上的任意一个块上， 若无法写入， 选取与 非门型非易失存储器上的另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放新主坏块表的块的 位置 ； 若系统读取主坏块表成功， 则将坏块表内坏块信息保存至内存中。 14. 根据权利要求 8 所述一种坏块表存放装置， 其特征在于 ： 还包括坏块表更新写入模 块 ： 用于在使用与非门型非易失存储器过程中， 若发现新的坏块， 则将新的坏块的信息保存 至内存中， 待更新内存时， 将内存中所有的坏块信息回写到主坏块表和从坏块表中， 若主坏 块表已无法读取， 则将内存中所有的坏块信息回写到新主坏块表和从坏。
12、块表中。 15. 一种与非门型非易失存储器， 其特征在于 ： 包括， 如权利要求 8 至 14 任一权利要求 所述的存放装置。 权 利 要 求 书 CN 103593303 A 3 1/6 页 4 一种坏块表存放方法、 装置以及与非门型非易失存储器 【技术领域】 0001 本发明涉及半导体技术领域， 特别涉及一种坏块表存放方法、 装置以及与非门型 非易失存储器。 【背景技术】 0002 与非门型非易失存储器 （亦称 ： NAND 闪存或 NAND 芯片， 以下简称 NAND 芯片） 是一 种比硬盘驱动器更好的存储器件， 其阵列分为一系列 128kB 的块， 这些块是 NAND 芯片中最 小的可。
13、擦除实体。 0003 现有的多层单元与非门型非易失存储器 ( 亦称 ： MLC NAND 闪存， 以下简称 MLC NAND 闪存 ； MLC 英文全称 Multi-Level Cell， 中文名称为 ： 多层单元 ) 在出厂和使用过程 中， 坏块 （由于使用过程中不断的写操作或工艺缺陷导致） 是MLC NAND闪存无法从生产和硬 件上解决的一道难题， 而且随着容量的增加， 问题越来越严重。一方面要求提高 NAND 芯片 控制接口端的硬件校验能力， 另一方面对软件的设计也提出更大的挑战。这些坏块在使用 中不应该影响到其他好块的使用， 所以在 MLC NAND 闪存的驱动上， 会设计一个机制用来。
14、标 识、 隔离这些坏块。这种机制靠的是 MLC NAND 闪存在初次使用时扫描出厂坏块并建立坏块 表 （英文全称 ： Bad Blocks Table， 以下简称 BBT， 所述坏块表内记录有坏块的位置信息） 存 储回 NAND 芯片中， 以后每次使用该 NAND 芯片时驱动都会根据 BBT 所标明的信息来避开这 些坏块。使用过程中若有出现新的坏块， 也会更新该 BBT 并写回 NAND 芯片。因此， BBT 的 存放方法是否安全可靠是 NAND 芯片能否正常使用的关键所在。 【发明内容】 0004 本发明要解决的技术问题之一， 在于提供一种坏块表存放方法， 其使得 NAND 芯片 不会因为无。
15、法读取坏块表而无法正常使用。 0005 本发明的问题之一， 是这样实现的 ： 0006 一种坏块表存放方法， 包括如下步骤 ： 0007 主 BBT 生成步骤 ： 首次使用 NAND 芯片时， NAND 芯片的驱动扫描 NAND 芯片上的坏 块， 并生成主 BBT ； 0008 主 BBT 写入步骤 ： 将所述主 BBT 写入 NAND 芯片的任意非坏块， 所述非坏块由 NAND 芯片厂家在出厂 NAND 芯片时提供。 0009 进一步地， 所述 BBT 存放方法还包括如下步骤 ： 0010 从 BBT 生成步骤 ： 记录所述主 BBT 写入的非坏块所在的位置， 并生成一从 BBT， 所 述从。
16、 BBT 由主 BBT 复制而成并标记为从 BBT ； 0011 从BBT写入步骤 ： 将所述从BBT写入NAND芯片上的任意一个块， 若写入成功， 则记 录存放从BBT的块的位置， 若写入失败， 则选取NAND芯片上的另一个块进行写入， 直至写入 成功， 记录存放从BBT的块的位置， 若NAND芯片上除所述非坏块外的各个块均无法写入， 则 判定该 NAND 芯片不可用。 说 明 书 CN 103593303 A 4 2/6 页 5 0012 进一步地， 所述主 BBT 写入步骤中， 非坏块的位置通过查询 NAND 芯片的数据手册 获得。 0013 进一步地， 在所述主 BBT 生成步骤之前，。
17、 在所述 NAND 芯片上划分出用于存放 BBT 的存储区域， 所述存储区域包括复数个NAND芯片上的块 ； 然后执行所述主BBT生成步骤、 主 BBT 写入步骤、 从 BBT 生成步骤以及从 BBT 写入步骤。 0014 进一步地， 在执行所述从BBT写入步骤时， 将所述从BBT写入所述存储区域内的任 意一个块， 若写入成功， 则记录存放从 BBT 的块的位置， 若写入失败， 则选取所述存储区域 内的另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放从 BBT 的块的位置， 若所述存储区域内的 各个块均无法写入， 则判定该 NAND 芯片不可用。 0015 进一步地， 后续读取主 BBT， 若无法。
18、读取， 则使用从 BBT 恢复主 BBT， 生成新的主 BBT， 并将新主 BBT 写入所述 NAND 芯片上的任意一个块上， 若无法写入， 选取 NAND 芯片上的 另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放新主BBT的块的位置 ； 若读取主BBT成功， 则将 BBT 内坏块信息保存至内存中。 0016 进一步地， 在使用 NAND 芯片过程中， 若发现新的坏块， 则将新的坏块信息保存至 内存中， 待更新内存时， 将内存中所有的坏块信息回写到主 BBT 和从 BBT 中， 若主 BBT 已无 法读取， 则将内存中所有的坏块信息回写到新主 BBT 和从 BBT 中。 0017 本发明要解决的。
19、技术问题之二， 在于提供一种坏块表存放装置， 其使得 NAND 芯片 不会因为无法读取坏块表而无法正常使用。 0018 本发明的问题之二， 是这样实现的 ： 0019 一种坏块表存放装置， 包括 ： 0020 主 BBT 生成模块 ： 用于首次使用 NAND 芯片时， NAND 芯片的驱动扫描 NAND 芯片上 的坏块， 并生成主 BBT ； 0021 主 BBT 写入模块 ： 用于将所述主 BBT 写入 NAND 芯片的任意非坏块， 所述非坏块由 NAND 芯片厂家在出厂 NAND 芯片时提供。 0022 进一步地， 所述 BBT 存放装置还包括如下模块 ： 0023 从 BBT 生成模块 。
20、： 用于记录所述主 BBT 写入的非坏块所在的位置， 并生成一从 BBT， 所述从 BBT 由主 BBT 复制而成并标记为从 BBT ； 0024 从BBT写入模块 ： 用于将所述从BBT写入NAND芯片上的任意一个块， 若写入成功， 则记录存放从BBT的块的位置， 若写入失败， 则选取NAND芯片上的另一个块进行写入， 直至 写入成功， 记录存放从 BBT 的块的位置， 若 NAND 芯片上除所述非坏块外的各个块均无法写 入， 则判定该 NAND 芯片不可用。 0025 进一步地， 所述主 BBT 写入模块将所述主 BBT 写入 NAND 芯片的任意非坏块时， 所 述非坏块的位置通过查询 N。
21、AND 芯片的数据手册获得。 0026 进一步地， 还包括 BBT 存储区域划分模块 ： 用于在所述 NAND 芯片上划分出存放 BBT 的存储区域， 所述存储区域包括复数个 NAND 芯片上的块。 0027 进一步地， 所述从BBT写入模块， 用于将所述从BBT写入所述存储区域内的任意一 个块， 若写入成功， 则记录存放从 BBT 的块的位置， 若写入失败， 则选取所述存储区域内的 另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放从 BBT 的块的位置， 若所述存储区域内的各个 块均无法写入， 则判定该 NAND 芯片不可用。 说 明 书 CN 103593303 A 5 3/6 页 6 002。
22、8 进一步地， 还包括 BBT 读取模块 ： 用于后续读取主 BBT， 若无法读取， 则使用从 BBT 恢复主 BBT， 生成新的主 BBT， 并将新主 BBT 写入所述 NAND 芯片上的任意一个块上， 若无法 写入， 选取 NAND 芯片上的另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放新主 BBT 的块的位 置 ； 若系统读取主 BBT 成功， 则将 BBT 内坏块信息保存至内存中， 0029 进一步地， 还包括 BBT 更新写入模块 ： 用于在使用 NAND 芯片过程中， 若发现新的 坏块， 则将新的坏块的信息保存至内存中， 待更新内存时， 将内存中所有的坏块信息回写到 主 BBT 和从。
23、 BBT 中， 若主 BBT 已无法读取， 则将内存中所有的坏块信息回写到新主 BBT 和从 BBT 中。 0030 本发明还提供了一种非门型非易失存储器， 该 NAND 芯片包含了坏块表存放装置。 0031 本发明具有如下优点 ： 通过将主 BBT 保存在非坏块上， 大大降低了因 BBT 无法读 取导致 NAND 芯片无法使用的概率， 提高 NAND 芯片的使用率， 同时又在 NAND 芯片上保存一 份从 BBT， 即使主 BBT 无法读取， 亦可通过从 BBT 恢复一份新的主 BBT， 当需要更新坏块信息 时， 主 BBT 或新主 BBT 和从 BBT 同时更新， 更进一步提高 BBT 文。
24、件的可靠性， 从而保证 NAND 芯片的正常使用。 【附图说明】 0032 下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。 0033 图 1 为本发明一种坏块表存放方法的流程图。 0034 图 2 为本发明一种坏块表存放装置的结构示意图。 【具体实施方式】 0035 请参阅图 1， 一种坏块表 （英文全称 ： Bad Blocks Table， 以下简称 BBT） 存放方法， 包括如下步骤 ： 0036 主 BBT生成步骤 ： 首次使用与非门型非易失存储器(以下简称NAND芯片） 时， NAND 芯片的驱动扫描 NAND 芯片上的坏块， 并生成主 BBT ； 0037 主 BBT 写入步骤 ：。
25、 将所述主 BBT 写入 NAND 芯片的任意非坏块， 所述非坏块由 NAND 芯片厂家在出厂 NAND 芯片时提供。非坏块的位置通过查询 NAND 芯片的数据手册获得。有 的NAND芯片厂家保证第一块是非坏块， 有的NAND芯片厂家保证最后一块是非坏块， 位置不 确定， 由于芯片厂家保证的非坏块仅能保证在出厂时 100% 是非坏块， 并不能保证在以后的 使用中一直都是非坏块， 因此， 本实施例中采用主 BBT 和从 BBT 相互配合使用， 进一步降低 NAND 芯片的驱动无法读取 BBT 的概率， 具体如下 ： 0038 所述 BBT 存放方法还包括如下步骤 ： 0039 从 BBT 生成步。
26、骤 ： 记录所述主 BBT 写入的非坏块所在的位置， 并生成一从 BBT， 所 述从 BBT 由主 BBT 复制而成并标记为从 BBT ； 0040 从BBT写入步骤 ： 将所述从BBT写入NAND芯片上的任意一个块， 若写入成功， 则记 录存放从BBT的块的位置， 若写入失败， 则选取NAND芯片上的另一个块进行写入， 直至写入 成功， 记录存放从BBT的块的位置， 若NAND芯片上除所述非坏块外的各个块均无法写入， 则 判定该 NAND 芯片不可用。 0041 后续读取主BBT， 若无法读取， 则使用从BBT恢复主BBT， 生成新的主BBT， 并将新主 说 明 书 CN 103593303。
27、 A 6 4/6 页 7 BBT 写入所述 NAND 芯片上的任意一个块上， 若无法写入， 选取 NAND 芯片上的另一个块进行 写入， 直至写入成功， 记录存放新主BBT的块的位置 ； 若读取主BBT成功， 则将BBT内坏块信 息保存至内存中。 0042 在使用 NAND 芯片过程中， 若发现新的坏块， 则将新的坏块信息保存至内存中， 待 更新内存时， 将内存中所有的坏块信息回写到主 BBT 和从 BBT 中， 若主 BBT 已无法读取， 则 将内存中所有的坏块信息回写到新主 BBT 和从 BBT 中。 0043 以三星的， 型号为 K9GAG08U0F 的一款 NAND 芯片为例， 根据芯。
28、片数据手册上描述 的， 其出厂非坏块是第 0 块， 于是在首次启动使用这个 NAND 芯片的时候， 扫描 NAND 芯片并 生成主 BBT， 将其写入第 0 块， 此次写入必然成功。同时生成从 BBT， 尝试将其写入其他块， 这里使用第 1 块， 写入成功的话则结束， 不成功则选下一个块 （这里选择第 2 块） 并尝试写 入， 成功则结束， 不成功则继续前面 “选择其他块并尝试写入的流程” ， 直至写入成功或所有 预先定义的区域 （即第二实施例中划分的存储区域） 都无法写入， 若写入成功而结束， 则可 以继续使用这个 NAND 芯片， 否则判定 NAND 芯片不可用。 0044 本发明坏块表存。
29、放方法的第二实施例是 ： 0045 在所述主 BBT 生成步骤之前， 在所述 NAND 芯片上划分出用于存放 BBT 的存储区 域， 所述存储区域包括复数个 NAND 芯片上的块， 所述 BBT 包含主 BBT 和从 BBT， 然后执行所 述主 BBT 生成步骤、 从 BBT 生成步骤、 从 BBT 生成步骤以及从 BBT 写入步骤， 具体如下 ： 0046 所述主 BBT 生成步骤 ： 首次使用 NAND 芯片时， NAND 芯片的驱动扫描 NAND 芯片上 的坏块， 并生成主 BBT ； 0047 所述主 BBT 写入步骤 ： 将所述主 BBT 写入 NAND 芯片的任意非坏块， 所述非坏。
30、块由 NAND 芯片厂家在出厂 NAND 芯片时提供 ； 0048 从 BBT 生成步骤 ： 记录所述主 BBT 写入的非坏块所在的位置， 并生成一从 BBT， 所 述从 BBT 由主 BBT 复制而成并标记为从 BBT ； 0049 从 BBT 写入步骤 ： 将所述从 BBT 写入所述存储区域内的任意一个块， 若写入成功， 则记录存放从 BBT 的块的位置， 若写入失败， 则选取所述存储区域内的另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放从 BBT 的块的位置， 若所述存储区域内的各个块均无法写入， 则判 定该 NAND 芯片不可用。 0050 在 NAND 芯片上划分用于存放 BBT 的存。
31、储区域， 目的是提高存放效率， 降低系统开 销。 0051 下面以在 NAND 芯片上划分八个块作为 BBT 的存储区域为例 ： 0052 先将从 BBT 存放在存储区域中的一个块， 如果该块是坏的， 则从存储区域内选取 另外一个块进行存放， 若还是坏的， 则继续选取存储区域内的其他块进行存放， 若八个块都 是坏的的， 则放弃使用该芯片， 必须做芯片更换操作， 这样相当于存放 BBT 的存储区域实际 占用了 8 个块， 但相对于 NAND 芯片上千各块来说， 这还是可以忽略的， 使用此方法可以将 NAND 芯片无法使用的概率降到极低。以单个块成为坏块的概率为 0.1 为例， 出现故障的概 率可。
32、以降低到 0.00000001， 对 NAND 芯片来说完全是可以接受的。 0053 需要说明的是， 在本实施例中， 使用 NAND 芯片的系统， 该系统仅将 NAND 芯片用于 数据存储， 并不作为系统启动代码的存放器件。 0054 本发明大大降低了因 BBT 无法读取导致 NAND 芯片无法使用的概率， 提高 NAND 芯 说 明 书 CN 103593303 A 7 5/6 页 8 片的使用率。 0055 请参阅图2， 本发明的一种坏块表 （英文全称 ： Bad Blocks Table， 以下简称BBT） 存 放装置， 该装置包括 ： 0056 主BBT生成模块 ： 用于首次使用与非门。
33、型非易失存储器(以下简称NAND芯片)时， NAND 芯片的驱动扫描 NAND 芯片上的坏块， 并生成主 BBT ； 0057 主 BBT 写入模块 ： 用于将所述主 BBT 写入 NAND 芯片的任意非坏块， 所述非坏块由 NAND芯片厂家在出厂NAND芯片时提供。 所述非坏块的位置一般通过查询NAND芯片的数据 手册获得。 0058 更优地， 所述 BBT 存放装置还包括如下模块 ： 0059 从 BBT 生成模块 ： 用于记录所述主 BBT 写入的非坏块所在的位置， 并生成一从 BBT， 所述从 BBT 由主 BBT 复制而成并标记为从 BBT ； 0060 从BBT写入模块 ： 用于将。
34、所述从BBT写入NAND芯片上的任意一个块， 若写入成功， 则记录存放从BBT的块的位置， 若写入失败， 则选取NAND芯片上的另一个块进行写入， 直至 写入成功， 记录存放从 BBT 的块的位置， 若 NAND 芯片上除所述非坏块外的各个块均无法写 入， 则判定该 NAND 芯片不可用 ； 0061 BBT 读取模块 ： 用于后续读取主 BBT， 若无法读取， 则使用从 BBT 恢复主 BBT， 生成 新的主 BBT， 并将新主 BBT 写入所述 NAND 芯片上的任意一个块上， 若无法写入， 选取 NAND 芯片上的另一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放新主 BBT 的块的位置 ； 。
35、若系统读取主 BBT成功， 则将BBT内坏块信息保存至内存中 ； BBT读取模块一般是在启动 （除首次启动） 时， 通过 BBT 读取模块读取主 BBT， 将主 BBT 的内容读至内存中 ； 0062 BBT 更新写入模块 ： 用于在使用 NAND 芯片过程中， 若发现新的坏块， 则将新的坏块 的信息保存至内存中， 待更新内存时， 将内存中所有的坏块信息回写到主 BBT 和从 BBT 中， 若主 BBT 已无法读取， 则将内存中所有的坏块信息回写到新主 BBT 和从 BBT 中。 0063 本发明坏块表存放装置的另一实施例是 ： 0064 所述坏块表存放装置包括所述主 BBT 生成模块、 主 。
36、BBT 写入模块、 从 BBT 生成模 块、 从 BBT 写入模块， 还包括 BBT 存储区域划分模块 ： 用于在所述 NAND 芯片上划分出存放 BBT 的存储区域， 所述存储区域包括复数个 NAND 芯片上的块 ； 0065 所述从 BBT 写入模块具体为 ： 用于将所述从 BBT 写入所述存储区域内的任意一个 块， 若写入成功， 则记录存放从 BBT 的块的位置， 若写入失败， 则选取所述存储区域内的另 一个块进行写入， 直至写入成功， 记录存放从 BBT 的块的位置， 若所述存储区域内的各个块 均无法写入， 则判定该 NAND 芯片不可用。 0066 一种与非门型非易失存储器， 该与非。
37、门型非易失存储器是将本发明实施方式所提 出的坏块表存放装置运用于所述的与非门型非易失存储器中。 0067 本发明坏块表存放方法、 装置以及与非门型非易失存储器能够大大降低了因坏块 表无法读取导致与非门型非易失存储器无法使用的概率， 提高与非门型非易失存储器的使 用率。 0068 虽然以上描述了本发明的具体实施方式， 但是熟悉本技术领域的技术人员应当理 解， 我们所描述的具体的实施例只是说明性的， 而不是用于对本发明的范围的限定， 熟悉本 领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化， 都应当涵盖在本发明的 说 明 书 CN 103593303 A 8 6/6 页 9 权利要求所保护的范围内。 说 明 书 CN 103593303 A 9 1/1 页 10 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103593303 A 10 。