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1、(10)申请公布号 CN 103838037 A (43)申请公布日 2014.06.04 CN 103838037 A (21)申请号 201310263488.2 (22)申请日 2013.06.27 2012-256719 2012.11.22 JP 2013-060431 2013.03.22 JP G02F 1/1339(2006.01) (71)申请人 旭硝子株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 宇津木洋 伊藤泰则 二藤学 三谷真丈 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所 ( 普通合伙 ) 11277 代理人 刘新宇 李茂家 (54) 发明名称 电子装置用构件和。
2、电子装置的制造方法、 以 及电子装置用构件 (57) 摘要 本发明涉及电子装置用构件和电子装置的制 造方法、 以及电子装置用构件, 该制造方法包括 如下的工序 : 层叠工序, 将一对层叠体夹着第一 密封材料和第二密封材料在减压下层叠, 所述层 叠体具有基板和可剥离地贴合于前述基板的加强 板, 所述基板具有用于形成电子装置的一个以上 元件形成区域, 所述第一密封材料配置于前述元 件形成区域的周囲, 所述第二密封材料配置于前 述第一密封材料的聚集区域的外侧且具有框状形 状 ; 固化工序, 将前述第一密封材料和前述第二 密封材料固化 ; 剥离工序, 从前述基板剥离前述 加强板。 (30)优先权数据 。
3、(51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 11 页 附图 9 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书11页 附图9页 (10)申请公布号 CN 103838037 A CN 103838037 A 1/2 页 2 1. 一种电子装置用构件的制造方法, 其包括如下的工序 : 层叠工序, 将一对层叠体夹着第一密封材料和第二密封材料在减压下层叠, 所述层叠 体具有基板和可剥离地贴合于所述基板的加强板, 所述基板具有用于形成电子装置的一个 以上元件形成区域, 所述第一密封材料配置于所述元件形成区域的周围, 所述第二密封材 料配置于所述第一密封材。
4、料的聚集区域的外侧且具有框状形状 ; 固化工序, 将所述第一密封材料和所述第二密封材料固化 ; 剥离工序, 从所述基板剥离所述加强板。 2. 根据权利要求 1 所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述第二密封材料至少 配置于所述聚集区域的对角线的延长线上。 3.根据权利要求1或2所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述第二密封材料除 了一部分具有不连续部之外, 设置于所述聚集区域的周围的整体。 4.根据权利要求13中任一项所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述第二密 封材料沿所述层叠体的外周设置。 5.根据权利要求14中任一项所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述第。
5、二密 封材料的线状部分与所述基板的外周的间隔为 10mm 以下。 6. 根据权利要求 3 所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述不连续部设置于电 子装置用构件的实际进行分割的部分。 7. 根据权利要求 3 所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述聚集区域的一组对 边的外侧具有与所述一组对边平行延伸的分割部, 所述不连续部设置在所述分割部的延长 线上。 8. 根据权利要求 3 所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述第一密封材料间具 有分割部, 所述不连续部设置在所述分割部的延长线上。 9.根据权利要求18中任一项所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 在所述第二 密封材料。
6、的内侧配置间隔保持材料, 所述间隔保持材料是选自与配置于所述第一密封材料 的内侧的填充材料同种的材料、 间隔物和液体中的至少一种。 10. 根据权利要求 1 9 中任一项所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述基板 的板厚为 0.3mm 以下。 11.根据权利要求110中任一项所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述基板 具有长 730mm 宽 920mm 以上的尺寸。 12.根据权利要求111中任一项所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述基板 由无碱玻璃形成。 13. 根据权利要求 12 所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述基板由如下的无 碱玻璃构成, 即, 以。
7、氧化物为基准且以质量百分率表示时, 该无碱玻璃具有如下的组成 : SiO2: 50 66%、 Al2O3: 10.5 24%、 B2O3: 0 12%、 MgO : 0 8%、 CaO : 0 14.5%、 SrO : 0 24%、 权 利 要 求 书 CN 103838037 A 2 2/2 页 3 BaO : 0 13.5%、 MgO CaO SrO BaO : 9 29.5%、 和 ZnO : 0 5%。 14.根据权利要求113中任一项所述的电子装置用构件的制造方法, 其中, 所述电子 装置为液晶显示面板、 有机发光二极管或电子纸中的任意装置。 15.根据权利要求114中任一项所述的电。
8、子装置用构件的制造方法, 其中, 所述基板 是玻璃基板、 陶瓷基板、 树脂基板、 金属基板、 半导体基板、 或将树脂基板与玻璃基板贴合而 成的复合体中的任意者。 16. 一种电子装置的制造方法, 其包括如下的工序 : 构件制造工序, 利用权利要求115中任一项所述的电子装置用构件的制造方法制造 电子装置用构件 ; 分割工序, 分割所述电子装置用构件来制造电子装置。 17. 一种电子装置用构件, 其具有 : 一对层叠体, 所述层叠体具有基板和可剥离地贴合于所述基板的加强板, 彼此的基板 相对地配置, 所述基板具有用于形成电子装置的一个以上元件形成区域 ; 第一密封材料, 其设置于所述一对层叠体间。
9、的所述元件形成区域的周围 ; 和 第二密封部, 其配置于所述第一密封材料的聚集区域的外侧, 且其形状源自于框状形 状。 权 利 要 求 书 CN 103838037 A 3 1/11 页 4 电子装置用构件和电子装置的制造方法、 以及电子装置用 构件 技术领域 0001 本发明涉及电子装置用构件和电子装置的制造方法、 以及电子装置用构件。 背景技术 0002 近年来, 移动电话、 智能电话、 个人数字助理、 电子书终端、 便携式游戏机等电子设 备的小型化推进, 同时, 用于它们的液晶显示面板、 OLED(有机发光二极管 ; Organic Light Emitting Diode) 和电子纸等。
10、电子装置的薄型化、 轻量化正在进行, 用于这些电子装置的基 板的减薄正在进行。但是, 由于基板的减薄, 基板的强度降低, 电子装置的制造工序中的基 板的处理性降低。 0003 因此, 一直以来, 采用使用比最终的板厚更厚的基板来形成各种功能层后再对 基板进行化学蚀刻处理而减薄的方法。然而, 这种情况下, 例如, 将基板的厚度减薄至 0.7mm0.2mm或0.1mm时, 必须将原本的基板的材料的大半用蚀刻液去除, 从生产率、 原材 料的使用効率的观点来看不一定是优选的。 0004 另外, 利用化学蚀刻的基板的减薄在基板的表面存在微细的划痕时, 有时由于蚀 刻处理形成以划痕为起点的微细的凹痕 (蚀。
11、刻坑) 而成为光学缺陷。 0005 为了应对上述问题, 提出了如下的方法 : 从最一开始使用具有最终的板厚的薄基 板, 在加强板上层叠基板, 制作层叠体, 在该层叠体的状态下、 在基板上形成各种功能层, 然 后, 从基板剥离加强板 (例如, 参照专利文献 1) 。加强板例如具有支撑板和固定于该支撑板 上的吸附剂层, 利用吸附剂层可剥离地贴合于基板。最后, 将加强板从基板剥离, 在该剥离 后的加强板上层叠新的基板而将其再利用。 0006 现有技术文献 0007 专利文献 0008 专利文献 1 : 日本特开平 8-86993 号公报 发明内容 0009 发明要解决的问题 0010 使用上述层叠体。
12、的电子装置用构件的制造如下进行。例如, 用于液晶面板的制造 的液晶面板用构件的情况下, 首先, 准备一对层叠体, 在各自的基板的形成液晶面板的一个 以上元件形成区域, 根据需要形成薄膜晶体管 (TFT) 、 滤色器 (CF) 等功能层。另外, 在一个 基板上, 在元件形成区域的周围涂布密封材料。然后, 液晶滴注方式的情况下, 在密封材料 的内侧滴注液晶后, 在减压下夹着密封材料和液晶将一对层叠体层叠。 然后, 恢复到大气压 下, 将密封材料固化, 然后, 剥离加强板, 制成液晶面板用构件。 通过将该液晶面板用构件在 密封材料间和其周围的分割部进行分割来制造液晶面板。 0011 然而, 上述方法。
13、的情况下, 剥离加强板时, 不一定在基板与加强板之间剥离, 有时 在基板与密封材料之间剥离, 而且有时由于对基板施加过度的应力而产生裂纹等损伤。密 说 明 书 CN 103838037 A 4 2/11 页 5 封材料的剥离、 基板的损伤产生时, 变得无法将该电子装置用构件用于电子装置的制造。 0012 为了解决这种问题, 可以考虑 : 例如, 如图 11 所示, 夹着密封材料 (以下记为主要 密封材料) 22 层叠一对层叠体 21 时, 除了该主要密封材料 22 之外, 在作为主要密封材料 22 聚集的区域的聚集区域 25 的外侧设置线状的辅助密封材料 23。 0013 此时, 如图 12 。
14、所示, 主要密封材料 22 由于具有框状形状, 因而在减压下配置后恢 复到大气压下时成为被大气压压碎的状态, 由此线状部分的宽度变宽, 因此能够将一对层 叠体 21 牢固地粘接。但是, 辅助密封材料 23 为线状, 因此其周围是开放的, 因而无法得到 上述效果, 由于层叠体 21 的弹力而成为稍有些压碎的状态, 但线状部分的宽度几乎像原来 一样窄, 未必能将一对层叠体 21 牢固地粘接。 0014 另外, 可以考虑 : 例如, 如将图 13 的一部分扩大而示出的那样, 在主要密封材料 22 的周围以内侧包含该主要密封材料 22 的方式设置框状形状的辅助密封材料 23。 0015 但是, 此时,。
15、 在减压下配置后恢复到大气压时, 例如, 如图 14 所示, 根据辅助密封 材料23的尺寸等, 大致成为被大气压压碎的状态, 其内侧所包含的主要密封材料22也成为 过度压碎的状态。其结果, 位于主要密封材料 22 的内侧附近的一对层叠体 21 间的间隔变 得过窄, 担心产生颜色不均。因此, 可以考虑在辅助密封材料 23 的内侧配置液晶等作为间 隔保持材料来维持一对层叠体21间的间隔, 但是, 由于主要密封材料22的周围最终要被切 断, 因而, 若在这种部分配置有间隔保持材料, 则有切断时间隔保持材料泄漏而操作性降低 之虞。 0016 本发明是为了解决上述问题而做出的, 其目的在于, 制造密封材。
16、料的剥离、 基板的 损伤受到抑制的电子装置用构件。 0017 用于解决问题的方案 0018 本发明的电子装置用构件的制造方法具有层叠工序、 固化工序、 和剥离工序。 层叠 工序将一对层叠体夹着第一密封材料和第二密封材料在减压下层叠。 一对层叠体具有基板 和可剥离地贴合于该基板的加强板, 所述基板具有用于形成电子装置的一个以上元件形成 区域。第一密封材料配置于元件形成区域的周围。第二密封材料配置于第一密封材料的聚 集区域的外侧且具有框状形状。固化工序将第一密封材料和第二密封材料固化。剥离工序 从基板剥离加强板。 0019 本发明的电子装置的制造方法具有构件制造工序和分割工序。 构件制造工序利用 。
17、本发明的电子装置用构件的制造方法制造电子装置用构件。 分割工序分割电子装置用构件 来制造电子装置。 0020 本发明的电子装置用构件具有一对层叠体、 第一密封材料和第二密封部。一对层 叠体具有基板和可剥离地贴合于该基板的加强板, 所述基板具有用于形成电子装置的一个 以上元件形成区域, 彼此的基板相对地配置。第一密封材料设置于一对层叠体间的元件形 成区域的周围。第二密封部配置于第一密封材料的聚集区域的外侧, 且其形状源自框状形 状。 0021 发明的效果 0022 根据本发明, 通过在第一密封材料的聚集区域的外侧设置具有框状形状的第二密 封材料, 能够制造第一密封材料的剥离、 基板的损伤受到抑制。
18、的电子装置用构件。 说 明 书 CN 103838037 A 5 3/11 页 6 附图说明 0023 图 1 是示出实施方式的制造方法中的层叠方法的俯视图。 0024 图 2 是图 1 所示的层叠方法的 A-A 线部分剖视图。 0025 图 3 是说明实施方式的制造方法中的剥离方法的说明图。 0026 图 4 是示出第二密封材料的第一变形例的俯视图。 0027 图 5 是示出第二密封材料的第二变形例的俯视图。 0028 图 6 是示出第二密封材料的第三变形例的俯视图。 0029 图 7 是示出第二密封材料的第四变形例的俯视图。 0030 图 8 是示出第二密封材料的第五变形例的俯视图。 00。
19、31 图 9 是示出设有第三密封材料的变形例的俯视图。 0032 图 10 是示出设有第三密封材料的其它变形例的俯视图。 0033 图 11 是示出除了主要密封材料之外还配置了线状的辅助密封材料的层叠方法的 俯视图。 0034 图 12 是利用图 11 的层叠方法得到的电子装置用构件的部分剖视图。 0035 图 13 是配置了内侧包含主要密封材料的框状形状的辅助密封材料的层叠方法的 部分俯视图。 0036 图 14 是利用图 13 的层叠方法得到的电子装置用构件的部分剖视图。 0037 附图标记说明 0038 11层叠体、 12第一密封材料、 13第二密封材料、 14元件形成区域、 15聚 集。
20、区域、 16填充材料、 17第三密封材料、 111基板、 112加强板、 113支撑板、 114 吸附层、 131不连续部、 171不连续部 具体实施方式 0039 以下, 对本发明的实施方式进行说明。 0040 本实施方式的电子装置用构件的制造方法具有层叠工序、 固化工序、 和剥离工序。 0041 层叠工序将一对层叠体夹着第一密封材料和第二密封材料在减压下层叠。 一对层 叠体具有基板和可剥离地贴合于该基板的加强板, 所述基板具有用于形成电子装置的一个 以上元件形成区域。而且, 一对层叠体以彼此的基板相对的方式被层叠。第一密封材料配 置于元件形成区域的周围。 第二密封材料配置于第一密封材料的聚。
21、集区域的外侧且具有框 状形状。此外, 在第一密封材料的内侧, 也可以根据需要配置填充材料。固化工序将第一密 封材料和第二密封材料固化。剥离工序从基板剥离加强板。 0042 本实施方式的电子装置的制造方法具有构件制造工序和分割工序。 构件制造工序 利用本实施方式的电子装置用构件的制造方法制造电子装置用构件。 分割工序分割电子装 置用构件来制造电子装置。 0043 根据本实施方式的电子装置用构件和电子装置的制造方法, 通过与第一密封材料 相互独立地、 在第一密封材料的聚集区域的外侧设置具有框状形状的第二密封材料, 能够 抑制第一密封材料的剥离、 基板的损伤, 良好地制造电子装置用构件和电子装置。 。
22、0044 此处, 聚集区域与第二密封材料原则上隔离地设置, 但也可以局部地连接。即, 在 层叠工序中从减压下恢复到大气压时, 以第一密封材料的外周侧面与大气接触的方式设置 说 明 书 CN 103838037 A 6 4/11 页 7 第一密封材料和第二密封材料即可。通过这样设置, 可以使由第一密封材料包围的区域和 由第二密封材料包围的区域各自独立地在大气压下收缩, 因此, 能够使被一对基板夹着的 空间在基板整面上均匀收缩, 能够防止基板翘曲这样的问题。 0045 图 1 是示出层叠工序中的层叠方法的俯视图, 图 2 是其 A-A 线部分剖视图。如图 2 所示, 在层叠工序中, 例如, 一对层。
23、叠体 11 夹着第一密封材料 12、 第二密封材料 13 和填充 材料 16 被层叠。 0046 一对层叠体 11 具有 : 基板 111, 其具有用于形成电子装置的一个以上元件形成区 域 14 ; 加强板 112, 其可剥离地贴合于该基板 111。另外, 一对层叠体 11 以彼此的基板 111 相对的方式、 设有间隔地配置。加强板 112 具有支撑板 113 和设置于该支撑板 113 的一个 主表面的吸附层 114。 0047 此外, 本实施方式的加强板 112 由支撑板 113 和吸附层 114 构成, 但也可以仅由支 撑板 113 构成。例如, 也可以利用在支撑板 113 与基板 111。
24、 之间起作用的范德华力等将支 撑板 113 与基板 111 可剥离地结合。也可以在支撑板 113 的表面形成无机薄膜, 使得支撑 板 113 与基板 111 在高温下不会粘接。另外, 通过在支撑板 113 的表面设置表面粗糙度不 同的区域等, 也可以在支撑板 113 与基板 111 的界面设置结合力不同的区域。另外, 本实施 方式的加强板 112 由一个支撑板 113 和一个吸附层 114 构成, 但支撑板 113 也可以是多个, 同样地, 吸附层 114 也可以是多个。 0048 另外, 虽未图示, 但根据电子装置且根据需要在一对基板 111 的元件形成区域 14 形成有功能层。例如, 电子。
25、装置为液晶面板时, 作为功能层, 形成有绝缘膜、 透明电极膜、 薄 膜晶体管 (TFT) 、 薄膜二极管 (TFD) 等开关元件、 滤色器 (CF) 等。 0049 第一密封材料 12 配置于一对层叠体 11 之间的元件形成区域 14 的周围。填充材 料 16 配置于第一密封材料 12 的内侧。例如, 电子装置为液晶面板时, 作为填充材料 16, 配 置液晶。此处, 由全部一个以上第一密封材料 12 构成的部分为聚集区域 15。 0050 第二密封材料 13 在聚集区域 15 的外侧与该聚集区域 15 不接触地配置。另外, 第 二密封材料 13 以内侧不包含聚集区域 15 的方式配置成框状形状。
26、。第二密封材料 13 的内 侧可以是单纯的空隙, 也可以根据需要配置间隔保持材料。 作为间隔保持材料, 只要能够保 持一对层叠体11间的间隔就不必限制, 例如, 可列举出与填充材料16同样的材料、 液体、 或 者球状或柱状的间隔物。第一密封材料 12 与第二密封材料 13 可以利用相同工序设置, 也 可以分别利用不同工序设置。 0051 对于作为间隔保持材料的液体, 优选蒸汽压低且涂布性良好的物质, 例如可列举 出液态二醇、 甘油和甘油的脱水缩合物等。 作为液态二醇, 可列举出乙二醇、 二乙二醇、 三乙 二醇、 聚乙二醇、 丙二醇、 二丙二醇、 聚丙二醇等。作为甘油和甘油的脱水缩合物, 可列举。
27、出 甘油、 二甘油、 聚甘油等。它们可以单独使用一种, 也可以组合两种以上来使用。 0052 此处, 除一对加强板 112 之外的部分, 即由一对基板 111、 以及配置于它们之间的 第一密封材料 12、 填充材料 16、 和第二密封材料 13 构成的部分最终作为电子装置用构件。 0053 如图 1 所示, 一对基板 111 例如具有长 6 行 宽 6 列的总计 36 个元件形成区域 14。在这些元件形成区域 14 的周围分别设有第一密封材料 12。此时, 由全部总计 36 个第 一密封材料 12 构成的部分作为聚集区域 15。另外, 第一密封材料 12 间的中央部分和聚集 区域 15 的周围。
28、的附近部分作为制作各电子装置时至少进行分割的分割部 (未图示) 。 说 明 书 CN 103838037 A 7 5/11 页 8 0054 第二密封材料 13 例如在聚集区域 15 的外侧与该聚集区域 15 不接触地配置, 并且 设为内侧不包含该聚集区域 15 的框状形状。第二密封材料 13 例如分别具有沿一对层叠体 11 的外周的形状。另外, 第二密封材料 13 例如分别沿一对层叠体 11 的外周配置。第二密 封材料 13 优选配置于分割部中位于聚集区域 15 的周围的分割部的外侧。此处, 框状形状 是指由一根连续的线状部分构成的形状。另外, 第二密封材料 13 只要各自的内侧 (框状形 。
29、状的内侧) 不包含聚集区域 15 即可, 不应排除如图 1 所示在多个第二密封材料 13 的内侧包 含聚集区域 15 的情况。 0055 例如, 如图 1 所示, 第二密封材料 13 以聚集区域 15 的各边的中央部的外侧部分具 有不连续部 131 的方式配置于几乎聚集区域 15 的周围的整体。通常, 聚集区域 15 的形状 为矩形形状, 因此, 配置于其周围的第二密封材料 13 的形状也优选其整体为矩形形状, 但 不一定限定于矩形形状。 0056 根据这种第二密封材料 13, 由于具有框状形状, 因而在减压下配置后再恢复到大 气压下时成为被大气压压碎的状态, 由此线状部分的宽度边宽, 因此能。
30、够将一对基板 111 牢固地粘接。进而, 框的内侧成为被压碎的状态, 因此能够防止由剥离力导致基板 111 与基 板 111 部分脱离、 变形产生裂纹。因此, 例如, 如图 3 所示, 最后为了制作电子装置用构件而 剥离加强板 112 时, 能够抑制第一密封材料 12 的剥离等。 0057 另外, 通过以与聚集区域 15 不接触且内侧不包含聚集区域 15、 而且局部具有不连 续部131使其不完全包围聚集区域15的周围的方式配置第二密封材料13, 在减压下配置后 再恢复到大气压时, 能够抑制第一密封材料 12 成为被大气压过度压碎的状态。由此, 能够 抑制由于位于第一密封材料12的内侧附近的一对。
31、层叠体11间的间隔变得过窄而导致的颜 色不均的产生。 0058 进而, 通过以与聚集区域 15 不接触且内侧不包含聚集区域 15 的方式配置第二密 封材料 13, 即使在第二密封材料 13 的内侧配置有间隔保持材料, 也能够抑制在将第一密封 材料 12 的周围切断而制作各电子装置时的间隔保持材料的泄漏。 0059 对于第二密封材料 13 的位置, 不必限制, 但优选的是, 至少配置于聚集区域 15 的 对角线的延长线上。通过至少配置于这种位置, 能够高效地抑制剥离工序中的基板 111 与 第一密封材料 12 的剥离等。 0060 另外, 第二密封材料 13 的配置从抑制剥离工序中的基板 111。
32、 与第一密封材料 12 的剥离等的观点来看, 优选的是, 除了局部设置不连续部131之外, 在聚集区域15的周围的 整体设置。 但是, 从分割电子装置用构件来制作电子装置时的处理性的观点、 尤其是从抑制 在第二密封材料 13 的内侧配置了间隔保持材料时的泄漏的观点来看, 优选的是, 在实际上 进行分割的部分设置不连续部 131。通过在这种部分设置不连续部 131, 能够抑制分割时的 间隔保持材料的泄漏并改善处理性。不连续部 131 的长度、 即外周方向上的第二密封材料 13间的间隔在层叠工序后的释放到大气压的状态下优选为20mm以下。 通过将不连续部131 的长度设为 20mm 以下, 能够抑。
33、制第二密封材料 13 的剥离、 基板 111 的损伤。另外, 不连续 部 131 的长度在层叠工序后的释放到大气压的状态下优选为 1mm 以上。 0061 第二密封材料 13 的框内在层叠工序中的层叠前的状态下只要至少局部具有线状 部分彼此不接触的部分即可, 但优选的是, 至少局部具有在相同状态下框内的间隔 (内壁间 的间隔) L1、 尤其是与外周方向垂直的方向上的框内的间隔 L1为 1mm 以上的部分, 特别优选 说 明 书 CN 103838037 A 8 6/11 页 9 外周方向整体的间隔 L1为 1mm 以上。间隔 L1为 1mm 以上时, 在减压下层叠后再释放到大气 压时成为被大气。
34、压高效压碎的状态, 由此线状部分的宽度也变宽, 因此能够将一对基板 111 牢固地粘接。 0062 此外, 在层叠工序后的释放到大气压的状态下, 第二密封材料 13 的框内的线状部 分也可以彼此接触, 不需要线状部分彼此之间必须具有间隔。 即, 在层叠工序后的释放到大 气压的状态下, 第二密封材料 13 的形状也可以是线状形状。但是, 在层叠工序后的释放到 大气压的状态下的第二密封材料 13 的形状优选为至少局部具有线状部分彼此不接触的部 分的框状形状, 更优选为局部具有如上所述的间隔 L1为 0.5mm 以上的部分的框状形状, 特 别优选外周方向整体的如上所述的间隔 L1为 0.5mm 以上。
35、的框状形状。 0063 第二密封材料 13 的线状部分中作为内侧的线状部分优选在层叠工序中的层叠前 的状态下不与聚集区域 15 接触。该线状部分优选在层叠后的释放到大气压的状态下也不 与聚集区域 15 接触。在层叠后的释放到大气压的状态下, 该线状部分与聚集区域 15 的间 隔 L2优选为 1mm 以上。间隔 L2为 1mm 以上时, 能够高效地防止第一密封材料 12 被过度压 碎, 能够抑制由于位于第一密封材料12的内侧附近的一对基板111间的间隔变得过窄而导 致的颜色不均的产生。对于间隔 L2的上限, 不必限制, 从容易抑制第一密封材料 12 和第二 密封材料 13 的剥离、 基板 111。
36、 的损伤的方面来看, 优选为 20mm 以下。 0064 对于第二密封材料 13 的线状部分中作为外侧的线状部分的位置, 不必限制。但 是, 为了抑制第二密封材料 13 的剥离、 基板 111 的损伤, 该线状部分的位置越靠近基板 111 的外周部越优选, 在层叠工序中的层叠前的状态下, 基板111的外周部与线状部分的间隔L3 优选为 10mm 以下。 0065 对于第二密封材料 13 的线状部分的宽度, 优选的是, 在层叠后的释放到大气压的 状态下的宽度为 0.5mm 以上。宽度为 0.5mm 以上时, 能够利用第二密封材料 13 将一对基板 111 高效地粘接, 能够高效地抑制第一密封材料。
37、 12 的剥离等。在层叠后的释放到大气压的 状态下的宽度从生产率等观点来看, 优选为 5mm 以下、 更优选为 3mm 以下。 0066 接着, 对第二密封材料 13 的变形例进行说明。 0067 图 4 是示出第二密封材料 13 的第一变形例的俯视图。 0068 第一变形例的第二密封材料 13 配置于几乎聚集区域 15 的周围的整体, 在聚集区 域 15 的一组对边 (图中为左边和右边) 的外侧、 在与该一组对边平行延伸的分割部 (未图示) 的延长线上设有不连续部 131。 0069 这种配置的情况下, 首先, 在上述一组对边跟与其邻接的第二密封材料 13 之间的 分割部及其延长线上进行分割。
38、, 然后, 在剩余部分的一组对边 (图中为上边和下边) 跟与其 邻接的第二密封材料 13 之间的分割部进行分割, 从而能够将第二密封材料 13 分割成各电 子装置而不切断。即, 即使在第二密封材料 13 的内侧配置有间隔保持材料, 也能够抑制分 割时的间隔保持材料的泄漏并改善处理性。 0070 图 5 是示出第二密封材料 13 的第二变形例的俯视图。 0071 第二变形例的第二密封材料13在第一变形例的第二密封材料13的各边的中央部 还配置有不连续部 131。像这样, 不连续部 131 可以配置于任意位置。 0072 图 6 是示出第二密封材料 13 的第三变形例的俯视图。 0073 第三变形。
39、例的第二密封材料13在第一变形例的第二密封材料13的基础上还在第 说 明 书 CN 103838037 A 9 7/11 页 10 一密封材料 12 间的分割部 (未图示) 的延长线上配置有不连续部 131。通过这样配置不连 续部131, 无论采取何种分割顺序都可以将第二密封材料13分割成电子装置而不切断。 即, 即使在第二密封材料 13 的内侧配置有间隔保持材料, 无论采取何种分割顺序也都能够抑 制间隔保持材料的泄漏并改善处理性。 0074 图 7 是示出第二密封材料 13 的第四变形例的俯视图。 0075 第四变形例的第二密封材料13在第一变形例的第二密封材料13的基础上将第二 密封材料 。
40、13 的框状形状由矩形形状改变为椭圆形状。像这样, 对第二密封材料 13 的框状 形状没有特别限制, 除了矩形形状以外, 可以设为椭圆形状、 圆形状、 三角形状等。 0076 图 8 是示出第二密封材料 13 的第五变形例的俯视图。 0077 第五变形例的第二密封材料 13 在框状形状的内侧具有交叉部分, 或者是框状形 状聚集而成的。像这样, 第二密封材料 13 不需要必须仅由一个框状形状构成, 只要具有至 少一个框状形状, 对该框状部分的尺寸、 个数就没有特别限制。 0078 此外, 如图 9 所示, 也可以在聚集区域 15 的内侧配置与第二密封材料 13 同样的框 状形状的第三密封材料 1。
41、7。另外, 如图 10 所示, 配置框状形状的第三密封材料 17 时, 优选 在第一密封材料12间的分割部的延长线上配置不连续部171。 通过这样配置不连续部171, 无论采用何种分割顺序都能够将第三密封材料 17 分割成电子装置而不切断。即, 即使在第 三密封材料 17 的内侧配置有间隔保持材料, 无论采取何种分割顺序也都能够抑制间隔保 持材料的泄漏并改善处理性。 0079 基板 111 例如为玻璃基板、 陶瓷基板、 树脂基板、 金属基板、 或者半导体基板、 将树 脂基板与玻璃基板贴合而成的复合体等。其中, 玻璃基板的耐化学药品性、 耐透湿性优异, 并且, 线膨胀系数小, 故而优选。线膨胀系。
42、数越小, 在高温下形成的功能层的图案在冷却时 越不易偏移。 0080 对于玻璃基板的玻璃, 不必限定, 优选无碱硼硅酸盐玻璃、 硼硅酸盐玻璃、 钠钙玻 璃、 高硅氧玻璃、 其它以氧化硅为主成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃, 以氧化物换 算、 氧化硅的含量为 40 90 质量 % 的玻璃是优选的。 0081 玻璃基板的玻璃可以采用适于电子装置的种类、 其制造工序的玻璃。 例如, 液晶面 板用的玻璃基板优选由实质上不含碱金属成分的玻璃 (无碱玻璃) 构成。 0082 作为无碱玻璃, 可列举出以氧化物为基准且以质量百分率来表示时, 含有 SiO2: 50 66%、 Al2O3: 10.5 24%。
43、、 B2O3: 0 12%、 MgO : 0 8%、 CaO : 0 14.5%、 SrO : 0 24%、 BaO : 0 13.5%、 MgO CaO SrO BaO : 9 29.5%、 ZnO : 0 5% 的无碱玻璃。 0083 SiO2的含量不足50%时, 无法充分提高应变点, 而且, 化学耐久性恶化, 热膨胀系数 增大。超过 66% 时, 熔解性降低, 失透温度上升。优选为 58 66%。 0084 Al2O3抑制玻璃的分相性, 降低热膨胀系数, 提高应变点。其含量不足 10.5% 时, 不 会显现出该效果, 超过 24% 时, 玻璃的熔解性变差。优选为 15 22%。 0085。
44、 B2O3不是必需的, 但它能够提高用于对半导体形成的各种药品等的化学耐久性, 能 够达成热膨胀系数和密度的降低而不会提高在高温下的粘性。其含量超过 12% 时, 耐酸性 变差, 而且应变点降低。优选为 5 12%。 0086 在碱土金属氧化物之中, MgO 能够降低热膨胀系数, 并且应变点不降低, 因此, 虽然 不是必需的, 但可以含有。其含量超过 8% 时, 对用于半导体形成的各种药品等的化学耐久 说 明 书 CN 103838037 A 10 8/11 页 11 性降低, 而且, 玻璃的分相变得容易产生。 0087 CaO 不是必需的, 但通过含有它, 能够提高玻璃的熔解性。另一方面, 。
45、超过 14.5% 时, 热膨胀系数变大, 失透温度也上升。优选为 0 9%。 0088 SrO 不是必需的, 但是, 对于抑制玻璃的分相, 提高对用于半导体形成的各种药品 等的化学耐久性而言, 是有用的成分。 其含量超过24%时, 膨胀系数增大。 优选为312.5%。 0089 BaO 不是必需的, 但是, 从密度小且减小热膨胀系数的观点来看, 它是有用的成分。 其含量为 0 13.5%、 优选为 0 2%。 0090 MgOCaOSrOBaO不足9%时, 使熔解变困难, 超过29.5%时, 密度增大。 MgO CaO SrO BaO 优选为 9 18%。 0091 ZnO不是必需的, 但可以。
46、为了改善玻璃的熔解性、 澄清性、 成形性而添加。 其含量优 选为 0 5%、 更优选为 0 2%。 0092 在无碱玻璃中, 除了上述上述成分以外, 为了改善玻璃的熔解性、 澄清性、 成形性, 还可以添加以总量计为 5% 以下的 SO3、 F、 Cl。 0093 作为无碱玻璃, 可优选地例举出以氧化物为基准且以质量百分率表示时, 含有 SiO2: 58 66%、 Al2O3: 15 22%、 B2O3: 5 12%、 MgO : 0 8%、 CaO : 0 9%、 SrO : 3 12.5%、 BaO : 0 2%、 MgO CaO SrO BaO : 9 18% 的无碱玻璃。 0094 无碱。
47、玻璃的应变点优选为 640以上、 更优选为 650以上。热膨胀系数优选不足 4010-7/, 优选为 3010-7/以上且不足 4010-7/。密度优选不足 2.60g/cc、 更优选 不足 2.55g/cc、 进一步优选不足 2.50g/cc。 0095 玻璃基板是将玻璃原料熔融并将熔融玻璃成形为板状而得到的。 作为这种成形方 法, 通常方法即可, 例如可以使用浮法、 熔融法、 狭缝下拉法、 垂直引上法、 Lubbers 法等。尤 其是板厚薄的玻璃板优选通过先将成形为板状的玻璃加热至可成形温度再利用延伸等手 段拉伸减薄的方法 ( 平拉法 ) 来成形而得到。 0096 树脂基板的树脂可以是结晶。
48、性树脂, 也可以是非晶性树脂, 没有特别限定。 0097 作为结晶性树脂, 例如可列举出作为热塑性树脂的聚酰胺、 聚缩醛、 聚对苯二甲酸 丁二醇酯、 聚对苯二甲酸乙二醇酯、 聚萘二甲酸乙二醇酯、 或间规聚苯乙烯 (syndiotactic polystyrene) 等, 热固性树脂可列举出聚苯硫醚、 聚醚醚酮、 液晶聚合物、 氟树脂、 或者聚醚 腈等。 0098 作为非晶性树脂, 例如, 可列举出作为热塑性树脂的聚碳酸酯、 改性聚苯醚、 聚环 己烯、 或聚降冰片烯系树脂等, 热固性树脂可列举出聚砜、 聚醚砜、 聚芳酯、 聚酰胺酰亚胺、 聚醚酰亚胺、 或热塑性聚酰亚胺。 0099 作为树脂基板的树脂, 特别优选非晶性且热塑性的树脂。 0100 基板 111 的厚度根据基板 111 的种类来设定。例如, 玻璃基板的情况下, 为了电子 装置的轻量化、 减薄, 优选为 0.7mm 以下、 更优选为 0.3mm 以下、 进一步优选为 0.1mm 以下。 0.3mm 以下的情况下, 能够对玻璃基板赋予良好的柔性。0.1mm 以下的情况下, 能够将玻璃 基板卷取成卷状。 另外, 玻璃基板的厚度从玻璃基板的制造容易、 玻璃基板的处理容易等理 由出发, 优选为 0.03mm 以上。 0101 对基板 111 的尺寸没有特别限制,。