一种吸收电路、供电电路及液晶显示器技术领域
本发明涉及一种显示技术领域，尤其是涉及一种电压输出控制电路及液晶显示
器。
背景技术
目前现在的供电电路架构为了抑制变压器漏感造成的电压尖峰及EMI问题，在变
压器初级之间会并联吸收电路。这些方案中，变压器漏感造成的电压尖峰和EMI问题都能得
到一定的抑制，但是因为变压器批次的漏感差异可能较大，导致针对不同批次的变压器由
漏感造成的电压尖峰和EMI问题出现偏移，不能达到最佳效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种吸收电路，以适用于不同批次的变压器，来抑制相应
变压器的漏感造成的电压尖峰和EMI。
本发明的另一目的在于提供一种供电电路。
为了实现上述目的，本发明实施方式提供如下技术方案：
本发明提供一种吸收电路，应用于供电电路，所述吸收电路包括比较单元及调节
单元，所述比较单元用于接收所述供电电路的变压器初级同名端的电压，并将所述电压与
第一及第二预设电压进行比较，输出比较结果，所述调节单元用于根据比较结果调节接入
所述变压器的电阻和电容，其中，所述第一预设电压大于所述第二预设电压。
其中，所述比较单元包括第一比较器、第二比较器、第一电开关及第一电阻，所述
第一比较器的同相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接收所述电压，所述第一比较
器的反相输入端接收所述第一预设电压，所述第一比较器的输出端连接至所述调节电路，
所述第二比较器的同相输入端接收所述第二预设电压，所述第二比较器的反相输入端连接
至所述变压器初级同名端，以接收所述电压，所述第二比较器的输出端连接至所述第一开
关的控制端，所述第一开关的第一端通过所述第一电阻连接至电压端，且连接至所述调节
单元，所述第一开关的第二端接地。
其中，所述调节单元包括第二电开关、第三电开关、第四电开关、第五电开关、第二
电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容及二极管，所述第二电开关的控
制端连接至所述第一比较器的输出端，所述第二电开关的第一端通过所述第二电阻连接至
所述变压器初级的异名端，所述第二电开关的第二端连接至所述二极管的阴极，所述二极
管的阳极连接至所述变压器初级的同名端，所述第三电开关的控制端连接至所述第一电开
关的第一端，所述第三电开关的第一端通过所述第二电阻连接至所述变压器初级的异名
端，还通过所述第三电阻连接至所述二极管的阴极，所述第三电开关的第二端连接至所述
二极管的阴极，所述第四电开关的控制端连接至所述第一比较器的输出端，所述第四电开
关的第一端通过所述第一电容连接至所述变压器初级的异名端，所述第四电开关的第二端
连接至所述二极管的阴极，所述第五电开关的控制端连接至所述第一电开关的第一端，所
述第五电开关的第一端通过所述第二电容连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第
三电容连接至所述二极管的阴极，所述第五电开关的第二端连接至所述二极管的阴极。
其中，所述第一至第五电开关为NPN型场效应管，所述第一至第五电开关的控制
端、第一端及第二端分别为场效应管的栅极、漏极及源极。
本发明提供一种供电电路，包括变压器及吸收电路，所述吸收电路包括比较单元
及调节单元，所述比较单元用于接收所述供电电路的变压器初级同名端的电压，并将所述
电压与第一及第二预设电压进行比较，输出比较结果，所述调节单元用于根据比较结果调
节接入所述变压器的电阻和电容，其中，所述第一预设电压大于所述第二预设电压。
其中，所述比较单元包括第一比较器、第二比较器、第一电开关及第一电阻，所述
第一比较器的同相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接收所述电压，所述第一比较
器的反相输入端接收所述第一预设电压，所述第一比较器的输出端连接至所述调节电路，
所述第二比较器的同相输入端接收所述第二预设电压，所述第二比较器的反相输入端连接
至所述变压器初级同名端，以接收所述电压，所述第二比较器的输出端连接至所述第一开
关的控制端，所述第一开关的第一端通过所述第一电阻连接至电压端，且连接至所述调节
单元，所述第一开关的第二端接地。
其中，所述调节单元包括第二电开关、第三电开关、第四电开关、第五电开关、第二
电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容及二极管，所述第二电开关的控
制端连接至所述第一比较器的输出端，所述第二电开关的第一端通过所述第二电阻连接至
所述变压器初级的异名端，所述第二电开关的第二端连接至所述二极管的阴极，所述二极
管的阳极连接至所述变压器初级的同名端，所述第三电开关的控制端连接至所述第一电开
关的第一端，所述第三电开关的第一端通过所述第二电阻连接至所述变压器初级的异名
端，还通过所述第三电阻连接至所述二极管的阴极，所述第三电开关的第二端连接至所述
二极管的阴极，所述第四电开关的控制端连接至所述第一比较器的输出端，所述第四电开
关的第一端通过所述第一电容连接至所述变压器初级的异名端，所述第四电开关的第二端
连接至所述二极管的阴极，所述第五电开关的控制端连接至所述第一电开关的第一端，所
述第五电开关的第一端通过所述第二电容连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第
三电容连接至所述二极管的阴极，所述第五电开关的第二端连接至所述二极管的阴极。
其中，所述第一至第五电开关为NPN型场效应管，所述第一至第五电开关的控制
端、第一端及第二端分别为场效应管的栅极、漏极及源极。
本发明提供一种显示设备，包括显示单元及上述的供电电路，所述供电电路为所
述显示单元供电。
本发明实施例具有如下优点或有益效果：
本发明的吸收电路，应用于供电电路，所述吸收电路包括比较单元及调节单元，所
述比较单元用于接收所述供电电路的变压器初级同名端的电压，并将所述电压与第一及第
二预设电压进行比较，输出比较结果，所述调节单元用于根据比较结果调节接入所述变压
器的电阻和电容，其中，所述第一预设电压大于所述第二预设电压。因此，本发明可以根据
所述变压器的漏感(即为所述电压)控制接入所述变压器的电阻和电容，进而适应地抑制相
应的电压尖峰和EMI。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以
根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一方案提供的一种吸收电路的框图。
图2是图1的电路图。
图3是本发明第二方案提供的一种供电电路的电路图。
图4是本发明第三方案提供的一种显示设备的框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基
于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有
其它实施例，都属于本发明保护的范围。
此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特
定实施例。本发明中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、
“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说
明及理解本发明，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方
位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相
连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连
接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内
部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具
体含义。
此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本
说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区别时，只要
能实现该工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“～”表示的数值范
围是指将“～”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构
相似或相同的用相同的标号表示。
请参阅图1，本发明第一方案实施例提供一种吸收电路100。所述吸收电路100应用
于供电电路中。所述吸收电路100包括比较单元10及调节单元20，所述比较单元10用于接收
所述供电电路的变压器初级同名端的电压，并将所述电压与第一及第二预设电压进行比
较，输出比较结果，所述调节单元20用于根据比较结果调节接入所述变压器的电阻和电容，
其中，所述第一预设电压大于所述第二预设电压。
需要说明的是，所述比较单元10将所述电压与所述第一及第二预设电压进行比
较，会出现三个比较结果。第一比较结果是所述电压大于所述第一预设电压，第二比较结果
是所述电压小于所述第二预设电压，第三比较结果是所述电压大于所述第二预设电压小于
所述第一预设电压。所述调节单元20根据第一至第三比较结果调节三种不同的电阻及电容
接入所述变压器，从而可以根据所述变压器的漏感(即为所述电压)控制接入所述变压器的
电阻和电容，进而适应地抑制相应的电压尖峰和EMI(Electro-Magnetic Interference，电
磁干扰)。
请参阅图2，具体地，所述比较单元10包括第一比较器U1、第二比较器U2、第一电开
关Q1及第一电阻R1，所述第一比较器U1的同相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接
收所述电压VA，所述第一比较器U1的反相输入端接收所述第一预设电压Vref1，所述第一比
较器U1的输出端连接至所述调节电路20，所述第二比较器U2的同相输入端接收所述第二预
设电压Vref2，所述第二比较器U2的反相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接收所述
电压VA，所述第二比较器U2的输出端连接至所述第一开关Q1的控制端，所述第一开关Q1的
第一端通过所述第一电阻R1连接至电压端VCC，且连接至所述调节单元20，所述第一开关Q1
的第二端接地。
所述调节单元20包括第二电开关Q2、第三电开关Q3、第四电开关Q4、第五电开关
Q5、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及二极管
D，所述第二电开关Q2的控制端连接至所述第一比较器U1的输出端，所述第二电开关Q2的第
一端通过所述第二电阻R2连接至所述变压器初级的异名端，所述第二电开关Q2的第二端连
接至所述二极管D的阴极，所述二极管D的阳极连接至所述变压器初级的同名端，所述第三
电开关Q2的控制端连接至所述第一电开关Q1的第一端，所述第三电开关Q3的第一端通过所
述第二电阻R2连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第三电阻R3连接至所述二极管
D的阴极，所述第三电开关Q3的第二端连接至所述二极管D的阴极，所述第四电开关Q4的控
制端连接至所述第一比较器U1的输出端，所述第四电开关Q4的第一端通过所述第一电容C1
连接至所述变压器初级的异名端，所述第四电开关Q4的第二端连接至所述二极管D的阴极，
所述第五电开关Q5的控制端连接至所述第一电开关Q1的第一端，所述第五电开关Q5的第一
端通过所述第二电容C2连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第三电容C3连接至所
述二极管D的阴极，所述第五电开关Q5的第二端连接至所述二极管D的阴极。
需要说明的是，通过侦测变压器初级的同名端的电压，即A点的电压(所述电压
VA)，变压器漏感越大，A点电压越高，EMI效果越差。
当VA>Vref1时，漏感变大，所述第一比较器U1输出高电平，所述第二比较器U2输出
低电平信号。所述第二至第五电开关Q2-Q5均导通，则接入所述变压器的电阻R＝R1//R2(第
一电阻R1与第二电阻R2并联)，接入所述变压器的电容C＝C1//C2(第一电容C1与第二电容
并联)。因此，接入所述变压器的电容C最大，接入所述变压器的电阻R最小，故，所述吸收电
路100的吸收能力变强。即随着变压器的漏感增大，所述吸收电路100的吸收能力相应增强。
当Vref2<VA<Vref1时，漏感在正常范围内，所述第一比较器U1输出低电平，所述第
二比较器U2输出低电平信号。所述第二电开关Q2及所述第四电开关Q4截止，所述第三电开
关Q3及所述第五电开关Q5导通，则接入所述变压器的电阻R＝R2，接入所述变压器的电容C
＝C2，因此，接入所述变压器的电容C及接入所述变压器的电阻R均维持原始实际值。
当VA<Vref2时，漏感变小，所述第一比较器U1输出低电平，所述第二比较器U2输出
高电平信号。所述第二至第五电开关Q2-Q5均截止，则接入所述变压器的电阻R＝R2与R3串
联，入所述变压器的电容C＝C2和C3串联，因此，接入所述变压器的电容C最小，接入所述变
压器的电阻R最大，故，所述吸收电路100的吸收能力减弱。即随着变压器的漏感减小，所述
吸收电路100的吸收能力相应减弱，在保证抑制电压尖峰的同时降低了损耗，提高了效率。
在本实施例中，所述吸收电路100通过侦测变压器初级的同名端的电压来相应调
节吸收能力，使电压尖峰达到最小，EMI效果最佳，且还可以降低供电电路的损耗。
在本实施例中，所述第一至第五电开关Q1-Q5为NPN型场效应管，所述第一至第五
电开关Q1-Q5的控制端、第一端及第二端分别为场效应管的栅极、漏极及源极。在其他实施
例中，所述第一至第五电开关Q1-Q5也可以为其他类型的晶体管。
请参阅图3，本发明第二方案实施例提供一种供电电路300。所述供电电路300包括
变压器T及吸收电路。所述吸收电路为上述第一方案提供的吸收电路100。具体为：
所述吸收电路100应用于供电电路中。所述吸收电路100包括比较单元10及调节单
元20，所述比较单元10用于接收所述供电电路的变压器初级同名端的电压，并将所述电压
与第一及第二预设电压进行比较，输出比较结果，所述调节单元20用于根据比较结果调节
接入所述变压器的电阻和电容，其中，所述第一预设电压大于所述第二预设电压。
需要说明的是，所述比较单元10将所述电压与所述第一及第二预设电压进行比
较，会出现三个比较结果。第一比较结果是所述电压大于所述第一预设电压，第二比较结果
是所述电压小于所述第二预设电压，第三比较结果是所述电压大于所述第二预设电压小于
所述第一预设电压。所述调节单元20根据第一至第三比较结果调节三种不同的电阻及电容
接入所述变压器，从而可以根据所述变压器的漏感(即为所述电压)控制接入所述变压器的
电阻和电容，进而适应地抑制相应的电压尖峰和EMI(Electro-Magnetic Interference，电
磁干扰)。
具体地，所述比较单元10包括第一比较器U1、第二比较器U2、第一电开关Q1及第一
电阻R1，所述第一比较器U1的同相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接收所述电压
VA，所述第一比较器U1的反相输入端接收所述第一预设电压Vref1，所述第一比较器U1的输
出端连接至所述调节电路20，所述第二比较器U2的同相输入端接收所述第二预设电压
Vref2，所述第二比较器U2的反相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接收所述电压
VA，所述第二比较器U2的输出端连接至所述第一开关Q1的控制端，所述第一开关Q1的第一
端通过所述第一电阻R1连接至电压端VCC，且连接至所述调节单元20，所述第一开关Q1的第
二端接地。
所述调节单元20包括第二电开关Q2、第三电开关Q3、第四电开关Q4、第五电开关
Q5、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及二极管
D，所述第二电开关Q2的控制端连接至所述第一比较器U1的输出端，所述第二电开关Q2的第
一端通过所述第二电阻R2连接至所述变压器初级的异名端，所述第二电开关Q2的第二端连
接至所述二极管D的阴极，所述二极管D的阳极连接至所述变压器初级的同名端，所述第三
电开关Q2的控制端连接至所述第一电开关Q1的第一端，所述第三电开关Q3的第一端通过所
述第二电阻R2连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第三电阻R3连接至所述二极管
D的阴极，所述第三电开关Q3的第二端连接至所述二极管D的阴极，所述第四电开关Q4的控
制端连接至所述第一比较器U1的输出端，所述第四电开关Q4的第一端通过所述第一电容C1
连接至所述变压器初级的异名端，所述第四电开关Q4的第二端连接至所述二极管D的阴极，
所述第五电开关Q5的控制端连接至所述第一电开关Q1的第一端，所述第五电开关Q5的第一
端通过所述第二电容C2连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第三电容C3连接至所
述二极管D的阴极，所述第五电开关Q5的第二端连接至所述二极管D的阴极。
需要说明的是，通过侦测变压器初级的同名端的电压，即A点的电压(所述电压
VA)，变压器漏感越大，A点电压越高，EMI效果越差。
当VA>Vref1时，漏感变大，所述第一比较器U1输出高电平，所述第二比较器U2输出
低电平信号。所述第二至第五电开关Q2-Q5均导通，则接入所述变压器的电阻R＝R1//R2(第
一电阻R1与第二电阻R2并联)，接入所述变压器的电容C＝C1//C2(第一电容C1与第二电容
并联)。因此，接入所述变压器的电容C最大，接入所述变压器的电阻R最小，故，所述吸收电
路100的吸收能力变强。即随着变压器的漏感增大，所述吸收电路100的吸收能力相应增强。
当Vref2<VA<Vref1时，漏感在正常范围内，所述第一比较器U1输出低电平，所述第
二比较器U2输出低电平信号。所述第二电开关Q2及所述第四电开关Q4截止，所述第三电开
关Q3及所述第五电开关Q5导通，则接入所述变压器的电阻R＝R2，接入所述变压器的电容C
＝C2，因此，接入所述变压器的电容C及接入所述变压器的电阻R均维持原始实际值。
当VA<Vref2时，漏感变小，所述第一比较器U1输出低电平，所述第二比较器U2输出
高电平信号。所述第二至第五电开关Q2-Q5均截止，则接入所述变压器的电阻R＝R2与R3串
联，入所述变压器的电容C＝C2和C3串联，因此，接入所述变压器的电容C最小，接入所述变
压器的电阻R最大，故，所述吸收电路100的吸收能力减弱。即随着变压器的漏感减小，所述
吸收电路100的吸收能力相应减弱，在保证抑制电压尖峰的同时降低了损耗，提高了效率。
在本实施例中，所述吸收电路100通过侦测变压器初级的同名端的电压来相应调
节吸收能力，使电压尖峰达到最小，EMI效果最佳，且还可以降低所述供电电路300的损耗。
在本实施例中，所述第一至第五电开关Q1-Q5为NPN型场效应管，所述第一至第五
电开关Q1-Q5的控制端、第一端及第二端分别为场效应管的栅极、漏极及源极。在其他实施
例中，所述第一至第五电开关Q1-Q5也可以为其他类型的晶体管。
请参阅图4，本发明第三方案实施例提供一种显示设备400。所述显示设备400包括
显示单元410及供电电路。所述供电电路为上述第二方案提供的供电电路300。具体为：
所述供电电路300包括变压器T及吸收电路100。所述吸收电路100应用于供电电路
中。所述吸收电路100包括比较单元10及调节单元20，所述比较单元10用于接收所述供电电
路的变压器初级同名端的电压，并将所述电压与第一及第二预设电压进行比较，输出比较
结果，所述调节单元20用于根据比较结果调节接入所述变压器的电阻和电容，其中，所述第
一预设电压大于所述第二预设电压。
需要说明的是，所述比较单元10将所述电压与所述第一及第二预设电压进行比
较，会出现三个比较结果。第一比较结果是所述电压大于所述第一预设电压，第二比较结果
是所述电压小于所述第二预设电压，第三比较结果是所述电压大于所述第二预设电压小于
所述第一预设电压。所述调节单元20根据第一至第三比较结果调节三种不同的电阻及电容
接入所述变压器，从而可以根据所述变压器的漏感(即为所述电压)控制接入所述变压器的
电阻和电容，进而适应地抑制相应的电压尖峰和EMI(Electro-Magnetic Interference，电
磁干扰)。
具体地，所述比较单元10包括第一比较器U1、第二比较器U2、第一电开关Q1及第一
电阻R1，所述第一比较器U1的同相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接收所述电压
VA，所述第一比较器U1的反相输入端接收所述第一预设电压Vref1，所述第一比较器U1的输
出端连接至所述调节电路20，所述第二比较器U2的同相输入端接收所述第二预设电压
Vref2，所述第二比较器U2的反相输入端连接至所述变压器初级同名端，以接收所述电压
VA，所述第二比较器U2的输出端连接至所述第一开关Q1的控制端，所述第一开关Q1的第一
端通过所述第一电阻R1连接至电压端VCC，且连接至所述调节单元20，所述第一开关Q1的第
二端接地。
所述调节单元20包括第二电开关Q2、第三电开关Q3、第四电开关Q4、第五电开关
Q5、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及二极管
D，所述第二电开关Q2的控制端连接至所述第一比较器U1的输出端，所述第二电开关Q2的第
一端通过所述第二电阻R2连接至所述变压器初级的异名端，所述第二电开关Q2的第二端连
接至所述二极管D的阴极，所述二极管D的阳极连接至所述变压器初级的同名端，所述第三
电开关Q2的控制端连接至所述第一电开关Q1的第一端，所述第三电开关Q3的第一端通过所
述第二电阻R2连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第三电阻R3连接至所述二极管
D的阴极，所述第三电开关Q3的第二端连接至所述二极管D的阴极，所述第四电开关Q4的控
制端连接至所述第一比较器U1的输出端，所述第四电开关Q4的第一端通过所述第一电容C1
连接至所述变压器初级的异名端，所述第四电开关Q4的第二端连接至所述二极管D的阴极，
所述第五电开关Q5的控制端连接至所述第一电开关Q1的第一端，所述第五电开关Q5的第一
端通过所述第二电容C2连接至所述变压器初级的异名端，还通过所述第三电容C3连接至所
述二极管D的阴极，所述第五电开关Q5的第二端连接至所述二极管D的阴极。
需要说明的是，通过侦测变压器初级的同名端的电压，即A点的电压(所述电压
VA)，变压器漏感越大，A点电压越高，EMI效果越差。
当VA>Vref1时，漏感变大，所述第一比较器U1输出高电平，所述第二比较器U2输出
低电平信号。所述第二至第五电开关Q2-Q5均导通，则接入所述变压器的电阻R＝R1//R2(第
一电阻R1与第二电阻R2并联)，接入所述变压器的电容C＝C1//C2(第一电容C1与第二电容
并联)。因此，接入所述变压器的电容C最大，接入所述变压器的电阻R最小，故，所述吸收电
路100的吸收能力变强。即随着变压器的漏感增大，所述吸收电路100的吸收能力相应增强。
当Vref2<VA<Vref1时，漏感在正常范围内，所述第一比较器U1输出低电平，所述第
二比较器U2输出低电平信号。所述第二电开关Q2及所述第四电开关Q4截止，所述第三电开
关Q3及所述第五电开关Q5导通，则接入所述变压器的电阻R＝R2，接入所述变压器的电容C
＝C2，因此，接入所述变压器的电容C及接入所述变压器的电阻R均维持原始实际值。
当VA<Vref2时，漏感变小，所述第一比较器U1输出低电平，所述第二比较器U2输出
高电平信号。所述第二至第五电开关Q2-Q5均截止，则接入所述变压器的电阻R＝R2与R3串
联，入所述变压器的电容C＝C2和C3串联，因此，接入所述变压器的电容C最小，接入所述变
压器的电阻R最大，故，所述吸收电路100的吸收能力减弱。即随着变压器的漏感减小，所述
吸收电路100的吸收能力相应减弱，在保证抑制电压尖峰的同时降低了损耗，提高了效率。
在本实施例中，所述吸收电路100通过侦测变压器初级的同名端的电压来相应调
节吸收能力，使电压尖峰达到最小，EMI效果最佳，且还可以降低所述供电电路300的损耗，
进而降低所述显示设备400的损耗。
在本实施例中，所述第一至第五电开关Q1-Q5为NPN型场效应管，所述第一至第五
电开关Q1-Q5的控制端、第一端及第二端分别为场效应管的栅极、漏极及源极。在其他实施
例中，所述第一至第五电开关Q1-Q5也可以为其他类型的晶体管。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示
例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点
包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一
定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一
个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施
方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范
围之内。