一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法技术领域
本发明涉及高精度升压电路，具体涉及一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电
路及其方法。
背景技术
EEPROM（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），或写作
E2PROM，全称电子抹除式可复写只读存储器，是一种可以通过电子方式多次复写的半导体
存储设备，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。相比EPROM，EEPROM不需要
用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数
据。
EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是
以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程
器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用
刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”
的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多
的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的
漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而
变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
现有的用于EEPROM存储器编程使用的高精度升压电路，使用熔丝阵列来调节基准
源的电压，如图1所示，这种的电路结构缺点是：
1，熔丝阵列及其探针压点所占芯片面积比较大，芯片成本高。
2，熔丝修正精度低。
发明内容
为了解决背景技术所存在的问题，本发明的目的是提供一种EEPROM存储器编程使
用的高精度升压电路，本发明采用以下技术方案：
一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路，包括：
基准源、电荷泵、EEPROM存储器，其特征在于，还包括：寄存器以及MOS管开关阵列；
所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据；
所述MOS管开关阵列通过控制开关控制基准源的电压；
所述基准源通过改变电阻大小控制输出电压；
所述电荷泵输出用于存储器编程的输出电压；
所述存储器中存入能正常写入存储器时的电压所对应的MOS管开关阵列数据，存入的
地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域；
在读取模式时，读取存储器中存入的数据，直接输出适于写入的电荷泵电压。
一种提升EEPROM存储器编程精度的升压方法，包括：
基准源、电荷泵、寄存器以及MOS管开关阵列；
包括如下步骤：
S101，在EEPROM存储器的存储区域划出一部分作为修正专用区域；
S102，判断EEPROM存储器是否处于测试模式，是，则执行S103，否则执行S108;
S103，向寄存器中输入MOS管开关阵列的矩阵数据，并控制MOS管开关阵列的开关；
S104，通过MOS管开关阵列调整基准源的基准电压；
S105，输出电荷泵的输出电压；
S106，判断EEPROM存储器是否可以正常编程，是，则执行S107，否则执行S103；
S107，将寄存器中的MOS管开关阵列数据存储到修正专用区域中；
S108，根据EEPROM存储器中修正专用区域的MOS管开关阵列数据控制MOS管开关阵列；
S109，MOS管开关阵列通过电阻变化控制电荷泵输出用于EEPROM存储器正常编程的电
压。
进一步地，所述S104通过MOS管开关阵列调整基准源的基准电压为：通过控制MOS
管开关阵列来控制MOS管电阻，然后通过控制MOS管的电阻值变化开控制基准源的基准电压
值变化。
进一步地，所述测试模式下先用粗略扫描数据的方式控制MOS管开关阵列，判断数
据的大体范围。
进一步地，所述测试模式下在前期测试基础上，在小范围内用精确扫描数据的方
式控制MOS管开关阵列，得到精确的数据值。
进一步地，所述在EEPROM存储器中划分出来修正专用区域的面积大小可以忽略不
计。
鉴于以上电路和EEPROM存储器进入深亚微米工艺时，逻辑电路和存储单元面积很
小的特点，本发明有以下特点：
1、电路所占芯片面积小，成本低。
2、寄存器可以反复扫描，且可以修正位数比较高，所以修正精度高。
附图说明
图1为本发明电路的步骤流程图。
图2为背景技术的结构示意图。
图3为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图及具体实
施方式对本发明做进一步描述。
下面结合附图3对本发明的实施例进行说明：
目前EEPROM存储器进入深亚微米时代，EEPROM集成和工艺复杂性度越来越高，特别是
一些高性能新型EEPROM存储器，对编程电压的要求也越来越高。
本发明充分利用EEPROM存储器数据在芯片掉电时可以保存足够长时间的特点，在
EEPROM存储区专门划出一小部分作为修正专用区，划出部分的面积可以小到忽略不计。如
图2所示，芯片测试模式时，先用普通寄存器来控制MOS管开关阵列，再由MOS管开关阵列调
整基准源的基准电压。当基准源的基准电压调整时，电荷泵输出的用于EEPROM存储器编程
使用的输出电压跟着调整，当得到电荷泵符合要求的输出的电压值时，EEPROM可以正常编
程，把这时的寄存器数据存储在EEPROM修正专用区域。当电路不在测试模式，而在正常模式
时，MOS管开管阵列由EEPROM修正专用区域的数据控制，进而在正常模式时，得到电荷泵输
出符合EEPROM存储器编程的使用要求的精准电压值。
下面结合附图2对本发明的实施例进行说明：
芯片测试模式下，先用粗略扫描数据的方式，用普通寄存器来控制MOS管开关阵列。寄
存器通过向MOS管输入不同的阵列值，如（1，1,0,1）、（0，0，0，0，1）等阵列值数据，来控制不
同的MOS管工作，通过不同的数据来找到合适的阵列值。MOS管通过控制电阻阵列来控制电
阻值，通过电阻值来控制电压值。以此来调节基准源的基准电压。基准源的基准电压控制着
电荷泵的输出电压。与此同时，观察电荷泵输出的输出电压，判断适于EEPROM存储器编程的
电压数据的大体范围。
芯片测试模式下，在前期测试得到的适于EEPROM存储器编程的电压数据的大体范
围的基础上，在小范围内，用精确扫描数据的方式，继续用普通寄存器来控制MOS管开关阵
列，MOS管开关阵列同时记下电荷泵输出的符合EEPROM存储器编程使用要求的精准电压值
时，普通寄存器的数据值。
把电荷泵输出的符合EEPROM存储器编程使用要求的精准电压值对应的普通寄存
器的数据值，写入EEPROM修正专用区。